【課題】フラックス法により種結晶基板上に窒化ガリウムの結晶を生成させた窒化ガリウム結晶板であって、高品質なものを提供する。
【解決手段】種結晶基板５４を金属ガリウム及び金属ナトリウムを含む混合融液に浸漬した容器５０を、７００〜１０００℃で加圧窒素ガスの雰囲気下、種結晶基板５４上での窒化ガリウムの結晶成長速度が１０〜２０μｍ／ｈとなるように回転させる。その後、容器５０にエタノールを加えて金属ナトリウムを溶かし、溶け残った窒化ガリウム結晶板を回収する。 （もっと読む）

【課題】新規な不純物ドープ窒化ガリウムからなる高抵抗材料を提供する。
【解決手段】少なくともマンガンをドープした窒化ガリウム結晶（ＭｎドープＧａＮ）からなり、ホール測定による比抵抗が１００Ω・ｃｍ以上の高抵抗材料であって、マンガンのドープ量が１×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上であることが好ましい。また、この高抵抗材料は、いわゆるフラックス法により製造することが好ましい。前記高抵抗材料において、窒化ガリウム結晶は、マンガンに加えて、鉄、クロム、カルシウムのうち、少なくとも１つの元素が共添加されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板に割れおよび／またはクラックを発生させること無くＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、第１の主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、結晶成長容器１内において、第１の主面１０ｍおよび第１の主面１０ｍと反対側の第２の主面１０ｎにかかる圧力が均等な状態で、第１の主面１０ｍにＧａ融液３に窒素原料ガス５を溶解させた溶液７を接触させることにより、第１の主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高抵抗材料として有用なＭｎドープＧａＮ結晶のＭｎドープ量を制御したＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｎドープＧａＮ結晶の製造方法は、（ａ）粉末状のＭｎが添加されたＮａとＧａとの混合融液にＧａＮ種結晶基板５２が浸漬された育成容器５０を用意する工程と、（ｂ）該育成容器５０を密閉して真空引きしたあと窒素ガスを導入して該育成容器内５０を加圧窒素ガスの雰囲気にすると共に、育成容器５０の内容物を所定の結晶成長温度に加熱しつつ攪拌することにより、ＧａＮ種結晶基板上にＭｎドープＧａＮ結晶を成長させる工程と、を含むものである。この製造方法では、育成容器５０を密閉して真空引きするとき、育成容器５０内の粉末状のＭｎはＮａとＧａとの混合融液に添加されているため飛散することなく育成容器５０内にとどまる。 （もっと読む）

【課題】基材の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成する。
【解決手段】酸化亜鉛膜形成装置１では、析出部２において電解析出により樹脂基板９の導電層上に酸化亜鉛を含む析出物が形成され、樹脂基板９は塗布部４へと搬送される。そして、導電層上に酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料が塗布され、その後、導電層上の膜形成材料から溶媒が揮発により除去される。これにより、樹脂基板９の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】向上したインクジェットドロップ・キャストプリント技術を用いて有機ＯＦＥＴのような、プリントされた、有機的もしくはプラスチック電子素子又はポリマー半導体素子のアクティブ領域又はチャネルが得られる。
【解決手段】チャネルのアクティブチャネル領域に配向性の良好な有機結晶の直接成長を達成するために二液体システムを使用する。結晶化の結果として形成された結晶は、最も高い移動性方向に適した分子配向を有し、粒界がないこと、及び低いトラップ密度により高いキャリア移動性及び低い閾値電圧を有する高性能電気的特性を得ることができる。溶液間の疎水性−親水性相互作用を利用してフレキシブルディスプレイ、電子信号系、光起電性パネル、メンブレンキーボード、ＲＦＩＤ（radio frequency identification tag）、電子センサ、及び集積電子回路に適用可能な安価型量産可能なプリントできる電子装置の製造に使用される。 （もっと読む）

【課題】空洞が生じることを抑制し、かつ手間およびコストを低減したスーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハの製造方法は、スーパージャンクション構造１２を有するエピタキシャルウエハ１０の製造方法であって、以下の工程を備えている。基板１１を準備する。基板１１上に第１導電型の第１の層を形成する。第１の層にメサ構造を形成する。第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。エピタキシャルウエハ１０を製造する。エピタキシャルウエハ１０上に、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層におけるクラックの発生を抑制できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を２００℃から４００℃まで６０℃／分以上の昇温速度で昇温して加熱する急速昇温工程と、該急速昇温工程の最高温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が溶解した有機溶媒に、ＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種のセレン化物粉末または硫化物粉末を添加し溶解または混合した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布した後、熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】形状精度の良好な半導体層を形成することが可能であり、これによって特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体溶液Ｌ１とポリマー溶液Ｌ２とを基板１上に個別に供給することにより、有機半導体溶液Ｌ１とポリマー溶液Ｌ２との混合液層５ａを形成する。混合液層５ａを乾燥させて半導体層５を形成する。有機半導体溶液Ｌ１およびポリマー溶液Ｌ２は、インクジェット法のような印刷法によって基板１上に供給する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。ここで、下地基板１０上に、第１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２１としてＡｌＮ結晶、第２層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２２としてＡｌ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０＜ｘ２＜１）結晶、第３層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２３としてＧａＮ結晶を順次成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】下地基板と装置自体との係合箇所のかじりおよび破損を簡単な構成で防止することができる下地基板保持装置を提供する。
【解決手段】下地基板保持装置１２は、案内溝部１８と下地基板１１の案内突部１４とを係合させつつ、支持部１７の支持面２０で下地基板１１の自重を着脱可能に支持する。案内溝部１８よりも案内突部１４のほうが幅方向Ｙの突出量が大きくなるように、両者が形成される。下地基板１１が幅方向Ｙにずれる場合、案内突部１４の垂直な第２案内面２２と案内溝部１８の垂直な第４案内面２４とが接触して、下地基板１１をずれ方向に拘束する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３に窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、１０５０℃以上１２５０℃以下の雰囲気温度下、２μｍ／ｈｒ以下の結晶成長速度で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない高品質な結晶性をそなえるとともに、実用的な速度で、連続的に結晶成長を行なうこと可能とする炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法により炭化珪素単結晶３を製造する方法であって、炭化珪素の結晶１上にシリコン融液層２を介在させ、シリコン融液層２を介してアセチレン又はエチレン濃度１〜４０ｖｏｌ％であって、原料気体を構成する各ガスの熱分解時のエンタルピーの総和が負の値となる原料気体を供給して、炭化珪素の結晶３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】高圧の窒素含有ガスとＧａ溶媒を利用して、簡便かつ経済的にＧａＮ結晶を成長させ得る方法を提供する。
【解決手段】高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】基体（基板）上にシリコン膜を、液状シリコンから、過大な装置コストを要せず、低温、短時間に形成する方法を提供する。
【解決手段】液状シリコン化合物を、基板上に塗布することで液状シリコン膜を形成し、該液状シリコン膜にプラズマ処理を施すことで、シリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属の酸素および水との反応を防止可能であり、かつ成長レートが向上した３族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】３族元素、アルカリ金属および３族元素窒化物の種結晶基板２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８内を加圧加熱し、種結晶基板２０を核として３族元素窒化物結晶を成長させる３族元素窒化物結晶の製造方法であって、さらに、第１の炭化水素および第１の炭化水素よりも沸点が高い第２の炭化水素を準備し、結晶成長容器１８内の加圧加熱に先立ち、アルカリ金属を、第１の炭化水素および第２の炭化水素の少なくとも第１の炭化水素により被覆した状態で結晶成長容器１８に入れ、アルカリ金属の被覆に使用した第１の炭化水素を結晶成長容器１８内から除去した後、第２の炭化水素の存在下、結晶成長容器１８内を加圧加熱して３族元素窒化物結晶を成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長速度を小さくしても、再現性よく転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属とを含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液６を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備え、ＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程において、結晶成長速度を０μｍ／ｈｒから１μｍ／ｈｒ²以下の速度変化率で徐々に増大させる。 （もっと読む）