【課題】 有機電界効果トランジスタを簡単に製造する方法を提供する。
【解決手段】 有機電界効果トランジスタを製造するに際して、固体状態において分子間水素結合により形成される結晶構造を有する有機半導体の膜を、該有機半導体の前駆体から誘導して形成する。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、半導体結晶の結晶性及びその均一性をより向上させると共に、その収率を従来よりも効果的に向上させること。
【解決手段】ＧａＮ単結晶層を有する種結晶１０のｃ軸は水平方向（ｙ軸方向）に配向され、種結晶１０の１つのａ軸は鉛直方向に配向され、１つのｍ軸はｘ軸方向に配向される。このため、挟持具Ｔ上の点ｐ１，ｐ２，ｐ３は、何れも種結晶のｍ面と接する。即ち、この挟持具Ｔは、挟持部材Ｔ１，Ｔ２を有しており、両方とも鉛直方向に延びているが、挟持部材Ｔ１は、育成原料溶液の上面αに対して３０°傾斜した端部Ｔ１ａを有している。この様に、種結晶をｍ面で支持する理由は、ｍ面がａ面よりも結晶成長速度が遅いことと、所望のｃ面成長を阻害させないためである。なお、種結晶１０及び挟持具Ｔは、それぞれｙ軸方向に複数周期的に配列されている。 （もっと読む）

【解決手段】窒素ドープされた多結晶シリコンおよび該多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体。好ましくは、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ^-1および／または９３８±５ｃｍ^-1の波数位置にピークを有する。ならびに、窒素含有シリコン融液を調製する工程を含む多結晶シリコン基体の製造方法、および上記基体を用いた光電変換素子。
【効果】窒素ドープされた多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子は、従来と比較して変換効率が高く、コストパフォーマンスが高い。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内壁と半導体材料融液の界面付近から発生する凝固を抑制して、連続生産が可能な固相シートの製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内に半導体材料融液を収容し、半導体材料融液に基板を浸漬することにより、基板表面に固相シートを作製する固相シートの製造方法であって、ルツボ上面およびルツボ外側面の両面に接した輻射反射板を設け、輻射反射板は半導体材料融液からの輻射を反射することが可能な輻射反射部を備え、輻射反射部を半導体材料融液の直上に配置する。 （もっと読む）

共役ポリマー膜の特性を向上させる改善された処理方法、ならびに前記方法によって製造される向上した共役ポリマー膜を開示する。共役ポリマー膜の形成に使用される溶液に低分子量アルキル含有分子を添加すると、光伝導性が向上するほか、他の電子特性も改善される。向上した共役ポリマー膜は、太陽電池およびフォトダイオードなどの種々の電子デバイスで使用することができる。本発明は、光伝導性、電荷輸送、太陽光変換効率および／または光起電力効率である膜の性能特性を向上させるために、共役ポリマー膜などの有機半導体膜を改良する方法に関する。一実施形態において、本発明は、性能特性を向上させるために、有機半導体膜の内部構造および形態を改良することを包含する。
（もっと読む）

【課題】有機分子を結合させた微粒子の間隔を高精度に制御でき、これにより空隙や突出部のない膜質の良好な微粒子層からなる半導体層を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機分子を結合させた微粒子ｓを配列してなる微粒子層３を備えた半導体装置の製造方法であり、第１工程では有機分子としてデンドリマー分子ｍを結合させることでデンドリマー分子ｍからなる保護膜で覆われた微粒子ｓを溶媒中に分散させ、この分散溶液を基板１上に塗布する。次の第２工程では、分散溶液中の溶媒を除去することによりデンドリマー分子ｍを結合させた微粒子ｓを最密状態で配列してなる微粒子層３を形成する。この微粒子層３は、これ自体を半導体層として用いても良いし、デンドリマー分子ｍを他の有機分子で置換して半導体層として用いても良い。 （もっと読む）

【課題】品質の安定化により製造効率を大きく高めることができ、単位面積当りの製造コストを画期的に低下させることができる、薄板製造方法および薄板製造装置を提供する。
【解決手段】下地板Ｓを融液１００７の液面に浸漬させた後、引上げることで、下地板Ｓの表面に融液を凝固させて形成された薄板Ｐを下地板Ｓから取外し薄板Ｐを製造する薄板製造方法において、形成された薄板Ｐの板厚を特定可能なデータを測定し、測定した板厚に基いて融液１００７を加熱する加熱機構１００５の出力を制御することで、作製される薄板Ｐの板厚を一定に保つ温度に融液１００７の温度を制御し、薄板Ｐの品質を安定させる。 （もっと読む）

【課題】薄板の単位時間当たりの製造量を維持し、不活性ガスの使用量の削減と、真空排気系および搬送系の簡素化を実現できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置１０００は、浸漬機構１１００と、下地板交換機構１００３と、薄板分離機構１２００と、主室１０１０とを備えている。浸漬機構１１００は、融液１００２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１００２が凝固することにより薄板Ｐを形成する。下地板交換機構１００３は、表面上に薄板Ｐが付着された下地板Ｓを浸漬機構１１００から取り外す。薄板分離機構１２００は、薄板Ｐを浸漬機構１１００から取り外された下地板Ｓから分離する。主室１０１０は、浸漬機構１１００と下地板交換機構１００３と薄板分離機構１２００とが内部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】液相エピタキシャル成長において、装置構成が複雑にならずに、不要な多結晶析出物が原因であるウェハー表面の結晶薄膜の成長不良を抑えることができ、歩留り良く半導体単結晶薄膜を成長させるようにする。
【解決手段】原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。 （もっと読む）

【課題】多結晶化を起こすことなく、平坦な成長表面を持つＳｉＣ単結晶が安定して得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０２内のＳｉ融液Ｌ内に内部から融液面Ｓに向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、ＳｉＣ種結晶１１０の下面を融液面Ｓの直下に保持し、下面を起点としてＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、ＳｉＣ種結晶１１０の全体を融液Ｌ中に浸漬してＳｉＣ単結晶の成長を行なうＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジストパターンを形成するためのリソグラフィー工程を行わずに、ポリアセンまたはポリアセン誘導体からなる有機半導体層をパターニングする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、ポリアセンまたはポリアセン誘導体からなる有機半導体材料を成膜することで、有機半導体層１７を形成する工程と、有機半導体層１７の所定箇所を露光し、露光された部分の有機半導体材料を酸化体に変化させる工程と、基体の表面に、上記酸化体を選択的に溶解する有機溶剤を供給し、酸化体を有機溶剤に溶解させて除去することで、有機半導体層１７をパターニングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 薄板製造装置において、薄板状多結晶体を成長させるための第１の坩堝内に収容される熔融原料から該原料の炭化物を除去し、炭化物をほとんど含有せず、品質が均一で、高い機械的強度を有し、良好な特性を有する薄板状多結晶体を製造する。
【解決手段】 第１の熔融加熱炉２と、第２の熔融加熱炉３と、固体原料供給手段４と、図示しない熔融原料供給手段と、第１の冷却部材５と、図示しない第１の保持手段と、第２の冷却部材６と、図示しない第２の保持手段と、図示しない第１の冷却部材搬送手段とを含む薄板製造装置１において、第２の冷却部材６を第１の熔融加熱炉２に含まれる第１の坩堝１０に収容される炭化物を含む熔融原料８中に浸漬させることによって、第２の冷却部材６表面に炭化物を付着させて炭化物を除去する。 （もっと読む）

【課題】従来技術の複雑な工程を必要とせず、低コストで高品質なIII族窒化物結晶、その製造方法及びそれを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】反応容器１０１内には、III族金属としてのＧａとフラックスとしてのＮａの混合融液１０２があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置１０６が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。窒素ガスは窒素供給管１０４を通して、反応容器１０１外から反応容器１０１内の空間１０３に供給することができ、この時、窒素圧力を調整するために、圧力調整機構１０５が備えられている。これにより、III族窒化物の薄膜結晶成長用の基板となるIII族窒化物結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】温度勾配方式の液相ＬＰＥ法により、基板として使用可能な、高品質のバルクＡｌＮ単結晶を安価に安定して製造する。
【解決手段】Ａｌを含む融液原料を加熱融解させて融液とし、この融液中に窒素を溶解させてＡｌＮ溶液を形成し、ＡｌＮ単結晶成長用の種結晶基板を融液表層と接触させて種結晶基板上にＡｌＮ単結晶を成長させるＡｌＮ単結晶の製造方法において、融液原料の加熱融解中、融液原料の中で最もモル比の高い元素の融解が終了するまでは雰囲気を不活性ガス（例、アルゴンガス）とし、その後に雰囲気を窒素含有ガスに切り換えて、種結晶基板上にＡｌＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】多結晶炭化ケイ素基板を使って単結晶炭化ケイ素種結晶を自己成長させ、単結晶炭化ケイ素種結晶小片を生成する。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素基板５の表面を炭化処理した炭化処理面１１に対向して多結晶炭化ケイ素基板５を近接設置して両者の基板の隙間に金属シリコン融液１２を介在させて液相エピタキシャル成長させることにより炭化処理した多結晶炭化ケイ素基板５の表面に単結晶炭化ケイ素種結晶が自己成長して複数の単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａが生成される。 （もっと読む）

【課題】溶液法による単結晶の製造において、結晶欠陥のより少ない単結晶を製造するための単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料融液２が収容される坩堝１と、下端に種結晶４が保持されたシード軸３と、絶縁膜６で被覆された第１電極５と、第２電極７とを備え、種結晶４と第１電極５の下端面が揃えられ、原料融液２の液面に対して上方からシード軸３と第１電極５を一体的に下降させ、絶縁膜６が原料融液２の液面に接触して溶融したときに、第１電極５と第２電極７の間に原料融液２を介して流れる電流を検出することにより種結晶４と原料融液２の接触界面の位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】薄板製造装置で連続して薄板を製造すると、融液を保持する坩堝の内壁上に融液の材料を主成分とする凝固物が形成される。該凝固物は薄板の製造を妨げるため、該凝固物を確実に溶融し、薄板を継続的に製造することができる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】該凝固物を溶融するための凝固物溶融機構を備える薄板製造装置および、該凝固物を溶融するための凝固物溶融工程を含む薄板製造方法に関する。該凝固物溶融機構は、融液に浸漬することで融液面の高さを上げ凝固物の少なくとも一部を融液で覆うことが可能な体積を有する体積物と、体積物を融液に浸漬するための体積物浸漬機構とを備える。 （もっと読む）

半導体本体を形成するための方法であって、この方法は、有機半導体材料と結合剤材料との混合物を形成する工程、前記半導体材料を少なくとも部分的に固化させる工程、および前記半導体材料を前記結合剤材料から少なくとも部分的に分離させるように前記結合剤材料を結晶化させる工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】生産効率が高く、製造装置の破損のおそれの少ない固相シートの製造方法およびそれに用いる固相シート成長用基体を提供する。
【解決手段】固相シート成長用基体は、主面と、主面を取り囲む側面とを有する。主面は周縁溝によって周縁溝より外側の周辺部と周縁溝より内側の内側部とに区画され、周辺部の側面には周縁溝から分離されたスリット溝が形成されている。 （もっと読む）

安熱法という成長技術を用いて、窒素面またはＭ面を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜を成長する方法が開示される。この方法は、耐圧釜を用いるステップと、耐圧釜を加熱するステップと、耐圧釜にアンモニアを導入するステップとを含み、平坦な窒素面またはＭ面の窒化ガリウムの薄膜及びバルクＧａＮを作製する。
（もっと読む）