【課題】基体表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画、若しくは前記周辺部と内側部の一部が連結されている基体を、半導体材料の融液に接触させることにより、前記半導体材料の固相シートを基体の表面に製造する工程で固相シート表面に生じる液溜りによって、固相シートに亀裂を生じ、歩留りが低下している問題点を解決する固相シートの製造方法を提供する。
【解決手段】前記内側部の表面にスリット１０３を施す。また、好ましくは、基体の表面を半導体材料の融液に接触するときの移動方向後方にスリット１０３を施す。特に好ましくは半導体材料の融液に接触するときの移動方向に周縁溝１０２から内側部に複数スリット１０３を施す。 （もっと読む）

【課題】陰イオンをＯサイトへ添加することが可能で、電気特性や光学特性等の改善を図ることが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル法を用いた酸化亜鉛単結晶の製造方法において、亜鉛を含む原料溶液２として、リン酸塩を含む原料溶液２を用い、液相で酸化亜鉛単結晶をエピタキシャル成長させる。また、リン酸塩として、亜鉛のリン酸塩および／または亜鉛以外の物質のリン酸塩を用いる。また、リン酸塩として、Ｚｎ₃（ＰＯ₄）₂を用いる。 （もっと読む）

光電デバイス及び関連する方法。デバイスは、電子収集電極及びホール収集電極間に配置されたナノ構造物質を有する。電子輸送／ホール遮断材料は、電子収集電極とナノ構造物質との間に配置される。特定の実施例においては、ナノ構造物質における光吸収により生成される負電荷キャリアは、電子輸送／ホール遮断材料に選択的に分離される。特定の実施例においては、ナノ構造物質は、波長が約４００ｎｍ〜７００ｎｍに及ぶ光に対し、少なくとも１０^３ｃｍ^−１の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】複数のワイヤからなるワイヤ群の長手方向の向きが揃った物品の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンナノワイヤシートを作成するために、シリコンワイヤをポリマーで被覆しておき、その後、交流磁場等で配向させ、固定化する。 （もっと読む）

【課題】
多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する装置、および、シート状基板の作製方法を提供する。
【解決手段】
ロールブラシと、多孔質成長基板を前記ロールブラシのブラシ毛に接触させながら移動させることができる基板移動手段と、を有し、ブラシ毛の線径が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする多孔質成長基板クリーニング装置を用いることにより、多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する。この多孔質成長基板クリーニング装置により清掃された多孔質成長基板の表面をシリコン融液に浸漬して前記多孔質成長基板の表面にシリコン状シート基板を成長させることにより、シート状基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの動作特性の改善を容易にすること。
【解決手段】結晶成長温度等の結晶成長条件の最適化により、半導体層１０３（チャネル層Ａ）の上面を形成する原子の昇華を効果的に抑制することができ、この場合、半導体層１０３，１０４の界面の荒れを効果的に防止することができる。また、この界面荒れの抑制作用は、上記の結晶成長条件の最適化の他、本発明の製造方法に従って製造された厚さ約４００μｍの真性ＧａＮ結晶（本発明の電子デバイス用半導体基板）から結晶成長基板１０１を構成したことにも基づいている。即ち、結晶成長処理によって基板上に積層される半導体結晶層間の界面をより平坦に形成する上で、結晶品質が極めて高い結晶成長基板を用いることは非常に有効かつ重要であり、この意味においても、本発明の電子デバイス用半導体基板を用いることは、特に有効である。 （もっと読む）

【課題】シンプルな原理でありながら各種電子装置の基板として汎用性の著しく高いSi基体上に光機能素子などを構築するために、Si基体上にβ-FeSi₂単相膜を容易に形成する方法等を提供する。
【解決手段】Fe元素を含有する溶融塩２３をSi基体２２と接触させることによってβ-FeSi₂をSi 基体２２上に形成するβ-FeSi₂形成方法。この1例として、下記の(1)式で示される反応によってβ-FeSi2を形成するβ-FeSi2形成方法を挙げる。5Si＋2 FeCl₂＝2β-FeSi₂＋SiCl₄ (1) （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ、特に、パターニング技術が、下地電極に対して正確に整列される必要がある電極パターンの画定に使用される薄膜トランジスタなどの電子デバイスの作製に関する。作製方法は、狭い線幅を有する構造を形成することができない、及び／又は、先に堆積されたパターンに対してあまり正確に位置決めすることができない、レーザアブレーションパターニング技術または溶液ベースの直接書き込み印刷技法などの種々のパターニング技術に適用可能である。こうして、本発明者等は、減算的技法によるゲートパターニング、特に、選択的レーザアブレーションパターニングと、印刷などの加算的技法によるゲートパターニングの両方について適用可能である自己整合ゲート技法を述べる。技法は、低解像度ゲートパターニングの使用を容易にする。
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少なくとも一つの有機半導体化合物を用い、基板表面にパターン形成する方法において、（ａ）規定した凹凸パターンを形成された多数の凹部を含む表面を有するスタンプが提供され、前記凹部は、スタンピング表面と隣接し、スタンピングパターンを規定し、（ｂ）基板表面と結合することができ、且つ少なくとも一つの有機半導体化合物（Ｓ）と結合することができる、少なくとも一つの化合物（Ｃ１）で前記のスタンピング表面を被覆し、（ｃ）基板表面の少なくとも一部分が前記のスタンピング表面と接して基板上に前記の化合物（Ｃ１）の堆積が可能になり、（ｄ）スタンピング表面を離して、基板表面上に結合サイトのパターンを提供し、（ｅ）基板表面に有機半導体化合物（Ｓ）の多数の微結晶を適用し、適用した微結晶の少なくとも一部分が、基板表面上の結合サイトの少なくとも一部分と結合する。
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【課題】無機ナノ複合体及び無機ナノ複合膜、及びそれらを作製する方法、並びに無機ナノ複合体及び無機ナノ複合膜を含む電界効果トランジスタ、データ記憶媒体及び光起電力デバイスを作製する方法とを提供する。
【解決手段】可溶性のヒドラジン系金属カルコゲナイド前駆体の溶液を得る工程と、前駆体溶液中にナノ物体を分散させる工程と、ナノ物体を含む前駆体の溶液を基板上に塗布してナノ物体を含む前駆体の膜を作る工程と、ナノ物体を含む前駆体の膜をアニールして、少なくとも一つの金属カルコゲナイドと、少なくとも一つの分子レベルで相互混合されたナノ物体とを含む金属カルコゲナイドナノ複合膜を基板上に作る工程とによって、無機ナノ複合体が調製される。本プロセスは、電界効果トランジスタ及び光起電力デバイスを調製するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体を、安全性に優れ、安価で容易に作製し得る方法を提供する。
【解決手段】半導体の作製方法は、有機金属、チオ尿素を含有する溶液を超音波処理し、当該超音波処理された溶液を基板上へスプレー塗布し、当該溶液が塗布された基板を加熱することを特徴とする。また、半導体の作製方法の好ましい実施態様において、前記有機金属が、酢酸銅、ギ酸銅、ギ酸第２銅からなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学的および電気的に安定し、信頼性のある有機半導体薄膜を製造することができる新規な芳香族エンジイン誘導体を提供する。
【解決手段】下記化学式１〜化学式３のいずれかで表わされる芳香族エンジイン誘導体。
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【課題】 欠陥が少なく、高い結晶性、配向性を備えた有機半導体層を安価なプロセスで作製する。
【解決手段】 有機半導体化合物の前駆体と溶媒とを少なくとも含む溶液を基板に付着させる工程、及び該有機半導体化合物の前駆体を有機半導体化合物に変換する工程を少なくとも有する有機半導体層の形成方法であって、前記溶媒の基板に対する接触角が１４°以下であり、且つ、前記溶液における有機半導体化合物の前駆体の濃度が０．０５ｗｔ％以上であることを特徴とする有機半導体層の形成方法。 （もっと読む）

一定量の粒子半導体材料と一定量のバインダーとを混合することを含む印刷可能な組成物を製造する方法。半導体材料は、典型的には、ほぼ５ナノメートルないし１０マイクロメートルの粒径を有するナノ粒子ケイ素である。バインダーは、天然油、またはその誘導体もしくは合成類似物を含む自己重合型材料である。好ましくは、バインダーは、天然油、あるいは対応する脂肪酸の純粋な不飽和脂肪酸、モノ−およびジ−グリセリド、またはメチルおよびエチルエステルを含む誘導体からなる前駆体の自己重合型材料である。方法は、単一または複数の層で基体に印刷可能な組成物を適用し、ついで印刷可能な組成物を硬化させて基体上にコンポーネントまたは導体を形成することを含むことができる。
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【課題】本発明は、絶縁特性が良好であると共に、ソース電極及びドレイン電極間を流れる電流のオン／オフ比が大きい有機半導体装置及びその製造方法並びに該有機半導体装置を有する表示素子を提供することを目的とする。
【解決手段】有機半導体装置については、絶縁層３は、高分子粒子を含有する。有機半導体装置の製造方法は、高分子粒子が分散されている分散液又は無機粒子及び高分子粒子が分散されている分散液を用いて、絶縁層３を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】非常に高い安定性を有し、且つ、高度に配列制御されたシロキサン系分子膜、該シロキサン系分子膜の製造方法及び該分子膜を用いた有機デバイスを提供すること。
【解決手段】一般式；Ｓｉ（Ａ^１）（Ａ^２）（Ａ^３）−Ｂ−Ｓｉ（Ａ^４）（Ａ^５）（Ａ^６）（Ａ^１〜Ａ^６は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基またはアルキル基であり、脱離反応性についてＡ^１〜Ａ^３＞Ａ^４〜Ａ^６の関係を満たす；Ｂは２価の有機基である）の有機化合物を用いて形成されてなり、膜表面にシロキサンネットワークを有することを特徴とするシロキサン系分子膜および該分子膜を有する有機デバイス。上記有機化合物のＡ^１〜Ａ^３を有するシリル基と基板表面とを反応させ、単一単分子膜を形成する工程、未反応の有機化合物を非水系溶媒を用いて洗浄除去する工程、および単分子膜の膜表面側に存在する未反応のシリル基でシロキサンネットワークを形成させる工程により単分子膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】微粒子を用いて粒子サイズレベルで均一厚みの被膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物とシラノール縮合触媒と非水系の有機溶媒を混合して作成した化学吸着液中に接触させてアルコキシシラン化合物と基材表面を反応させて基材表面に第１の有機膜を形成する工程。第１の有機膜を所定のパターンに加工する工程と、第２のアルコキシシラン化合物とシラノール縮合触媒と非水系の有機溶媒を混合して作成した化学吸着液中に分散させてアルコキシシラン化合物と微粒子表面を反応させて表面に第２の有機膜を形成する工程と、第１の基材表面に第２の有機膜で被覆された微粒子を接触させて選択的に反応させる工程と、第２の有機膜で被覆された余分な微粒子を洗浄除去する工程とを含む。以上の工程により、第１の有機膜と第２の有機膜を介して互いに共有結合しているパターン状の単層微粒子膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で生成された板状基板の落下を防止し、歩留改善効果を得ることができる板状基板製造装置を提供する。
【解決手段】 たとえばシリコンなどの半導体材料の融液２４に下地基板２１を搬送しながら浸漬し、下地基板２１の成長面３５上にシリコンを凝固成長させて板状基板２７を製造する板状基板製造装置２０には、下地基板２１の搬送方向前方側の端部２１ａおよび搬送方向後方側の端部２１ｂに、落下基板受部材４５が設けられる。この落下基板受部材４５は、下地基板２１の成長面３５上に生成され下地基板２１の成長面３５から離脱して落下する板状基板２７を受取ることができる。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ不良の発生を大幅に減少できるエピタキシャルウエハの製造方法及び発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 （もっと読む）

【課題】電子工学的電力デバイスで使用される高品質の炭化ケイ素構造体を提供する。
【解決手段】バルク単結晶炭化ケイ素基板と、この炭化ケイ素基板の表面における炭化ケイ素エピタキシャル層とを備える炭化ケイ素構造体において、エピタキシャル層がＸ線ロッキングカーブにおいて２５アーク秒以下の半値幅を有する。また、炭化ケイ素基板は、Ｘ線ロッキングカーブにおいて１００アーク秒以下の半値幅を有する。さらに、炭化ケイ素基板が６Ｈまたは４Ｈポリタイプのものであり、エピタキシャル層が基板と同じポリタイプを有する。 （もっと読む）