【課題】製作誤差や熱変形があっても、容易に組立でき、駆動軸の円滑な回転を可能とする結晶成長装置の提供。
【解決手段】複数の容器に囲まれ、加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとＮａ／Ｇａ混合融液３とを反応させて該混合融液３に浸漬された種基板２上にＧａＮ結晶を成長させる反応容器１０と、複数の容器を挿通して設けられた駆動軸４１を軸周りに回転させて混合融液３を攪拌する攪拌装置４０と、を有する窒化ガリウム製造装置１であって、圧力容器３０と断熱容器２０との間において、第１駆動軸４１Ａと第２駆動軸４１Ｂとを偏心可能に、且つ、一体回転可能に軸方向で接続する軸継手６０を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】蒸着法よりも一般に容易な溶液法を用いて、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層の形成を可能にする新規な付加化合物を提供する。
【解決手段】ジナフトチエノチオフェン等の化合物に、ヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する新規な付加化合物を提供する。また、このような新規な付加化合物を用いて、有機半導体膜、及び有機半導体デバイスを製造する方法を提供する。また更に、このような新規な付加化合物の合成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ系半導体からなる光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能なＣＺＴＳ系半導体用バッファ層の製造方法、このような方法に用いられるＣＺＴＳ系半導体用ＣＢＤ溶液、及び、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。
【解決手段】酢酸カドミウム、硫黄源、及び、硫化物合成助剤を含むＣＺＴＳ系半導体用ＣＢＤ溶液。ＣＺＴＳ系半導体用ＣＢＤ溶液に、ＣＺＴＳ系半導体層が形成された基板を浸漬し、前記ＣＺＴＳ系半導体層の表面にＣｄＳ膜を形成するＣＢＤ工程と、前記ＣｄＳ膜を２００℃以下で熱処理する熱処理工程とを備えたＣＺＴＳ系半導体用バッファ層の製造方法。本発明に係る方法により得られるバッファ層を備えた光電素子。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ系半導体やＣＩＧＳ系半導体などの光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能な光電素子用バッファ層及びその製造方法、並びに、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。
【解決手段】カドミウム塩、硫黄源、及び、硫化物合成助剤を含むＣＢＤ溶液に、光吸収層が形成された基板を浸漬し、前記光吸収層の表面にＣｄＳ膜を形成するＣＢＤ工程と、前記ＣｄＳ膜を、酸化雰囲気下において２００℃超３５０℃以下で熱処理する熱処理工程とを備えた光電素子用バッファ層の製造方法、及び、この方法により得られる光電素子用バッファ層。本発明に係る方法により得られるバッファ層を備えた光電素子。 （もっと読む）

【課題】種結晶上以外の部分に窒化物結晶が析出するのを抑制し、種結晶上へ成長する窒化ガリウム単結晶の生産効率を向上させることのできる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】鉱化剤を含有する溶液を入れた容器１内でアモノサーマル法により窒化物結晶を製造する際に、容器１および容器１内に設置される部材５、６の表面のうち溶液に接触する部分の少なくとも一部が、タンタル(Ｔａ）、タングステン(Ｗ)およびチタン(Ｔｉ)からなる群より選択される１種以上の原子を含む金属または合金で構成され、且つ、表面粗さ（Ｒａ）が１．８０μｍ未満となるようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法において、簡便な方法によりテンプレート基板のサファイア基板を分離すること。
【解決手段】ＧａとＮａの混合融液中にサファイア基板１００とＧａＮ層１０１とからなるテンプレート基板１０２を置き、混合融液の温度を８５０℃、窒素の圧力を２．５ＭＰａとして、ＧａＮ層１０１の一部をサファイア基板１００が露出するまでメルトバックし、ＧａＮ層１０１を複数の立設した柱状に残した。次に、圧力を３ＭＰａに加圧し、ＧａＮ層１０１上にＧａＮ層１０３を結晶成長させた。次に、降温によってサファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差による応力を生じさせ、ＧａＮ層１０１にクラックを発生させた。これにより、ＧａＮ層１０３とサファイア基板１００とを分離させた。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体の性能を持つ酸化銅（Ｉ）膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニア、アミン化合物から選ばれる１種以上の化合物と銅アミノポリカルボン酸錯体、銅ポリカルボン酸錯体から選ばれる１種以上の銅のキレート錯体が極性溶媒に溶解している酸化銅膜を形成せしめるに適した溶液を基材表面に塗布した後、不活性ガス中にて３００℃〜７００℃で１分から３時間の熱処理することにより、ｐ型半導体の性能を持つ酸化銅（Ｉ）膜を得ることができる。 （もっと読む）

半導体材料の物品の製造方法には、その物品のための目標厚さを選択するステップと次に、鋳型の外部表面上に半導体材料の固体層を形成するために有効な潜没時間だけ溶融半導体材料中に鋳型を潜没させるステップとが関与し、ここで固体層の厚さは目標厚さと実質的に等しい。潜没時間は、鋳型の組成、鋳型の厚さおよび初期鋳型温度を含めた特定の属性を有する鋳型のための固体層厚さと潜没時間の関係のプロットから決定される遷移時間に実質的に等しくなるように選択される。遷移時間ひいては潜没時間は、特定の鋳型のための固体層厚さ対潜没時間の曲線における固体層厚さの最大値に対応する。
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【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 （もっと読む）

本発明は、一般式Ｓｉ_aＨ_2a+2（式中、ａ＝３〜１０）の少なくとも１種のヒドリドシランから製造可能な少なくとも１種の高級シランを基板上に塗布し、引き続き熱的に、主にシリコンからなる層に変換し、その際、この高級シランの熱的変換は５００〜９００℃の温度でかつ≦５分の変換時間で行う、基板上にシリコン層を熱的に製造する液相法、前記方法により製造可能なシリコン層及びその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】下地を良好に被覆し、結晶成長の核あるいは触媒等として機能する微粒子層を設けることを必須とすることなく実用的な反応速度で成膜することができるＺｎ系バッファ層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバッファ層の製造方法は、少なくとも１種の亜鉛源である成分（Ｚ）、少なくとも１種の硫黄源である成分（Ｓ）、少なくとも１種のクエン酸化合物である成分（Ｃ）、アンモニア及びアンモニウム塩からなる群より選ばれた少なくとも１種である成分（Ｎ）、及び水を含有し、かつ、成分（Ｃ）の濃度が０．００１〜０．２５Ｍであり、成分（Ｎ）の濃度が０．００１〜０．４０Ｍであり、反応開始前のｐＨが９．０〜１２．０である反応液を用い、反応温度を７０〜９５℃として、Ｚｎ（Ｓ，Ｏ）及び／又はＺｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）を主成分とするＺｎ化合物層を液相法により成膜する成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】溶液法によって安定した品質のＳｉＣを長時間製造し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法により、ＳｉＣとＣと前記２成分以外の溶液成分を含む原料溶液３からＳｉＣ種結晶基板９上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、ＳＩＣ成長開始前にはＣを溶解させる工程を有し、ＳＩＣ成長開始後にはＳｉＣを補給する工程を有する。ここで、ＳｉＣを補給する工程は、溶液３内であってＳｉＣ種結晶基板９の支持棒５と黒鉛坩堝２との間に設けたＳｉＣ製の遮蔽壁４から補給する工程である。 （もっと読む）

【課題】低コスト且つ高生産効率で量子ドットの半導体層を形成でき、またこの量子ドットの半導体層をもつ半導体装置を大量生産することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面にシリコン窒化膜２が形成されたシリコン粒子１（ナノ粒子）が面心立方格子の格子点の位置に存在し、面心立方格子の一面に存在する各シリコン粒子１は、その３軸が直交する位置にある４個のシリコン粒子１が面心の位置にあるシリコン粒子１に接触している。これにより、シリコン粒子１等の各導電体粒子が、シリコン窒化膜２等の絶縁膜により絶縁分離されて、ほぼ等間隔で配置された量子ドットが形成され、この層は半導体としての性質を有する。シリコン粒子１は、面心立方格子の位置に限らず、体心立方格子等の最密充填の位置似配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】低い格子欠陥密度で良質なＳｉＣ単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板１５とＳｉを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層１６とを接触させることによって、基板１５上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶製造方法において、大気圧下または加圧下で、基板１５との接触部とは反対側の融液層１６の表面１６ｂ側から、Ｓｉを含む分子とＣを含む分子とを含むプラズマ１７を供給し、かつ融液層１６の基板１５との接触部における温度を融液層１６の表面１６ｂにおける温度より低くする。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスや電子デバイス用基板として好適な平坦性の高い高品質のＳｉＣ単結晶基板の製造を安定して行うことを可能にする技術を提供する。
【解決手段】ＳｉまたはＳｉと他の金属との合金からなる融液にＣが溶解している原料溶液５に結晶成長用基板１を浸漬し、少なくとも基板１の近傍の溶液５を過飽和状態とすることによって基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、(１)融液の材料が少なくとも１種の酸化物を含む、(２)酸素を含む不活性ガス雰囲気下で結晶成長を行う、および(３)酸素を含む不活性ガスを原料溶液に吹き込みながら結晶成長を行う、の少なくとも１つに手法によって、原料溶液５中に酸素を含有させながら、ＳｉＣ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料が高分子量であっても、テンプレートを用いた塗り分けを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１にゲート絶縁膜２およびソース電極３ｃ，ドレイン電極３ｄを製膜した状態で、基板１表面にパーフルオロアルキル基を有する第１の自己組織化単分子膜（第１ＳＡＭ膜５）を形成した。続いて、第１ＳＡＭ膜５における高分子有機半導体膜を塗布すべき領域５ａをオゾン処理を施すことで削除し、その領域５ａに、フェネチル基を有する第２の自己組織化単分子膜（第２ＳＡＭ膜６）を形成した。続いて、基板１を予め40℃に加熱しておき、40℃に温度制御されたポリ（３−ヘキシルチオフェン）（P3HT）0.5重量パーセントジクロロベンゼン溶液８に基板１を浸漬し、垂直に引き上げることで、薄膜トランジスタを作製した。 （もっと読む）

【課題】低コスト且つ高生産効率で量子ドットの半導体層を形成でき、またこの量子ドットの半導体層をもつ半導体装置を大量生産することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体粒子１（ナノ粒子）が面心立方格子の格子点の位置に存在し、面心立方格子の一面に存在する各絶縁体粒子１は、その３軸が直交する位置にある４個の絶縁体粒子１が面心の位置にある絶縁体粒子１に接触している。そして、導電体粒子２（ナノ粒子）が絶縁体粒子１の相互間の隙間に位置する。この絶縁体粒子１の直径をＲとすると、立方格子の１辺の長さａは、√２×Ｒとなる。導電体粒子２は、接触していない絶縁体粒子１の相互間の隙間に位置するので、導電体粒子２の直径は、ａ−Ｒ以下であればよい。導電体粒子の代わりに、半導体粒子を使用することもできる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ製造コストが安いＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、液相法により、下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程と、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２上に第２のＩＩＩ族窒化物結晶３を成長させる工程とを含み、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の転位密度が１×１０⁷個／ｃｍ²以下であり、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の表面が表面粗さＲ_P-Vで０．５μｍ以下に平坦化される。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器６内に坩堝１を収納させ、前記坩堝１を前記処理容器６内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記処理容器６内に固体原料処理液７を流入させ、前記坩堝１内には種基板２と、前記種基板２上に生成された結晶基板１０と、前記種基板１および前記結晶基板１０を覆った固体原料３とが収納された状態とし、前記処理容器６内に、超音波発生手段８から発射された超音波１１を与える。 （もっと読む）