【課題】酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
【解決手段】本発明の１つの薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極２２０とチャネル４０との間に、ゲート電極２０に接する、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる第１酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３２と、チャネル４０に接する、ランタン（Ｌａ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物、ランタン（Ｌａ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからなる酸化物、及びストロンチウム（Ｓｒ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物の群から選択される１種の第２酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３４との積層酸化物３０を備え、チャネル４０が、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とからなるチャネル用酸化物（不可避不純物を含み得る）である。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴとゲート絶縁膜との相互作用を高め、良好かつ安定したトランジスタ特性を示すスイッチング素子を提供する。
【解決手段】本発明のスイッチング素子は、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成された活性層とを具備する。前記活性層は、カーボンナノチューブを含み、前記ゲート絶縁膜は、側鎖に芳香族環を有する非共役高分子を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送性や移動度が高く、安定性に優れた有機半導体層、及びＯｎ／Ｏｆｆ比が高い有機電子デバイスを得る。また、この有機電子デバイスを低コストに製造する。
【解決手段】特定構造の有機半導体化合物と特定の有機化合物とを含有する有機電子デバイス用組成物を用いる。具体的には、有機半導体化合物として、アヌレン構造を有する有機化合物を用い、特定の有機化合物として、下記一般式（１）若しくは（２）で表わされる部分構造を有する有機化合物、又は、ウレア結合、チオウレア結合、ホスフィンオキシド結合、ホスフィンスルフィド結合、スルフォキシド結合若しくはスルホン結合を有する有機化合物を用いる。


（式（１）〜（２）中、Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示し、Ｚは硫黄原子又はリン原子を示す。ｎは、１又は２を示し、ｎが２である場合の２つのＸは酸素原子を示す。Ｘ及びＺがどちらも硫黄原子であることはない。） （もっと読む）

【課題】 塗布で高いキャリア移動度を与えると共に容易に効率よく有機半導体層を製膜することが可能となるジチエノベンゾジチオフェン誘導体の原材料であるジチエノベンゾジチオフェンを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも下記（Ａ）〜（Ｂ）工程を経ることを特徴とするジチエノベンゾジチオフェンの製造方法。
（Ａ）工程；パラジウム触媒の存在下、３−ハロゲン化チオフェン−２−亜鉛誘導体と１，２，４，５−テトラハロゲン化ベンゼンにより１，４−ジ（３−ハロゲン化チエニル）−２，５−ジハロゲン化ベンゼンを製造する工程。
（Ｂ）工程；硫化アルカリ金属塩の存在下、（Ａ）工程により得られた１，４−ジ（３−ハロゲン化チエニル）−２，５−ジハロゲン化ベンゼンの分子内環化によりジチエノベンゾジチオフェンを製造する工程。 （もっと読む）

【課題】より簡便な、かつ高温の焼成を必要としない条件で、基板の所望の位置に複合酸化物の薄膜を形成させることのできる塗布液及びそれを使用した方法を提供すること。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）のキレート化合物（Ｉ）、亜鉛（Ｚｎ）のキレート化合物又は酢酸塩（Ｚ）、及び有機溶媒（Ａ）を含む複合酸化物膜形成用の塗布液を塗布して基材の表面に塗膜を形成し、次いでこの塗膜を焼成することにより複合酸化物膜に転換させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストの低減が可能な単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長用のシード材とフィード材のユニットを提供する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材１１及びシード材１２のそれぞれの表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。フィード材１１の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、シード材１２の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察される。表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が８０％以上である。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、Ｔ０ピーク及びＬ０ピーク以外のピークが観察される。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Å以下である。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材１１及びシード材１２のそれぞれにおいて、表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値は、フィード材１１の方がシード材１２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ６．５ｍｉｌ（１６５μｍ）に対応するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ホルダ１とその下方に配置された回収ホルダ２との間にスライダー３をスライド自在に設け、そのスライダー３に原料ホルダ１の原料溶液溜４から原料溶液が供給されると共に回収ホルダ２の溶液収納槽５へ原料溶液を排出する基板ホルダ部６を形成し、その基板ホルダ部６内に基板８を縦に複数枚保持させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内に原料溶液を供給し、基板８上にエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内の原料溶液を排出するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法において、基板８を基板ホルダ部６内に保持させる際に、隣り合う基板８，８間のメルト幅１３を３ｍｍ以下とし、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの総厚を１９０μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】塗布等の湿式プロセスによる半導体デバイスの製造において用いることができ、良好な電気特性を有し、安価に製造することができるコアシェル型微粒子を提供する。
【解決手段】コア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部を覆うシェルからなり、前記コア粒子は、バンドギャップが３ｅＶ以上である少なくとも１種の金属酸化物（Ａ）からなり、前記シェルは、少なくとも１種の金属酸化物（Ｂ）からなる０．０１〜１μｍのコアシェル型粒子。 （もっと読む）

【課題】ＣＢＤ成膜装置を、ＣＢＤ溶液に溶解してしまうような部分を含む基板であっても基板を溶解させることなくＣＢＤ成膜を実施可能なものとする。
【解決手段】ＣＢＤ成膜装置１を、長尺基板２を密着支持するドラム３と、長尺基板２を密着支持するドラムの一部を浸漬するＣＢＤ反応液４で満たされた反応槽５と、ドラム３に密着支持された長尺基板２の短手方向端部と、ドラム３のうち長尺基板２が密着しない部分とをオーバーラップしてＣＢＤ反応液４から保護する保護部材６と、ドラム３の周速に合わせてドラム３に密着させた長尺基板２と保護部材６をＣＢＤ反応液中で共走行させる駆動部とを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】ＣＢＤ成膜装置を、ＣＢＤ溶液に溶解してしまうような部分を含む基板であっても基板を溶解させることがないものとする。
【解決手段】基板２を裏面から支持して加熱する支持加熱部３と、支持加熱部３により支持された基板２の表面に膜形成用のＣＢＤ反応液を供給するための、開口部４ａを有する反応槽４と、反応槽４を支持加熱部３により支持された基板２の表面に向けて前進させて基板２の表面に対して開口部４ａを押し付けるとともに、反応槽４を基板２の表面から後退させて基板２の表面から開口部４ａを引き離すことが可能な反応槽進退駆動部とを備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】印刷法にて、容易にヴィアホール等のパターンを形成する方法を提供する事。
【解決手段】基板上に設けられた第一高分子材料からなる第一薄膜をパターニングする際に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒とする。 （もっと読む）

【課題】原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置および製造方法において、薄板の板厚のむらの発生を防止して、板厚を制御することのできる薄板製造装置および薄板製造方法、ならびに坩堝を提供する。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置であって、原料融液を内部に充填可能な坩堝と、坩堝内の原料融液に下地板を浸漬させる浸漬部とを備える。坩堝は、坩堝本体と、下地板の浸漬方向に応じて原料融液の表面の液流の方向を制御する制御部とを含む。 （もっと読む）

【課題】厚さおよび大きさを制御しながら単結晶の有機薄膜を迅速かつ容易に形成することが可能な有機薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】温度制御可能な支持体１により支持された製膜用基体１０の一面（幅広の溶液蓄積領域１１およびそれに連結された幅狭の溶液絞込領域１２）に有機溶液２０を供給したのち、支持体１とは独立して温度制御可能な移動体４を有機溶液２０に接触させながら支持体１の表面に沿って移動させる。支持体１の温度ＴＳは、有機溶液２０に関する溶解度曲線と過溶解度曲線との間に位置する温度に設定されると共に、移動体４の温度ＴＭは、溶解度曲線よりも高温側に位置する温度に設定される。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能又は機能の異なる２以上の多結晶シリコンウエハを備えたハイブリッドシリコンウエハを提供する。
【解決手段】一方を溶融状態とし他方を固体状態として相互に一体化した、同心円状の比抵抗が２桁以上異なる２種類以上の単結晶シリコン又は多結晶シリコンを主成分とするウエハからなることを特徴とするハイブリッドシリコンウエハであり、高比抵抗のシリコン又はシリコンを主成分とするインゴット１を、坩堝２内の中心部又は偏芯させた一部に配置すると共に、前記坩堝とインゴット周囲の空隙部に、前記インゴットよりも比抵抗が２桁以上低いナゲット３又は粉末状のシリコンを充填し、前記ナゲット又は粉末状のシリコンを選択的に溶解して、前記インゴットと一体化させて複合体とし、これをさらにウエハ状に切り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の製造方法は、炭化珪素からなるベース基板１０および単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０を準備する工程と、ベース基板１０の主面１０Ａ上に接触するようにＳｉＣ基板２０を載置して、積層基板を作製する工程と、積層基板を、ＳｉＣ基板２０よりもベース基板１０の温度が高くなるように加熱することにより、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０とを接合する工程と、ＳｉＣ基板２０が接合されたベース基板１０の、ＳｉＣ基板２０とは反対側の主面１０Ｂ上にエピタキシャル成長層３０を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）