【課題】良好な有機半導体単結晶薄膜／絶縁膜界面を有する有機半導体素子を製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】親液性の表面Ｓ₁ を有する成長制御領域およびこの成長制御領域の一辺にこの成長制御領域と連結されて設けられた少なくとも一つの核形成制御領域を一主面に有する基体を形成する。この基体の成長制御領域および核形成制御領域に、有機半導体および有機絶縁体を溶媒に溶解させた不飽和の有機溶液を供給する。この有機溶液中の有機絶縁体を基体の一主面に沈ませることにより有機絶縁体からなるゲート絶縁膜を形成する。続いて、有機溶液の溶媒を蒸発させることにより、ゲート絶縁膜上に有機半導体からなる有機半導体単結晶薄膜を成長させる。この有機半導体単結晶薄膜上にソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程１、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および／または改質を行う工程２を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法を提供する。
【解決手段】気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid : VLS）成長法により、ＳｉとＧｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_２膜で被覆されたＧｅナノ細線を作製する。また、気相-液相-固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、金属元素を含む皮膜を、カルコゲン蒸気を含む第１の雰囲気において加熱した後、カルコゲン化水素を含む第２の雰囲気において加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む半導体層にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＢＤ法によるバッファ層の成膜において、密着性の良好なバッファ層を、粒子状固形物の生成を抑制し、生産性良く製造する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０と、化合物半導体を主成分とする光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層された光電変換素子１（１’）におけるバッファ層４０の製造方法において、光電変換半導体層３０上に金属塩水和物を含む前駆体層４０Ｒを塗布成膜する工程（Ａ）と、前駆体層４０Ｒを不溶化処理する工程（Ｂ）と、不溶化処理された基板１０の少なくとも前駆体層４０Ｐ側の表面を、硫黄源を含むアルカリ性の反応液Ｌ１（Ｌ２）に浸漬させて、バッファ層４０を化学浴析出法により形成する工程（Ｃ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる化合物半導体膜においてはおり大面積・均一・低コストの生産性の高い製造プロセスが求められている。本実施例では、これらの化合物半導体膜の低温での大面積薄膜製造を可能ならしめる新しいプロセスを見出した。
【解決手段】我々は超臨界流体を反応溶媒として用いることで、低毒性な有機化合物を添加元素ソースとして、金属膜の変換による化合物半導体膜の製造プロセスを低温で行うことに成功した。一例として、セレン化プロセスをあげると、３００℃という低温環境下において、添加元素ソースとして、毒性の低いジエチルセレンを用い、ＣｕＩｎ前駆体合金膜をセレン化することによりＣｕＩｎＳｅ_２化合物半導体膜を１時間程度の短時間で作製することに成功した。 （もっと読む）

【課題】処理時間を短縮化することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体の塗布膜を基板に形成する塗布部を有する第一チャンバーと、前記塗布膜を加熱する第一加熱部を有する第二チャンバーと、前記第一チャンバーと前記第二チャンバーとを接続する接続部とを備え、前記接続部として、前記基板に塗布された前記塗布膜を加熱する第二加熱部及び前記塗布膜の周囲の圧力を調整する圧力調整部を有し、前記塗布膜に含まれる前記溶媒の少なくとも一部を気化させる第三チャンバーが用いられている。 （もっと読む）

【課題】高い配向性及び高い硬膜度の有機薄膜、及びその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも１種の重合性液晶化合物を含有する組成物の配向を、プラズマ照射による重合により固定してなる有機薄膜である。また、少なくとも１種の重合性液晶化合物を含有する組成物を配向させること、前記組成物を配向させるとともに、又は配向させた後に、前記組成物にプラズマを照射して重合を進行させて、配向を固定すること、
を含む有機薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 螺旋状ポリアセチレンを用いた、導電チャンネルとなる導電路を安定して形成できる有機導電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 螺旋状ポリアセチレン分子と溶媒を含有する溶液を複数の電極間に配置する工程と、前記溶液に電界を印加して前記螺旋状ポリアセチレン分子からなる導電路を形成する工程を有する有機導電デバイスの製造方法。前記溶液に電界を印加する方法は、前記溶液を複数の電極間に配置した後、前記複数の電極間に電界を印加する方法、または前記複数の電極間に電界を印加した後、前記複数の電極間に前記溶液を配置する方法のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度がさらに向上した有機半導体デバイス、該デバイスに含まれる薄膜及び該薄膜に含まれる化合物が求められていた。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、及びＳＯ_２を表す。Ｒ^１〜Ｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数６〜３０のアリール基又は炭素数４〜３０のヘテロアリール基を表す。）
で表されるジカルコゲノベンゾジピロール化合物。 （もっと読む）

【課題】半導体特性に影響を与えることなく、印刷法により形成される半導体の形状再現性に優れた電界効果型トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層およびゲート絶縁膜とが形成されてなる電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくともゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程を有し、該ゲート絶縁膜は露光によりシランカップリング剤と反応可能な官能基を生成し得る材料で形成されており、該工程の前に、ゲート絶縁膜上の半導体を形成する領域の周囲を露光する工程及び露光部においてフッ化アルキル基を有するシランカップリング剤と該官能基とを反応させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜から紫外線照射処理によって脱ガスしたガス成分の排気時間を短縮し、異常放電をなくすことができる真空排気系を備えた紫外線照射処理装置及びＬｏｗ−ｋ膜の紫外線キュア方法を提供する。
【解決手段】基板加熱機構２４を備えた基板支持ステージが配置されている紫外線照射処理室２の上部に、紫外線光源２１を組み込んだ紫外線照射装置２２と紫外線透過窓２３が配置され、前記処理室２の内部を排気するための真空排気系であって、大気から低真空領域に排気するための低真空用ポンプ２６ａと、低真空領域から中・高真空領域へ排気するための中・高真空用ポンプ２６ｂと、を組み合わせた真空排気系２６が接続されてなる紫外線照射処理装置を用いて、基板Ｓ上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜を熱キュア処理する。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの大電流および高速スイッチングを達成するために、ゲート絶縁体材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、溶液から有機半導体層３を堆積させる工程、および溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が有機半導体層３と接触するようにゲート絶縁体２の少なくとも一部を形成する工程を含む有機トランジスタを形成する。低誘電率絶縁材料の比誘電率が１．１から３．０未満までである。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第１工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層を８０℃〜２００℃の範囲内にある第１温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第３工程と、前駆体組成物層を８０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第４工程と、前駆体組成物層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高性能でばらつきの少ない有機薄膜トランジスタとその簡便な製造方法の提供。
【解決手段】（１）基板上にソース電極、ドレイン電極、及びソース電極とドレイン電極の間のチャネル部を構成するインクジェット法で形成された有機半導体層を有し、前記チャネル部は、平面視において前記有機半導体層の輪郭の最大幅Ｒを与える線分の中点を含まず、チャネル長Ｌが、前記最大幅Ｒに対し「Ｌ＜Ｒ／２」を満たす有機薄膜トランジスタ。
（２）前記有機半導体層では、前記輪郭から中点に向かって結晶粒が配向しており、前記ソース電極領域から成長した結晶粒と、ドレイン電極領域から成長した結晶粒とが衝突して形成される結晶粒界αが前記チャネル部に無い（１）記載の有機薄膜トランジスタ。
（３）有機半導体材料を含むインクを用い、インクジェット法により有機半導体層を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】微細電子回路を安価かつ簡便に作製する方法を提供することを課題とする。特に従来法では困難であった印刷法を利用する高精細な回路描画を達成することを課題とする。
【解決手段】特定の窒素原子含有オリゴマー鎖がπ共役縮合芳香環に結合した化合物を薄膜化し、光照射することにより、導電性またはキャリア移動特性を付与する。光照射をレーザー光線による走査あるいはフォトマスクを利用して実施することにより、微細回路を印刷法で形成可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜材料となる微粒子を分散した液体を、被処理部材の表面に塗布して薄膜を製造する方法であって、均一な薄膜を製造する方法の提供を目的とする。
【解決手段】金属または半導体を含む薄膜の製造方法であって、溝（または凹部）４を有する被処理部材１０の表面に、金属の微粒子、半導体の微粒子、金属の酸化物を含む微粒子、および半導体の酸化物を含む微粒子、のうちの少なくともいずれかを溶媒中に分散した液体８を塗布する塗布工程と、被処理部材１０の表面に塗布した液体８の溶媒を揮発させる第１の熱処理工程と、マイクロ波を照射することにより、溶媒を揮発させた液体８に分散された微粒子を加熱し、液体８に含まれる微粒子または液体８に含まれる微粒子の成分で溝（または凹部）４を埋める第２の熱処理工程と、を備えたことを特徴とする薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡易且つ実施が容易な高分解能パターンの作成方法を提供する。
【解決手段】第１熱伝導率を示す物質から作られる支持体１の上面上に少なくとも１つのパターンを作成する方法は、第２熱伝導率を示し、且つ、パターンの形状に対応する形状を有する少なくとも１つの孔部８を含む物質から作られるマスク７を配置する工程を含む。孔部８は、支持体１の底面に接触する。第２導電率に対する第１導電率の比率は、その方法の実施期間（duration）において、２以上又は１／２以下である。また、その方法は、パターンを形成するように作られた物質を含む溶液を上面上に堆積する工程と、溶液を蒸発させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】その表面だけが配向制御された有機半導体薄膜、プラズマ処理に比べて有機半導体に対する損傷を抑えることが可能な有機半導体の配向制御方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の表面に配向層を有する有機半導体薄膜、及び有機半導体からなる薄膜に中性粒子ビームを照射することにより有機半導体の配向制御を行う有機半導体薄膜の配向制御方法である。 （もっと読む）

【課題】塗布形成により薄く、かつ深さ方向に焼結が進行した半導体膜を製造することができる半導体膜の製造方法、その方法により得られた半導体膜を有する半導体基板、及び該半導体基板を備えた電子部材を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体微粒子分散体を含む塗布液を塗布又はパターン状に印刷して塗布液層を形成した後、この塗布液層を焼成処理して半導体膜を形成する半導体膜の製造方法であって、該半導体微粒子分散体が半導体微粒子とカルボン酸無水物類とを含み、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに該塗布液層を晒すことにより、該塗布液層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）