置換２，２’−ジチオフェンを製造するための方法であって、工程（ａ）、（ｃ）ならびに任意の工程（ｂ）および（ｄ）、すなわちａ）式：（ＩＶ）［Ｈａｌは、水素またはハロゲン、特にＢｒを表し、Ｒ１およびＲ１’は、独立して水素または置換基であり、ｎは０から６、好ましくは０であり；Ｙは、存在すれば、置換または非置換フェニレン、チエン、１，２−エチレンであるか、または１，２−エチニレンであり；Ｒ２およびＲ２’は、独立して水素であるか、あるいはそれぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択される］の化合物と、好適なリチウム有機化合物、好ましくはＬｉ−アルキルまたはＬｉ−アルキルアミドとを反応させる工程と、ｂ）リチウムをＭｇ、ＺｎおよびＣｕから選択される別の金属と場合によって交換する工程と、ｃ）工程（ａ）または（ｂ）で得られた金属中間体と、ＣＯ₂もしくはアルデヒド（付加反応）、または化合物Ｙ’−Ｒ１７もしくはＹ’−Ｒ１８−Ｚ（置換反応）［Ｒ１７およびＲ１８は請求項１に定義されている通りである］である好適な求電子体とを反応させる工程と、場合によってｄ）例えば以上に定義されている１つまたは複数の共役部分Ｙの導入、好適な一価の残基Ｒ１７の間の閉環、Ｒ１７またはＲ１８におけるカルボニルへの付加またはカルボニルの置換などの官能基または置換基の交換または延長によって、工程（ｃ）で得られた生成物を改質する工程とを含む方法。ポリマーを含む、またはポリマーに対応する生成物は、例えば、有機電界効果トランジスタ、集積回路、薄膜トランジスタ、ディスプレイ、ＲＦＩＤタグ、エレクトロまたはフォトルミネセンス素子、ディスプレイ、光起電力またはセンサ素子、電荷注入層、ショットキーダイオード、記憶装置、平坦化層、帯電防止材、導電性基板またはパターン、光導体、あるいは電子写真用途または記録材料における用途の優れた導電性材料である。
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【課題】溶湯中の冷却体の溶湯中への浸漬軌道と干渉する物による生産性に対する悪影響を防止することができる析出板製造装置および析出板製造方法を提供する。
【解決手段】放射温度計５０が、溶湯２３の表面温度を検出すると、制御装置４５は、溶湯２３の表面温度の変化に基づいて、溶湯２３中の冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物の有無を判断する。具体的には、溶湯２３の表面温度の変化が、予め定める変化幅以上であり、かつその状態が予め定める期間継続したときに、溶湯２３中に冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物が有るものと判断する。制御装置４５は、溶湯２３中に冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物が有ると判断されたときは、冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬を停止する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】物性的に安定し、しかも、製造が比較的容易な有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】有機電子デバイスは、（Ａ）微粒子、及び、（Ｂ）微粒子と微粒子とを結合した有機半導体分子から成り、ｐ型としての挙動を示す導電路を具備し、有機半導体分子は、下記の構造式（１）で表されることを特徴とする有機電子デバイス。


但し、構造式（１）中、Ｒ₁，Ｒ₂はアルキル基を表し、Ｍは、２Ｈ，Ｚｎ⁺²，Ｍｇ⁺²，Ｆｅ⁺²，Ｃｏ⁺²，Ｎｉ⁺²，Ｃｕ⁺²を表し，ｎは１乃至５の整数である。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、ＩＩＩ族窒化物結晶１０は、酸化物の反応容器７内で成長され、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆う。 （もっと読む）

【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面１００ｍに複数の凸部１００ｐを有する基板の主面１００ｍを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面１００ｍ上で凸部１００ｐを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板１００の一部分の凸部１０１ｐの熱抵抗値が基板１００の他の部分の凸部１０４ｐの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有しかつ０．５ｍｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶基板１を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さな結晶薄膜を製造することのできる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る結晶成長方法は、基板６上に液体原料１２ｃを供給し、基板６上に液体原料１２ｃから結晶を析出させることによって、結晶薄膜を得る結晶成長方法において、基板６上に供給された液体原料１２ｃの一部を、液体原料１２ｃの重力によって、基板６から取り除いた後に、基板６上に残存する残存液体原料１２ｄの結晶成長を開始する製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良好な生産効率を維持し、装置規模を削減し、コストを低減できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置２０００は、浸漬機構１５００と、脱着機構と、チャンバー１１００とを備えている。浸漬機構１５００は、融液１１０２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１１０２が凝固した薄板Ｐを形成するためのものである。脱着機構は、下地板Ｓを浸漬機構１５００に脱着するためのものである。チャンバー１１００は、浸漬機構１５００および脱着機構が内部に配置されている。チャンバー１１００は、下地板Ｓをチャンバー１１００の外部から内部に搬入するための第１の開口部１２０１と、下地板Ｓをチャンバー１１００の内部から外部へ搬出するための第２の開口部１３０１とを有している。第１および第２の開口部１２０１、１３０１がチャンバー１１００の内部の雰囲気ガスと大気との境界になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来に望むことの出来ない高密度で、かつサイズ揺らぎの少ない均一な量子ドットの作成が可能な方法を提供する。
【解決手段】従来のＧａＡｓ（１００）基板でなく、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上にガリウムのみを供給して液状のガリウム金属微粒子を作製し、その液滴に砒素分子線を照射してガリウム砒素に結晶化することにより、サイズ揺らぎの少ない量子ドットを作製する。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】低温度における溶液処理を用いる、薄膜トランジスタのための酸化亜鉛半導体レイヤを製造する方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛及び錯化剤から成る溶液を製造し、その溶液を基板に付着させ、その溶液を加熱して基板上に半導体レイヤを形成する。この酸化亜鉛半導体レイヤを用いる薄膜トランジスタは、移動度及びオン／オフ割合が好ましい。 （もっと読む）

【課題】発光特性および色純度が画期的に向上したナノ結晶を提供する。
【解決手段】化合物半導体から構成されるナノ結晶コアと、前記ナノ結晶コアの周囲に形成される非半導体物質から構成されるバッファ層と、を含むことを特徴とするナノ結晶とその製造方法およびそれを含む電子素子を提供する。 （もっと読む）

実施形態は、材料の前駆体を含有するインクから形体を印刷することに関する。該材料には、電気的活性な材料、例えば、半導体、金属、又はそれらの組合せのほか、誘電体を含む。該実施形態は印刷されるライン又はその他の形体の形状、輪郭及び寸法をより正確に制御できる改善された印刷工程条件を提供する。該組成物（複数可）及び／又は方法（複数可）は、インク中の成分の粘度及び質量負荷を増大させてピンニング制御を改善する。典型的な方法は、従って、材料の前駆体と溶媒とを含むインクを該基板上にパターンとして印刷するステップと、該前駆体を前記パターンとして沈殿させてピンニングラインを形成するステップと、該ピンニングラインによって画定されている該材料の前駆体の形体を形成するために、該溶媒を十分に蒸発させるステップと、該材料の前駆体を該パターン化材料に転化するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】液体シリコン材料中のＳｉ成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料２２の液滴２４を基板１０上に吐出させ、該液滴に光３２を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】析出用基板を案内する移送用ガイド体と、析出用基板を保持する搬送手段との位置関係の調整を容易に、短時間で行うことができる基板保持装置およびこの基板保持装置を備える析出板製造装置を提供する。
【解決手段】中継用ガイド体５４は、鉛直方向Ｚおよび交差方向にそれぞれ位置調整可能である。この中継用ガイド体５４は、移送用ガイド体に接続可能に構成され、析出用基板を移送方向Ｘに案内する。搬送手段５５は、析出用基板を保持可能に構成され、移送される析出用基板を保持する保持位置、および析出用基板を融液２４に浸漬する浸漬位置の間を移動する。これら中継用ガイド体５４および搬送手段５５は、チャンバの収容空間２７を出入り自在に構成される移動体５６に搭載される。 （もっと読む）

本発明は、誘電体層、及び熱分解法酸化亜鉛を含有しかつ誘電体層と結合する層を含む層複合材料に関する。また本発明は、熱分解法酸化亜鉛を誘電体層上に、酸化亜鉛粒子が２００ｎｍ未満の平均凝集体直径で存在する分散液の形で塗布し、かつ酸化亜鉛層を乾燥させ、かつその後に、２００℃未満の温度で処理する、該層複合材料を製造する方法に関する。また本発明は、熱分解法酸化亜鉛を基板層又は基板層複合材料に、酸化亜鉛粒子が２００ｎｍ未満の平均凝集体直径で存在する分散液の形で塗布して、酸化亜鉛層を形成し、かつその後に、酸化亜鉛層及び基板層を２００℃未満の温度で処理し、かつその後に誘電体層を酸化亜鉛層に塗布する、該層複合材料を製造する方法に関する。さらに本発明は、該層複合材料を有する電界効果トランジスタに関する。
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【課題】エピタキシャル成長（ＬＰＥ）法により、４Ｈもしくは６Ｈ炭化珪素単結晶基板上に２Ｈ炭化珪素単結晶が３０μｍ厚以上形成された基板と、その製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３内でリチウムフラックス中で珪素と炭素の融液１２を形成し、種結晶基板１１として融液１２に浸漬した４Ｈ炭化珪素単結晶もしくは６Ｈ炭化珪素単結晶のＣ面［（０００−１）面］上に、２Ｈ炭化珪素単結晶のＬＰＥ膜を３０μｍ厚以上成長させる。 （もっと読む）

【課題】光学分野、電気・電子工業分野において有用な3.30＜Eg≦3.54eVのバンドギャップを有するMg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】溶質と溶媒の混合比が、ZnOのみに換算した溶質：溶媒＝5〜30mol％：95〜70mol%であり、溶媒であるPbOとBi2O3の混合比がPbO：Bi2O3＝0.1〜95mol%：99.9〜5mol%である融液に基板を直接接触させ、液相エピタキシャル成長法により、膜厚が5μｍ以上のMg含有ZnO系混晶単結晶を基板上に成長させる。このようにして製造したMg含有ZnO系混晶単結晶を基板として用い、この基板上に更にMg含有ZnO系混晶単結晶を成長させることによりMg含有ZnO系混晶単結晶積層体を製造する。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法において、大面積のエピタキシャル成長を可能とし、かつ低コスト化を図る。
【解決手段】シード基板としての単結晶ＳｉＣ基板１５に対向して、当該単結晶ＳｉＣ基板１５より自由エネルギーの高い炭素フィード基板としての多結晶ＳｉＣ基板２０を配置する。また、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にシリコンプレート２３を配置する。これを真空高温環境で加熱処理し、シリコンプレート２３を融解させ、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にＳｉの極薄溶融層を溶媒として介在させる。そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）