【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の表面を、表面粗さＲａが５ｎｍ以下かつ反りの曲率半径が２ｍ以上になるように加工する工程と、加工がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】冷却固化したフラックスの中から短時間のうちに結晶を取り出すことができるようにした結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理槽３００内に坩堝１０７を収納させ、この坩堝１０７を処理槽３００内に入れる前、あるいは、入れた後に、処理槽３００内にフラックス処理溶液３０１を流入させ、坩堝１０７内には、種基板と、この種基板上に生成された結晶２０５と、これらの種基板および結晶２０５を覆ったフラックス２０４とが収納された状態とし、フラックス処理溶液３０１の気液界面に対して種基板を傾斜させる傾斜手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を向上させることができる窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置を提供する。
【解決手段】育成炉と、育成炉内に配置された結晶成長容器と、結晶成長容器を加熱するヒーターと、結晶成長容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、結晶成長容器内に設けた坩堝２と、この坩堝２内に設けた種基板１とを備え、坩堝２内には、炭素粒１８を種基板１とは非接触状態で配置する凹部１７を設けた。また、種基板１の外周より外側に網状壁を設けて炭素粒１８を収容してもよい。 （もっと読む）

【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な２Ｈ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料からなる型上に半導体材料の物品を製造する方法および、光電池の製造に有用であろう半導体材料の物品などの、それにより形成された半導体材料物品に関する。
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【課題】本発明の目的は、半導体特性（移動度、ｏｎ／ｏｆｆ比、閾値（Ｖｔｈ））の向上、生産効率の向上にあり、またこれを用いた薄膜トランジスタのばらつき低減にある。
【解決手段】基板上に形成した半導体前駆体層に加熱処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、前記加熱処理と同時に半導体前駆体層に電磁波を照射することを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガリウム及びナトリウムが含まれる融液中に窒素ガスを供給し、種基板に窒化ガリウム結晶を生成する窒化ガリウム基板の製造において、従来よりも坩堝の周囲の温度勾配を低減することによって、坩堝を均一に加熱することが出来る基板製造装置を提供する。
【解決手段】ヒータ１２ａが内部に取り付けられている第１の容器（内容器）１２と、第１の容器１２の内部に収容されている坩堝１４とを備え、第１の容器１２のヒータ１２ａによって坩堝１４を加熱することで坩堝１４内の融液３０に浸漬する種基板２０上に結晶基板を生成する基板製造装置Ａであって、第１の容器１２の内部に収容されると共に坩堝１４を収容する保温容器１３を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体の、半導体特性（移動度、ｏｎ／ｏｆｆ、Ｖｇ（ＯＮ））を向上させ、ばらつきを低減させて、生産効率が向上した製造方法を提供することであり、また、この酸化物半導体を用いた半導体素子、薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】金属塩を含有する半導体前駆体層に加熱処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、加熱時の昇温速度が１〜１００℃／分であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】効率よくドープシリコン膜を生成するシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を照射しながらドーパントガスを供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したドープシリコン前駆体を生成するシリコン前駆体生成装置１１３と、ドープシリコン前駆体を含む溶液を基板に塗布する塗布装置１０２と、ドープシリコン前駆体が塗布された基板を焼成することにより、基板上にドープシリコン膜を形成する焼成装置１２５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮの製造において、Ｇｅを効率的に添加する方法を提供する。
【解決手段】種結晶基板１９を、その一端が保持用台座１８上となるように配置する。これにより、坩堝１１底面に対して種結晶基板１９が傾斜した状態で保持されるようにし、種結晶基板１９と坩堝１１底面との隙間に固体ガリウム１６、固体ゲルマニウム１７を配置し、種結晶基板１９上に固体ナトリウム２０を配置する。以上のように材料を配置してＮａフラックス法により種結晶基板１９にＧａＮ結晶を育成すると、ナトリウムとゲルマニウムの合金が生じる前に、ガリウム融液にゲルマニウムが融解するので、ＧａＮ結晶にＧｅを効率的にドープすることができる。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いた薄板の製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際の薄板の剥がれ落ちを防止し、薄板を効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板製造装置であって、前記下地板が前記原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるための浸漬機構を設け、前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板が設けられたことを特徴とする薄板製造装置である。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いたシリコンシートの製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際に、形成途中のシリコンシートが液面から受ける影響を小さくし、シリコンシートを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液４に下地板１を浸漬させた後に下地板１をシリコン融液４から脱出させて、シリコン融液４の凝固により下地板１上にシリコンシート２を形成するシリコンシート２の製造装置であって、下地板１の表面に形成されたシリコンシート２がシリコン融液４から脱出し終えるときの下地板１の移動速度が、下地板１がシリコン融液４に没入し始めるときの下地板１の移動速度に比べて大きくなるように、下地板１の速度を制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

電気活性材料の層を形成する方法が提供されている。この方法は：電気活性材料および少なくとも１種の溶剤を含有する液体組成物をワークピース上に堆積させて湿潤層を形成するステップ；ワークピース上の湿潤層を固体吸収性材料を含有する減圧チャンバ中に入れるステップ；および湿潤層を、−２５℃〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０^-6Ｔｏｒｒ〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の適用された減圧下で１〜１００分間の間処理するステップを含む。
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共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜であって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。 （もっと読む）

共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜を含む電子デバイスであって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。
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【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

発明は、光電池の作製に有用であり得る半導体材料のような、半導体材料品の作製方法及びこの方法で形成される半導体材料品に関する。
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【課題】電気伝導性の良好な有機半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】低分子有機半導体化合物前駆体及び高分子有機半導体化合物を含む塗布液を調整する塗布液調整工程と、前記塗布液を支持体表面に塗布する塗布工程と、前記支持体表面に塗布された前記塗布液を加熱する加熱工程と、を有する、有機半導体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガリウム及びナトリウムが含まれる融液に窒素ガスを供給することにより窒化ガリウム基板を製造する方法において、坩堝出し入れにかかわる作業性が向上しうる基板製造装置を提供する。
【解決手段】加圧及び加熱された処理容器６の内部に載置された坩堝１０内において種基板２０を融液３０に浸漬することによって上記種基板２０上に結晶基板を形成する基板製造装置であって、上記処理容器６の底部６ａ１，６ｂ１が、上記坩堝１０を載置可能であると共に下方に向けて取り外し可能とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜、特に、前駆体から熱変換され形成される酸化物半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体特性の向上およびその安定性が向上した生産効率の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基体３１０上に、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、酸化物半導体薄膜３０６を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜３０３が大気圧プラズマ法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）