【課題】ブロードな発光スペクトルの赤外光を発する蛍光体、これを用いた発光素子及び発光装置、並びに蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造において有用な半導体インク配合物を提供する。
【解決手段】半導体インク配合物は、構造式（Ａ）のチオフェン部分を含む半導体材料と、第１の溶媒と、第１の溶媒と混和性であり、第１の溶媒の表面張力に等しいかまたはそれより大きい表面張力を有する第２の溶媒とを含み、該半導体材料が室温にて０．１重量％未満の溶解度を有する。


（上記構造式（Ａ）中、Ｒ_１は、アルキルおよび置換アルキルから選択される。） （もっと読む）

【課題】半導体結晶の膜厚を均一にすると共に、その結晶性を高く均一にする方法を提供する。
【解決手段】昇温開始後、混合フラックス中の窒素（Ｎ，Ｎ₂）が過飽和近くに達するまでの２０時間、坩堝を４０ｒｐｍの回転数で、それぞれ１分の正回転期間と、１分の負回転期間とで２分を１周期として、回転方向を切り換える。半導体結晶の成長工程においては、漸増期間、正回転期間、漸減期間、停止期間、漸増期間、負回転期間、漸減期間、停止期間を１周期として、回転速度が制御される。この様な攪拌処理によって、雰囲気中の窒素成分（Ｎ₂またはＮ）が混合フラックス中に常時十分に取り込まれる。また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。また、回転を切り換えるときに、フラックスの乱流が発生しないため、結晶粒界が大きくなり、結晶転位密度を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）

【課題】溶液法によりＳｉＣ単結晶を製造する際に、結晶多形の生成を防止乃至は抑制することが可能であるＳｉＣ単結晶の製造装置およびＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液成長炉内のＳｉを含む融液３の液面にＳｉＣ種結晶８を接触させてＳｉＣ結晶成長を行うＳｉＣ単結晶の製造装置１において、ＳｉＣ種結晶基板８をＳｉを含む融液３に接触させる直前まで、ＳｉＣ種結晶基板８が融液３の蒸気に触れないための保護機構２を設けてなるＳｉＣ単結晶の製造装置１、およびＳｉＣ種結晶基板８をＳｉを含む融液３に接触させる直前まで、ＳｉＣ種結晶基板８が融液３の蒸気に触れさせないように保護することによって、溶液成長炉内のＳｉを含む融液３の液面にＳｉＣ種結晶８を接触させてＳｉＣ結晶成長を行うＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１回のインクジェット吐出により基板上に、分離された複数の薄膜を成膜可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供し、該製造方法によりＯｆｆ電流が低く、且つ、平均移動度が良好な有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、該トランジスタを具備する表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、導電層、絶縁層、有機半導体層の少なくとも一層をインクジェットプロセスで成膜する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
該導電層、該絶縁層及び該有機半導体層の少なくとも一層を成膜する際、１回のインクジェット吐出によって、該基板上に、分離された複数の薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】液相成長法において、種結晶の結晶成長面における多核成長およびインクルージョンの発生を抑制し、前記結晶成長面に結晶を層成長させることが可能であり、結晶の品質、厚みの均一性および成長レートが向上したＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素、アルカリ金属およびＩＩＩ族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、前記結晶成長容器内１８を加圧加熱し、前記ＩＩＩ族元素、前記アルカリ金属および前記窒素を含む融液２１中で前記ＩＩＩ族元素および前記窒素を反応させ、前記種結晶２０を核としてＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記融液２１を、前記結晶成長面２２に沿って一定方向に流動させた状態で、前記種結晶２０の結晶成長面２２にＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低い溶液法を使用でき、さらに、有機半導体層への影響が少なく機械的強度や熱的安定性に優れた電極を備える有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層１４と、有機半導体層１４にゲート絶縁層１３を介して形成されたゲート電極１２と、有機半導体層１４に接して対向する位置に形成されている炭素材料からなるソース電極１５及びドレイン電極１６とを備える有機トランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体融液に板状半導体製造用下地板を浸漬し作製した板状半導体において、板状半導体作製時の割れを減少させ、板状半導体の反りを小さくする方法を提供する。
【解決手段】成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。さらに、溝は浸漬方向と略平行である。 （もっと読む）

【課題】融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、８００℃以上１５００℃以下の雰囲気温度および５００気圧以上２０００気圧未満の雰囲気圧力下で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。また、基板１０を準備する工程の後、ＧａＮ結晶２０を成長させる工程の前に、基板１０の主面１０ｍをエッチングする工程を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】基板の浸漬角度も任意に変更することができ、浸漬条件の自由度を向上させることができる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】浸漬機構６は、水平の第１の回転中心１２を中心に旋回する一対の腕部材１３と、腕部材１３の先端近傍に水平な第２の回転中心を有する回転軸部材１４と、回転軸部材１４に下地板を保持する台座を有し、一対の腕部材１３は、回転軸部材１４を挟持し、回転軸部材１４とは反対側にバランサー１５が配置されている。バランサー１５は円筒状部材で構成され、一対の腕部材１３を繋いでいる。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の成膜性を向上させることができる前駆体液およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部にシリコンの前駆体液を配置する工程と、前記シリコンの前駆体液に熱処理を施すことによりシリコン膜を形成する工程と、を有し、前記シリコンの前駆体液は、高次シランを含む環状飽和炭化水素化合物の溶液である。このように、環状飽和炭化水素化合物を溶媒として用いることにより高次シラン（例えば、平均分子量が２６００を超えるポリシラン化合物）を溶解させることができ、前駆体液の均一性を向上させることができる。よって、形成されるシリコン膜の成膜性を向上させることができる。また、高次シランを用いることで、膜材料の揮発を低減でき、装置の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】下地基板を融液に浸漬させることにより下地基板の表面上に形成される結晶薄板の生産を停止することなく安定した原料の追加供給を行なうことができ、また品質の劣化やばらつきを低減するとともに結晶薄板の製造歩留まりを向上することによって、結晶薄板の生産性を向上させることができる溶融炉を提供する。
【解決手段】融液１１０２を保持するための主坩堝１１０１と、融液１１０２を加熱するための主坩堝加熱装置１１０４と、融液１２０２を保持するための副坩堝１２０１と、融液１２０２を加熱するための副坩堝加熱装置１２０４と、固体原料１４０２を投入するための固体原料投入装置１４０１と、副坩堝１２０１から主坩堝１１０１に融液１２０２を供給するための融液搬送部１３０１と、固体原料投入装置１４０１から副坩堝１２０１への固体原料１４０２の投入の有無を決定する固体原料投入制御装置１５０６とを備えた溶融炉１０００である。 （もっと読む）

【課題】 チャンバに向けて基板を搬送するときに、簡易な構成で、基板の表面に付着した酸素などのチャンバ外部の気体がチャンバ内に持ち込まれるのを防止することができる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 基板９表面に結晶を成長させる空間となるチャンバ２と、チャンバ２に向けて基板９が搬出されるリフター室３との間には、基板９がリフター室３からチャンバ２に向けて搬送される通路となる搬送路形成部４が形成される。そして、搬送路形成部４内には、基板９が搬送される搬送方向に平行に延びる筒状であり、基板９が通過可能な案内管５が形成される。そして、気体供給手段６から供給されてチャンバ２内に充填される不活性ガスが、案内管５を通過して搬送される基板９の表面に沿うように接触して流れる。 （もっと読む）

【課題】組成均一性が高い自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＭｇＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりＭｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させ、その後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ濃度が低い自立ＺｎＯ単結晶を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりＺｎＯ単結晶を種結晶基板７上に成長させることができる。ＺｎＯ単結晶を成長させた後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ＺｎＯ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、基板上に生成する単結晶の膜厚を種結晶全面に対して均一化することが可能な窒化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成容器１の底壁部１０に、相対的に高温の高温部１０ｂと相対的に低温の低温部１０ａとを設け、融液２内に種結晶基板５を浸漬し、種結晶基板５が高温部１０ｂ上に位置するように固定した状態で育成を開始する。高温部１０ｂ付近から矢印６のように種結晶基板の育成面５ａ（あるいは５ｂ）に添って上昇流が生じ、次いで気液界面の近くでは育成容器の外側へと向かって流れ、次いで矢印８のように育成容器の内壁面に添って下降流が生じる。このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いることなく、結晶性の良い、高品質なＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】アニール炉２０において、サファイア基板７を１，０５０℃、アンモニア雰囲気下で、５分間アニールすることによって窒化処理する。次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物の育成後にフラックスを安全に除去できるフラックス処理装置を提供する。
【解決手段】フラックス法にてIII族窒化物結晶を育成した後に、その反応容器107を処理溶液218に浸漬してフラックスを除去する処理を行うフラックス処理装置を、処理溶液218を入れる処理容器301と、同処理溶液218についての温度センサー219および温度調整器221とを有し、温度センサー219による測定結果をもとに温度調整器221を介して処理溶液218の温度を所定の温度領域に制御するように構成する。 （もっと読む）