透明で転位密度が少なく均一厚みで高品位であり、かつバルク状の大きなＩＩＩ族元素窒化物の単結晶を収率良く製造可能な製造方法を提供する。 アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも一つの金属元素と、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群から選択された少なくとも一つのＩＩＩ族元素とを入れた反応容器を加熱して前記金属元素のフラックスを形成し、前記反応容器に窒素含有ガスを導入して、前記フラックス中でＩＩＩ族元素と窒素とを反応させてＩＩＩ族元素窒化物の単結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物単結晶の製造方法において、前記単結晶の成長を、前記反応容器を揺動させること等により、前記フラックスを攪拌した状態で行う。
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【課題】有機半導体分野への応用展開が可能な有機薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジベンゾビフェニレン類及び／又は２，３，７，８−テトラキス（トリメチルシリル）ターフェニレンなどのターフェニレン類の縮合環化合物を構成成分とする有機薄膜を用いる。これらの化合物は好適な薄膜結晶性を有し、耐酸化性に優れ、塗布法で容易に薄膜作製できる。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^１２は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基を示す。） （もっと読む）

【課題】 半導体材料の融液の湯面における湧出し位置が、基板の浸漬方向に対して直交する方向で対称の位置になるように、また湯面の盛上がり高さが０になるように調整して薄板の板厚分布を均一にする。
【解決手段】 坩堝２２内に収容される半導体材料の融液２１に基板２５を浸漬し引上げて薄板を生成する薄板生成装置２０は、坩堝２２に対するコイル２３の相対位置を修正するコイル設定位置修正手段２８と、融液２１の湧出し位置２９を検出する湧出位置検出手段３０と、融液２１の湯面２１ａの盛上がり高さを調整する湯面高さ調整手段３１とを備え、制御手段３２によって、湧出し位置２９の検出結果に応じて、基板２５の浸漬位置と湧出し位置２９との配置が好適になるようにコイル２３の設定位置を修正するとともに、湯面２１の盛り上がり高さを調整する。 （もっと読む）

【課題】 容易に作製することができ、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基体１上に導体又は半導体材料を印刷法又は／及び塗布法によって島状パターン６に形成する工程と、この島状パターン６に有機半導体分子７を結合させて導電路８を形成する工程と、この導電路８を電界によって制御する制御部を形成する工程とを有する、半導体装置の製造方法。基体１と、導体又は半導体材料の印刷又は／及び塗布によって前記基体上に形成された島状パターン６と、この島状パターン６に有機半導体分子７が結合されて形成された導電路８と、この導電路８を電界によって制御する制御部とを有する、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 冷却体の表面に溶湯の一部を凝固析出させて析出板を形成する際に、冷却体表面に均一な厚みの析出板を形成することができる冷却体、ならびにそれを用いる析出板製造装置および析出板の製造方法を提供する。
【解決手段】 冷却体１を構成する基体部２１の一方の表面部２１ａを、厚み方向２９に垂直な仮想平面４０に対して傾斜する傾斜部分を有するように、たとえば凹曲面状に形成する。冷却体１を用いることによって、たとえば、溶湯の表面が凸状になる場合であっても、溶湯に浸漬されている時間を冷却体１の一方の表面部である基体部２１の一方の表面部２１ａ全体にわたって均一にすることができる。したがって、基体部２１の一方の表面部２１ａに形成される析出板の厚みを均一にすることができる。 （もっと読む）

本発明は、電着によって化合物ＣＩＧＳの薄膜を製造する方法に関する。本発明によれば、ガリウムのＣＩＧＳ膜への取り込みを促進するために、ドデシル硫酸ナトリウムなどの界面活性化合物が電解浴溶液に加えられる。 （もっと読む）

本発明はIII属元素を含む溶融金属中でのIII属金属のIII属窒化物への変換を増やす方法であって、III属元素を含む溶融金属中に１１００℃以下の温度、１×１０⁸Ｐa以下の圧力で窒素を導入し、溶媒添加物が前記III属元素を含む溶融金属中に加えられる。前記溶媒添加物は、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｆｅのうちの少なくとも１つの元素、および／または、希土類元素のうちの少なくとも１つを含む合金、または複数の希土類元素の化合物、特に希土類元素の窒化物を含む。
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本発明は、圧力Ｐで窒素を溶融金属中に混合して、第１温度範囲の第１温度Ｔ₁での析出によって、前記溶融金属中に配置されたＩＩＩ属窒化物の種結晶上に、または前記溶融金属中に配置された異質の基板上に、前記ＩＩＩ属を含む溶融金属から１つのＩＩＩ属窒化物のまたは異なる複数のＩＩＩ属窒化物の混合物の結晶層あるいはバルク結晶を製造する方法に関する。本法では、前記溶融金属中でＩＩＩ属窒化物へのＩＩＩ属金属の変換速度を増やす溶媒添加物を前記溶融金属に加える。前記溶融金属が、第１処理段階と第２処理段階とをもつ少なくとも１回の温度サイクルを通過し、前記温度サイクルにおいて、前記溶融金属が、前記第１処理段階の後で前記第１温度Ｔ₁から前記第１温度範囲より低い第２温度Ｔ₂まで冷却され、前記第２処理段階の終わりに前記第２温度Ｔ₂から前記第１温度範囲の温度まで加熱される。上記の方法は、１１００℃以下の温度と５×１０⁵Ｐａ以下の処理圧で、転位密度１０⁸ｃｍ^-2未満を有し、１０ｍｍより大きい直径を有するかなり大きな結晶と１０μｍより大きい厚さを有するＩＩＩ属窒化物結晶層を製造することを可能にする。
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【課題】 基板上に形成した結晶シートの落下を防止して、結晶シートを確実に回収する。また、薄く、平坦性に優れた結晶シートを低コストで大量生産する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の結晶シートの製造方法は、冷却された基板の主面の片面または両面をシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを製造する方法であって、シート材料は金属材料および／または半導体材料を含有し、基板は、シート材料からなる母材と、母材の一部または全面を覆う皮膜を有し、皮膜がシート材料と異なる材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機半導体組成物を利用した薄膜トランジスタを得るにあたって、成膜性がよく、より移動度が向上し、半導体特性に優れた有機半導体組成物を提供する。
【解決手段】ガス中蒸発法により得られた金属微粒子４と、金属微粒子に結合可能な結合性基３が結合するという非常に簡単な方法により、配向膜などの配向処理が不要な半導体組成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】 薄板を形成するための薄板形成設備の稼働効率を向上させるとともに、薄板の材料の供給を継続して行うことができる溶融装置を提供する。
【解決手段】 坩堝３１には、薄板の材料２３を溶融した融液２４を貯留するための貯留空間３７が形成される。貯留空間３７内に供給された薄板の材料２３またはその融液２４は、加熱手段３２によって、加熱される。坩堝３１の貯留空間３７は、仕切り手段３４によって、基板２６の薄板形成面２５を融液２４に浸漬させるための浸漬領域６２と、薄板の材料２３を供給するための供給領域６３とに仕切られる。供給領域６３には、供給手段３３によって薄板の材料２３が供給される。薄板の材料２３は、融液２４の液面５０よりも上方から供給される。供給領域６３内で融液２４の液面５０に浮遊する薄板の材料２３は、沈下手段３５によって、融液２４の液面５０下に沈下される。 （もっと読む）

【課題】 溶液を用いて、転位、欠陥の少ない高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクを得ることは困難であった。
【解決手段】 特定のハロゲン化物を含むフラックス中に、Ｚｎ源としてハロゲン化亜鉛を混合した溶液を使用して、育成を行なうことにより、高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクが得られた。この場合、特定のハロゲン化物としては、アルカリ金属ハロゲン化物或いはアルカリ土類金属ハロゲン化物を用いることが好ましく、また、酸素源として、アルカリ金属酸化物或いはアルカリ金属の炭酸塩を使用することが望ましい。
また、酸素源としての酸化物或いは炭酸塩は、育成時間中に継続して酸素を供給できるよう、適度な速度の溶解度を実現するため、限られた表面積を有するタブレット状であることを特徴とする育成方法。タブレットは、単結晶状であっても良いし、溶融凝固させた多結晶体でも良い。 （もっと読む）

【課題】 溶液を用いて、転位、欠陥の少ない高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクを得ることは困難であった。
【解決手段】 特定のハロゲン化物を含むフラックス中に、Ｚｎ源としてハロゲン化亜鉛を混合した溶液を使用して、育成を行なうことにより、高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクが得られた。この場合、特定のハロゲン化物としては、アルカリ金属ハロゲン化物或いはアルカリ土類金属ハロゲン化物を用いることが好ましく、また、酸素源として、アルカリ金属酸化物或いはアルカリ金属の炭酸塩を使用することが望ましい。
また、酸素源としての酸化物或いは炭酸塩は、育成時間中に継続して酸素を供給できるよう、適度な速度の溶解度を実現するため、限られた表面積を有するタブレット状であることを特徴とする育成方法。タブレットは、単結晶状であっても良いし、溶融凝固させた多結晶体でも良い。 （もっと読む）

【課題】 基板に結晶性有機材料薄膜を形成する方法において、結晶性有機材料薄膜を大面積で均一に形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板上に結晶性有機材料薄膜を形成する薄膜形成方法において、容器に入れた有機材料溶液に基板を浸漬する工程と、当該基板を有機材料溶液の液中から気相側へ移動する工程と、気相側にある基板上において基板に付着した有機材料溶液から当該結晶性有機材料薄膜が析出する工程と、を含み、当該基板に付着した有機材料溶液は、容器に入れた当該有機材料溶液と液相で連続していることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 耐剥離性に優れ、かつ、高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜、該薄膜を作製するための化合物及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）の分子にシリル基が置換された有機シラン化合物。分子（Ｉ）をハロゲン化し、シラン誘導体を反応させる上記有機シラン化合物の製法。該有機シラン化合物分子が、基板側にシリル基が、膜表面側に分子（Ｉ）部分が位置するように、配列された有機薄膜。
【化１】


（ｘ１およびｘ２は１≦ｘ１、１≦ｘ２および２≦ｘ１＋ｘ２≦８を満たす；ｙ１およびｚ１は２〜８；ｙ２およびｚ２は０〜８；該骨格は疎水基が置換されてよい）。 （もっと読む）

【課題】 冷却体表面に凝固析出して生成される析出板の自壊による破片を適正処理し、析出板の生産に対して悪影響を及ぼすことを防止する。
【解決手段】 溶解炉２４でシリコンを加熱して溶湯２３にし、析出板生成の原板である冷却体２５を、浸漬手段２６によって溶湯中へ浸漬し溶湯中から引上げてシリコンを冷却体の表面に凝固析出させてシート状シリコン２７を製造する。このシート状シリコンの製造に際し、冷却体が溶湯上方位置から離反する方向へ搬送される搬送経路途中に設けられる落下物受容手段２８が、冷却体から離脱して落下するシート状シリコンを受容し、落下物再投入手段２９が、落下物受容手段によって受容されたシート状シリコンを、溶解炉の坩堝３２内へ移動させる。 （もっと読む）

【課題】 高品位であり、製造効率も高く、しかも半導体製造プロセスの基板として使用可能で、有用なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物結晶の製造方法において、組成式Ａｌ_sＧａ_tＩｎ_1-s-tＮ（ただし、０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１、ｓ＋ｔ≦１）で表される半導体からなる第１の層１１を形成し、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に第１の層１１の表面を接触させることによって、第１の層１１よりも転位密度等の結晶構造の欠陥が大きい第２の層１２を形成し、窒素を含む雰囲気下において、上記融液中で、組成式Ａｌ_uＧａ_vＩｎ_1-u-vＮ（ただし、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、ｕ＋ｖ≦１）で表される半導体からなり転位密度等の結晶構造の欠陥が第２の層１２よりも小さい第３の層１３を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一つ以上の発色団によって感光性が与えられた感光性半導体薄膜の製造方法に関する。
【解決手段】
ａ）金属酸化物、半金属酸化物及びそれらの混合物から選択された、一つ以上の半導体酸化物の前駆体のゾル−ゲル重合によって得られた溶液の少なくとも一つのフィルムを、支持体へ沈着する段階と、
ｂ）ａ）で得られたフィルムに対する乾燥段階と、
ｃ）ｂ）で得られたフィルムに対する液体または気体媒体中で行われる酸性、塩基性または中性処理段階と、
ｄ）ｃ）で得られたフィルムを一つ以上の発色団を含む溶液に接触させることによって、前記発色団によって前記フィルムに感光性を与える段階と、
を連続して含む少なくとも一サイクルを有する感光性半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【目的】裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのｎ型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したｐｎ接合を得ることができるようにする。
【構成】光吸収層の界面へｎ型ドーパントを拡散させる第１の工程と、表面反応律速領域による第１のバッファ層６１を形成する第２の工程と、供給律速領域による第２のバッファ層６２を第１のバッファ層に重ねて形成する第３の工程とをとるようにする。 （もっと読む）