パターン形成方法及び回路基板の製造方法
【課題】印刷法にて、容易にヴィアホール等のパターンを形成する方法を提供する事。
【解決手段】基板上に設けられた第一高分子材料からなる第一薄膜をパターニングする際に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒とする。
【解決手段】基板上に設けられた第一高分子材料からなる第一薄膜をパターニングする際に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、及び当該パターン形成方法を適応した回路基板の製造方法に関する。取り分け、印刷法を用いて機能性有機材料を塗布する事により、アクティブマトリックス基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン半導体を利用したアクティブマトリックス基板を製造するには、薄膜の成膜工程とフォトリソグラフィー工程、及びエッチング工程を基本サイクルとし、この基本サイクルを複数回繰り返していた。まず、薄膜が基板全体に成膜された後に、必要となる薄膜パターンに応じたフォトレジストパターンを作り、そのパターンに基づいて薄膜の大半をエッチング工程で除去し、その後に残ったフォトレジストパターンも除去して基本サイクルとしていた。即ち、この製造方法では、薄膜材料の多くとフォトレジスト材料の総てを最終的に捨てねばならず、いわば、壮大な無駄に立脚していると言えた。加えて、成膜工程やエッチング工程には真空プロセスが必要とされ、これらの工程は処理時間が長く、生産性が悪い上に、大規模な製造装置が必要とされていた。
【０００３】
そこで、上述の基本サイクルを出来る限り使用せず、生産性に優れ、大規模な製造装置の使用も極力避けた製造方法として、アクティブマトリックス基板を印刷法にて製造する方法が検討されている。印刷法には様々な方式が有るが、アクティブマトリックス基板を製造するにはインクジェット方式が適していると考えられている。これは、インクジェット方式が各種の印刷方法の中で、唯一、基板に非接触でパターンを形成し、欠陥の発生確率が最も低いからである。インクジェット方式以外の各種印刷方式は、印刷版を基板に接触させる為、ごみの巻き込みや、物理的な欠損をなくす事が困難であるからである。
【０００４】
さて、通常、アクティブマトリックス基板には複数の配線層が設けられ、これらの配線層は絶縁膜にて分離されている。配線層間で電気的な導通が必要な箇所には、ヴィアホールを開口して両配線間を接続している。印刷法にてアクティブマトリックス基板を製造する際にも、この配線層間の導通が必要となる。例えば特許文献１では、フォトリソグラフィー工程とドライエッチング工程とを用いて、ヴィアホールを形成している。又、特許文献２では、絶縁膜にレーザー光を照射してヴィアホールを形成している。又、特許文献３では、図１７に示す様に、絶縁膜を溶解する溶剤を絶縁膜に滴下してヴィアホールを形成している。
【０００５】
特許文献３の方法では、図１７（ａ）に示す様に、絶縁膜１７１上に滴下された溶剤は、絶縁膜１７１上で液滴１７２をなす。液滴１７２はその下の絶縁膜１７１を溶解しつつ、蒸発していく。絶縁膜１７１の厚さが２００ｎｍから４００ｎｍ程度と薄ければ、図１７（ｂ）に示す様に、絶縁膜１７１は厚み方向で全体が溶剤に溶かされる。これが乾燥する際には、図１７（ｂ）の矢印が示す様な微小流が発生する。溶剤に溶けた絶縁膜１７１の材料も、この流れに乗って、液滴１７２の外周部付近へと集められる。その結果、図１７（ｃ）に示す様なクレータ状の窪みが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２７７３７１号公報
【特許文献２】特開２００７−２６６２３７号公報
【特許文献３】特表２００３−５１８７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に代表される従来の製造方法では、フォトリソグラフィー工程が、アクティブマトリックス基板に利用されている機能性有機材料に重大な影響を及ぼし、特性に優れたアクティブマトリックス基板を安定的に製造するのが困難であるという課題があった。これはフォトリソグラフィー工程中の露光時に強い短波長光が機能性有機材料に照射され、機能性有機材料が光劣化する恐れが有るからである。又、フォトリソグラフィー工程中の現像時に現像液が機能性有機材料に染み渡り、機能性有機材料が化学的に変化する恐れが有るからでもある。
【０００８】
又、特許文献２に代表される従来の製造方法では、レーザー装置を利用している為に製造原価が高騰するという課題の他に、生産性が悪く、歩留まりも低いという課題もあった。通常、ヴィアホール開口にはレーザーを同一地点に複数回照射する必要がある。而もアクティブマトリックス基板にヴィアホールは数万個から数百万個存在するので、これらをレーザー装置で数個ずつ乃至は数百個ずつアライメントを取りつつ開口して行くと、その処理に極めて長い時間が費やされてしまう。又、レーザー出力が僅かに変動するだけで、電気的な導通が取れなくなる。例えば僅かにレーザー出力が弱ければ、ヴィアホールは開口できず（ヴィアホール底部に絶縁膜が残り）、反対に僅かでも強過ぎれば、導通を取るべき電極までをもアブレーションさせてしまうからである。更に、レーザーアブレーションを利用している関係から、ゴミの発生が避けられず、アクティブマトリックス基板を汚す結果、歩留まりを低下させていた。
【０００９】
又、特許文献３に代表される従来の製造方法では、完全に貫通した穴を形成する事が困難であるという課題があった。図１７（ｃ）に示す様に、穴の底部１７３には僅かながら絶縁膜材料が残留していた。これは、乾燥の最終過程では溶剤の移動よりも蒸発の方が支配的になる為に、ほぼ必然的に生ずる現象であった。そこで、これを回避すべく、特許文献３では、この工程に続いて、絶縁膜の全面を均一にエッチングして、穴の底部１７３の薄皮状の残留物を除去していた。具体的には、プラズマを用いたドライエッチング処理や溶剤を用いたウエットエッチング処理が施されていた。しかし絶縁膜が高分子材料からなる場合、プラズマでのドライエッチング処理は、絶縁膜に対してプラズマダメージを招き、絶縁膜品質を劣化させるという課題があった。また、ウエットエッチング処理を施す方法では、絶縁膜の表面が荒れるという課題があった。更に、絶縁膜の界面に溶剤が侵入して絶縁膜が剥がれるという課題もあった。
【００１０】
換言すれば、ヴィアホールなどのパターンを形成するに当たり、従来は印刷法に適したパターン形成方法が存在しないという課題があった。同様に、優れた特性を有する回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事が困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【００１２】
（適用例１） 本適用例に係わるパターン形成方法は、基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、第一薄膜は第一高分子材料からなり、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事を特徴とする。
この構成によれば、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に形成でき、而もヴィアホール以外の残った第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
【００１３】
（適用例２） 本適用例に係わるパターン形成方法は、基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、第一薄膜は第一高分子材料からなり、第一高分子材料を溶解する第三溶媒を第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、第三溶媒が乾燥した後に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事を特徴とする。
この構成によれば、第三溶媒の乾燥時に第一高分子材料の移動を促進するので、第三溶媒乾燥後には、第三溶媒が滴下された中央部付近に第一高分子材料は僅かしか残留しない。その後にこの僅かな残留物が除去されるので、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に且つ確実に形成でき、而もヴィアホール以外の残った第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
【００１４】
（適用例３） 上記適用例に係わるパターン形成方法において、第二高分子材料の分子量が５００以上５００００以下の範囲に有る事が好ましい。
この構成によれば、分子量が５００以上なので、第二高分子材料は高分子としての特徴を示し、第一溶媒の乾燥時に第一高分子材料と相分離を引き起こす。その為に、第二溶媒接触工程後に第二高分子材料が除去されると、そこの部位は第一高分子材料も第二高分子材料も存在しない領域となる。第二高分子材料の分子量が５００００以下であるので、第一溶媒の乾燥期間に於ける高分子溶液の粘度は比較的長時間低く保たれる。これらの結果、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に形成できる。
【００１５】
（適用例４） 本適用例に係わる回路基板の製造方法は、基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、第一導電体上の第一薄膜に貫通孔を開口して、第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、貫通孔形成工程は、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は、第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事を特徴とする。
この構成によれば、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に開口でき、而も回路基板に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない。その為に、優れた回路特性を示す回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
【００１６】
（適用例５） 本適用例に係わる回路基板の製造方法は、基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、第一導電体上の第一薄膜に貫通孔を開口して、第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、貫通孔形成工程は、第一高分子材料を溶解する第三溶媒を第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、第三溶媒が乾燥した後に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事が好ましい。
この構成によれば、第三溶媒の乾燥時に第一高分子材料の移動を促進するので、第三溶媒乾燥後には、第三溶媒が滴下された中央部付近に第一高分子材料は僅かしか残留しない。その後にこの僅かな残留物が除去されるので、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に且つ確実に開口でき、而も回路基板に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない。その為に、優れた回路特性を示す回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
【００１７】
（適用例６） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第二高分子材料の分子量が５００以上５００００以下の範囲に有る事が好ましい。
この構成によれば、分子量が５００以上なので、第二高分子材料は高分子としての特徴を示し、第一溶媒の乾燥時に第一高分子材料と相分離を引き起こす。その為に、第二溶媒接触工程後に第二高分子材料が除去されると、そこの部位は第一高分子材料も第二高分子材料も存在しない領域となる。第二高分子材料の分子量が５００００以下であるので、第一溶媒の乾燥期間に於ける高分子溶液の粘度は比較的長時間低く保たれる。これらの結果、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に且つ確実に開口できる。
【００１８】
（適用例７） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、貫通孔形成工程後に、第一導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する第二絶縁膜形成工程と、を更に含む事が好ましい。
この構成によれば、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に開口でき、而も回路基板に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない。その為に、優れた回路特性を示す回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
【００１９】
（適用例８） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、撥液化工程後に、第一薄膜上に第二導電体を形成する第二導電体形成工程を含み、第二導電体形成工程後に第二絶縁膜形成工程を行う事が好ましい。
撥液化工程は金属等の導電体の表面を選択的に撥液化させる。この構成によれば、撥液化工程時に未だ第二導電体が形成されていないので、第一導電体で貫通孔が開口している部位のみが選択的に撥液化され、その他の領域は撥液化されない。従って、次の第二絶縁膜形成工程では、貫通孔以外の領域に均一に前駆体樹脂を印刷でき、貫通孔以外の領域には隈無く第二絶縁膜を形成する事ができる。
【００２０】
（適用例９） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第二絶縁膜形成工程後に、貫通孔を含む領域に第三導電体を形成する第三導電体形成工程を含む事が好ましい。
この構成によれば、貫通孔を含む領域には第二絶縁膜が形成されて居らず、そこは自然にヴィアホールとなっている。従って、第一導電体と第三導電体との間で、第一薄膜と第二絶縁膜とを介して、電気的に導通を取る事ができ、印刷法にて、複雑で高機能な回路を有する回路基板を製造する事ができる。
【００２１】
（適用例１０） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一導電体形成工程後に、有機半導体膜を印刷する半導体膜形成工程を含み、半導体膜形成工程後に第一薄膜成膜工程を行う事が好ましい。
この構成によれば、機能性有機材料として有機半導体膜を利用できるので、回路基板に有機物薄膜トランジスターを形成でき、高機能な回路を有する回路基板を製造することができる。更に、この構成では、第一導電体をソースドレイン電極とし、ソースドレイン電極形成後にトランジスターの活性層半導体膜を印刷し、その後にゲート絶縁膜として機能する第一薄膜を成膜する事になる。即ち、第一導電体形成工程が最初になるので、この工程が有機半導体膜やゲート絶縁膜に影響を及ぼす事はなく、様々な手法を第一導電体形成工程に適応できる（工程自由度が高い）。薄膜トランジスターでは半導体膜とゲート絶縁膜とがトランジスター特性を定める重要な要素であるが、この構成では第一導電体形成工程がこれらの重要な要素に悪影響を及ぼす事態を完全に排除でき、高性能な薄膜トランジスターを製造する事ができるのである。
又、トランジスターを用いた回路ではトランジスターのチャンネル形成領域長（有機物薄膜トランジスターでは、ソース電極とドレイン電極とを離間する距離）を短くする事が回路性能を向上させるのに重要な要件である。この構成によれば、第一導電体形成工程の工程自由度が高く、有機半導体膜やゲート絶縁膜の形成に先立って、ここにフォトリソグラフィー工程とエッチング工程を利用できるので、チャンネル形成領域長を数ミクロン、乃至はそれ以下へと、極めて短くする事ができる。換言すれば、回路基板の製造工程中で、最初に一回だけフォトリソグラフィー工程とエッチング工程とを使えば、残りの工程をすべて印刷法で回路基板を製造しても、チャンネル形成領域長が極めて短い高性能な薄膜トランジスターを回路基板に設ける事が可能となる。
【００２２】
（適用例１１） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、有機半導体膜はエーテル系溶剤に対しても、ケトン系溶剤に対しても、エステル系溶剤に対しても、フッ素系溶剤に対しても難溶性を示す事が好ましい。
これらの構成によれば、π共役系分子を有機半導体膜として活用でき、且つこれらは芳香族炭化水素や飽和炭化水素を溶媒として利用できるので、有機半導体を含むインクを準備できる。即ち、有機半導体をインクジェット法などの印刷法で、回路基板に求められる形状に印刷できる。
【００２３】
（適用例１２） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一薄膜はエーテル系溶剤又は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかに可溶である事が好ましい。
これらの構成によれば、エーテル系溶剤、又はケトン系溶剤、又はエステル系溶剤、又はフッ素系溶剤、に可溶な絶縁材料、若しくはエーテル系樹脂、又はケトン系樹脂、又はエステル系樹脂、又はフッ素系樹脂、からなる絶縁材料を第一薄膜成膜工程に使用できるので、印刷法にて第一薄膜を形成できる。又、第一薄膜に対する選択肢が広いので、回路基板の機能を最大にする事ができる。さらに、第一薄膜をトランジスターのゲート絶縁膜として利用する場合には、第一薄膜材料が有機半導体膜を溶かさないので、半導体膜とゲート絶縁膜との界面が平滑で、且つ中間遷移層が存在しない綺麗な物となる。その結果、優れた特性を示す薄膜トランジスターを回路基板に作製する事ができる。
【００２４】
（適用例１３） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一薄膜はアルコール系溶剤に対して難溶性を示す事が好ましい。
この構成によれば、第一薄膜成膜工程後に行われる撥液化工程や第二導電体形成工程、及び第二絶縁膜形成工程に、アルコール系材料乃至はアルコール系溶剤に対して可溶な材料を使用できる。即ち、これらの材料を用いて、印刷法にて撥液化工程や第二導電体形成工程、及び第二絶縁膜形成工程を進めることができる。更に、これらの工程中に第一薄膜が損傷を受ける事もないので、第一薄膜は、回路基板にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
【００２５】
（適用例１４） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一薄膜は前駆体樹脂に対して難溶性を示す事が好ましい。
この構成によれば、第二絶縁膜形成工程中に第一薄膜が前駆体樹脂によって損傷を被ることはなく、第一薄膜は、回路基板にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
【００２６】
（適用例１５） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液に、第一導電体の表面を触れさせる事が好ましい。
この構成によれば、チオール化合物又はジスルフィド化合物の硫黄原子が金属原子と素早く結合するので、数秒から数分程度の短時間の接触で容易に第一導電体の表面のみを選択的に撥液化させる事ができる。
【００２７】
（適用例１６） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、チオール化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事が好ましい。
フッ素化アルキル鎖は表面張力を下げるので、この構成によれば、チオール化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
【００２８】
（適用例１７） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、ジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事が好ましい。
フッ素化アルキル鎖は表面張力を下げるので、この構成によれば、ジスルフィド化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
【００２９】
（適用例１８） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含む事が好ましい。
第二絶縁膜は第一薄膜上に形成されるが、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、この構成によれば、前駆体樹脂が第一薄膜に損傷を及ぼす事（第一薄膜を溶融する事）を避けられる。
【００３０】
（適用例１９） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂はアルコール系溶剤に可溶である事が好ましい。
この構成によれば、前駆体樹脂をアルコール系溶剤で希釈できるので、その溶液の濃度を比較的自由に調整でき、各種印刷法を第二絶縁膜形成工程に適応できる。又、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、第二絶縁膜形成工程が第一薄膜に損傷を及ぼす事（第一薄膜を溶融する事）を避けられる。
【００３１】
（適用例２０） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂は光硬化性樹脂である事が好ましい。
この構成によれば、前駆体樹脂を印刷した後に、光照射する事で、速やか且つ容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
【００３２】
（適用例２１） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂は熱硬化性樹脂である事が好ましい。
この構成によれば、前駆体樹脂を印刷した後に、簡単な熱処理で、容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
【００３３】
（適用例２２） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、回路基板は、ゲート絶縁膜を備えるトランジスターを有し、第一薄膜がゲート絶縁膜として機能している事が好ましい。
この構成によれば、高機能回路を有する回路基板を実現する事ができる。又、第一導電体形成工程以外は、総て印刷法にて回路基板を製造するので、生産性が非常に高く、高機能回路を有する回路基板を一日で製造できると見積られている。而も工程の自動化が容易で、印刷法の主体がインクジェット法である為に廃棄物も少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施形態１に係わるパターン形成方法を模式的に示した断面図。
【図２】実施形態１に係わるパターン形成方法を用いて作製した配線接続構造を模式的に示した断面図。
【図３】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図。
【図４】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図。
【図５】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図。
【図６】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した平面図。
【図７】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した平面図。
【図８】実施形態２に係わる回路基板の製造方法の内で撥液化工程終了時の状態を詳細に説明した図。
【図９】実施形態２で詳述した回路基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリックス基板を模式的に示す平面図。
【図１０】上述のアクティブマトリックス基板を用いた電気光学装置を模式的に示す断面図。
【図１１】上述の電気光学装置を用いた電子機器を模式的に示す斜視図で、（ａ）は正面斜視図、（ｂ）は背面斜視図。
【図１２】変形例１に係わる回路基板の断面図。
【図１３】変形例２に係わる回路基板の製造方法の平面図。
【図１４】変形例３に係わる回路基板の平面図。
【図１５】変形例３に係わる回路基板の断面図。
【図１６】変形例８に係わる回路基板の断面図。
【図１７】従来技術に係わるパターン形成方法を模式的に示した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３６】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係わるパターン形成方法を模式的に示した断面図である。図２は、実施形態１に係わるパターン形成方法を用いて作製した配線接続構造を模式的に示した断面図である。以下、図１と図２とを用いて、パターン形成方法を説明する。
【００３７】
「パターン形成方法の概要」
まず図１を用いて概要を説明する。
本発明は、基板１０に設けられて居る第一薄膜に、印刷法にて貫通孔３２と云った様なパターンを形成する方法に関する。図１では、第一薄膜は絶縁膜２１１で、第一高分子材料からなっている。
【００３８】
印刷法でパターンを形成するのに以下の工程が実施される。まず、高分子溶液として、第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた溶液を準備する。第一溶媒は第一高分子材料も溶解する。即ち、第一溶媒には、第一高分子材料も第二高分子材料も、どちらも溶解する。第一高分子材料と第二高分子材料は、第一溶媒の乾燥時には互いに相分離する異なった材料である。次に、図１（ａ）に示す様に、高分子溶液滴下工程として、この高分子溶液を第一薄膜に滴下して微小な液滴５２を形成する。この液滴は直ぐに乾燥するが、乾燥時には液滴内に微小流が発生し、液滴の中央部付近から第一高分子材料と第二高分子材料とが液滴の周辺部に移動する。こうして、図１（ｂ）に示す様に、液滴の中央部付近は、乾燥後に第一高分子材料と第二高分子材料が薄皮状に僅かに残る状態となる。薄皮状に残留した両高分子材料は互いに相分離して、微小なドメインを数多く二次元的に形成する。この後に、今度は第二溶媒接触工程として、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる。第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒としておく。こうする事により、中央部付近の薄皮状残留物から第二高分子材料が選択的に除去される。即ち、図１（ｃ）に示す様に、第二高分子材料が存在していたドメインが開口されて、貫通孔３２が形成される。その一方で、貫通孔３２以外の領域にある第一高分子材料は安定に保たれるので、第一薄膜の品質を維持しつつ、印刷法で、貫通孔３２を形成できる事になる。
【００３９】
以下、パターン形成方法を工程毎に詳述する。
【００４０】
「第一薄膜成膜工程」
まず、基板１０上に第一薄膜成膜工程として、第一薄膜を形成する。ここでは第一薄膜は絶縁膜２１１で、５００ｎｍのポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）をスピンコートにて成膜した。絶縁膜２１１は、第一高分子材料を基板全体に渡って一様に塗布し、その後にヴィアホール開口といったパターニングが行われる。第一高分子材料は第一溶媒には良く溶け（可溶で）、第二溶媒には安定で溶け難い（難溶）性質である。一方、第一溶媒に溶かされる第二高分子材料は第一溶媒にも第二溶媒にも可溶性を示すものである。第一高分子材料としては、ＰＭＭＡの様なアクリル系高分子や、特開２０１０−７４０８８号公報に示される様なフッ素系芳香族高分子（以降、単にフッ素系芳香族高分子と略称する）、ポリシクロオレフィンの様なオレフィン系高分子を使用する事ができる。
【００４１】
「溶媒と高分子材料」
第一溶媒と第二溶媒、及び第二高分子材料は次の様になる。第一高分子材料がアクリル系高分子乃至はフッ素系芳香族高分子の場合、第一溶媒はエーテル系溶剤（エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、１，４−ジオキサン、２−メトキシ−２−メチルプロパン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等）、或いはグリコールジエーテル(グライム）系溶剤（トリエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等）、或いはケトン系溶剤（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、３，５，５−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン（イソホロン）等）、或いはエステル系溶剤（γブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシブチル、エチルグリコールアセテート、酢酸アミル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノールアセテート、グルタル酸ジメチル、エチルオクタノエート、安息香酸ブチル、二酢酸１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコールジアセテート等）、或いはグリコールエステル系溶剤（グリコールとのエーテル及びエステルを含む溶剤で、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等）、或いはエーテルとエステルを含む特殊溶剤（３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート等）のいずれかとする。これらの内で取り分け溶解性に優れる第一溶媒としては、ラクトンの様に環状構造を持つ有機化合物で分子の環の一部としてエステル結合を含む物（例えばγブチロラクトン）や、環状ケトンの分子構造を持つ有機化合物（例えばイソホロン）、シクロアルカン環を有する有機化合物（例えばシクロヘキサノールのエステルで、シクロヘキサノールアセテート）らである。これら三種の内で沸点が１８０℃以上有る溶媒が第一溶媒に最適である（例えばγブチロラクトンやイソホロン）。第二溶媒はアルコール系溶剤（メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルプロピルアルコール、ブタノール、ターシャリーブタノール（ＴＢＡ）、ブタンジオール、エチルヘキサノール、ベンジルアルコール等）とする。この場合、第二高分子材料は、第一溶媒として選ばれた溶媒にもアルコール系溶剤にも可溶性を示す高分子材料で、例えば、ビニル化合物に水酸基が導入されている樹脂やフェノールを原料とした樹脂が好ましい。具体的には、第二高分子材料は、ビニルフェノールの単独重合体（ポリビニルフェノール）乃至はビニルアルコール単量体やビニルフェノール単量体が他のビニル単量体（例えば塩化ビニルや酢酸ビニルなど）と共重合した化合物、或いはフェノール樹脂（ノボラック樹脂）などで、第一溶媒にも第二溶媒にも可溶性を示す物である。尚、第二高分子としてポリスチレンを使用する事ができ、この際には第一溶媒はエステル系溶剤、或いはケトン系溶剤、或いはエーテル系溶剤とし、第二溶媒は飽和炭化水素（ヘキサン、或いは環式の飽和炭化水素でシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン等）とする。ここでは第一高分子材料をＰＭＭＡとし、第一溶媒として環状エステルであるγブチロラクトンを選び、第二溶媒はイソプロピルアルコール、第二高分子材料はポリビニルフェノールとした。第一高分子材料を特開２０１０−７４０８８号公報に示されるようなフッ素系芳香族高分子とした場合にも、第一溶媒はγブチロラクトン、第二溶媒はイソプロピルアルコール、第二高分子材料はポリビニルフェノールとするのが好ましい。
【００４２】
尚、第一高分子材料がオレフィン系高分子の場合、第一溶媒は芳香族炭化水素（トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等）、或いは、環式の飽和炭化水素（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン等）とし、第二溶媒はアルコール系溶剤（メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルプロピルアルコール、ブタノール、ターシャリーブタノール（ＴＢＡ）、ブタンジオール、エチルヘキサノール、ベンジルアルコール等）、又はエステル系溶剤（γブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシブチル、エチルグリコールアセテート、酢酸アミル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノールアセテート、グルタル酸ジメチル、エチルオクタノエート、安息香酸ブチル、二酢酸１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコールジアセテート等）とする。この場合、第二高分子材料は、第一溶媒として選ばれた溶剤にも、第二溶媒として選ばれた溶剤にも、可溶性を示す高分子材料で、ビニル化合物にベンゼン環が導入されている樹脂が好ましい。具体的には、第二高分子材料は、スチレンの単独重合体（ポリスチレン）乃至はスチレンと他のビニル単量体（例えばビニルフェノールや酢酸ビニルなど）と共重合した化合物などである。第一高分子材料をポリシクロオレフィンとした場合、第一溶媒はデカリン、第二溶媒は酢酸ブチル、第二高分子材料はポリスチレンとするのが好ましい。
【００４３】
オレフィン系高分子は、水酸基やカルボニル基などの極性官能基を有する材料と共重合させたり、或いはこれらを側鎖として付加したりする事によって、エーテル系溶剤やケトン系溶剤、エステル系溶剤に可溶とする事ができる。こうした処理を行ったオレフィン系高分子を第一高分子材料とする際には、第一高分子材料がアクリル系高分子乃至はフッ素系芳香族高分子の場合と同じ第一溶媒や第二溶媒、第二高分子材料が使用される。
【００４４】
「高分子溶液滴下工程」
上述の第一溶媒に第二高分子材料を溶解させて高分子溶液とし、この高分子溶液を図１（ａ）に示す様に、第一薄膜に滴下する。これが高分子溶液滴下工程である。具体的にはＰＭＭＡからなる絶縁膜２１１にインクジェット法５１にてγブチロラクトンにポリビニルフェノールを溶かした高分子溶液を滴下した。高分子溶液中のポリビニルフェノールの濃度は０．２％であった。ここでは、２５ｐＬ程度の高分子溶液の液滴５２を三回、滴下した。つまり、高分子溶液を滴下すると、２５ｐLの微小な液滴は溶剤の沸点が２００℃前後の場合でも、室温で５秒以内に溶液は乾いてしまう。ここに、再度、高分子溶液を滴下すると、中央付近に残った第一高分子材料は、更に低減する。こうした繰り返しを、ここでは三回実施した。
【００４５】
高分子溶液に関して説明する前に、まず溶液滴下によって、ヴィアホール開口等のパターニングが可能となる原理を述べる。第一薄膜である絶縁膜２１１に貫通孔３２を開口するには、第一薄膜にインクジェット法５１で高分子溶液の液滴５２を滴下する。図１（ａ）に示す様に、第一薄膜上に滴下された高分子溶液は、濡れ性に依存して一定の径まで濡れ広がる。濡れ広がった高分子溶液はその下の第一薄膜を溶解しつつ、蒸発していく。高分子溶液が蒸発する際には、液滴５２の内部に中央部から外縁部へと向かった微小流が発生する。これは液滴５２のコンタクトライン（外縁部）がピニングされ（固定され）、簡単には移動できない事に由来する。その結果、コンタクトライン付近の第一溶媒の蒸発分が中央からの液の移動で補われ、中央部から外縁部に向かった微小流が発生するのである。第一溶媒に溶けた第一高分子材料（第一薄膜の構成要素）も第二高分子材料も、この微小流に乗って、コンタクトライン付近へと集められる。こうして図１（ｂ）に示す様な、中央部付近が窪み、外縁部付近が盛り上がったクレータ状の凹凸が形成される。中央部付近の窪みが十分に薄ければ、前述の如く、第一高分子材料と第二高分子材料は、平面視で石垣状に相分離して、二次元的に其々のドメインを形成する。その後に、図１（ｃ）に示す様に、第二高分子材料のドメインを第二溶媒で除去して、貫通孔３２を形成する。
【００４６】
以上の原理から、この方法で貫通孔３２を開口させるには、（１）第一薄膜が、滴下される高分子溶液に容易に溶ける事、即ち、第一溶媒に第一高分子材料が良く溶ける事、（２）高分子溶液と第一薄膜の接触角が１５°程度以上有り、余り濡れ広がらない事、（３）高分子溶液の乾燥速度が遅く（即ち、第一溶媒の蒸発速度が遅く）、第一薄膜が高分子溶液に溶け、それが微小流に乗って移動すると共に、第一高分子材料と第二高分子材料とが界面エネルギーを下げるべく（相分離して其々のドメインを作るべく）移動するだけの時間がある事（即ち、第一溶媒の沸点が高い事）、（４）高分子溶液の粘度が或る程度低く（即ち、高分子溶液中に溶ける第二高分子材料の濃度が或る程度低く）、液の移動が可能である事、（５）高分子溶液の乾燥時に第一高分子材料と第二高分子材料とが相分離する事（即ち、第一高分子材料と第二高分子材料は互いに相溶性が低く、容易に相分離し、且つ高分子溶液中に溶ける第二高分子材料の濃度が或る程度高い事）、（６）第二溶媒に接触させる前には中央部付近の窪みが１００ｎｍ以下と十分に薄く、厚み方向は均一で（厚み方向には相分離が生じて居らず）、相分離は二次元的に（平面状に）生じている事、の六点が重要であると理解できる。
【００４７】
実験によると、微細な貫通孔を形成するには、高分子溶液の表面張力は３５ｍＮ／ｍ以上、理想的には４０ｍＮ／ｍ以上ある事が好ましい。実際に、高分子溶液の表面張力が概ね４０ｍＮ／ｍ程度で有ると、ＰＭＭＡに対する接触角は１５°程度となり、２０ｐＬの液滴５２で、直径が１００μｍ程度の外縁周（図１（ｃ）で盛り上がった頂点部）と直径が２０μｍから３０μｍの窪み部（図１（ｂ）で中央部付近）を形成して、貫通孔３２が開口される。第一溶媒にシクロヘキサノールアセテートを用いると、優れた溶解性を示すが、沸点が１７３℃と低い為に、一回の滴下で１０ｎｍ程度しか掘れない。従って、深い貫通孔を形成するには、第一溶媒の沸点が１８０℃よりも高い事が好ましい。第一高分子材料と第二高分子材料とが相分離を起こすには、第二高分子材料の分子量が５００以上ある事が望ましい。更に、乾燥時に高分子溶液の粘度が或る程度低い為には、第二高分子材料の分子量は５００００以下である事が望ましい。又、乾燥時に粘度が低い状態を或る程度の期間維持し、貫通孔を形成するには、高分子溶液中に溶ける第二高分子材料の濃度が３％未満である事が望まれる。更に、第一高分子材料と第二高分子材料とが相分離する為には、高分子溶液中に於ける第二高分子材料の濃度が０．０２％以上である事が望ましい。
【００４８】
又、実験によると、中央部付近の窪みが１００ｎｍ以下になると、第二溶媒に浸す事で貫通孔３２を形成できるが、中央部付近の窪みがこれよりも厚いと、第二溶媒に浸す事の貫通孔形成が困難となる。これは厚み方向で相分離をしている為と考えられる。粘度に関しては、高分子溶液はインクジェット法５１にて吐出されるので、その粘度は１ｍＰａ・ｓから５ｍＰａ・ｓの範囲にある事が望ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上であれば、容易にインクジェット法５１で高分子溶液を滴下でき、５ｍＰａ・ｓ以下で有れば、高分子溶液に微小流が生じて、貫通孔３２を開口できる。ここで滴下した高分子溶液の粘度は約２ｍＰａ・ｓで、表面張力は凡そ４４ｍＮ／ｍ、γブチロラクトンの沸点は２０７℃であった。高分子溶液滴下工程時の温度や風速などにて定まる第一溶媒の蒸発速度にも依存するが、これらの条件を満たし、通常の作業環境（温度２０℃から３０℃、相対湿度３０％から８０％、空気のダウンフロー風量０．０１ｍ／ｓから０．１ｍ／ｓ）で、２０ｐＬ程度の液滴５２を一回、滴下すると２００ｎｍから４００ｎｍ程度の深さの穴を形成でき、４０ｐＬ程度の液滴５２を一回、滴下すると４００ｎｍから６００ｎｍ程度の深さの穴を形成できる。従って、第一薄膜の厚さが４００ｎｍ程度未満で、４０ｐＬ程度の液滴５２を用いれば、図１（ｃ）に示す様に、一回の溶剤滴下で貫通孔３２を形成できる。第一薄膜がより厚い場合や、溶解性が不十分な場合には、液滴５２を同じ位置に複数回滴下して貫通孔を形成する。この場合には、インクジェット法５１で単一の溶液（即ち、高分子溶液）を滴下させるので（複数の溶液を打ち分ける必要はないので）、高分子溶液滴下工程は容易である。
【００４９】
尚、通常、インクジェット法５１で簡単に吐出できる液滴５２の体積は６ｐＬ程度から１４ｐＬ程度である（直径が２５μｍのノズルを用いた場合）。従って、例えば、「２５ｐＬの液滴５２を一回、滴下」とは、厳密に言うと６．３ｐＬの液滴５２を最初に吐出された液滴内に連続して４滴吐出し、乾燥させる事を意味している。又、２５ｐＬの液滴５２を三回滴下するとは、６．３ｐＬの液滴５２を同一地点に４滴連続して吐出し、数秒間乾燥させるサイクルを三回繰り返した事を意味している。勿論、ノズル径やインクジェット法５１の駆動方法を変えれば、もっと体積の大きい液滴（例えば２５ｐＬの液滴）を一回で吐出する事もできるので、こうした方法を適応しても良い。
【００５０】
「第二溶媒接触工程」
高分子溶液滴下工程が終了し、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる。これが第二溶媒接触工程である。第二溶媒は、前述の如く、第一高分子材料は溶解させないが、第二高分子材料を溶解させるので、この工程により、液滴が着弾した中央部付近に残った第二高分子材料のドメインが除去されて、貫通孔３２が開口する。ここでは２７℃のイソプロピルアルコールに基板を２分間浸漬した。第二高分子材料のドメインの厚みが１００ｎｍ以下と薄いので、１分未満の短時間の浸漬で第二高分子材料をクレータ状窪み部から除去できるが、工程を安定的に行う立場から浸漬時間は１分以上とするのが好ましい。又、生産性を高める立場と、浸漬による絶縁膜ダメージを最小にする立場とから、浸漬時間は１０分以下とする事が望ましい。第二溶媒の温度は２０℃から９０℃程度とする。尚、ここでは基板を第二溶媒に浸漬したが、第二溶媒をシャワー状に散布したり、基板上を流したりしても良い。
【００５１】
以上詳述して来た様に、高分子溶液滴下工程と第二溶媒接触工程とを施す事で第一薄膜のパターニング（貫通孔形成）が完了する。尚、図１（ｃ）には、中央部付近に第一高分子材料のドメインが残った様子を示してあるが、この中央部の第一高分子材料のドメインは必ず残る訳ではない。材料の組み合わせ方や、高分子溶液の滴下条件に応じては、中央部付近の窪みを第二高分子材料で完全に置き換える事も可能である。一方、本実施形態の貫通孔形成方法を実施すると、図１（ｂ）や図１（ｃ）に示される様に、外縁周近傍に第二高分子材料のドメインが形成される。この第二高分子材料は第二溶媒接触工程によって除去され得るが、ドメインの痕は必ず残る。
【００５２】
「第三溶媒滴下工程」
前述の如く、第一薄膜が厚い場合や、高分子溶液への第一高分子材料の溶解性が不十分な場合には、液滴５２を同じ位置に複数回滴下して貫通孔を形成すれば良いが、インクジェット法５１で複数の異なった溶液を滴下可能な場合には、高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行うのが好ましい。第三溶媒滴下工程とは、第三溶媒を第一薄膜に滴下する工程であり、第三溶媒は第一高分子材料を良く溶かす溶媒である。第三溶媒滴下工程を行う場合、高分子溶液滴下工程は第三溶媒が乾燥した後に行う。
【００５３】
第三溶媒は第一溶媒と同一としても良いし、第一溶媒よりも第一高分子材料を良く溶かす溶媒としても良い。理想は第一高分子材料を最も容易に溶かす溶媒である。具体的には、第一高分子材料がアクリル系高分子、或いは、フッ素系芳香族高分子、或いは、水酸基やカルボニル基などの極性官能基を有するオレフィン系高分子の場合、第三溶媒はエーテル系溶剤（エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、１，４−ジオキサン、２−メトキシ−２−メチルプロパン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等）、或いはグリコールジエーテル（グライム）系溶剤（トリエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等）、或いはケトン系溶剤（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、３，５，５−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン（イソホロン）等）、或いはエステル系溶剤（γブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシブチル、エチルグリコールアセテート、酢酸アミル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノールアセテート、グルタル酸ジメチル、エチルオクタノエート、安息香酸ブチル、二酢酸１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコールジアセテート等）、或いはグリコールエステル系溶剤（グリコールとのエーテル及びエステルを含む溶剤で、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等）、或いはエーテルとエステルを含む特殊溶剤（３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート等）のいずれかとなる。これらの内で取り分け溶解性に優れる第三溶媒としては、ラクトンの様に環状構造を持つ有機化合物で分子の環の一部としてエステル結合を含む物（例えばγブチロラクトン）や、環状ケトンの分子構造を持つ有機化合物（例えばイソホロン）、シクロアルカン環を有する有機化合物（例えばシクロヘキサノールのエステルで、シクロヘキサノールアセテート）らである。これら三種の内で沸点が１８０℃以上有る溶媒が第一溶媒に最適である（例えばγブチロラクトンやイソホロン）。第一高分子材料が単純なオレフィン系高分子の場合、第三溶媒は芳香族炭化水素（トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等）、或いは、環式の飽和炭化水素（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン等）とする。第三溶媒の一例として、第一高分子材料がＰＭＭＡ或いはフッ素系芳香族高分子の場合にはγブチロラクトンを用いる事ができ、第一高分子材料がポリシクロオレフィンの場合にはデカリンを使用できる。第三溶媒の好ましい表面張力や沸点、粘度は、前述した高分子溶液に対するそれらの範囲と同一である。
【００５４】
第三溶媒滴下工程では、第一薄膜に第三溶媒を一回乃至は複数回滴下し、クレータ状の窪みに残る薄皮状の第一高分子材料の厚みが１００ｎｍ未満になる様にする。この後に高分子溶液滴下工程を行うと、窪みに残留している第一高分子材料が僅かである為に、一回乃至は三回の高分子溶液滴下で、容易に且つ完璧に貫通孔３２を形成できる。
【００５５】
第三溶媒滴下工程を行わず、高分子溶液滴下を何度も繰り返す事でも貫通孔３２は形成できるが、高分子溶液滴下だけでは、これを繰り返している内にクレータ状の窪みに第二高分子材料が次第に蓄積して行き、液滴内での液の移動が難しくなって来る。これに対して、第三溶媒は、高分子材料を含まない分、粘度が低くなり、効果的に穴を掘り下げる事ができる。底部が十分に薄くなった後に高分子溶液を滴下すると、この溶液に再溶融する第一高分子材料の量は比較的少なく、第二高分子材料のドメインの割合が大きくなる。この理由により、第三溶媒滴下工程を先に行ってから、高分子溶液滴下工程を施した方が、貫通孔３２の形成は容易になる。
【００５６】
「配線接続工程」
次に、図２を用いて、上述のパターン形成方法による配線接続構造を説明する。
基板１０の表面には金属で第一配線１１３が形成されている。この第一配線１１３を機械的乃至は化学的に保護する目的で、これを覆う様に絶縁膜２１１が設けられて居る。絶縁膜２１１が第一薄膜である。この絶縁膜２１１には、上述のパターン形成方法にて貫通孔３２が形成されている。貫通孔３２はその開口部が２０μｍから３０μｍと小さいので、外部との電気的接続を容易にする為に、貫通孔３２を被覆する様に第二配線１３１が設けられて居る。即ち、図２では第二配線１３１が外部への接続端子となっている。尚、第二配線１３１は第一配線１１３とは絶縁膜２１１で分離されているが、配線構成から接続が必要となる箇所では、図２に示す様に貫通孔３２を介して接続される。
【００５７】
上述した通り、本実施形態に係わる回路基板の製造方法によれば、以下の効果を得る事ができる。
第一薄膜に高分子溶液を滴下した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて容易にヴィアホールなどのパターンを形成できる。而もヴィアホール以外に残された第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
【００５８】
又、第一薄膜に第三溶媒を滴下して、滴下された中央部付近に第一高分子材料が僅かしか残留しない状態にした後に、高分子溶液を滴下し、その後に第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて容易に且つ確実にヴィアホールなどのパターンを形成できる。而もヴィアホール以外の残った第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
【００５９】
又、第二高分子材料の分子量が５００以上なので、第二高分子材料は高分子としての特徴を示す。更に、第二高分子材料の分子量が５００００以下であるので、第一溶媒の乾燥期間に於ける高分子溶液の粘度は比較的長時間低く保たれる。これらの結果、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に形成できる。
【００６０】
（実施形態２）
図３及び図４、図５は、実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図である。また、図６及び図７は実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した平面図である。尚、図３から図５は、図６及び図７のＡ−Ａ‘とＢ−Ｂ‘の断面に相当し、便宜上、図３（ａ）にのみＡ−Ａ‘とＢ−Ｂ‘の位置を記載してある。以下、図３から図７を用いて、回路基板の製造方法を説明する。
【００６１】
「回路基板の製造方法の概要」
まず図５（ｊ）を用いて概要を説明する。
本発明は、二種類の導電層とこれらを分離する二種類の絶縁層を備える回路基板１の製造方法に関する。回路基板１は主として印刷法を用いて製造され、この製造方法に適する様に、二種類の絶縁層にヴィアホール３１を開口して、二種類の導電層を互いに電気的に接続する技術に関する。図５（ｊ）では、二種類の導電層は、第一導電体からなるソースドレイン電極１１と第三導電体である画素電極１３である。又、二種類の絶縁層とは、第一薄膜であるゲート絶縁膜２１と第二絶縁膜である層間絶縁膜２２である。ゲート絶縁膜２１はソースドレイン電極１１などの第一導電体を被覆しており、その上に層間絶縁膜２２が設けられ、更にその上に画素電極１３が形成される。ソースドレイン電極１１上にはヴィアホール３１が開口されており、このヴィアホール３１を介して、ソースドレイン電極１１と画素電極１３とが接続されている。尚、第二導電体にてゲート電極１２などが形成され、ゲート電極１２と画素電極１３とは層間絶縁膜２２にて絶縁される。即ち、第一導電体と第二導電体とを絶縁するのが第一薄膜で、第二導電体と第三導電体とを絶縁するのが第二絶縁膜である。
【００６２】
この様な回路基板１を製造するのに以下の工程が実施される。まず、第一導電体形成工程として、基板上にソースドレイン電極１１などを形成する。次いで、第一薄膜成膜工程として、第一導電体を被覆する様にゲート絶縁膜２１を成膜する。ゲート絶縁膜２１は、実施形態１にて説明した第一高分子材料からなり、第一薄膜成膜工程も実施形態１の説明と同一である。次に、貫通孔形成工程として、ソースドレイン電極１１上のゲート絶縁膜２１に貫通孔３２を開口して、ソースドレイン電極１１の表面を露出させる。貫通孔形成工程には、実施形態１で説明したパターン形成方法を用いる。即ち、貫通孔形成工程は、高分子溶液滴下工程後に第二溶媒接触工程を行う。高分子溶液滴下工程は、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する工程である。第一溶媒が乾燥した後に行われる第二溶媒接触工程は、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる工程で、第二溶媒は、第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する。高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行っても良い。これらの溶媒と高分子材料も実施形態１に説明した通りである。その後、ソースドレイン電極１１の表面を撥液化させる撥液化工程を行う。次に、第二絶縁膜形成工程として、貫通孔３２以外の領域に層間絶縁膜２２の前駆体樹脂を印刷し、印刷後にこの前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する。前駆体樹脂は粘度が低く、印刷時に基板表面に塗れ広がるが、ソースドレイン電極１１が開口している部分は、撥液化処理が施されているので、塗れず、その部位は前駆体樹脂が塗布されない。こうしてヴィアホール３１が容易に、且つ確実に形成される。ヴィアホール３１が形成された後に画素電極１３が形成され、二種類の導電層は電気的に接続される。
【００６３】
以下、回路基板１の製造方法を工程毎に詳述する。尚、本実施形態では好適例として、上ゲート型で、半導体膜に有機物を利用した薄膜トランジスター（有機ＴＦＴ）を有するアクティブマトリックス基板を回路基板１に適応した場合について説明する。
【００６４】
「第一導電体形成工程と第一薄膜成膜工程」
図３（ａ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、第一薄膜成膜工程までを表している。基板１０はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムである。基板１０としては、ガラス基板や、アルミニウム若しくはステンレス等の金属基板、シリコンやＧａＡｓ等の半導体基板、プラスチック基板等、いかなる基板を用いる事もできるが、有機ＴＦＴは低温且つ簡易な方法で形成できる事から、これらの内でも価格が安く、軽量で、而も柔軟性に富むプラスチック基板を用いることが好ましい。
【００６５】
ＰＥＮフィルム以外で適応可能なプラスチック基板としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち一種、または二種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００６６】
基板１０上には金（Ａｕ）からなる第一導電体が設けられており、これらにて外部への接続する電極パッド１１１と、ソースドレイン電極１１、及び不図示のデータ線やその他の配線が形成されている。第一導電体材料としては、チオール化合物又はジスルフィド化合物の硫黄原子と結合が可能な材料を使用し、金以外には、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、やそれらの金属を用いた合金等が使用される。これらの他にも、第一導電体材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化錫、酸化亜鉛などの酸化物導電体を利用しても良い。これらの金属膜や酸化物導電体は真空蒸着法やスパッター法で均一な薄膜を堆積した後に、フォトリソグラフィー工程と湿式乃至は乾式のエッチング工程を経て、所定の形状にパターニングされる。或いは、エッチング加工が困難な材料では、所定の形状に穴が開けられたマスクを通じて金属膜を堆積（マスク堆積）しても良い。この他にも銀（Ａｇ）ナノコロイドの分散液をマイクロコンタクトプリンティングや凸板反転印刷法によって印刷しても良い。これが第一導電体形成工程に当たる。ここでは金をＰＥＮフィルム全面に真空蒸着した後にフォトリソグラフィー工程と湿式エッチング工程とを経て、第一導電体を形成した。尚、金の湿式エッチングにはヨウ素とヨウ化アルカリ（ヨウ化アンモニウム）の混合液を用いた。
【００６７】
第一導電体形成工程後に、有機半導体膜４１を印刷する半導体膜形成工程を行う。インクジェット法で、ソースドレイン電極１１間を結ぶ様に（チャネル形成領域を埋める様に）半導体材料を印刷する。ここでの有機半導体膜４１はポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コージチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）で、Ｐ型半導体特性を示す高分子型有機半導体である。この他に使用可能なＰ型の高分子型有機半導体材料としては、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ［５，５’−ビス（３−ドデシル−２チニル）−２，２’−ビチオフェン］（ＰＱＴ−１２）、ＰＢＴＴＴ等が挙げられる。印刷が可能な可溶性低分子有機半導体材料を用いる場合には、ＢＴＢＴやチオフェンオリゴマなどが挙げられる。有機半導体はπ結合を有するので、芳香族炭化水素（トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼンなど）に最も良く溶け、次いで環式の飽和炭化水素（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリンなど）から成る溶剤に溶解されて、印刷される。溶解時の半導体材料の濃度は０．３％から２．５％の範囲にある事が望ましく、理想的な範囲は０．５％から１．５％である。次工程で第一薄膜が塗布される為に、有機半導体は溶剤選択性が高い事が望ましい。具体的には、上述の様に半導体膜を印刷する為に芳香族炭化水素や環式の飽和炭化水素に良く溶け、且つ、次工程以降で安定である為に水やアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤には不溶である事が望まれる。この溶剤選択性の観点から、可溶性低分子有機半導体材料よりも高分子型有機半導体材料の方が好ましい。ここで用いたＦ８Ｔ２はデカリンに良く溶け、ケトン系溶剤やエステル系材料に対して安定である。半導体膜は、インクジェット法にて、デカリン中に濃度２％に溶かしたＦ８Ｔ２を印刷して形成した。半導体膜の厚みは１０ｎｍから２００ｎｍの範囲にある事が好ましく、理想的な範囲は３０ｎｍから６０ｎｍである。ここでの厚みは５０ｎｍであった。
【００６８】
半導体膜形成工程後に実施形態１で説明した第一薄膜成膜工程を行う。半導体膜を覆って第一薄膜であるゲート絶縁膜２１を設ける。ここでは厚みが５００ｎｍのポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）をスピンコートにて成膜した。ゲート絶縁膜２１は、この様に、絶縁性の第一高分子材料を基板全体に渡って一様に塗布する。この時に有機半導体膜４１を溶解させてはならないので、有機半導体材料が難溶性を示す溶剤（アルコール系溶剤又は、エーテル系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤）に可溶な絶縁性高分子を使用する。更に、この後に行われる撥液化工程や第二導電体形成工程（ゲート電極形成工程）、第二絶縁膜形成工程（層間絶縁膜形成工程で、前駆体樹脂の塗布と硬化）など、これ以降に行われる各種工程に対してゲート絶縁膜２１は安定で有らねばならない。これらの工程ではアルコール系材料やグリコール、グリセリンが使用されるので、絶縁性高分子はこれらに対して安定である必要がある。即ち、第一薄膜はアルコール系溶剤や材料に対しては難溶性を示し（溶け難く）、エーテル系溶剤或いはケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかには可溶性を示す（溶ける）材料である。実施形態１で説明した高分子材料の内では単純なオレフィン系高分子がゲート絶縁膜２１に使用できない。オレフィン系高分子を溶かした溶媒（芳香族炭化水素や環式の飽和炭化水素）が有機半導体膜４１を溶かして仕舞う為である。オレフィン系高分子を使用する際には極性官能機を付加した物とする。ゲート絶縁膜２１として使用可能な具体的な第一高分子材料は、ＰＭＭＡを始めとするアクリル系高分子、フッ素系芳香族高分子、水酸基やカルボニル基等の極性官能機を付加したオレフィン系高分子などで有る。アクリル系高分子はエステル基を有するので、酢酸ブチルなどのエステル系溶剤に良く溶け、エタノールやプロピレングリコールなどのアルコール系材料には殆ど溶けない。又、フッ素系芳香族高分子はカルボニル基やエステル基を有するので、フッ素系溶剤の他にケトン系溶剤やエステル系溶剤に良く溶けるが、エタノールなどのアルコール系溶剤には僅かしか溶けず難溶性を示す。極性官能基を有するオレフィン系高分子は、エーテル系溶剤やケトン系溶剤、エステル系溶剤に可溶で、矢張りエタノールなどのアルコール系溶剤には僅かしか溶けない。
【００６９】
後述する様に前駆体樹脂は水酸基を付与されたモノマーでこれを合成して第二絶縁膜とするが、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定なので、前駆体樹脂に対しても難溶性を示す事になる。第一薄膜の厚みは、１００ｎｍから１０００ｎｍの範囲にある事が望ましく、２００ｎｍから８００ｎｍの範囲内にある事がより好適である。
【００７０】
「貫通孔形成工程」
図３（ｂ）と（ｃ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、貫通孔形成工程を表している。貫通孔形成工程は、実施形態１で説明したパターン形成方法が適用され、高分子溶液滴下工程と第二溶媒接触工程とから成る。具体的には、図３（ｂ）に示す様に、まず高分子溶液滴下工程としてγブチロラクトンにポリビニルフェノールを０．２％の濃度に溶かした高分子溶液をインクジェット法５１で、ソースドレイン電極１１等の貫通孔を形成すべき場所の上に滴下した。ここでは、２５ｐＬ程度の高分子溶液の液滴５２を四回、滴下した。次に第二溶媒接触工程として、２７℃のイソプロピルアルコールに基板を２分間浸漬した。こうして、図３（ｃ）に示す様に、貫通孔３２が開口された。貫通孔形成工程が高分子溶液滴下工程と第二溶媒接触工程とから成ると、インクジェット法で溶液の切り替えを行う必要がないので、生産性に優れている。尚、高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行っても良い。この場合、まず第三溶媒滴下工程として、第一薄膜上に２５ｐＬ程度のγブチロラクトンの液滴５２を三回滴下し、次いで高分子溶液滴下工程として２５ｐＬ程度の高分子溶液の液滴５２を一回滴下する。最後に第二溶媒接触工程として、２７℃のイソプロピルアルコールに基板を２分間浸漬する。
【００７１】
「撥液化工程」
図３（ｄ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、撥液化工程を表している。又、図８は実施形態２に係わる回路基板の製造方法の内で撥液化工程終了時の状態を詳細に説明した図である。図３（ｄ）に示す様に、撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液６１に、第一導電体の表面を触れさせる。最も簡便な手法としては、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液６１に、貫通孔が形成された基板を数秒間から数分間程度の短時間浸す事である。チオール化合物又はジスルフィド化合物の硫黄原子は、第一導電体をなす金属原子と速やかに結合するので、こうした短時間の接触処理で、容易に第一導電体の表面は撥液化される。チオール化合物又はジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含んでいると（フッ素化アルキルチオール又はフッ素化アルキルジスルフィド、以降両者を合わせてフッ化アルキルチオール６２と略称する）、撥液性が増して更に好ましい。ここでは、
ＨＳ−（ＣＨ2）6−（ＣＦ2）7−ＣＦ3
の化学式で表されるフッ化アルキルチオール６２を用いた。
【００７２】
図８（ｂ）に示す様に、チオール化合物やジスルフィド化合物の硫黄は金などの金属と強固に結合し、フッ化アルキルチオール６２で覆われた表面にはフッ素化アルキル鎖が覆い尽くし、表面エネルギーを下げる。その結果、金属表面の水に対する接触角は１００°から１４０°程度に大きくなる。この様に、撥液化処理とは、第一導電体の表面エネルギーを下げて、水に対する接触角を９０°以上にする処理である。
【００７３】
フッ化アルキルチオール６２は、アルコール溶媒（エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど）に０．００５％から１％の濃度で溶解される。濃度は、０．０５％から０．５％がより好適な範囲となる。濃度が０．２％前後の溶液に基板を浸漬すると、図８（ａ）に示す様に、貫通孔３２部のソースドレイン電極１１が露出した露出部は、ほぼ瞬間的に（１秒以下の極短時間内に）フッ化アルキルチオール６２で覆われる。但し、工程を安定的に行う立場から、浸漬時間は１分以上とするのが好ましい。又、生産性を高める立場と、浸漬による基板ダメージを最小にする立場とから、浸漬時間は３分以下とする事が望ましい。ここでは、上述のアルキルチオールをエタノールに０．２％の濃度に溶解させた。
【００７４】
フッ化アルキルチオール６２は、フッ素系溶媒にも溶解するので、これをフッ化アルキルチオール６２の希釈溶媒としても良い。但し、この場合、第一薄膜はアルコール系溶剤やアルコール系材料とフッ素系溶剤との両者に対して難溶性を示し、エーテル系溶剤或いはケトン系溶剤、エステル系溶剤、のいずれかには可溶性を示す高分子材料でなければならない。具体的には、アクリル系高分子か、フッ素系芳香族高分子、フェノール系高分子、或いはオレフィン系高分子などである。
【００７５】
チオール化合物又はジスルフィド化合物は、必ずしも硫黄原子から伸びる主鎖がフッ素で置換されている必要性はない。水に対する接触角が９０°以上となる主鎖であれば、フッ化物でなくとも撥液化工程に使用可能である。硫黄原子から伸びる主鎖がフッ素化されていると、水に対する接触角を容易に１１０°以上にする事ができ、優れた撥液性を示す事ができる。フッ化アルキルチオール６２には、
ＨＳ−（ＣＨ2）k−Ｏ−（ＣＨ2）l−（ＣＦ2）m−ＣＦ3や
ＨＳ−（ＣＨ2）k+l−（ＣＦ2）m−ＣＦ3
の化学式で表される材料を用いることができる。硬く体積の大きいフッ素化アルキルに対して、柔軟で体積の小さいアルキル鎖を導入して、緻密なＳＡＭ膜を形成するには、ｋ＋１の値は４以上１６以下の範囲にある事が好ましく、ｌの値は０以上３以下の範囲にある事が好ましい。優れた撥液性を示させるにはｍの値は１以上が必要となり、アルコール系溶剤などへ溶解させる為にはｍの値は１１以下が望ましい。ｍの値が１２以上になるとアルコール系溶剤への溶解性が低下し、撥液化工程に使用するのが困難となる。尚、フッ素化アルキルに代わり、これらの一部乃至は全部を、フッ素化された脂環式炭化水素で置換しても良い。
【００７６】
尚、ここでは基板をフッ化アルキルチオール６２を含む溶液に浸したが、露出した複数の第一導電体の内で、そのいくつかを撥液化し、残りは撥液化させたくない場合には、撥液化させたい貫通孔３２部にのみインクジェット法で、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液６１を滴下しても良い。
【００７７】
又、前述の如く、第一導電体材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化錫、酸化亜鉛などの酸化物導電体を利用した場合には、チオール化合物又はジスルフィド化合物に代わり、酸化物に吸着するリン酸やホスホン酸、脂肪酸、有機シランなどの化合物を用いて撥液化する。具体的にはフッ化アルキル基を有するリン酸エステル、又は、フッ化アルキル基を有するリン酸エステル塩、フッ化アルキル基を有するアルコールとリン酸とのエーテル、フッ化アルキル基を有するホスホン酸、フッ化アルキル基を有するホスホン酸エステル、フッ化アルキル基を有するホスホン酸エステル塩、カルボキシ基とフッ化アルキル基とを有する化合物（フッ化アルキル基を有する脂肪酸）、フッ化アルキル基を有するシランカップリング剤などの化合物を用いる。
【００７８】
「親水性電極形成工程」
図４（ｅ）と（ｆ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、親水性電極形成工程を表している。又、図６（ａ）は図４（ｆ）に対応する平面図である。親水性電極形成工程は、図４（ｅ）に示す様に、第一導電体の内で、第二導電体と接続されるべき場所にある第一薄膜を除去して親水性の（撥液性でない）電極表面を持つ貫通孔を形成する工程である。この工程も貫通孔形成工程と同様、実施形態１にて説明したパターン形成方法を適応する。
【００７９】
回路基板１には、第一導電体と第二導電体との接続が必要となる場合がある。例えば、外部の制御回路に走査線を接続する電極パッド１１１では、第一導電体の電極パッドと第二導電体の走査線とを接続したい場合がある。又、例えばインバーターの直列回路や有機ＥＬディスプレイの画素回路を構成する場合、一つのトランジスターの出力（ドレイン電極、第一導電体）が別のトランジスターの入力（ゲート電極、第二導電体）に接続される事がある。この様に回路基板１によっては、第一導電体と第二導電体との接続が必要となる場合が見られる。こうした際に、この親水性電極形成工程を行う。これは第一導電体と第二導電体の電気的接続安定性を高める為と、次の第二導電体形成工程を印刷法で行いたい為とによる。第一導電体表面が撥液性である場合には接続不良が発生し易いので、歩留まり良く電気的接続を得るには第一導電体表面は親水性である事が望まれる。又、第二導電体の印刷法では水やアルコール系溶剤を用いた導電体用インクを用いるので、第一導電体表面が撥液性であると、導電体用インクがはじけてしまい、貫通孔部に第一導電体を描画できない。これらの理由から、第一導電体と第二導電体との接続が必要となる場所の第一導電体表面は親水性である事が望まれる。
【００８０】
親水性電極形成工程は、図４（ｅ）に示す様に、まず高分子溶液滴下工程としてγブチロラクトンにポリビニルフェノールを０．２％の濃度に溶かした高分子溶液を、親水性電極を形成したい第一導電体上（例えば電極パッド１１１上）の第一薄膜にインクジェット法５１で滴下した。ここでは、２５ｐＬ程度の高分子溶液の液滴５２を四回、滴下した。次に第二溶媒接触工程として、２７℃のイソプロピルアルコールに基板を２分間浸漬した。こうして、図４（ｆ）や図６（ａ）に示す様に、電極パッド１１１上など、親水性の電極開口部が必要となる部位に貫通孔３２が設けられる。尚、貫通孔形成工程に記述した様に、高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行っても良い。
【００８１】
尚、前述の如く、撥液化工程にインクジェット法を用いて、複数の第一導電体開口部の内を、選択的に撥液化し得る場合には、この親水性電極形成工程は不要となる。その場合、貫通孔形成工程時に総ての貫通孔３２を開口させ、撥液化工程時に撥液性の電極表面と親水性の電極表面とをインクジェット法を用いて作り分ける。具体的には、何も処理しない電極表面は親水性なので、撥液性の電極表面が欲しい貫通孔３２にのみフッ化アルキルチオール６２を滴下する。
【００８２】
「第二導電体形成工程」
図４（ｇ）は、本実施形態の回路基板１の製造工程中で、第二導電体形成工程を表している。又、図６（ｂ）は図４（ｇ）に対応する平面図である。第二導電体形成工程は、撥液化工程後に、第一薄膜上に第二導電体を形成する工程である。
【００８３】
図４（ｇ）に示す様に、第二導電体は、導電体用インク５３をインクジェット法５１で滴下して、その後に焼成することで、ゲート電極１２や不図示の走査線と云った第二導電体のパターンを形成する。導電体用インク５３としては、低温で焼成可能な銀ナノ粒子を分散させたインクを用いることが望ましい。ここでは銀ナノ粒子を水とプロパンジオールとの混合溶媒に分散させた導電体用インク５３（以下、銀インクと略称する）を用いた。線幅が４０μｍ程度の細い線をインクジェット法５１で印刷するには、導電体用インク５３の表面張力が４０ｍＮ／ｍ以上で６０ｍＮ／ｍ以下の範囲に入る様にする事が望まれる。こうすると有機物絶縁体上に滴下されたインクの濡れ広がりを小さく制御でき、細い配線が描画される。又、インクジェット法５１で印刷する為には、導電体用インク５３の粘度が１ｍＰｓ・ｓ以上２０ｍＰｓ・ｓ以下の範囲内に調整されている事が必要となる。更に、導電体用インク５３の焼成中に半導体材料などの有機物の機能劣化を防ぐために、導電体用インク５３は８０℃から１５０℃の温度範囲内の処理条件で焼成できる事が望ましい。ここで用いた銀インクは大気中、１００℃で３０分の熱処理を施すことで、焼成後に比抵抗が５０μΩｃｍ以下の十分に低い導体となった。
【００８４】
導電体用インク５３の分散媒としては、表面張力が７２ｍＮ／ｍと大きい水、或いはグリコール、或いはこれらの混合溶媒を含む物が、表面張力が大きく、好ましい。水だけでは粘度が低過ぎたり、或いは表面張力が高過ぎたりして、連続した線を描くのが困難な場合には、水にアルコール系溶剤やジオール系溶剤、或いはグリセリン系溶剤を添加する。
【００８５】
銀インクの他には、上述の分散媒にカーボン（カーボンブラックやグラファイト、カーボンナノチューブ、フラーレン、グラフェンなど）を分散させたインクを用いる事もできる。尚、本実施形態では、第二導電体の表面を撥液化させたくなかったので、第二導電体形成工程に先立って、撥液化工程を行った。カーボンを分散させたインクを用いる場合、カーボンインク表面は、撥液化工程を施しても、撥液化されない。従って、この場合には第二導電体形成工程後に撥液化工程を行っても良い。
【００８６】
図６（ｂ）に示す様に、銀インクを、親水性の電極開口部を有する電極パッド１１１から走査線やゲート電極１２へと印刷する。これにより、第一導電体からなる電極パッド１１１と走査線及びゲート電極１２とを接続できる。外部の制御回路に接続する配線と電極バッドは、フォトリソグラフィー工程を利用した第一導電体のパターンで形成されている為、ライン・アンド・スペスが５０μｍ以下と云った高密度な配線が可能で、回路基板１を利用した電子機器の小型化に役立つ。
【００８７】
「第二絶縁膜形成工程」
図５（ｈ）と（ｉ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、第二絶縁膜形成工程を表している。又、図７（ｃ）は図５（ｉ）に対応する平面図である。第二絶縁膜形成工程は、回路基板に第二導電体があれば、第二導電体形成工程後に行われる。
【００８８】
第二絶縁膜は層間絶縁膜であり、主として第二導電体と第三導電体とを電気的に分離している。第二絶縁膜を形成するには、図５（ｈ）に示す様に、まず層間絶縁膜の前駆体樹脂を、貫通孔３２を避ける様に印刷し、次いで図５（ｉ）に示す様に、前駆体樹脂の反応を促進させて第二絶縁膜とする。前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含んでおり、アルコール系溶剤に可溶である。又、前駆体樹脂は光硬化性樹脂である事が好ましい。ここではアルコール系溶剤に可溶である、ヒドロキシ型アクリルモノマー（アクリル酸乃至はメタクリル酸と多価アルコールとのエステル）を含む紫外線硬化性樹脂（以降、ＵＶインク５４と略す）を前駆体樹脂とした。
【００８９】
図５（ｈ）に示す様に、まずＵＶインク５４を貫通孔３２以外の領域（即ち第一薄膜と第二導電体とが存在している領域）にインクジェット法５１で滴下する。ＵＶインク５４等の前駆体樹脂は、インクジェット法５１に適する用に調製され、モノマーが主成分とされる。高分子成分は前駆体樹脂に含まないか、含んでも僅かである。モノマーは極性を高めるべく、−ＯＨ基を含んでいる事が望ましい。こうしたモノマーとしては、ジエチレングリコールモノ２−エチルヘキシルエーテルアクリレートや、テトラエチレングリコールモノフェニルエーテルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレートなどが使用され得る。こうしたアクリル系モノマーは−ＯＨ基を含む為に極性が高く、溶解度パラメーター（ＳＰ値）は９．５以上である。その為に、ゲート絶縁膜２１の高分子を溶解することがなく、ゲート絶縁膜２１との密着性も高い。
【００９０】
この様に前駆体樹脂はＳＰ値が９．５以上となるモノマーとし、これを有機溶媒と同等の表面張力（２０ｍＮ／ｍ〜３５ｍＮ／ｍ）で、粘度も同等で１０ｍＰａ・ｓから３０ｍＰａ・ｓの範囲に調整して、インクジェット法５１で容易に吐出できる様にする。表面張力が比較的低く、低粘度である為に、有機絶縁体上や金属材料上では、ＵＶインク５４は着弾後にその径の５倍以上の径に均一に広がる。一方で、撥液化された電極の露出部では、濡れ角が４５°以上ある為に、前駆体樹脂の濡れ広がりは抑制される。その結果、撥液化された電極の露出部がＵＶインク５４で覆われないまま、前駆体樹脂は第一薄膜と第二導電体との上を広がっていく。こうしてインクジェット法５１で均一な液状膜が印刷される。
【００９１】
第二絶縁膜の厚みは、ＵＶインク５４の滴下量を調整する事により、制御される。本実施形態の様に、フィルム上に形成されたＴＦＴの層間絶縁膜２２を第二絶縁膜に利用する場合には、ＴＦＴを機械的に保護する点においても、第一導電体乃至は第二導電体と第三導電体との寄生容量を最小にする点においても、層間絶縁膜２２の厚みは１μｍ以上とする事が望ましい。層間絶縁膜２２が２０μｍを超える厚さでは、ＵＶインク５４が硬化する際の体積変化の影響で、基板に反りが出てしまう為、この厚さ以下であることが望ましい。又、滴下するインクの量が多すぎると、露出部での濡れ角を越えてしまい、撥液化された電極の露出部をＵＶインク５４が覆わない状態を維持する事ができなくなる。前駆体樹脂の有機絶縁体上での濡れ角は、４５°以上で、７０°乃至は９０°以下である。液状膜の厚みが２０μｍを超えると、液の自重と表面張力とから理論的に定まる接触角が先の濡れ角を超えてしまう。こうなると、撥液化された電極の露出部も前駆体樹脂に覆われてしまうので、理論的に定まる接触角が先の濡れ角を超えない滴下量に抑える必要がある。
【００９２】
次に、図５（ｉ）に示す様に、ＵＶインク５４に紫外線５５を照射して、ＵＶインク５４を硬化させ、ヴィアホール３１を形成する。硬化を完全に行なう為に、紫外線照射に加えて、加熱処理を行っても良い。ＵＶインク５４を印刷後に紫外線５５を照射しているので、電極の露出部以外は平坦な第二絶縁膜が得られる。尚、ここでは、ＵＶインク５４を印刷した後、一括して紫外線５５を照射したが、ＵＶインク５４を印刷すると同時に紫外線５５を照射しても良い。この場合は濡れ広がりが化学反応で抑制され、電極の露出部にＵＶインク５４を塗布せぬ制御性が増す。インクジェットのヘッドに隣接してＬＥＤを光源とする紫外線照射装置を設けることによって、小型の装置を実現する事ができる。
【００９３】
尚、ＵＶインク５４はアクリル系モノマーに限られず、エポキシ系モノマー等を用いても良い。更に、前駆体樹脂はＵＶインク５４に限られ事はなく、熱硬化性樹脂であっても良い。これらの場合も前駆体樹脂がゲート絶縁膜を溶解してはならないので、エポキシ系モノマーや熱硬化性樹脂の中に水酸基を導入して極性を上げておく。
【００９４】
インクジェット法で１μｍ以上の厚みを有する第二絶縁膜を形成するには、上述の硬化性モノマーを利用する方法の他に、表面処理された微粒子と高分子材料との分散系を利用する方法であっても良い。例えば、シリカの微粒子を、有機溶剤に分散する様に、レシチンなどの界面活性剤にて表面処理をし、これをバインダー用の高分子樹脂と混ぜて分散液とする。この分散液は低粘度の前駆体樹脂となり、インクジェット法で印刷ができる。而も、これが乾燥した後には、第二絶縁膜の厚さは１μｍ以上と比較的大きくし得る。
【００９５】
「第三導電体形成工程」
図５（ｊ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、第三導電体形成工程を表している。又、図７（ｄ）は図５（ｊ）に対応する平面図である。第二絶縁膜が形成された後に、ヴィアホール３１を含む領域に第三導電体を形成する。ここでは、第三導電体は画素電極１３である。
【００９６】
画素電極１３はカーボンインクを使用して、スクリーン印刷で形成される。スクリーン印刷は印刷速度が速く生産性に優れる。その一方で、スクリーンが被印刷体に接触して印刷を行うので、この印刷法を有機ＴＦＴの製造に用いると、薄膜層を傷つける恐れがある。ところが本実施形態では、硬化された厚い第二絶縁膜が最表面を覆っているので、スクリーン印刷の様な接触して印刷を行なう方式でも、有機ＴＦＴの欠陥に繋がらず、優れた生産性と容易な印刷工程と云った長所を享受できる。しかも第二絶縁膜の反応が終了しているので、カーボンインクの溶媒も特に制限されない。
【００９７】
カーボンインクは、カーボン（カーボンブラックやグラファイト、カーボンナノチューブ、フラーレン、グラフェンなど）が有機溶剤に分散されている。有機溶剤としてはケトン系溶剤やエステル系溶剤、エーテル系溶剤等が使用される。カーボンインクの粘度は、スクリーン印刷に適する様に、２０００ｍＰａ・ｓから２００００ｍＰａ・ｓの範囲へと調整される。こうすると、撥液化された第一導電体表面に印刷されても、カーボンインクは弾かれず、電気的にも接続される様になる。又、画素電極１３の大半は層間絶縁膜２２の上に形成されているので、画素電極１３が剥がれる事もない。但し、電気的接続の信頼性や歩留まり等を考えると、画素電極１３の印刷に先立ち、酸素プラズマ等のプラズマ処理やオゾン照射処理などを施して、フッ化アルキルチオール６２を第一導電体表面から除去しておく事が望ましい。以上の工程を経て有機ＴＦＴを有する回路基板１が製造される。
【００９８】
上述した通り、本実施形態に係わる回路基板の製造方法によれば、以下の効果を得る事ができる。
第一導電体上の第一薄膜に、実施形態２で詳述したパターン形成方法を用いて貫通孔３２を開口して第一導電体の表面を露出させ、第一導電体の表面を撥液化させてから、貫通孔３２以外の領域に前駆体樹脂を印刷して第二絶縁膜を形成するので、印刷法にて回路基板１にヴィアホール３１を容易に開口できる。而も回路基板１に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない為に、優れた回路特性を示す回路基板１を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
【００９９】
又、撥液化工程後に、第一薄膜上に第二導電体を形成するので、第一導電体で貫通孔３２が開口している部位のみが選択的に撥液化され、第二導電体は撥液化されない。こうして、次の第二絶縁膜形成工程では、第二導電体上に均一に前駆体樹脂を印刷でき、第二導電体を第二絶縁膜にて電気的に絶縁する事ができる。
【０１００】
又、第二絶縁膜形成工程後に、貫通孔３２を含む領域に第三導電体を形成するので、第一導電体と第三導電体との間で、電気的に導通を取る事ができ、印刷法にて、複雑で高機能な回路を有する回路基板１を製造する事ができる。
【０１０１】
又、第一導電体形成工程後に、有機半導体膜４１を印刷し、その後に第一薄膜成膜工程を行うので、回路基板１に有機物薄膜トランジスターを形成できる。更に、第一導電体形成工程の工程自由度が高く、高性能な薄膜トランジスターを製造する事ができる。又、有機半導体膜４１やゲート絶縁膜２１の形成に先立って、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程を利用できるので、チャンネル形成領域長を数ミクロン、乃至はそれ以下へと、極めて短くする事ができ、スケーリングメリットを生かした薄膜トランジスター回路を回路基板１に設ける事が可能となる。
【０１０２】
又、有機半導体膜４１はエーテル系溶剤に対しても、ケトン系溶剤に対しても、エステル系溶剤に対しても、フッ素系溶剤に対しても難溶性を示すので、有機半導体を含むインクを準備できる。即ち、有機半導体をインクジェット法５１などの印刷法で、回路基板１に求められる形状に印刷できる。
【０１０３】
又、第一薄膜はエーテル系溶剤又は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかに可溶であるので、印刷法にて第一薄膜を形成できる。又、第一薄膜に対する選択肢が広いので、回路基板１の機能を最大にする事ができる。更に、第一薄膜をトランジスターのゲート絶縁膜２１として利用する場合には、第一薄膜材料が有機半導体膜４１を溶かさないので、優れた特性を示す薄膜トランジスターを回路基板１に作製する事ができる。
【０１０４】
又、第一薄膜はアルコール系溶剤に対して難溶性を示すので、撥液化工程や第二導電体形成工程、及び第二絶縁膜形成工程に、アルコール系材料乃至はアルコール系溶剤に対して可溶な材料を使用でき、更に、これらの工程中に第一薄膜が損傷を受ける事もないので、第一薄膜は、回路基板１にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
【０１０５】
又、第一薄膜は前駆体樹脂に対して難溶性を示すので、第二絶縁膜形成工程中に第一薄膜が前駆体樹脂によって損傷を被ることはなく、第一薄膜は、回路基板１にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
【０１０６】
又、貫通孔形成工程は、第一薄膜に高分子溶液を滴下した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて微細な貫通孔３２を容易に形成できる。
【０１０７】
或いは、貫通孔形成工程は、第一薄膜に第三溶媒を滴下して、滴下された中央部付近に第一高分子材料が僅かしか残留しない状態にした後に、高分子溶液を滴下し、その後に第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて微細な貫通孔３２を容易に、且つ確実に形成できる。
【０１０８】
又、撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液６１に、第一導電体の表面を触れさせるので、数秒から数分程度の短時間の接触で容易に第一導電体の表面のみを選択的に撥液化させる事ができる。
【０１０９】
又、チオール化合物がフッ素化アルキル鎖を含むので、チオール化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
【０１１０】
又、ジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含むので、ジスルフィド化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
【０１１１】
又、前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含み、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、前駆体樹脂が第一薄膜に損傷を及ぼす事を避けられる。
【０１１２】
又、前駆体樹脂はアルコール系溶剤に可溶であるので、その溶液の濃度を比較的自由に調整でき、各種印刷法を第二絶縁膜形成工程に適応できる。更に、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、第二絶縁膜形成工程が第一薄膜に損傷を及ぼす事を避けられる。
【０１１３】
又、前駆体樹脂は光硬化性樹脂であるので、光照射する事で、速やか且つ容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
【０１１４】
又、前駆体樹脂は熱硬化性樹脂であるので、簡単な熱処理で、容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
【０１１５】
又、回路基板１は、ゲート絶縁膜２１を備えるトランジスターを有し、第一薄膜がゲート絶縁膜２１として機能しているので、高機能回路を有する回路基板１を実現する事ができる。
【０１１６】
「電気光学装置」
図９は、実施形態２で詳述した回路基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリックス基板を模式的に示す平面図である。
【０１１７】
アクティブマトリックス基板８１には画素回路が行列状に並んで、画素領域７１をなしている。各画素回路には有機ＴＦＴ７２と画素電極１３が設けられており、有機ＴＦＴ７２のスイッチング動作にて、画素電極１３への信号線７３からの表示情報が制御される。具体的には有機ＴＦＴ７２のゲート電極１２が走査線７４に接続し、ソースドレイン電極１１の一方が信号線７３に接続し、ソースドレイン電極１１の他方が画素電極１３に接続している。複数の走査線７４は走査線用の電極パッド１１１に連なり、シリコンチップよりなる外部の制御回路に接続される。同様に複数の信号線７３も信号線用の電極パッド１１１に集められ、シリコンチップよりなる外部の制御回路に接続される。
【０１１８】
図５（ｊ）に示す様に、ソースドレイン電極１１と電極パッド１１１、及び不図示の信号線７３が第一導電体にて形成され、ゲート絶縁膜２１が第一薄膜となり、ゲート電極１２と走査線７４が第二導電体にて形成され、層間絶縁膜２２が第二絶縁膜となり、画素電極１３が第三導電体にて形成されている。こうした構成のアクティブマトリックス基板８１を製造するのに実施形態２で詳述した回路基板１の製造方法が適応された。
【０１１９】
図１０は、上述のアクティブマトリックス基板を用いた電気光学装置を模式的に示す断面図である。
【０１２０】
電気光学装置８０はアクティブマトリックス基板８１とフロント基板８２とを有し、両基板間に電気光学材料が挟持されている。電気光学材料は電気泳動材料８３で、それ故に電気光学装置８０は電気泳動ディスプレイとなっている。フロント基板８２の表面には共通電極８６が形成されている。電気光学材料は両基板の表面に均一にほぼ全面に渡って配置されている。又、共通電極８６もフロント基板８２の表面のほぼ全面に形成されている。電極パッド１１１にはフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ８４）が接続されている。外部の制御回路からの表示信号はＦＰＣ８４と各画素の有機ＴＦＴ７２とを介して、其々の画素電極１３に供給される。アクティブマトリックス基板８１とフロント基板８２との外側には保護シート８５が貼られ、電気光学装置８０の機械的耐久性と化学的安定性とを高めている。
【０１２１】
この様な電気光学装置８０は、上述のアクティブマトリックス基板８１を備えているので、表示品位が高い。更に、アクティブマトリックス基板８１は前述の回路基板１の製造方法にて製造されているので、生産性が非常に高く、資源もエネルギーも高効率で活用している。
【０１２２】
「電子機器」
図１１は、上述の電気光学装置を用いた電子機器を模式的に示す斜視図で、（ａ）は正面斜視図、（ｂ）は背面斜視図である。ここでは、電子機器は電子書籍９０である。
【０１２３】
図１１（ａ）に示す様に、電子書籍９０は電気光学装置８０と筐体９１とを有している。電気光学装置８０は平板状の長方形である。筐体９１は、電気光学装置８０の外縁部に配置されて、電気光学装置８０を保持している。即ち、筐体９１は表示装置に対する保持部となっている。保持部は、使用時に使用者の手で握られる。
【０１２４】
電気光学装置８０は縦長の長方形をなしており、筐体９１は薄い平板状である。図１１（ａ）に示す様に、表示面となる正面には筐体上部９２（筐体９１の上側部品）が設けられ、図１１（ｂ）に示す様に、表示面と反対の背面には筐体下部９３（筐体９１の下側部品）が設けられている。筐体上部９２も筐体下部９３も薄い平板状で両者が重ね合わされて、筐体９１となる。図１１（ａ）と図１１（ｂ）とを比較すると判るように、正面側の筐体９１幅（幅ＷF）の方が背面側の筐体９１幅（幅ＷB）よりも狭くなっている。
【０１２５】
筐体下部９３内には電気光学装置８０を制御する各種回路（制御回路）や電源などが収納されており、その結果、筐体９１は電子書籍９０の重量の内で、半分以上といった主要な割合を占めている。こうした事などから、電子書籍９０の重心は、筐体下部９３内に位置する。
【０１２６】
電気光学装置８０の表示部には各種の情報が表示される。筐体９１の中央には操作スイッチ９４が設けられており、スイッチ操作を通じて表示部に表示される情報が更新される。
【０１２７】
電気光学装置８０は軽くて、柔軟性を有する。この為に、外部衝撃に対して比較的強く、電気光学装置８０全体を筐体９１で覆って保護する必要はない。こうして筐体９１は電気光学装置８０の外縁部に設けられる事ができる。筐体９１が表示装置全体を覆わず、更に金属製の補強部材等を配置する必要がないので、電子書籍９０全体が薄くて軽く作成されている。
【０１２８】
（変形例１）
「ＴＦＴが下ゲート型」
図１２は、変形例１に係わる回路基板の断面図である。以下、本変形例に係わる回路基板とその製造方法について説明する。尚、実施形態２と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。本変形例（図１２）は実施形態２（図５（ｊ））と比べて、有機ＴＦＴの構造が異なっている。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様である。
【０１２９】
実施形態２ではＴＦＴのゲート電極１２が有機半導体膜４１に対して上側に位置したが（上ゲート型）、本変形例では、図１２に示す様に、ＴＦＴのゲート電極１２は有機半導体膜４１に対して下側に位置する（下ゲート型）。即ち、基板１０側からゲート電極１２、ゲート絶縁膜２１、ソースドレイン電極１１、有機半導体膜４１、第一層間絶縁膜２２１、第二層間絶縁膜２２２、画素電極１３との順番で積層されている。これらの内でソースドレイン電極１１が第一導電体であり、第一層間絶縁膜２２１が第一薄膜、第二層間絶縁膜２２２が第二絶縁膜、画素電極１３が第三導電体にあたる。
【０１３０】
こうした下ゲート型の有機ＴＦＴ７２を有する回路基板１の製造方法は次のようになる。まず、基板上に第二導電体にて、ゲート電極１２と電極パッド１１１と不図示の走査線７４とを形成し、次いでゲート絶縁膜２１を成膜する。ゲート絶縁膜２１はダイコート法などを用いて電極パッド１１１の一部を覆わぬ様に成膜する。その後、第一導電体形成工程として、ゲート絶縁膜２１上に第一導電体を形成する。第一導電体は、ソースドレイン電極１１や不図示の信号線７３となる。第一導電体形成工程の直前か直後には有機半導体膜４１を印刷する。本変形例では第一導電体形成工程直後に印刷している。次に、第一薄膜成膜工程として、第一導電体を被覆する様に第一層間絶縁膜２２１を成膜する。次に、貫通孔形成工程として、ソースドレイン電極１１上の第一層間絶縁膜２２１に貫通孔３２を開口して、ソースドレイン電極１１の表面を露出させる。次に、撥液化工程として、貫通孔３２が設けられたソースドレイン電極１１の表面を撥液化させる。次に、第二絶縁膜形成工程として、貫通孔３２以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化してヴィアホール３１と第二層間絶縁膜２２２を形成する。最後に第三導電体形成工程として、ヴィアホール３１を含む領域に画素電極１３を印刷する。第一導電体形成工程から第三導電体形成工程までの各工程は、実施形態２に記載した様に行われる。
【０１３１】
上述した通り、本変形例に係わる回路基板１の製造方法によれば、実施形態２の効果に加え、以下の効果を得る事ができる。
本変形例の第一層間絶縁膜２２１は第一薄膜であり、実施形態２では、第一薄膜はゲート絶縁膜２１であった。即ち、本変形例の第一層間絶縁膜２２１はゲート絶縁膜２１と同等の膜品質を有しており、それ故に半導体膜との界面も高品質にしている。ＴＦＴの電気特性は、半導体膜のゲート電極１２側の界面の影響を強く受けると共に、その反対側の界面（裏側の界面）も電気特性に影響を及ぼす。本変形例では、ゲート絶縁膜２１にも使用可能な高品質な高分子膜で半導体の裏側の界面を覆っている。従って、裏側の界面に発生する界面トラップ数が抑制され、高性能な有機ＴＦＴ７２となる。又、第一層間絶縁膜２２１と第二層間絶縁膜２２２とが信号線７３と画素電極１３との間に設けられて居るので、これらの間の寄生容量が小さくなると共にリーク電流も減り、回路が高速に且つ正確に動作するようになる。
【０１３２】
一般に、反応性のモノマーや硬化剤は、それが有機半導体材料に直に接すると、半導体特性の劣化を招く。従って、もしもＵＶインク５４が有機半導体膜４１の上に直に塗布されると、有機ＴＦＴは半導体特性を劣化させざるを得なくなる。所が、本変形例では高品質な第一層間絶縁膜２２１が有機半導体膜４１を保護しており、ＵＶインク５４は有機半導体膜４１に接しない。この理由により、有機ＴＦＴは優れた半導体特性を示す事になる。結局、第一層間絶縁膜２２１は有機半導体膜４１の保護膜であると同時に、第二層間絶縁膜２２２をヴィアホール３１以外の領域に選択的に形成する役割を担っているのである。
【０１３３】
（変形例２）
「アクティブマトリックス基板８１が容量線を備えている例」
図１３は、変形例２に係わる回路基板の製造方法の平面図である。以下、本変形例に係わる回路基板１とその製造方法について説明する。本変形例（図１３）は実施形態２（図６（ｂ））と比べて、回路基板１に容量用電極が設けられている点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１３４】
本変形例では、画素回路に保持容量が形成されている。保持容量は第一容量電極と第二容量電極１２１とこれらの電極に挟持される誘電体膜とから構成される。第一容量電極は不図示の画素電極に接続し、第二容量電極１２１は接地電位や共通電極電位などの基準電位に接続される。回路基板１では、第一導電体にてソースドレイン電極１１が形成され、その一方は信号線７３に連なり、他方は不図示の画素電極に接続されるが、第一容量電極はこの他方のソースドレイン電極１１と兼用される。誘電体膜はゲート絶縁膜と同じ第一薄膜である。第二容量電極１２１は、図１３に示す様に、ゲート電極１２と同じ第二導電体にて形成される。第二容量電極１２１を基準電位に接続するには、容量共通線１１２と複数の容量電極とが接続される。容量共通線１１２は第一導電体にて形成され、容量共通線１１２に設けられた貫通孔３２を介して第二容量電極１２１と接続される。従ってこの貫通孔３２の電極表面は親水性となっている。こうした構成の回路基板１は、実施形態２で詳述した製造方法にて製造される。
【０１３５】
電気泳動ディスプレイで画素回路が保持容量を持つと、フレーム期間を通じて電気泳動材料に電圧を印加するので、高コントラストの画像を容易に表示させる事ができる。
【０１３６】
（変形例３）
「駆動回路がＴＦＴにて一部内蔵されている例」
図１４は、変形例３に係わる回路基板の平面図である。又、図１５は、変形例３に係わる回路基板の断面図である。以下、本変形例に係わる回路基板１とその製造方法について説明する。本変形例（図１４）は先の実施形態２で説明したアクティブマトリックス基板８１（図９）と比べて、駆動回路の一部がＴＦＴにて内蔵されている点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１３７】
本変形例では、図１４に示す様に、有機ＴＦＴ７２にて駆動回路の一部となる走査回路７５が構成されている。走査回路７５はシフトレジスターを含み、走査線７４を選択する事ができる。シフトレジスター内ではインバーターの直列接続が利用されており、図１５はその部分の断面を模式的に表している。即ち、一つ目の有機ＴＦＴ７２１のドレイン電極１１４が出力となり、これが二つ目の有機ＴＦＴ７２２のゲート電極１２に入力として接続されている。こうした構成を有する回路基板１は実施形態２で詳述した製造方法にて製造される。尚、一つ目の有機ＴＦＴ７２１のドレイン電極１１４に設けられた貫通孔３２の電極表面は親水性にされている。
【０１３８】
アクティブマトリックス基板８１の駆動回路が部分的に内蔵されているので、高精細な画像を表示する電気光学装置８０とする事ができる。
【０１３９】
（変形例４）
「基板が薄いガラスである例」
図５（ｊ）を用いて説明する。
本変形例は実施形態２と比べて、基板が薄いガラスである点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１４０】
実施形態２では、基板１０はプラスチックフィルムであったが、基板１０はこれに限られない。例えば、０．５ｍｍから１．１ｍｍの厚みを有するガラス基板表面に実施形態２で詳述した工程を施した後に、ガラス基板裏面をエッチングなどで削り、０．１ｍｍ以下に薄くしても良い。ガラス基板の厚みを０．１ｍｍ以下にすると柔軟性を示す様になる。
【０１４１】
こうすると、回路基板１の製造時には０．５ｍｍから１．１ｍｍと云った通常の厚みを有するガラス基板を使用でき、その後、ガラスを薄くするだけで柔軟性を有する回路基板１を比較的容易に製造できる。
【０１４２】
（変形例５）
「基板が薄い金属板である例」
図５（ｊ）を用いて説明する。
本変形例は実施形態２と比べて、基板が薄い金属板である点などが異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１４３】
実施形態２では、基板１０はプラスチックフィルムであったが、基板１０はこれに限られない。例えば、薄いステンレス基板を酸化硅素膜や酸化窒素膜などの無機絶縁膜、或いはポリイミドなどの有機絶縁膜で覆い、これを基板１０として利用しても良い。基板１０として金属板を用いると、基板電位を自由に設定でき、有機ＴＦＴ７２のしきい値電圧Ｖｔｈを容易に調整できる。有機絶縁膜の表面は製造中に簡単に帯電する。従って絶縁膜表面の除電がきちんとなされないと、有機ＴＦＴ７２のＶｔｈは設計値からずれてしまう。本変形例では、たとえＶｔｈがずれてしまっても、基板電位を調整する事で、有機ＴＦＴ７２を正しく動作させる事ができる。
【０１４４】
（変形例６）
「電気光学材料が電気泳動材料以外の例」
図１０を用いて説明する。
本変形例は実施形態２と比べて、電気光学材料として電気泳動材料８３に代わり液晶材料などが用いられている点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１４５】
実施形態２では電気光学材料として電気泳動材料８３を使用していたが、電気光学材料としては、その他にも液晶材料や有機又は無機のエレクトロ・ルミネッセンス（ＥＬ）材料、エレクトロ・クロミック材料等を使用しても良い。これに応じて電気光学装置８０は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や有機又は無機のエレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイ（別名をライト・エミッティング・ダイオード・ディスプレイ、ＬＥＤディスプレイともいう）、エレクトロ・クロミック・ディスプレイ（ＥＣＤ）等となる。これらの電気光学装置８０を有する電子機器としては電子書籍やテレビ、携帯電話やパーソナルコンピューターなどが挙げられる。
【０１４６】
（変形例７）
「共通電極が第一基板側に作製される例」
図１０を用いて説明する。
変形例７は実施形態２（図１０）と比べて、共通電極８６が第一基板側に作られる点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
実施形態２（図１０）では、共通電極８６はフロント基板８２に形成されているが、これは必須ではなく、共通電極８６はアクティブマトリックス基板８１に形成されても良い。この場合、共通電極８６はアクティブマトリックス基板８１の各画素内に設けられ、アクティブマトリックス基板８１の面と平行な電界成分を持つ電界が電気光学材料に印加される所謂インプレーンスイッチ型の電気光学装置８０となる。横方向に電気泳動させるＥＰＤや広視野角液晶ディスプレイなどに適応される。
【０１４７】
（変形例８）
「多層配線基板の例」
図１６は変形例８に係わる回路基板の断面図である。
変形例８は実施形態２（図５（ｊ））と比べて、回路基板が多層配線基板である点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
実施形態２（図５（ｊ））では、回路基板に有機ＴＦＴが設けられて居るが、これは必須ではなく、回路基板が多層配線基板であっても良い。
【０１４８】
図１６に示す様に、多層配線基板１００は、基板側から第一配線１１３、第一層間絶縁膜２２１、第二層間絶縁膜２２２、第二配線１３１との順番で積層されている。これらの内で第一配線１１３が第一導電体であり、第一層間絶縁膜２２１が第一薄膜、第二層間絶縁膜２２２が第二絶縁膜、第二配線１３１が第三導電体にあたる。
【０１４９】
こうした多層配線を有する回路基板１の製造方法は次のようになる。まず、基板上に第一導電体形成工程として、第一配線１１３を形成する。次に、第一薄膜成膜工程として、第一導電体を被覆する様に第一層間絶縁膜２２１を成膜する。次に、貫通孔形成工程として、第一配線１１３の第一層間絶縁膜２２１に貫通孔３２を開口して、第一配線１１３の表面を露出させる。次に、撥液化工程として、貫通孔３２が設けられた第一配線１１３の表面を撥液化させる。次に、第二絶縁膜形成工程として、貫通孔３２以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化して第二層間絶縁膜２２２とヴィアホール３１とを形成する。次に第三導電体形成工程として、ヴィアホール３１を含む領域に金属インクを印刷し、第二配線１３１とする。金属インクを印刷するに先立ち、ヴィアホール３１の底面から不図示のフッ化アルキルチオール６２を除去しておく。この様に、第一導電体形成工程から第三導電体形成工程までの各工程は、実施形態２に記載した方法にて行われ、二層の配線基板が出来上がる。
【０１５０】
多層配線を作製する為の１サイクルを第一薄膜成膜工程から第三導電体形成工程までとし、上述の第三導電体を次のサイクルに於ける第一導電体とし、以降、このサイクルを複数回繰り返して、多数の配線層を持つ多層配線基板１００とする事も可能である。
【０１５１】
尚、これ迄の説明では、三種類の導電体に対して、第一導電体、第二導電体、第三導電体、との名称を用いたが、これは導電体の種類を区別する為の名称であって、その形成順番を指定する物ではない。更には、回路基板１内に三種類の導電体が必要となる訳でもない。例えば、回路基板１には第一導電体と、それを覆う第一薄膜と第二絶縁膜とが第一導電体に対する保護膜として設けられており、第一導電体にプローブカードにて探針を接触させる為のヴィアホール３１を有する構造体と云った様な、導電体が一種類しか存在しない回路基板１に対しても、本発明を適応する事ができる。
【０１５２】
又、これ迄の説明では、三種類の溶媒に対して、第一溶媒、第二溶媒、第三溶媒、との名称を用いたが、これは溶媒の種類を区別する為の名称であって、その使用順番を指定する物ではない。
【符号の説明】
【０１５３】
１…回路基板、１０…基板、１１…ソースドレイン電極、１２…ゲート電極、１３…画素電極、２１…ゲート絶縁膜、２２…層間絶縁膜、３１…ヴィアホール、３２…貫通孔、４１…有機半導体膜、５１…インクジェット法、５２…液滴、５３…導電体用インク、５４…ＵＶインク、５５…紫外線、６１…溶液、６２…フッ化アルキルチオール、７２…有機ＴＦＴ、８０…電気光学装置、８１…アクティブマトリックス基板、９０…電子書籍、１００…多層配線基板、１１１…電極パッド、１１３…第一配線、１３１…第二配線、２１１…絶縁膜、２２１…第一層間絶縁膜、２２２…第二層間絶縁膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、及び当該パターン形成方法を適応した回路基板の製造方法に関する。取り分け、印刷法を用いて機能性有機材料を塗布する事により、アクティブマトリックス基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン半導体を利用したアクティブマトリックス基板を製造するには、薄膜の成膜工程とフォトリソグラフィー工程、及びエッチング工程を基本サイクルとし、この基本サイクルを複数回繰り返していた。まず、薄膜が基板全体に成膜された後に、必要となる薄膜パターンに応じたフォトレジストパターンを作り、そのパターンに基づいて薄膜の大半をエッチング工程で除去し、その後に残ったフォトレジストパターンも除去して基本サイクルとしていた。即ち、この製造方法では、薄膜材料の多くとフォトレジスト材料の総てを最終的に捨てねばならず、いわば、壮大な無駄に立脚していると言えた。加えて、成膜工程やエッチング工程には真空プロセスが必要とされ、これらの工程は処理時間が長く、生産性が悪い上に、大規模な製造装置が必要とされていた。
【０００３】
そこで、上述の基本サイクルを出来る限り使用せず、生産性に優れ、大規模な製造装置の使用も極力避けた製造方法として、アクティブマトリックス基板を印刷法にて製造する方法が検討されている。印刷法には様々な方式が有るが、アクティブマトリックス基板を製造するにはインクジェット方式が適していると考えられている。これは、インクジェット方式が各種の印刷方法の中で、唯一、基板に非接触でパターンを形成し、欠陥の発生確率が最も低いからである。インクジェット方式以外の各種印刷方式は、印刷版を基板に接触させる為、ごみの巻き込みや、物理的な欠損をなくす事が困難であるからである。
【０００４】
さて、通常、アクティブマトリックス基板には複数の配線層が設けられ、これらの配線層は絶縁膜にて分離されている。配線層間で電気的な導通が必要な箇所には、ヴィアホールを開口して両配線間を接続している。印刷法にてアクティブマトリックス基板を製造する際にも、この配線層間の導通が必要となる。例えば特許文献１では、フォトリソグラフィー工程とドライエッチング工程とを用いて、ヴィアホールを形成している。又、特許文献２では、絶縁膜にレーザー光を照射してヴィアホールを形成している。又、特許文献３では、図１７に示す様に、絶縁膜を溶解する溶剤を絶縁膜に滴下してヴィアホールを形成している。
【０００５】
特許文献３の方法では、図１７（ａ）に示す様に、絶縁膜１７１上に滴下された溶剤は、絶縁膜１７１上で液滴１７２をなす。液滴１７２はその下の絶縁膜１７１を溶解しつつ、蒸発していく。絶縁膜１７１の厚さが２００ｎｍから４００ｎｍ程度と薄ければ、図１７（ｂ）に示す様に、絶縁膜１７１は厚み方向で全体が溶剤に溶かされる。これが乾燥する際には、図１７（ｂ）の矢印が示す様な微小流が発生する。溶剤に溶けた絶縁膜１７１の材料も、この流れに乗って、液滴１７２の外周部付近へと集められる。その結果、図１７（ｃ）に示す様なクレータ状の窪みが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２７７３７１号公報
【特許文献２】特開２００７−２６６２３７号公報
【特許文献３】特表２００３−５１８７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に代表される従来の製造方法では、フォトリソグラフィー工程が、アクティブマトリックス基板に利用されている機能性有機材料に重大な影響を及ぼし、特性に優れたアクティブマトリックス基板を安定的に製造するのが困難であるという課題があった。これはフォトリソグラフィー工程中の露光時に強い短波長光が機能性有機材料に照射され、機能性有機材料が光劣化する恐れが有るからである。又、フォトリソグラフィー工程中の現像時に現像液が機能性有機材料に染み渡り、機能性有機材料が化学的に変化する恐れが有るからでもある。
【０００８】
又、特許文献２に代表される従来の製造方法では、レーザー装置を利用している為に製造原価が高騰するという課題の他に、生産性が悪く、歩留まりも低いという課題もあった。通常、ヴィアホール開口にはレーザーを同一地点に複数回照射する必要がある。而もアクティブマトリックス基板にヴィアホールは数万個から数百万個存在するので、これらをレーザー装置で数個ずつ乃至は数百個ずつアライメントを取りつつ開口して行くと、その処理に極めて長い時間が費やされてしまう。又、レーザー出力が僅かに変動するだけで、電気的な導通が取れなくなる。例えば僅かにレーザー出力が弱ければ、ヴィアホールは開口できず（ヴィアホール底部に絶縁膜が残り）、反対に僅かでも強過ぎれば、導通を取るべき電極までをもアブレーションさせてしまうからである。更に、レーザーアブレーションを利用している関係から、ゴミの発生が避けられず、アクティブマトリックス基板を汚す結果、歩留まりを低下させていた。
【０００９】
又、特許文献３に代表される従来の製造方法では、完全に貫通した穴を形成する事が困難であるという課題があった。図１７（ｃ）に示す様に、穴の底部１７３には僅かながら絶縁膜材料が残留していた。これは、乾燥の最終過程では溶剤の移動よりも蒸発の方が支配的になる為に、ほぼ必然的に生ずる現象であった。そこで、これを回避すべく、特許文献３では、この工程に続いて、絶縁膜の全面を均一にエッチングして、穴の底部１７３の薄皮状の残留物を除去していた。具体的には、プラズマを用いたドライエッチング処理や溶剤を用いたウエットエッチング処理が施されていた。しかし絶縁膜が高分子材料からなる場合、プラズマでのドライエッチング処理は、絶縁膜に対してプラズマダメージを招き、絶縁膜品質を劣化させるという課題があった。また、ウエットエッチング処理を施す方法では、絶縁膜の表面が荒れるという課題があった。更に、絶縁膜の界面に溶剤が侵入して絶縁膜が剥がれるという課題もあった。
【００１０】
換言すれば、ヴィアホールなどのパターンを形成するに当たり、従来は印刷法に適したパターン形成方法が存在しないという課題があった。同様に、優れた特性を有する回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事が困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【００１２】
（適用例１） 本適用例に係わるパターン形成方法は、基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、第一薄膜は第一高分子材料からなり、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事を特徴とする。
この構成によれば、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に形成でき、而もヴィアホール以外の残った第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
【００１３】
（適用例２） 本適用例に係わるパターン形成方法は、基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、第一薄膜は第一高分子材料からなり、第一高分子材料を溶解する第三溶媒を第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、第三溶媒が乾燥した後に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事を特徴とする。
この構成によれば、第三溶媒の乾燥時に第一高分子材料の移動を促進するので、第三溶媒乾燥後には、第三溶媒が滴下された中央部付近に第一高分子材料は僅かしか残留しない。その後にこの僅かな残留物が除去されるので、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に且つ確実に形成でき、而もヴィアホール以外の残った第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
【００１４】
（適用例３） 上記適用例に係わるパターン形成方法において、第二高分子材料の分子量が５００以上５００００以下の範囲に有る事が好ましい。
この構成によれば、分子量が５００以上なので、第二高分子材料は高分子としての特徴を示し、第一溶媒の乾燥時に第一高分子材料と相分離を引き起こす。その為に、第二溶媒接触工程後に第二高分子材料が除去されると、そこの部位は第一高分子材料も第二高分子材料も存在しない領域となる。第二高分子材料の分子量が５００００以下であるので、第一溶媒の乾燥期間に於ける高分子溶液の粘度は比較的長時間低く保たれる。これらの結果、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に形成できる。
【００１５】
（適用例４） 本適用例に係わる回路基板の製造方法は、基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、第一導電体上の第一薄膜に貫通孔を開口して、第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、貫通孔形成工程は、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は、第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事を特徴とする。
この構成によれば、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に開口でき、而も回路基板に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない。その為に、優れた回路特性を示す回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
【００１６】
（適用例５） 本適用例に係わる回路基板の製造方法は、基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、第一導電体上の第一薄膜に貫通孔を開口して、第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、貫通孔形成工程は、第一高分子材料を溶解する第三溶媒を第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、第三溶媒が乾燥した後に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事が好ましい。
この構成によれば、第三溶媒の乾燥時に第一高分子材料の移動を促進するので、第三溶媒乾燥後には、第三溶媒が滴下された中央部付近に第一高分子材料は僅かしか残留しない。その後にこの僅かな残留物が除去されるので、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に且つ確実に開口でき、而も回路基板に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない。その為に、優れた回路特性を示す回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
【００１７】
（適用例６） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第二高分子材料の分子量が５００以上５００００以下の範囲に有る事が好ましい。
この構成によれば、分子量が５００以上なので、第二高分子材料は高分子としての特徴を示し、第一溶媒の乾燥時に第一高分子材料と相分離を引き起こす。その為に、第二溶媒接触工程後に第二高分子材料が除去されると、そこの部位は第一高分子材料も第二高分子材料も存在しない領域となる。第二高分子材料の分子量が５００００以下であるので、第一溶媒の乾燥期間に於ける高分子溶液の粘度は比較的長時間低く保たれる。これらの結果、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に且つ確実に開口できる。
【００１８】
（適用例７） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、貫通孔形成工程後に、第一導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する第二絶縁膜形成工程と、を更に含む事が好ましい。
この構成によれば、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に開口でき、而も回路基板に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない。その為に、優れた回路特性を示す回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
【００１９】
（適用例８） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、撥液化工程後に、第一薄膜上に第二導電体を形成する第二導電体形成工程を含み、第二導電体形成工程後に第二絶縁膜形成工程を行う事が好ましい。
撥液化工程は金属等の導電体の表面を選択的に撥液化させる。この構成によれば、撥液化工程時に未だ第二導電体が形成されていないので、第一導電体で貫通孔が開口している部位のみが選択的に撥液化され、その他の領域は撥液化されない。従って、次の第二絶縁膜形成工程では、貫通孔以外の領域に均一に前駆体樹脂を印刷でき、貫通孔以外の領域には隈無く第二絶縁膜を形成する事ができる。
【００２０】
（適用例９） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第二絶縁膜形成工程後に、貫通孔を含む領域に第三導電体を形成する第三導電体形成工程を含む事が好ましい。
この構成によれば、貫通孔を含む領域には第二絶縁膜が形成されて居らず、そこは自然にヴィアホールとなっている。従って、第一導電体と第三導電体との間で、第一薄膜と第二絶縁膜とを介して、電気的に導通を取る事ができ、印刷法にて、複雑で高機能な回路を有する回路基板を製造する事ができる。
【００２１】
（適用例１０） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一導電体形成工程後に、有機半導体膜を印刷する半導体膜形成工程を含み、半導体膜形成工程後に第一薄膜成膜工程を行う事が好ましい。
この構成によれば、機能性有機材料として有機半導体膜を利用できるので、回路基板に有機物薄膜トランジスターを形成でき、高機能な回路を有する回路基板を製造することができる。更に、この構成では、第一導電体をソースドレイン電極とし、ソースドレイン電極形成後にトランジスターの活性層半導体膜を印刷し、その後にゲート絶縁膜として機能する第一薄膜を成膜する事になる。即ち、第一導電体形成工程が最初になるので、この工程が有機半導体膜やゲート絶縁膜に影響を及ぼす事はなく、様々な手法を第一導電体形成工程に適応できる（工程自由度が高い）。薄膜トランジスターでは半導体膜とゲート絶縁膜とがトランジスター特性を定める重要な要素であるが、この構成では第一導電体形成工程がこれらの重要な要素に悪影響を及ぼす事態を完全に排除でき、高性能な薄膜トランジスターを製造する事ができるのである。
又、トランジスターを用いた回路ではトランジスターのチャンネル形成領域長（有機物薄膜トランジスターでは、ソース電極とドレイン電極とを離間する距離）を短くする事が回路性能を向上させるのに重要な要件である。この構成によれば、第一導電体形成工程の工程自由度が高く、有機半導体膜やゲート絶縁膜の形成に先立って、ここにフォトリソグラフィー工程とエッチング工程を利用できるので、チャンネル形成領域長を数ミクロン、乃至はそれ以下へと、極めて短くする事ができる。換言すれば、回路基板の製造工程中で、最初に一回だけフォトリソグラフィー工程とエッチング工程とを使えば、残りの工程をすべて印刷法で回路基板を製造しても、チャンネル形成領域長が極めて短い高性能な薄膜トランジスターを回路基板に設ける事が可能となる。
【００２２】
（適用例１１） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、有機半導体膜はエーテル系溶剤に対しても、ケトン系溶剤に対しても、エステル系溶剤に対しても、フッ素系溶剤に対しても難溶性を示す事が好ましい。
これらの構成によれば、π共役系分子を有機半導体膜として活用でき、且つこれらは芳香族炭化水素や飽和炭化水素を溶媒として利用できるので、有機半導体を含むインクを準備できる。即ち、有機半導体をインクジェット法などの印刷法で、回路基板に求められる形状に印刷できる。
【００２３】
（適用例１２） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一薄膜はエーテル系溶剤又は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかに可溶である事が好ましい。
これらの構成によれば、エーテル系溶剤、又はケトン系溶剤、又はエステル系溶剤、又はフッ素系溶剤、に可溶な絶縁材料、若しくはエーテル系樹脂、又はケトン系樹脂、又はエステル系樹脂、又はフッ素系樹脂、からなる絶縁材料を第一薄膜成膜工程に使用できるので、印刷法にて第一薄膜を形成できる。又、第一薄膜に対する選択肢が広いので、回路基板の機能を最大にする事ができる。さらに、第一薄膜をトランジスターのゲート絶縁膜として利用する場合には、第一薄膜材料が有機半導体膜を溶かさないので、半導体膜とゲート絶縁膜との界面が平滑で、且つ中間遷移層が存在しない綺麗な物となる。その結果、優れた特性を示す薄膜トランジスターを回路基板に作製する事ができる。
【００２４】
（適用例１３） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一薄膜はアルコール系溶剤に対して難溶性を示す事が好ましい。
この構成によれば、第一薄膜成膜工程後に行われる撥液化工程や第二導電体形成工程、及び第二絶縁膜形成工程に、アルコール系材料乃至はアルコール系溶剤に対して可溶な材料を使用できる。即ち、これらの材料を用いて、印刷法にて撥液化工程や第二導電体形成工程、及び第二絶縁膜形成工程を進めることができる。更に、これらの工程中に第一薄膜が損傷を受ける事もないので、第一薄膜は、回路基板にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
【００２５】
（適用例１４） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一薄膜は前駆体樹脂に対して難溶性を示す事が好ましい。
この構成によれば、第二絶縁膜形成工程中に第一薄膜が前駆体樹脂によって損傷を被ることはなく、第一薄膜は、回路基板にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
【００２６】
（適用例１５） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液に、第一導電体の表面を触れさせる事が好ましい。
この構成によれば、チオール化合物又はジスルフィド化合物の硫黄原子が金属原子と素早く結合するので、数秒から数分程度の短時間の接触で容易に第一導電体の表面のみを選択的に撥液化させる事ができる。
【００２７】
（適用例１６） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、チオール化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事が好ましい。
フッ素化アルキル鎖は表面張力を下げるので、この構成によれば、チオール化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
【００２８】
（適用例１７） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、ジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事が好ましい。
フッ素化アルキル鎖は表面張力を下げるので、この構成によれば、ジスルフィド化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
【００２９】
（適用例１８） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含む事が好ましい。
第二絶縁膜は第一薄膜上に形成されるが、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、この構成によれば、前駆体樹脂が第一薄膜に損傷を及ぼす事（第一薄膜を溶融する事）を避けられる。
【００３０】
（適用例１９） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂はアルコール系溶剤に可溶である事が好ましい。
この構成によれば、前駆体樹脂をアルコール系溶剤で希釈できるので、その溶液の濃度を比較的自由に調整でき、各種印刷法を第二絶縁膜形成工程に適応できる。又、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、第二絶縁膜形成工程が第一薄膜に損傷を及ぼす事（第一薄膜を溶融する事）を避けられる。
【００３１】
（適用例２０） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂は光硬化性樹脂である事が好ましい。
この構成によれば、前駆体樹脂を印刷した後に、光照射する事で、速やか且つ容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
【００３２】
（適用例２１） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂は熱硬化性樹脂である事が好ましい。
この構成によれば、前駆体樹脂を印刷した後に、簡単な熱処理で、容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
【００３３】
（適用例２２） 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、回路基板は、ゲート絶縁膜を備えるトランジスターを有し、第一薄膜がゲート絶縁膜として機能している事が好ましい。
この構成によれば、高機能回路を有する回路基板を実現する事ができる。又、第一導電体形成工程以外は、総て印刷法にて回路基板を製造するので、生産性が非常に高く、高機能回路を有する回路基板を一日で製造できると見積られている。而も工程の自動化が容易で、印刷法の主体がインクジェット法である為に廃棄物も少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施形態１に係わるパターン形成方法を模式的に示した断面図。
【図２】実施形態１に係わるパターン形成方法を用いて作製した配線接続構造を模式的に示した断面図。
【図３】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図。
【図４】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図。
【図５】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図。
【図６】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した平面図。
【図７】実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した平面図。
【図８】実施形態２に係わる回路基板の製造方法の内で撥液化工程終了時の状態を詳細に説明した図。
【図９】実施形態２で詳述した回路基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリックス基板を模式的に示す平面図。
【図１０】上述のアクティブマトリックス基板を用いた電気光学装置を模式的に示す断面図。
【図１１】上述の電気光学装置を用いた電子機器を模式的に示す斜視図で、（ａ）は正面斜視図、（ｂ）は背面斜視図。
【図１２】変形例１に係わる回路基板の断面図。
【図１３】変形例２に係わる回路基板の製造方法の平面図。
【図１４】変形例３に係わる回路基板の平面図。
【図１５】変形例３に係わる回路基板の断面図。
【図１６】変形例８に係わる回路基板の断面図。
【図１７】従来技術に係わるパターン形成方法を模式的に示した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３６】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係わるパターン形成方法を模式的に示した断面図である。図２は、実施形態１に係わるパターン形成方法を用いて作製した配線接続構造を模式的に示した断面図である。以下、図１と図２とを用いて、パターン形成方法を説明する。
【００３７】
「パターン形成方法の概要」
まず図１を用いて概要を説明する。
本発明は、基板１０に設けられて居る第一薄膜に、印刷法にて貫通孔３２と云った様なパターンを形成する方法に関する。図１では、第一薄膜は絶縁膜２１１で、第一高分子材料からなっている。
【００３８】
印刷法でパターンを形成するのに以下の工程が実施される。まず、高分子溶液として、第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた溶液を準備する。第一溶媒は第一高分子材料も溶解する。即ち、第一溶媒には、第一高分子材料も第二高分子材料も、どちらも溶解する。第一高分子材料と第二高分子材料は、第一溶媒の乾燥時には互いに相分離する異なった材料である。次に、図１（ａ）に示す様に、高分子溶液滴下工程として、この高分子溶液を第一薄膜に滴下して微小な液滴５２を形成する。この液滴は直ぐに乾燥するが、乾燥時には液滴内に微小流が発生し、液滴の中央部付近から第一高分子材料と第二高分子材料とが液滴の周辺部に移動する。こうして、図１（ｂ）に示す様に、液滴の中央部付近は、乾燥後に第一高分子材料と第二高分子材料が薄皮状に僅かに残る状態となる。薄皮状に残留した両高分子材料は互いに相分離して、微小なドメインを数多く二次元的に形成する。この後に、今度は第二溶媒接触工程として、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる。第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒としておく。こうする事により、中央部付近の薄皮状残留物から第二高分子材料が選択的に除去される。即ち、図１（ｃ）に示す様に、第二高分子材料が存在していたドメインが開口されて、貫通孔３２が形成される。その一方で、貫通孔３２以外の領域にある第一高分子材料は安定に保たれるので、第一薄膜の品質を維持しつつ、印刷法で、貫通孔３２を形成できる事になる。
【００３９】
以下、パターン形成方法を工程毎に詳述する。
【００４０】
「第一薄膜成膜工程」
まず、基板１０上に第一薄膜成膜工程として、第一薄膜を形成する。ここでは第一薄膜は絶縁膜２１１で、５００ｎｍのポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）をスピンコートにて成膜した。絶縁膜２１１は、第一高分子材料を基板全体に渡って一様に塗布し、その後にヴィアホール開口といったパターニングが行われる。第一高分子材料は第一溶媒には良く溶け（可溶で）、第二溶媒には安定で溶け難い（難溶）性質である。一方、第一溶媒に溶かされる第二高分子材料は第一溶媒にも第二溶媒にも可溶性を示すものである。第一高分子材料としては、ＰＭＭＡの様なアクリル系高分子や、特開２０１０−７４０８８号公報に示される様なフッ素系芳香族高分子（以降、単にフッ素系芳香族高分子と略称する）、ポリシクロオレフィンの様なオレフィン系高分子を使用する事ができる。
【００４１】
「溶媒と高分子材料」
第一溶媒と第二溶媒、及び第二高分子材料は次の様になる。第一高分子材料がアクリル系高分子乃至はフッ素系芳香族高分子の場合、第一溶媒はエーテル系溶剤（エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、１，４−ジオキサン、２−メトキシ−２−メチルプロパン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等）、或いはグリコールジエーテル(グライム）系溶剤（トリエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等）、或いはケトン系溶剤（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、３，５，５−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン（イソホロン）等）、或いはエステル系溶剤（γブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシブチル、エチルグリコールアセテート、酢酸アミル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノールアセテート、グルタル酸ジメチル、エチルオクタノエート、安息香酸ブチル、二酢酸１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコールジアセテート等）、或いはグリコールエステル系溶剤（グリコールとのエーテル及びエステルを含む溶剤で、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等）、或いはエーテルとエステルを含む特殊溶剤（３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート等）のいずれかとする。これらの内で取り分け溶解性に優れる第一溶媒としては、ラクトンの様に環状構造を持つ有機化合物で分子の環の一部としてエステル結合を含む物（例えばγブチロラクトン）や、環状ケトンの分子構造を持つ有機化合物（例えばイソホロン）、シクロアルカン環を有する有機化合物（例えばシクロヘキサノールのエステルで、シクロヘキサノールアセテート）らである。これら三種の内で沸点が１８０℃以上有る溶媒が第一溶媒に最適である（例えばγブチロラクトンやイソホロン）。第二溶媒はアルコール系溶剤（メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルプロピルアルコール、ブタノール、ターシャリーブタノール（ＴＢＡ）、ブタンジオール、エチルヘキサノール、ベンジルアルコール等）とする。この場合、第二高分子材料は、第一溶媒として選ばれた溶媒にもアルコール系溶剤にも可溶性を示す高分子材料で、例えば、ビニル化合物に水酸基が導入されている樹脂やフェノールを原料とした樹脂が好ましい。具体的には、第二高分子材料は、ビニルフェノールの単独重合体（ポリビニルフェノール）乃至はビニルアルコール単量体やビニルフェノール単量体が他のビニル単量体（例えば塩化ビニルや酢酸ビニルなど）と共重合した化合物、或いはフェノール樹脂（ノボラック樹脂）などで、第一溶媒にも第二溶媒にも可溶性を示す物である。尚、第二高分子としてポリスチレンを使用する事ができ、この際には第一溶媒はエステル系溶剤、或いはケトン系溶剤、或いはエーテル系溶剤とし、第二溶媒は飽和炭化水素（ヘキサン、或いは環式の飽和炭化水素でシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン等）とする。ここでは第一高分子材料をＰＭＭＡとし、第一溶媒として環状エステルであるγブチロラクトンを選び、第二溶媒はイソプロピルアルコール、第二高分子材料はポリビニルフェノールとした。第一高分子材料を特開２０１０−７４０８８号公報に示されるようなフッ素系芳香族高分子とした場合にも、第一溶媒はγブチロラクトン、第二溶媒はイソプロピルアルコール、第二高分子材料はポリビニルフェノールとするのが好ましい。
【００４２】
尚、第一高分子材料がオレフィン系高分子の場合、第一溶媒は芳香族炭化水素（トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等）、或いは、環式の飽和炭化水素（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン等）とし、第二溶媒はアルコール系溶剤（メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルプロピルアルコール、ブタノール、ターシャリーブタノール（ＴＢＡ）、ブタンジオール、エチルヘキサノール、ベンジルアルコール等）、又はエステル系溶剤（γブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシブチル、エチルグリコールアセテート、酢酸アミル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノールアセテート、グルタル酸ジメチル、エチルオクタノエート、安息香酸ブチル、二酢酸１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコールジアセテート等）とする。この場合、第二高分子材料は、第一溶媒として選ばれた溶剤にも、第二溶媒として選ばれた溶剤にも、可溶性を示す高分子材料で、ビニル化合物にベンゼン環が導入されている樹脂が好ましい。具体的には、第二高分子材料は、スチレンの単独重合体（ポリスチレン）乃至はスチレンと他のビニル単量体（例えばビニルフェノールや酢酸ビニルなど）と共重合した化合物などである。第一高分子材料をポリシクロオレフィンとした場合、第一溶媒はデカリン、第二溶媒は酢酸ブチル、第二高分子材料はポリスチレンとするのが好ましい。
【００４３】
オレフィン系高分子は、水酸基やカルボニル基などの極性官能基を有する材料と共重合させたり、或いはこれらを側鎖として付加したりする事によって、エーテル系溶剤やケトン系溶剤、エステル系溶剤に可溶とする事ができる。こうした処理を行ったオレフィン系高分子を第一高分子材料とする際には、第一高分子材料がアクリル系高分子乃至はフッ素系芳香族高分子の場合と同じ第一溶媒や第二溶媒、第二高分子材料が使用される。
【００４４】
「高分子溶液滴下工程」
上述の第一溶媒に第二高分子材料を溶解させて高分子溶液とし、この高分子溶液を図１（ａ）に示す様に、第一薄膜に滴下する。これが高分子溶液滴下工程である。具体的にはＰＭＭＡからなる絶縁膜２１１にインクジェット法５１にてγブチロラクトンにポリビニルフェノールを溶かした高分子溶液を滴下した。高分子溶液中のポリビニルフェノールの濃度は０．２％であった。ここでは、２５ｐＬ程度の高分子溶液の液滴５２を三回、滴下した。つまり、高分子溶液を滴下すると、２５ｐLの微小な液滴は溶剤の沸点が２００℃前後の場合でも、室温で５秒以内に溶液は乾いてしまう。ここに、再度、高分子溶液を滴下すると、中央付近に残った第一高分子材料は、更に低減する。こうした繰り返しを、ここでは三回実施した。
【００４５】
高分子溶液に関して説明する前に、まず溶液滴下によって、ヴィアホール開口等のパターニングが可能となる原理を述べる。第一薄膜である絶縁膜２１１に貫通孔３２を開口するには、第一薄膜にインクジェット法５１で高分子溶液の液滴５２を滴下する。図１（ａ）に示す様に、第一薄膜上に滴下された高分子溶液は、濡れ性に依存して一定の径まで濡れ広がる。濡れ広がった高分子溶液はその下の第一薄膜を溶解しつつ、蒸発していく。高分子溶液が蒸発する際には、液滴５２の内部に中央部から外縁部へと向かった微小流が発生する。これは液滴５２のコンタクトライン（外縁部）がピニングされ（固定され）、簡単には移動できない事に由来する。その結果、コンタクトライン付近の第一溶媒の蒸発分が中央からの液の移動で補われ、中央部から外縁部に向かった微小流が発生するのである。第一溶媒に溶けた第一高分子材料（第一薄膜の構成要素）も第二高分子材料も、この微小流に乗って、コンタクトライン付近へと集められる。こうして図１（ｂ）に示す様な、中央部付近が窪み、外縁部付近が盛り上がったクレータ状の凹凸が形成される。中央部付近の窪みが十分に薄ければ、前述の如く、第一高分子材料と第二高分子材料は、平面視で石垣状に相分離して、二次元的に其々のドメインを形成する。その後に、図１（ｃ）に示す様に、第二高分子材料のドメインを第二溶媒で除去して、貫通孔３２を形成する。
【００４６】
以上の原理から、この方法で貫通孔３２を開口させるには、（１）第一薄膜が、滴下される高分子溶液に容易に溶ける事、即ち、第一溶媒に第一高分子材料が良く溶ける事、（２）高分子溶液と第一薄膜の接触角が１５°程度以上有り、余り濡れ広がらない事、（３）高分子溶液の乾燥速度が遅く（即ち、第一溶媒の蒸発速度が遅く）、第一薄膜が高分子溶液に溶け、それが微小流に乗って移動すると共に、第一高分子材料と第二高分子材料とが界面エネルギーを下げるべく（相分離して其々のドメインを作るべく）移動するだけの時間がある事（即ち、第一溶媒の沸点が高い事）、（４）高分子溶液の粘度が或る程度低く（即ち、高分子溶液中に溶ける第二高分子材料の濃度が或る程度低く）、液の移動が可能である事、（５）高分子溶液の乾燥時に第一高分子材料と第二高分子材料とが相分離する事（即ち、第一高分子材料と第二高分子材料は互いに相溶性が低く、容易に相分離し、且つ高分子溶液中に溶ける第二高分子材料の濃度が或る程度高い事）、（６）第二溶媒に接触させる前には中央部付近の窪みが１００ｎｍ以下と十分に薄く、厚み方向は均一で（厚み方向には相分離が生じて居らず）、相分離は二次元的に（平面状に）生じている事、の六点が重要であると理解できる。
【００４７】
実験によると、微細な貫通孔を形成するには、高分子溶液の表面張力は３５ｍＮ／ｍ以上、理想的には４０ｍＮ／ｍ以上ある事が好ましい。実際に、高分子溶液の表面張力が概ね４０ｍＮ／ｍ程度で有ると、ＰＭＭＡに対する接触角は１５°程度となり、２０ｐＬの液滴５２で、直径が１００μｍ程度の外縁周（図１（ｃ）で盛り上がった頂点部）と直径が２０μｍから３０μｍの窪み部（図１（ｂ）で中央部付近）を形成して、貫通孔３２が開口される。第一溶媒にシクロヘキサノールアセテートを用いると、優れた溶解性を示すが、沸点が１７３℃と低い為に、一回の滴下で１０ｎｍ程度しか掘れない。従って、深い貫通孔を形成するには、第一溶媒の沸点が１８０℃よりも高い事が好ましい。第一高分子材料と第二高分子材料とが相分離を起こすには、第二高分子材料の分子量が５００以上ある事が望ましい。更に、乾燥時に高分子溶液の粘度が或る程度低い為には、第二高分子材料の分子量は５００００以下である事が望ましい。又、乾燥時に粘度が低い状態を或る程度の期間維持し、貫通孔を形成するには、高分子溶液中に溶ける第二高分子材料の濃度が３％未満である事が望まれる。更に、第一高分子材料と第二高分子材料とが相分離する為には、高分子溶液中に於ける第二高分子材料の濃度が０．０２％以上である事が望ましい。
【００４８】
又、実験によると、中央部付近の窪みが１００ｎｍ以下になると、第二溶媒に浸す事で貫通孔３２を形成できるが、中央部付近の窪みがこれよりも厚いと、第二溶媒に浸す事の貫通孔形成が困難となる。これは厚み方向で相分離をしている為と考えられる。粘度に関しては、高分子溶液はインクジェット法５１にて吐出されるので、その粘度は１ｍＰａ・ｓから５ｍＰａ・ｓの範囲にある事が望ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上であれば、容易にインクジェット法５１で高分子溶液を滴下でき、５ｍＰａ・ｓ以下で有れば、高分子溶液に微小流が生じて、貫通孔３２を開口できる。ここで滴下した高分子溶液の粘度は約２ｍＰａ・ｓで、表面張力は凡そ４４ｍＮ／ｍ、γブチロラクトンの沸点は２０７℃であった。高分子溶液滴下工程時の温度や風速などにて定まる第一溶媒の蒸発速度にも依存するが、これらの条件を満たし、通常の作業環境（温度２０℃から３０℃、相対湿度３０％から８０％、空気のダウンフロー風量０．０１ｍ／ｓから０．１ｍ／ｓ）で、２０ｐＬ程度の液滴５２を一回、滴下すると２００ｎｍから４００ｎｍ程度の深さの穴を形成でき、４０ｐＬ程度の液滴５２を一回、滴下すると４００ｎｍから６００ｎｍ程度の深さの穴を形成できる。従って、第一薄膜の厚さが４００ｎｍ程度未満で、４０ｐＬ程度の液滴５２を用いれば、図１（ｃ）に示す様に、一回の溶剤滴下で貫通孔３２を形成できる。第一薄膜がより厚い場合や、溶解性が不十分な場合には、液滴５２を同じ位置に複数回滴下して貫通孔を形成する。この場合には、インクジェット法５１で単一の溶液（即ち、高分子溶液）を滴下させるので（複数の溶液を打ち分ける必要はないので）、高分子溶液滴下工程は容易である。
【００４９】
尚、通常、インクジェット法５１で簡単に吐出できる液滴５２の体積は６ｐＬ程度から１４ｐＬ程度である（直径が２５μｍのノズルを用いた場合）。従って、例えば、「２５ｐＬの液滴５２を一回、滴下」とは、厳密に言うと６．３ｐＬの液滴５２を最初に吐出された液滴内に連続して４滴吐出し、乾燥させる事を意味している。又、２５ｐＬの液滴５２を三回滴下するとは、６．３ｐＬの液滴５２を同一地点に４滴連続して吐出し、数秒間乾燥させるサイクルを三回繰り返した事を意味している。勿論、ノズル径やインクジェット法５１の駆動方法を変えれば、もっと体積の大きい液滴（例えば２５ｐＬの液滴）を一回で吐出する事もできるので、こうした方法を適応しても良い。
【００５０】
「第二溶媒接触工程」
高分子溶液滴下工程が終了し、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる。これが第二溶媒接触工程である。第二溶媒は、前述の如く、第一高分子材料は溶解させないが、第二高分子材料を溶解させるので、この工程により、液滴が着弾した中央部付近に残った第二高分子材料のドメインが除去されて、貫通孔３２が開口する。ここでは２７℃のイソプロピルアルコールに基板を２分間浸漬した。第二高分子材料のドメインの厚みが１００ｎｍ以下と薄いので、１分未満の短時間の浸漬で第二高分子材料をクレータ状窪み部から除去できるが、工程を安定的に行う立場から浸漬時間は１分以上とするのが好ましい。又、生産性を高める立場と、浸漬による絶縁膜ダメージを最小にする立場とから、浸漬時間は１０分以下とする事が望ましい。第二溶媒の温度は２０℃から９０℃程度とする。尚、ここでは基板を第二溶媒に浸漬したが、第二溶媒をシャワー状に散布したり、基板上を流したりしても良い。
【００５１】
以上詳述して来た様に、高分子溶液滴下工程と第二溶媒接触工程とを施す事で第一薄膜のパターニング（貫通孔形成）が完了する。尚、図１（ｃ）には、中央部付近に第一高分子材料のドメインが残った様子を示してあるが、この中央部の第一高分子材料のドメインは必ず残る訳ではない。材料の組み合わせ方や、高分子溶液の滴下条件に応じては、中央部付近の窪みを第二高分子材料で完全に置き換える事も可能である。一方、本実施形態の貫通孔形成方法を実施すると、図１（ｂ）や図１（ｃ）に示される様に、外縁周近傍に第二高分子材料のドメインが形成される。この第二高分子材料は第二溶媒接触工程によって除去され得るが、ドメインの痕は必ず残る。
【００５２】
「第三溶媒滴下工程」
前述の如く、第一薄膜が厚い場合や、高分子溶液への第一高分子材料の溶解性が不十分な場合には、液滴５２を同じ位置に複数回滴下して貫通孔を形成すれば良いが、インクジェット法５１で複数の異なった溶液を滴下可能な場合には、高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行うのが好ましい。第三溶媒滴下工程とは、第三溶媒を第一薄膜に滴下する工程であり、第三溶媒は第一高分子材料を良く溶かす溶媒である。第三溶媒滴下工程を行う場合、高分子溶液滴下工程は第三溶媒が乾燥した後に行う。
【００５３】
第三溶媒は第一溶媒と同一としても良いし、第一溶媒よりも第一高分子材料を良く溶かす溶媒としても良い。理想は第一高分子材料を最も容易に溶かす溶媒である。具体的には、第一高分子材料がアクリル系高分子、或いは、フッ素系芳香族高分子、或いは、水酸基やカルボニル基などの極性官能基を有するオレフィン系高分子の場合、第三溶媒はエーテル系溶剤（エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、１，４−ジオキサン、２−メトキシ−２−メチルプロパン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等）、或いはグリコールジエーテル（グライム）系溶剤（トリエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等）、或いはケトン系溶剤（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、３，５，５−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン（イソホロン）等）、或いはエステル系溶剤（γブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシブチル、エチルグリコールアセテート、酢酸アミル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノールアセテート、グルタル酸ジメチル、エチルオクタノエート、安息香酸ブチル、二酢酸１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコールジアセテート等）、或いはグリコールエステル系溶剤（グリコールとのエーテル及びエステルを含む溶剤で、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等）、或いはエーテルとエステルを含む特殊溶剤（３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート等）のいずれかとなる。これらの内で取り分け溶解性に優れる第三溶媒としては、ラクトンの様に環状構造を持つ有機化合物で分子の環の一部としてエステル結合を含む物（例えばγブチロラクトン）や、環状ケトンの分子構造を持つ有機化合物（例えばイソホロン）、シクロアルカン環を有する有機化合物（例えばシクロヘキサノールのエステルで、シクロヘキサノールアセテート）らである。これら三種の内で沸点が１８０℃以上有る溶媒が第一溶媒に最適である（例えばγブチロラクトンやイソホロン）。第一高分子材料が単純なオレフィン系高分子の場合、第三溶媒は芳香族炭化水素（トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等）、或いは、環式の飽和炭化水素（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン等）とする。第三溶媒の一例として、第一高分子材料がＰＭＭＡ或いはフッ素系芳香族高分子の場合にはγブチロラクトンを用いる事ができ、第一高分子材料がポリシクロオレフィンの場合にはデカリンを使用できる。第三溶媒の好ましい表面張力や沸点、粘度は、前述した高分子溶液に対するそれらの範囲と同一である。
【００５４】
第三溶媒滴下工程では、第一薄膜に第三溶媒を一回乃至は複数回滴下し、クレータ状の窪みに残る薄皮状の第一高分子材料の厚みが１００ｎｍ未満になる様にする。この後に高分子溶液滴下工程を行うと、窪みに残留している第一高分子材料が僅かである為に、一回乃至は三回の高分子溶液滴下で、容易に且つ完璧に貫通孔３２を形成できる。
【００５５】
第三溶媒滴下工程を行わず、高分子溶液滴下を何度も繰り返す事でも貫通孔３２は形成できるが、高分子溶液滴下だけでは、これを繰り返している内にクレータ状の窪みに第二高分子材料が次第に蓄積して行き、液滴内での液の移動が難しくなって来る。これに対して、第三溶媒は、高分子材料を含まない分、粘度が低くなり、効果的に穴を掘り下げる事ができる。底部が十分に薄くなった後に高分子溶液を滴下すると、この溶液に再溶融する第一高分子材料の量は比較的少なく、第二高分子材料のドメインの割合が大きくなる。この理由により、第三溶媒滴下工程を先に行ってから、高分子溶液滴下工程を施した方が、貫通孔３２の形成は容易になる。
【００５６】
「配線接続工程」
次に、図２を用いて、上述のパターン形成方法による配線接続構造を説明する。
基板１０の表面には金属で第一配線１１３が形成されている。この第一配線１１３を機械的乃至は化学的に保護する目的で、これを覆う様に絶縁膜２１１が設けられて居る。絶縁膜２１１が第一薄膜である。この絶縁膜２１１には、上述のパターン形成方法にて貫通孔３２が形成されている。貫通孔３２はその開口部が２０μｍから３０μｍと小さいので、外部との電気的接続を容易にする為に、貫通孔３２を被覆する様に第二配線１３１が設けられて居る。即ち、図２では第二配線１３１が外部への接続端子となっている。尚、第二配線１３１は第一配線１１３とは絶縁膜２１１で分離されているが、配線構成から接続が必要となる箇所では、図２に示す様に貫通孔３２を介して接続される。
【００５７】
上述した通り、本実施形態に係わる回路基板の製造方法によれば、以下の効果を得る事ができる。
第一薄膜に高分子溶液を滴下した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて容易にヴィアホールなどのパターンを形成できる。而もヴィアホール以外に残された第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
【００５８】
又、第一薄膜に第三溶媒を滴下して、滴下された中央部付近に第一高分子材料が僅かしか残留しない状態にした後に、高分子溶液を滴下し、その後に第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて容易に且つ確実にヴィアホールなどのパターンを形成できる。而もヴィアホール以外の残った第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
【００５９】
又、第二高分子材料の分子量が５００以上なので、第二高分子材料は高分子としての特徴を示す。更に、第二高分子材料の分子量が５００００以下であるので、第一溶媒の乾燥期間に於ける高分子溶液の粘度は比較的長時間低く保たれる。これらの結果、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に形成できる。
【００６０】
（実施形態２）
図３及び図４、図５は、実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図である。また、図６及び図７は実施形態２に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した平面図である。尚、図３から図５は、図６及び図７のＡ−Ａ‘とＢ−Ｂ‘の断面に相当し、便宜上、図３（ａ）にのみＡ−Ａ‘とＢ−Ｂ‘の位置を記載してある。以下、図３から図７を用いて、回路基板の製造方法を説明する。
【００６１】
「回路基板の製造方法の概要」
まず図５（ｊ）を用いて概要を説明する。
本発明は、二種類の導電層とこれらを分離する二種類の絶縁層を備える回路基板１の製造方法に関する。回路基板１は主として印刷法を用いて製造され、この製造方法に適する様に、二種類の絶縁層にヴィアホール３１を開口して、二種類の導電層を互いに電気的に接続する技術に関する。図５（ｊ）では、二種類の導電層は、第一導電体からなるソースドレイン電極１１と第三導電体である画素電極１３である。又、二種類の絶縁層とは、第一薄膜であるゲート絶縁膜２１と第二絶縁膜である層間絶縁膜２２である。ゲート絶縁膜２１はソースドレイン電極１１などの第一導電体を被覆しており、その上に層間絶縁膜２２が設けられ、更にその上に画素電極１３が形成される。ソースドレイン電極１１上にはヴィアホール３１が開口されており、このヴィアホール３１を介して、ソースドレイン電極１１と画素電極１３とが接続されている。尚、第二導電体にてゲート電極１２などが形成され、ゲート電極１２と画素電極１３とは層間絶縁膜２２にて絶縁される。即ち、第一導電体と第二導電体とを絶縁するのが第一薄膜で、第二導電体と第三導電体とを絶縁するのが第二絶縁膜である。
【００６２】
この様な回路基板１を製造するのに以下の工程が実施される。まず、第一導電体形成工程として、基板上にソースドレイン電極１１などを形成する。次いで、第一薄膜成膜工程として、第一導電体を被覆する様にゲート絶縁膜２１を成膜する。ゲート絶縁膜２１は、実施形態１にて説明した第一高分子材料からなり、第一薄膜成膜工程も実施形態１の説明と同一である。次に、貫通孔形成工程として、ソースドレイン電極１１上のゲート絶縁膜２１に貫通孔３２を開口して、ソースドレイン電極１１の表面を露出させる。貫通孔形成工程には、実施形態１で説明したパターン形成方法を用いる。即ち、貫通孔形成工程は、高分子溶液滴下工程後に第二溶媒接触工程を行う。高分子溶液滴下工程は、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する工程である。第一溶媒が乾燥した後に行われる第二溶媒接触工程は、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる工程で、第二溶媒は、第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する。高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行っても良い。これらの溶媒と高分子材料も実施形態１に説明した通りである。その後、ソースドレイン電極１１の表面を撥液化させる撥液化工程を行う。次に、第二絶縁膜形成工程として、貫通孔３２以外の領域に層間絶縁膜２２の前駆体樹脂を印刷し、印刷後にこの前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する。前駆体樹脂は粘度が低く、印刷時に基板表面に塗れ広がるが、ソースドレイン電極１１が開口している部分は、撥液化処理が施されているので、塗れず、その部位は前駆体樹脂が塗布されない。こうしてヴィアホール３１が容易に、且つ確実に形成される。ヴィアホール３１が形成された後に画素電極１３が形成され、二種類の導電層は電気的に接続される。
【００６３】
以下、回路基板１の製造方法を工程毎に詳述する。尚、本実施形態では好適例として、上ゲート型で、半導体膜に有機物を利用した薄膜トランジスター（有機ＴＦＴ）を有するアクティブマトリックス基板を回路基板１に適応した場合について説明する。
【００６４】
「第一導電体形成工程と第一薄膜成膜工程」
図３（ａ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、第一薄膜成膜工程までを表している。基板１０はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムである。基板１０としては、ガラス基板や、アルミニウム若しくはステンレス等の金属基板、シリコンやＧａＡｓ等の半導体基板、プラスチック基板等、いかなる基板を用いる事もできるが、有機ＴＦＴは低温且つ簡易な方法で形成できる事から、これらの内でも価格が安く、軽量で、而も柔軟性に富むプラスチック基板を用いることが好ましい。
【００６５】
ＰＥＮフィルム以外で適応可能なプラスチック基板としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち一種、または二種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００６６】
基板１０上には金（Ａｕ）からなる第一導電体が設けられており、これらにて外部への接続する電極パッド１１１と、ソースドレイン電極１１、及び不図示のデータ線やその他の配線が形成されている。第一導電体材料としては、チオール化合物又はジスルフィド化合物の硫黄原子と結合が可能な材料を使用し、金以外には、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、やそれらの金属を用いた合金等が使用される。これらの他にも、第一導電体材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化錫、酸化亜鉛などの酸化物導電体を利用しても良い。これらの金属膜や酸化物導電体は真空蒸着法やスパッター法で均一な薄膜を堆積した後に、フォトリソグラフィー工程と湿式乃至は乾式のエッチング工程を経て、所定の形状にパターニングされる。或いは、エッチング加工が困難な材料では、所定の形状に穴が開けられたマスクを通じて金属膜を堆積（マスク堆積）しても良い。この他にも銀（Ａｇ）ナノコロイドの分散液をマイクロコンタクトプリンティングや凸板反転印刷法によって印刷しても良い。これが第一導電体形成工程に当たる。ここでは金をＰＥＮフィルム全面に真空蒸着した後にフォトリソグラフィー工程と湿式エッチング工程とを経て、第一導電体を形成した。尚、金の湿式エッチングにはヨウ素とヨウ化アルカリ（ヨウ化アンモニウム）の混合液を用いた。
【００６７】
第一導電体形成工程後に、有機半導体膜４１を印刷する半導体膜形成工程を行う。インクジェット法で、ソースドレイン電極１１間を結ぶ様に（チャネル形成領域を埋める様に）半導体材料を印刷する。ここでの有機半導体膜４１はポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コージチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）で、Ｐ型半導体特性を示す高分子型有機半導体である。この他に使用可能なＰ型の高分子型有機半導体材料としては、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ［５，５’−ビス（３−ドデシル−２チニル）−２，２’−ビチオフェン］（ＰＱＴ−１２）、ＰＢＴＴＴ等が挙げられる。印刷が可能な可溶性低分子有機半導体材料を用いる場合には、ＢＴＢＴやチオフェンオリゴマなどが挙げられる。有機半導体はπ結合を有するので、芳香族炭化水素（トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼンなど）に最も良く溶け、次いで環式の飽和炭化水素（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリンなど）から成る溶剤に溶解されて、印刷される。溶解時の半導体材料の濃度は０．３％から２．５％の範囲にある事が望ましく、理想的な範囲は０．５％から１．５％である。次工程で第一薄膜が塗布される為に、有機半導体は溶剤選択性が高い事が望ましい。具体的には、上述の様に半導体膜を印刷する為に芳香族炭化水素や環式の飽和炭化水素に良く溶け、且つ、次工程以降で安定である為に水やアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤には不溶である事が望まれる。この溶剤選択性の観点から、可溶性低分子有機半導体材料よりも高分子型有機半導体材料の方が好ましい。ここで用いたＦ８Ｔ２はデカリンに良く溶け、ケトン系溶剤やエステル系材料に対して安定である。半導体膜は、インクジェット法にて、デカリン中に濃度２％に溶かしたＦ８Ｔ２を印刷して形成した。半導体膜の厚みは１０ｎｍから２００ｎｍの範囲にある事が好ましく、理想的な範囲は３０ｎｍから６０ｎｍである。ここでの厚みは５０ｎｍであった。
【００６８】
半導体膜形成工程後に実施形態１で説明した第一薄膜成膜工程を行う。半導体膜を覆って第一薄膜であるゲート絶縁膜２１を設ける。ここでは厚みが５００ｎｍのポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）をスピンコートにて成膜した。ゲート絶縁膜２１は、この様に、絶縁性の第一高分子材料を基板全体に渡って一様に塗布する。この時に有機半導体膜４１を溶解させてはならないので、有機半導体材料が難溶性を示す溶剤（アルコール系溶剤又は、エーテル系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤）に可溶な絶縁性高分子を使用する。更に、この後に行われる撥液化工程や第二導電体形成工程（ゲート電極形成工程）、第二絶縁膜形成工程（層間絶縁膜形成工程で、前駆体樹脂の塗布と硬化）など、これ以降に行われる各種工程に対してゲート絶縁膜２１は安定で有らねばならない。これらの工程ではアルコール系材料やグリコール、グリセリンが使用されるので、絶縁性高分子はこれらに対して安定である必要がある。即ち、第一薄膜はアルコール系溶剤や材料に対しては難溶性を示し（溶け難く）、エーテル系溶剤或いはケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかには可溶性を示す（溶ける）材料である。実施形態１で説明した高分子材料の内では単純なオレフィン系高分子がゲート絶縁膜２１に使用できない。オレフィン系高分子を溶かした溶媒（芳香族炭化水素や環式の飽和炭化水素）が有機半導体膜４１を溶かして仕舞う為である。オレフィン系高分子を使用する際には極性官能機を付加した物とする。ゲート絶縁膜２１として使用可能な具体的な第一高分子材料は、ＰＭＭＡを始めとするアクリル系高分子、フッ素系芳香族高分子、水酸基やカルボニル基等の極性官能機を付加したオレフィン系高分子などで有る。アクリル系高分子はエステル基を有するので、酢酸ブチルなどのエステル系溶剤に良く溶け、エタノールやプロピレングリコールなどのアルコール系材料には殆ど溶けない。又、フッ素系芳香族高分子はカルボニル基やエステル基を有するので、フッ素系溶剤の他にケトン系溶剤やエステル系溶剤に良く溶けるが、エタノールなどのアルコール系溶剤には僅かしか溶けず難溶性を示す。極性官能基を有するオレフィン系高分子は、エーテル系溶剤やケトン系溶剤、エステル系溶剤に可溶で、矢張りエタノールなどのアルコール系溶剤には僅かしか溶けない。
【００６９】
後述する様に前駆体樹脂は水酸基を付与されたモノマーでこれを合成して第二絶縁膜とするが、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定なので、前駆体樹脂に対しても難溶性を示す事になる。第一薄膜の厚みは、１００ｎｍから１０００ｎｍの範囲にある事が望ましく、２００ｎｍから８００ｎｍの範囲内にある事がより好適である。
【００７０】
「貫通孔形成工程」
図３（ｂ）と（ｃ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、貫通孔形成工程を表している。貫通孔形成工程は、実施形態１で説明したパターン形成方法が適用され、高分子溶液滴下工程と第二溶媒接触工程とから成る。具体的には、図３（ｂ）に示す様に、まず高分子溶液滴下工程としてγブチロラクトンにポリビニルフェノールを０．２％の濃度に溶かした高分子溶液をインクジェット法５１で、ソースドレイン電極１１等の貫通孔を形成すべき場所の上に滴下した。ここでは、２５ｐＬ程度の高分子溶液の液滴５２を四回、滴下した。次に第二溶媒接触工程として、２７℃のイソプロピルアルコールに基板を２分間浸漬した。こうして、図３（ｃ）に示す様に、貫通孔３２が開口された。貫通孔形成工程が高分子溶液滴下工程と第二溶媒接触工程とから成ると、インクジェット法で溶液の切り替えを行う必要がないので、生産性に優れている。尚、高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行っても良い。この場合、まず第三溶媒滴下工程として、第一薄膜上に２５ｐＬ程度のγブチロラクトンの液滴５２を三回滴下し、次いで高分子溶液滴下工程として２５ｐＬ程度の高分子溶液の液滴５２を一回滴下する。最後に第二溶媒接触工程として、２７℃のイソプロピルアルコールに基板を２分間浸漬する。
【００７１】
「撥液化工程」
図３（ｄ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、撥液化工程を表している。又、図８は実施形態２に係わる回路基板の製造方法の内で撥液化工程終了時の状態を詳細に説明した図である。図３（ｄ）に示す様に、撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液６１に、第一導電体の表面を触れさせる。最も簡便な手法としては、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液６１に、貫通孔が形成された基板を数秒間から数分間程度の短時間浸す事である。チオール化合物又はジスルフィド化合物の硫黄原子は、第一導電体をなす金属原子と速やかに結合するので、こうした短時間の接触処理で、容易に第一導電体の表面は撥液化される。チオール化合物又はジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含んでいると（フッ素化アルキルチオール又はフッ素化アルキルジスルフィド、以降両者を合わせてフッ化アルキルチオール６２と略称する）、撥液性が増して更に好ましい。ここでは、
ＨＳ−（ＣＨ2）6−（ＣＦ2）7−ＣＦ3
の化学式で表されるフッ化アルキルチオール６２を用いた。
【００７２】
図８（ｂ）に示す様に、チオール化合物やジスルフィド化合物の硫黄は金などの金属と強固に結合し、フッ化アルキルチオール６２で覆われた表面にはフッ素化アルキル鎖が覆い尽くし、表面エネルギーを下げる。その結果、金属表面の水に対する接触角は１００°から１４０°程度に大きくなる。この様に、撥液化処理とは、第一導電体の表面エネルギーを下げて、水に対する接触角を９０°以上にする処理である。
【００７３】
フッ化アルキルチオール６２は、アルコール溶媒（エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど）に０．００５％から１％の濃度で溶解される。濃度は、０．０５％から０．５％がより好適な範囲となる。濃度が０．２％前後の溶液に基板を浸漬すると、図８（ａ）に示す様に、貫通孔３２部のソースドレイン電極１１が露出した露出部は、ほぼ瞬間的に（１秒以下の極短時間内に）フッ化アルキルチオール６２で覆われる。但し、工程を安定的に行う立場から、浸漬時間は１分以上とするのが好ましい。又、生産性を高める立場と、浸漬による基板ダメージを最小にする立場とから、浸漬時間は３分以下とする事が望ましい。ここでは、上述のアルキルチオールをエタノールに０．２％の濃度に溶解させた。
【００７４】
フッ化アルキルチオール６２は、フッ素系溶媒にも溶解するので、これをフッ化アルキルチオール６２の希釈溶媒としても良い。但し、この場合、第一薄膜はアルコール系溶剤やアルコール系材料とフッ素系溶剤との両者に対して難溶性を示し、エーテル系溶剤或いはケトン系溶剤、エステル系溶剤、のいずれかには可溶性を示す高分子材料でなければならない。具体的には、アクリル系高分子か、フッ素系芳香族高分子、フェノール系高分子、或いはオレフィン系高分子などである。
【００７５】
チオール化合物又はジスルフィド化合物は、必ずしも硫黄原子から伸びる主鎖がフッ素で置換されている必要性はない。水に対する接触角が９０°以上となる主鎖であれば、フッ化物でなくとも撥液化工程に使用可能である。硫黄原子から伸びる主鎖がフッ素化されていると、水に対する接触角を容易に１１０°以上にする事ができ、優れた撥液性を示す事ができる。フッ化アルキルチオール６２には、
ＨＳ−（ＣＨ2）k−Ｏ−（ＣＨ2）l−（ＣＦ2）m−ＣＦ3や
ＨＳ−（ＣＨ2）k+l−（ＣＦ2）m−ＣＦ3
の化学式で表される材料を用いることができる。硬く体積の大きいフッ素化アルキルに対して、柔軟で体積の小さいアルキル鎖を導入して、緻密なＳＡＭ膜を形成するには、ｋ＋１の値は４以上１６以下の範囲にある事が好ましく、ｌの値は０以上３以下の範囲にある事が好ましい。優れた撥液性を示させるにはｍの値は１以上が必要となり、アルコール系溶剤などへ溶解させる為にはｍの値は１１以下が望ましい。ｍの値が１２以上になるとアルコール系溶剤への溶解性が低下し、撥液化工程に使用するのが困難となる。尚、フッ素化アルキルに代わり、これらの一部乃至は全部を、フッ素化された脂環式炭化水素で置換しても良い。
【００７６】
尚、ここでは基板をフッ化アルキルチオール６２を含む溶液に浸したが、露出した複数の第一導電体の内で、そのいくつかを撥液化し、残りは撥液化させたくない場合には、撥液化させたい貫通孔３２部にのみインクジェット法で、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液６１を滴下しても良い。
【００７７】
又、前述の如く、第一導電体材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化錫、酸化亜鉛などの酸化物導電体を利用した場合には、チオール化合物又はジスルフィド化合物に代わり、酸化物に吸着するリン酸やホスホン酸、脂肪酸、有機シランなどの化合物を用いて撥液化する。具体的にはフッ化アルキル基を有するリン酸エステル、又は、フッ化アルキル基を有するリン酸エステル塩、フッ化アルキル基を有するアルコールとリン酸とのエーテル、フッ化アルキル基を有するホスホン酸、フッ化アルキル基を有するホスホン酸エステル、フッ化アルキル基を有するホスホン酸エステル塩、カルボキシ基とフッ化アルキル基とを有する化合物（フッ化アルキル基を有する脂肪酸）、フッ化アルキル基を有するシランカップリング剤などの化合物を用いる。
【００７８】
「親水性電極形成工程」
図４（ｅ）と（ｆ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、親水性電極形成工程を表している。又、図６（ａ）は図４（ｆ）に対応する平面図である。親水性電極形成工程は、図４（ｅ）に示す様に、第一導電体の内で、第二導電体と接続されるべき場所にある第一薄膜を除去して親水性の（撥液性でない）電極表面を持つ貫通孔を形成する工程である。この工程も貫通孔形成工程と同様、実施形態１にて説明したパターン形成方法を適応する。
【００７９】
回路基板１には、第一導電体と第二導電体との接続が必要となる場合がある。例えば、外部の制御回路に走査線を接続する電極パッド１１１では、第一導電体の電極パッドと第二導電体の走査線とを接続したい場合がある。又、例えばインバーターの直列回路や有機ＥＬディスプレイの画素回路を構成する場合、一つのトランジスターの出力（ドレイン電極、第一導電体）が別のトランジスターの入力（ゲート電極、第二導電体）に接続される事がある。この様に回路基板１によっては、第一導電体と第二導電体との接続が必要となる場合が見られる。こうした際に、この親水性電極形成工程を行う。これは第一導電体と第二導電体の電気的接続安定性を高める為と、次の第二導電体形成工程を印刷法で行いたい為とによる。第一導電体表面が撥液性である場合には接続不良が発生し易いので、歩留まり良く電気的接続を得るには第一導電体表面は親水性である事が望まれる。又、第二導電体の印刷法では水やアルコール系溶剤を用いた導電体用インクを用いるので、第一導電体表面が撥液性であると、導電体用インクがはじけてしまい、貫通孔部に第一導電体を描画できない。これらの理由から、第一導電体と第二導電体との接続が必要となる場所の第一導電体表面は親水性である事が望まれる。
【００８０】
親水性電極形成工程は、図４（ｅ）に示す様に、まず高分子溶液滴下工程としてγブチロラクトンにポリビニルフェノールを０．２％の濃度に溶かした高分子溶液を、親水性電極を形成したい第一導電体上（例えば電極パッド１１１上）の第一薄膜にインクジェット法５１で滴下した。ここでは、２５ｐＬ程度の高分子溶液の液滴５２を四回、滴下した。次に第二溶媒接触工程として、２７℃のイソプロピルアルコールに基板を２分間浸漬した。こうして、図４（ｆ）や図６（ａ）に示す様に、電極パッド１１１上など、親水性の電極開口部が必要となる部位に貫通孔３２が設けられる。尚、貫通孔形成工程に記述した様に、高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行っても良い。
【００８１】
尚、前述の如く、撥液化工程にインクジェット法を用いて、複数の第一導電体開口部の内を、選択的に撥液化し得る場合には、この親水性電極形成工程は不要となる。その場合、貫通孔形成工程時に総ての貫通孔３２を開口させ、撥液化工程時に撥液性の電極表面と親水性の電極表面とをインクジェット法を用いて作り分ける。具体的には、何も処理しない電極表面は親水性なので、撥液性の電極表面が欲しい貫通孔３２にのみフッ化アルキルチオール６２を滴下する。
【００８２】
「第二導電体形成工程」
図４（ｇ）は、本実施形態の回路基板１の製造工程中で、第二導電体形成工程を表している。又、図６（ｂ）は図４（ｇ）に対応する平面図である。第二導電体形成工程は、撥液化工程後に、第一薄膜上に第二導電体を形成する工程である。
【００８３】
図４（ｇ）に示す様に、第二導電体は、導電体用インク５３をインクジェット法５１で滴下して、その後に焼成することで、ゲート電極１２や不図示の走査線と云った第二導電体のパターンを形成する。導電体用インク５３としては、低温で焼成可能な銀ナノ粒子を分散させたインクを用いることが望ましい。ここでは銀ナノ粒子を水とプロパンジオールとの混合溶媒に分散させた導電体用インク５３（以下、銀インクと略称する）を用いた。線幅が４０μｍ程度の細い線をインクジェット法５１で印刷するには、導電体用インク５３の表面張力が４０ｍＮ／ｍ以上で６０ｍＮ／ｍ以下の範囲に入る様にする事が望まれる。こうすると有機物絶縁体上に滴下されたインクの濡れ広がりを小さく制御でき、細い配線が描画される。又、インクジェット法５１で印刷する為には、導電体用インク５３の粘度が１ｍＰｓ・ｓ以上２０ｍＰｓ・ｓ以下の範囲内に調整されている事が必要となる。更に、導電体用インク５３の焼成中に半導体材料などの有機物の機能劣化を防ぐために、導電体用インク５３は８０℃から１５０℃の温度範囲内の処理条件で焼成できる事が望ましい。ここで用いた銀インクは大気中、１００℃で３０分の熱処理を施すことで、焼成後に比抵抗が５０μΩｃｍ以下の十分に低い導体となった。
【００８４】
導電体用インク５３の分散媒としては、表面張力が７２ｍＮ／ｍと大きい水、或いはグリコール、或いはこれらの混合溶媒を含む物が、表面張力が大きく、好ましい。水だけでは粘度が低過ぎたり、或いは表面張力が高過ぎたりして、連続した線を描くのが困難な場合には、水にアルコール系溶剤やジオール系溶剤、或いはグリセリン系溶剤を添加する。
【００８５】
銀インクの他には、上述の分散媒にカーボン（カーボンブラックやグラファイト、カーボンナノチューブ、フラーレン、グラフェンなど）を分散させたインクを用いる事もできる。尚、本実施形態では、第二導電体の表面を撥液化させたくなかったので、第二導電体形成工程に先立って、撥液化工程を行った。カーボンを分散させたインクを用いる場合、カーボンインク表面は、撥液化工程を施しても、撥液化されない。従って、この場合には第二導電体形成工程後に撥液化工程を行っても良い。
【００８６】
図６（ｂ）に示す様に、銀インクを、親水性の電極開口部を有する電極パッド１１１から走査線やゲート電極１２へと印刷する。これにより、第一導電体からなる電極パッド１１１と走査線及びゲート電極１２とを接続できる。外部の制御回路に接続する配線と電極バッドは、フォトリソグラフィー工程を利用した第一導電体のパターンで形成されている為、ライン・アンド・スペスが５０μｍ以下と云った高密度な配線が可能で、回路基板１を利用した電子機器の小型化に役立つ。
【００８７】
「第二絶縁膜形成工程」
図５（ｈ）と（ｉ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、第二絶縁膜形成工程を表している。又、図７（ｃ）は図５（ｉ）に対応する平面図である。第二絶縁膜形成工程は、回路基板に第二導電体があれば、第二導電体形成工程後に行われる。
【００８８】
第二絶縁膜は層間絶縁膜であり、主として第二導電体と第三導電体とを電気的に分離している。第二絶縁膜を形成するには、図５（ｈ）に示す様に、まず層間絶縁膜の前駆体樹脂を、貫通孔３２を避ける様に印刷し、次いで図５（ｉ）に示す様に、前駆体樹脂の反応を促進させて第二絶縁膜とする。前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含んでおり、アルコール系溶剤に可溶である。又、前駆体樹脂は光硬化性樹脂である事が好ましい。ここではアルコール系溶剤に可溶である、ヒドロキシ型アクリルモノマー（アクリル酸乃至はメタクリル酸と多価アルコールとのエステル）を含む紫外線硬化性樹脂（以降、ＵＶインク５４と略す）を前駆体樹脂とした。
【００８９】
図５（ｈ）に示す様に、まずＵＶインク５４を貫通孔３２以外の領域（即ち第一薄膜と第二導電体とが存在している領域）にインクジェット法５１で滴下する。ＵＶインク５４等の前駆体樹脂は、インクジェット法５１に適する用に調製され、モノマーが主成分とされる。高分子成分は前駆体樹脂に含まないか、含んでも僅かである。モノマーは極性を高めるべく、−ＯＨ基を含んでいる事が望ましい。こうしたモノマーとしては、ジエチレングリコールモノ２−エチルヘキシルエーテルアクリレートや、テトラエチレングリコールモノフェニルエーテルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレートなどが使用され得る。こうしたアクリル系モノマーは−ＯＨ基を含む為に極性が高く、溶解度パラメーター（ＳＰ値）は９．５以上である。その為に、ゲート絶縁膜２１の高分子を溶解することがなく、ゲート絶縁膜２１との密着性も高い。
【００９０】
この様に前駆体樹脂はＳＰ値が９．５以上となるモノマーとし、これを有機溶媒と同等の表面張力（２０ｍＮ／ｍ〜３５ｍＮ／ｍ）で、粘度も同等で１０ｍＰａ・ｓから３０ｍＰａ・ｓの範囲に調整して、インクジェット法５１で容易に吐出できる様にする。表面張力が比較的低く、低粘度である為に、有機絶縁体上や金属材料上では、ＵＶインク５４は着弾後にその径の５倍以上の径に均一に広がる。一方で、撥液化された電極の露出部では、濡れ角が４５°以上ある為に、前駆体樹脂の濡れ広がりは抑制される。その結果、撥液化された電極の露出部がＵＶインク５４で覆われないまま、前駆体樹脂は第一薄膜と第二導電体との上を広がっていく。こうしてインクジェット法５１で均一な液状膜が印刷される。
【００９１】
第二絶縁膜の厚みは、ＵＶインク５４の滴下量を調整する事により、制御される。本実施形態の様に、フィルム上に形成されたＴＦＴの層間絶縁膜２２を第二絶縁膜に利用する場合には、ＴＦＴを機械的に保護する点においても、第一導電体乃至は第二導電体と第三導電体との寄生容量を最小にする点においても、層間絶縁膜２２の厚みは１μｍ以上とする事が望ましい。層間絶縁膜２２が２０μｍを超える厚さでは、ＵＶインク５４が硬化する際の体積変化の影響で、基板に反りが出てしまう為、この厚さ以下であることが望ましい。又、滴下するインクの量が多すぎると、露出部での濡れ角を越えてしまい、撥液化された電極の露出部をＵＶインク５４が覆わない状態を維持する事ができなくなる。前駆体樹脂の有機絶縁体上での濡れ角は、４５°以上で、７０°乃至は９０°以下である。液状膜の厚みが２０μｍを超えると、液の自重と表面張力とから理論的に定まる接触角が先の濡れ角を超えてしまう。こうなると、撥液化された電極の露出部も前駆体樹脂に覆われてしまうので、理論的に定まる接触角が先の濡れ角を超えない滴下量に抑える必要がある。
【００９２】
次に、図５（ｉ）に示す様に、ＵＶインク５４に紫外線５５を照射して、ＵＶインク５４を硬化させ、ヴィアホール３１を形成する。硬化を完全に行なう為に、紫外線照射に加えて、加熱処理を行っても良い。ＵＶインク５４を印刷後に紫外線５５を照射しているので、電極の露出部以外は平坦な第二絶縁膜が得られる。尚、ここでは、ＵＶインク５４を印刷した後、一括して紫外線５５を照射したが、ＵＶインク５４を印刷すると同時に紫外線５５を照射しても良い。この場合は濡れ広がりが化学反応で抑制され、電極の露出部にＵＶインク５４を塗布せぬ制御性が増す。インクジェットのヘッドに隣接してＬＥＤを光源とする紫外線照射装置を設けることによって、小型の装置を実現する事ができる。
【００９３】
尚、ＵＶインク５４はアクリル系モノマーに限られず、エポキシ系モノマー等を用いても良い。更に、前駆体樹脂はＵＶインク５４に限られ事はなく、熱硬化性樹脂であっても良い。これらの場合も前駆体樹脂がゲート絶縁膜を溶解してはならないので、エポキシ系モノマーや熱硬化性樹脂の中に水酸基を導入して極性を上げておく。
【００９４】
インクジェット法で１μｍ以上の厚みを有する第二絶縁膜を形成するには、上述の硬化性モノマーを利用する方法の他に、表面処理された微粒子と高分子材料との分散系を利用する方法であっても良い。例えば、シリカの微粒子を、有機溶剤に分散する様に、レシチンなどの界面活性剤にて表面処理をし、これをバインダー用の高分子樹脂と混ぜて分散液とする。この分散液は低粘度の前駆体樹脂となり、インクジェット法で印刷ができる。而も、これが乾燥した後には、第二絶縁膜の厚さは１μｍ以上と比較的大きくし得る。
【００９５】
「第三導電体形成工程」
図５（ｊ）は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、第三導電体形成工程を表している。又、図７（ｄ）は図５（ｊ）に対応する平面図である。第二絶縁膜が形成された後に、ヴィアホール３１を含む領域に第三導電体を形成する。ここでは、第三導電体は画素電極１３である。
【００９６】
画素電極１３はカーボンインクを使用して、スクリーン印刷で形成される。スクリーン印刷は印刷速度が速く生産性に優れる。その一方で、スクリーンが被印刷体に接触して印刷を行うので、この印刷法を有機ＴＦＴの製造に用いると、薄膜層を傷つける恐れがある。ところが本実施形態では、硬化された厚い第二絶縁膜が最表面を覆っているので、スクリーン印刷の様な接触して印刷を行なう方式でも、有機ＴＦＴの欠陥に繋がらず、優れた生産性と容易な印刷工程と云った長所を享受できる。しかも第二絶縁膜の反応が終了しているので、カーボンインクの溶媒も特に制限されない。
【００９７】
カーボンインクは、カーボン（カーボンブラックやグラファイト、カーボンナノチューブ、フラーレン、グラフェンなど）が有機溶剤に分散されている。有機溶剤としてはケトン系溶剤やエステル系溶剤、エーテル系溶剤等が使用される。カーボンインクの粘度は、スクリーン印刷に適する様に、２０００ｍＰａ・ｓから２００００ｍＰａ・ｓの範囲へと調整される。こうすると、撥液化された第一導電体表面に印刷されても、カーボンインクは弾かれず、電気的にも接続される様になる。又、画素電極１３の大半は層間絶縁膜２２の上に形成されているので、画素電極１３が剥がれる事もない。但し、電気的接続の信頼性や歩留まり等を考えると、画素電極１３の印刷に先立ち、酸素プラズマ等のプラズマ処理やオゾン照射処理などを施して、フッ化アルキルチオール６２を第一導電体表面から除去しておく事が望ましい。以上の工程を経て有機ＴＦＴを有する回路基板１が製造される。
【００９８】
上述した通り、本実施形態に係わる回路基板の製造方法によれば、以下の効果を得る事ができる。
第一導電体上の第一薄膜に、実施形態２で詳述したパターン形成方法を用いて貫通孔３２を開口して第一導電体の表面を露出させ、第一導電体の表面を撥液化させてから、貫通孔３２以外の領域に前駆体樹脂を印刷して第二絶縁膜を形成するので、印刷法にて回路基板１にヴィアホール３１を容易に開口できる。而も回路基板１に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない為に、優れた回路特性を示す回路基板１を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
【００９９】
又、撥液化工程後に、第一薄膜上に第二導電体を形成するので、第一導電体で貫通孔３２が開口している部位のみが選択的に撥液化され、第二導電体は撥液化されない。こうして、次の第二絶縁膜形成工程では、第二導電体上に均一に前駆体樹脂を印刷でき、第二導電体を第二絶縁膜にて電気的に絶縁する事ができる。
【０１００】
又、第二絶縁膜形成工程後に、貫通孔３２を含む領域に第三導電体を形成するので、第一導電体と第三導電体との間で、電気的に導通を取る事ができ、印刷法にて、複雑で高機能な回路を有する回路基板１を製造する事ができる。
【０１０１】
又、第一導電体形成工程後に、有機半導体膜４１を印刷し、その後に第一薄膜成膜工程を行うので、回路基板１に有機物薄膜トランジスターを形成できる。更に、第一導電体形成工程の工程自由度が高く、高性能な薄膜トランジスターを製造する事ができる。又、有機半導体膜４１やゲート絶縁膜２１の形成に先立って、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程を利用できるので、チャンネル形成領域長を数ミクロン、乃至はそれ以下へと、極めて短くする事ができ、スケーリングメリットを生かした薄膜トランジスター回路を回路基板１に設ける事が可能となる。
【０１０２】
又、有機半導体膜４１はエーテル系溶剤に対しても、ケトン系溶剤に対しても、エステル系溶剤に対しても、フッ素系溶剤に対しても難溶性を示すので、有機半導体を含むインクを準備できる。即ち、有機半導体をインクジェット法５１などの印刷法で、回路基板１に求められる形状に印刷できる。
【０１０３】
又、第一薄膜はエーテル系溶剤又は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかに可溶であるので、印刷法にて第一薄膜を形成できる。又、第一薄膜に対する選択肢が広いので、回路基板１の機能を最大にする事ができる。更に、第一薄膜をトランジスターのゲート絶縁膜２１として利用する場合には、第一薄膜材料が有機半導体膜４１を溶かさないので、優れた特性を示す薄膜トランジスターを回路基板１に作製する事ができる。
【０１０４】
又、第一薄膜はアルコール系溶剤に対して難溶性を示すので、撥液化工程や第二導電体形成工程、及び第二絶縁膜形成工程に、アルコール系材料乃至はアルコール系溶剤に対して可溶な材料を使用でき、更に、これらの工程中に第一薄膜が損傷を受ける事もないので、第一薄膜は、回路基板１にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
【０１０５】
又、第一薄膜は前駆体樹脂に対して難溶性を示すので、第二絶縁膜形成工程中に第一薄膜が前駆体樹脂によって損傷を被ることはなく、第一薄膜は、回路基板１にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
【０１０６】
又、貫通孔形成工程は、第一薄膜に高分子溶液を滴下した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて微細な貫通孔３２を容易に形成できる。
【０１０７】
或いは、貫通孔形成工程は、第一薄膜に第三溶媒を滴下して、滴下された中央部付近に第一高分子材料が僅かしか残留しない状態にした後に、高分子溶液を滴下し、その後に第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて微細な貫通孔３２を容易に、且つ確実に形成できる。
【０１０８】
又、撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液６１に、第一導電体の表面を触れさせるので、数秒から数分程度の短時間の接触で容易に第一導電体の表面のみを選択的に撥液化させる事ができる。
【０１０９】
又、チオール化合物がフッ素化アルキル鎖を含むので、チオール化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
【０１１０】
又、ジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含むので、ジスルフィド化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
【０１１１】
又、前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含み、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、前駆体樹脂が第一薄膜に損傷を及ぼす事を避けられる。
【０１１２】
又、前駆体樹脂はアルコール系溶剤に可溶であるので、その溶液の濃度を比較的自由に調整でき、各種印刷法を第二絶縁膜形成工程に適応できる。更に、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、第二絶縁膜形成工程が第一薄膜に損傷を及ぼす事を避けられる。
【０１１３】
又、前駆体樹脂は光硬化性樹脂であるので、光照射する事で、速やか且つ容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
【０１１４】
又、前駆体樹脂は熱硬化性樹脂であるので、簡単な熱処理で、容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
【０１１５】
又、回路基板１は、ゲート絶縁膜２１を備えるトランジスターを有し、第一薄膜がゲート絶縁膜２１として機能しているので、高機能回路を有する回路基板１を実現する事ができる。
【０１１６】
「電気光学装置」
図９は、実施形態２で詳述した回路基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリックス基板を模式的に示す平面図である。
【０１１７】
アクティブマトリックス基板８１には画素回路が行列状に並んで、画素領域７１をなしている。各画素回路には有機ＴＦＴ７２と画素電極１３が設けられており、有機ＴＦＴ７２のスイッチング動作にて、画素電極１３への信号線７３からの表示情報が制御される。具体的には有機ＴＦＴ７２のゲート電極１２が走査線７４に接続し、ソースドレイン電極１１の一方が信号線７３に接続し、ソースドレイン電極１１の他方が画素電極１３に接続している。複数の走査線７４は走査線用の電極パッド１１１に連なり、シリコンチップよりなる外部の制御回路に接続される。同様に複数の信号線７３も信号線用の電極パッド１１１に集められ、シリコンチップよりなる外部の制御回路に接続される。
【０１１８】
図５（ｊ）に示す様に、ソースドレイン電極１１と電極パッド１１１、及び不図示の信号線７３が第一導電体にて形成され、ゲート絶縁膜２１が第一薄膜となり、ゲート電極１２と走査線７４が第二導電体にて形成され、層間絶縁膜２２が第二絶縁膜となり、画素電極１３が第三導電体にて形成されている。こうした構成のアクティブマトリックス基板８１を製造するのに実施形態２で詳述した回路基板１の製造方法が適応された。
【０１１９】
図１０は、上述のアクティブマトリックス基板を用いた電気光学装置を模式的に示す断面図である。
【０１２０】
電気光学装置８０はアクティブマトリックス基板８１とフロント基板８２とを有し、両基板間に電気光学材料が挟持されている。電気光学材料は電気泳動材料８３で、それ故に電気光学装置８０は電気泳動ディスプレイとなっている。フロント基板８２の表面には共通電極８６が形成されている。電気光学材料は両基板の表面に均一にほぼ全面に渡って配置されている。又、共通電極８６もフロント基板８２の表面のほぼ全面に形成されている。電極パッド１１１にはフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ８４）が接続されている。外部の制御回路からの表示信号はＦＰＣ８４と各画素の有機ＴＦＴ７２とを介して、其々の画素電極１３に供給される。アクティブマトリックス基板８１とフロント基板８２との外側には保護シート８５が貼られ、電気光学装置８０の機械的耐久性と化学的安定性とを高めている。
【０１２１】
この様な電気光学装置８０は、上述のアクティブマトリックス基板８１を備えているので、表示品位が高い。更に、アクティブマトリックス基板８１は前述の回路基板１の製造方法にて製造されているので、生産性が非常に高く、資源もエネルギーも高効率で活用している。
【０１２２】
「電子機器」
図１１は、上述の電気光学装置を用いた電子機器を模式的に示す斜視図で、（ａ）は正面斜視図、（ｂ）は背面斜視図である。ここでは、電子機器は電子書籍９０である。
【０１２３】
図１１（ａ）に示す様に、電子書籍９０は電気光学装置８０と筐体９１とを有している。電気光学装置８０は平板状の長方形である。筐体９１は、電気光学装置８０の外縁部に配置されて、電気光学装置８０を保持している。即ち、筐体９１は表示装置に対する保持部となっている。保持部は、使用時に使用者の手で握られる。
【０１２４】
電気光学装置８０は縦長の長方形をなしており、筐体９１は薄い平板状である。図１１（ａ）に示す様に、表示面となる正面には筐体上部９２（筐体９１の上側部品）が設けられ、図１１（ｂ）に示す様に、表示面と反対の背面には筐体下部９３（筐体９１の下側部品）が設けられている。筐体上部９２も筐体下部９３も薄い平板状で両者が重ね合わされて、筐体９１となる。図１１（ａ）と図１１（ｂ）とを比較すると判るように、正面側の筐体９１幅（幅ＷF）の方が背面側の筐体９１幅（幅ＷB）よりも狭くなっている。
【０１２５】
筐体下部９３内には電気光学装置８０を制御する各種回路（制御回路）や電源などが収納されており、その結果、筐体９１は電子書籍９０の重量の内で、半分以上といった主要な割合を占めている。こうした事などから、電子書籍９０の重心は、筐体下部９３内に位置する。
【０１２６】
電気光学装置８０の表示部には各種の情報が表示される。筐体９１の中央には操作スイッチ９４が設けられており、スイッチ操作を通じて表示部に表示される情報が更新される。
【０１２７】
電気光学装置８０は軽くて、柔軟性を有する。この為に、外部衝撃に対して比較的強く、電気光学装置８０全体を筐体９１で覆って保護する必要はない。こうして筐体９１は電気光学装置８０の外縁部に設けられる事ができる。筐体９１が表示装置全体を覆わず、更に金属製の補強部材等を配置する必要がないので、電子書籍９０全体が薄くて軽く作成されている。
【０１２８】
（変形例１）
「ＴＦＴが下ゲート型」
図１２は、変形例１に係わる回路基板の断面図である。以下、本変形例に係わる回路基板とその製造方法について説明する。尚、実施形態２と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。本変形例（図１２）は実施形態２（図５（ｊ））と比べて、有機ＴＦＴの構造が異なっている。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様である。
【０１２９】
実施形態２ではＴＦＴのゲート電極１２が有機半導体膜４１に対して上側に位置したが（上ゲート型）、本変形例では、図１２に示す様に、ＴＦＴのゲート電極１２は有機半導体膜４１に対して下側に位置する（下ゲート型）。即ち、基板１０側からゲート電極１２、ゲート絶縁膜２１、ソースドレイン電極１１、有機半導体膜４１、第一層間絶縁膜２２１、第二層間絶縁膜２２２、画素電極１３との順番で積層されている。これらの内でソースドレイン電極１１が第一導電体であり、第一層間絶縁膜２２１が第一薄膜、第二層間絶縁膜２２２が第二絶縁膜、画素電極１３が第三導電体にあたる。
【０１３０】
こうした下ゲート型の有機ＴＦＴ７２を有する回路基板１の製造方法は次のようになる。まず、基板上に第二導電体にて、ゲート電極１２と電極パッド１１１と不図示の走査線７４とを形成し、次いでゲート絶縁膜２１を成膜する。ゲート絶縁膜２１はダイコート法などを用いて電極パッド１１１の一部を覆わぬ様に成膜する。その後、第一導電体形成工程として、ゲート絶縁膜２１上に第一導電体を形成する。第一導電体は、ソースドレイン電極１１や不図示の信号線７３となる。第一導電体形成工程の直前か直後には有機半導体膜４１を印刷する。本変形例では第一導電体形成工程直後に印刷している。次に、第一薄膜成膜工程として、第一導電体を被覆する様に第一層間絶縁膜２２１を成膜する。次に、貫通孔形成工程として、ソースドレイン電極１１上の第一層間絶縁膜２２１に貫通孔３２を開口して、ソースドレイン電極１１の表面を露出させる。次に、撥液化工程として、貫通孔３２が設けられたソースドレイン電極１１の表面を撥液化させる。次に、第二絶縁膜形成工程として、貫通孔３２以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化してヴィアホール３１と第二層間絶縁膜２２２を形成する。最後に第三導電体形成工程として、ヴィアホール３１を含む領域に画素電極１３を印刷する。第一導電体形成工程から第三導電体形成工程までの各工程は、実施形態２に記載した様に行われる。
【０１３１】
上述した通り、本変形例に係わる回路基板１の製造方法によれば、実施形態２の効果に加え、以下の効果を得る事ができる。
本変形例の第一層間絶縁膜２２１は第一薄膜であり、実施形態２では、第一薄膜はゲート絶縁膜２１であった。即ち、本変形例の第一層間絶縁膜２２１はゲート絶縁膜２１と同等の膜品質を有しており、それ故に半導体膜との界面も高品質にしている。ＴＦＴの電気特性は、半導体膜のゲート電極１２側の界面の影響を強く受けると共に、その反対側の界面（裏側の界面）も電気特性に影響を及ぼす。本変形例では、ゲート絶縁膜２１にも使用可能な高品質な高分子膜で半導体の裏側の界面を覆っている。従って、裏側の界面に発生する界面トラップ数が抑制され、高性能な有機ＴＦＴ７２となる。又、第一層間絶縁膜２２１と第二層間絶縁膜２２２とが信号線７３と画素電極１３との間に設けられて居るので、これらの間の寄生容量が小さくなると共にリーク電流も減り、回路が高速に且つ正確に動作するようになる。
【０１３２】
一般に、反応性のモノマーや硬化剤は、それが有機半導体材料に直に接すると、半導体特性の劣化を招く。従って、もしもＵＶインク５４が有機半導体膜４１の上に直に塗布されると、有機ＴＦＴは半導体特性を劣化させざるを得なくなる。所が、本変形例では高品質な第一層間絶縁膜２２１が有機半導体膜４１を保護しており、ＵＶインク５４は有機半導体膜４１に接しない。この理由により、有機ＴＦＴは優れた半導体特性を示す事になる。結局、第一層間絶縁膜２２１は有機半導体膜４１の保護膜であると同時に、第二層間絶縁膜２２２をヴィアホール３１以外の領域に選択的に形成する役割を担っているのである。
【０１３３】
（変形例２）
「アクティブマトリックス基板８１が容量線を備えている例」
図１３は、変形例２に係わる回路基板の製造方法の平面図である。以下、本変形例に係わる回路基板１とその製造方法について説明する。本変形例（図１３）は実施形態２（図６（ｂ））と比べて、回路基板１に容量用電極が設けられている点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１３４】
本変形例では、画素回路に保持容量が形成されている。保持容量は第一容量電極と第二容量電極１２１とこれらの電極に挟持される誘電体膜とから構成される。第一容量電極は不図示の画素電極に接続し、第二容量電極１２１は接地電位や共通電極電位などの基準電位に接続される。回路基板１では、第一導電体にてソースドレイン電極１１が形成され、その一方は信号線７３に連なり、他方は不図示の画素電極に接続されるが、第一容量電極はこの他方のソースドレイン電極１１と兼用される。誘電体膜はゲート絶縁膜と同じ第一薄膜である。第二容量電極１２１は、図１３に示す様に、ゲート電極１２と同じ第二導電体にて形成される。第二容量電極１２１を基準電位に接続するには、容量共通線１１２と複数の容量電極とが接続される。容量共通線１１２は第一導電体にて形成され、容量共通線１１２に設けられた貫通孔３２を介して第二容量電極１２１と接続される。従ってこの貫通孔３２の電極表面は親水性となっている。こうした構成の回路基板１は、実施形態２で詳述した製造方法にて製造される。
【０１３５】
電気泳動ディスプレイで画素回路が保持容量を持つと、フレーム期間を通じて電気泳動材料に電圧を印加するので、高コントラストの画像を容易に表示させる事ができる。
【０１３６】
（変形例３）
「駆動回路がＴＦＴにて一部内蔵されている例」
図１４は、変形例３に係わる回路基板の平面図である。又、図１５は、変形例３に係わる回路基板の断面図である。以下、本変形例に係わる回路基板１とその製造方法について説明する。本変形例（図１４）は先の実施形態２で説明したアクティブマトリックス基板８１（図９）と比べて、駆動回路の一部がＴＦＴにて内蔵されている点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１３７】
本変形例では、図１４に示す様に、有機ＴＦＴ７２にて駆動回路の一部となる走査回路７５が構成されている。走査回路７５はシフトレジスターを含み、走査線７４を選択する事ができる。シフトレジスター内ではインバーターの直列接続が利用されており、図１５はその部分の断面を模式的に表している。即ち、一つ目の有機ＴＦＴ７２１のドレイン電極１１４が出力となり、これが二つ目の有機ＴＦＴ７２２のゲート電極１２に入力として接続されている。こうした構成を有する回路基板１は実施形態２で詳述した製造方法にて製造される。尚、一つ目の有機ＴＦＴ７２１のドレイン電極１１４に設けられた貫通孔３２の電極表面は親水性にされている。
【０１３８】
アクティブマトリックス基板８１の駆動回路が部分的に内蔵されているので、高精細な画像を表示する電気光学装置８０とする事ができる。
【０１３９】
（変形例４）
「基板が薄いガラスである例」
図５（ｊ）を用いて説明する。
本変形例は実施形態２と比べて、基板が薄いガラスである点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１４０】
実施形態２では、基板１０はプラスチックフィルムであったが、基板１０はこれに限られない。例えば、０．５ｍｍから１．１ｍｍの厚みを有するガラス基板表面に実施形態２で詳述した工程を施した後に、ガラス基板裏面をエッチングなどで削り、０．１ｍｍ以下に薄くしても良い。ガラス基板の厚みを０．１ｍｍ以下にすると柔軟性を示す様になる。
【０１４１】
こうすると、回路基板１の製造時には０．５ｍｍから１．１ｍｍと云った通常の厚みを有するガラス基板を使用でき、その後、ガラスを薄くするだけで柔軟性を有する回路基板１を比較的容易に製造できる。
【０１４２】
（変形例５）
「基板が薄い金属板である例」
図５（ｊ）を用いて説明する。
本変形例は実施形態２と比べて、基板が薄い金属板である点などが異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１４３】
実施形態２では、基板１０はプラスチックフィルムであったが、基板１０はこれに限られない。例えば、薄いステンレス基板を酸化硅素膜や酸化窒素膜などの無機絶縁膜、或いはポリイミドなどの有機絶縁膜で覆い、これを基板１０として利用しても良い。基板１０として金属板を用いると、基板電位を自由に設定でき、有機ＴＦＴ７２のしきい値電圧Ｖｔｈを容易に調整できる。有機絶縁膜の表面は製造中に簡単に帯電する。従って絶縁膜表面の除電がきちんとなされないと、有機ＴＦＴ７２のＶｔｈは設計値からずれてしまう。本変形例では、たとえＶｔｈがずれてしまっても、基板電位を調整する事で、有機ＴＦＴ７２を正しく動作させる事ができる。
【０１４４】
（変形例６）
「電気光学材料が電気泳動材料以外の例」
図１０を用いて説明する。
本変形例は実施形態２と比べて、電気光学材料として電気泳動材料８３に代わり液晶材料などが用いられている点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
【０１４５】
実施形態２では電気光学材料として電気泳動材料８３を使用していたが、電気光学材料としては、その他にも液晶材料や有機又は無機のエレクトロ・ルミネッセンス（ＥＬ）材料、エレクトロ・クロミック材料等を使用しても良い。これに応じて電気光学装置８０は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や有機又は無機のエレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイ（別名をライト・エミッティング・ダイオード・ディスプレイ、ＬＥＤディスプレイともいう）、エレクトロ・クロミック・ディスプレイ（ＥＣＤ）等となる。これらの電気光学装置８０を有する電子機器としては電子書籍やテレビ、携帯電話やパーソナルコンピューターなどが挙げられる。
【０１４６】
（変形例７）
「共通電極が第一基板側に作製される例」
図１０を用いて説明する。
変形例７は実施形態２（図１０）と比べて、共通電極８６が第一基板側に作られる点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
実施形態２（図１０）では、共通電極８６はフロント基板８２に形成されているが、これは必須ではなく、共通電極８６はアクティブマトリックス基板８１に形成されても良い。この場合、共通電極８６はアクティブマトリックス基板８１の各画素内に設けられ、アクティブマトリックス基板８１の面と平行な電界成分を持つ電界が電気光学材料に印加される所謂インプレーンスイッチ型の電気光学装置８０となる。横方向に電気泳動させるＥＰＤや広視野角液晶ディスプレイなどに適応される。
【０１４７】
（変形例８）
「多層配線基板の例」
図１６は変形例８に係わる回路基板の断面図である。
変形例８は実施形態２（図５（ｊ））と比べて、回路基板が多層配線基板である点が異なる。それ以外の構成は、実施形態２とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
実施形態２（図５（ｊ））では、回路基板に有機ＴＦＴが設けられて居るが、これは必須ではなく、回路基板が多層配線基板であっても良い。
【０１４８】
図１６に示す様に、多層配線基板１００は、基板側から第一配線１１３、第一層間絶縁膜２２１、第二層間絶縁膜２２２、第二配線１３１との順番で積層されている。これらの内で第一配線１１３が第一導電体であり、第一層間絶縁膜２２１が第一薄膜、第二層間絶縁膜２２２が第二絶縁膜、第二配線１３１が第三導電体にあたる。
【０１４９】
こうした多層配線を有する回路基板１の製造方法は次のようになる。まず、基板上に第一導電体形成工程として、第一配線１１３を形成する。次に、第一薄膜成膜工程として、第一導電体を被覆する様に第一層間絶縁膜２２１を成膜する。次に、貫通孔形成工程として、第一配線１１３の第一層間絶縁膜２２１に貫通孔３２を開口して、第一配線１１３の表面を露出させる。次に、撥液化工程として、貫通孔３２が設けられた第一配線１１３の表面を撥液化させる。次に、第二絶縁膜形成工程として、貫通孔３２以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化して第二層間絶縁膜２２２とヴィアホール３１とを形成する。次に第三導電体形成工程として、ヴィアホール３１を含む領域に金属インクを印刷し、第二配線１３１とする。金属インクを印刷するに先立ち、ヴィアホール３１の底面から不図示のフッ化アルキルチオール６２を除去しておく。この様に、第一導電体形成工程から第三導電体形成工程までの各工程は、実施形態２に記載した方法にて行われ、二層の配線基板が出来上がる。
【０１５０】
多層配線を作製する為の１サイクルを第一薄膜成膜工程から第三導電体形成工程までとし、上述の第三導電体を次のサイクルに於ける第一導電体とし、以降、このサイクルを複数回繰り返して、多数の配線層を持つ多層配線基板１００とする事も可能である。
【０１５１】
尚、これ迄の説明では、三種類の導電体に対して、第一導電体、第二導電体、第三導電体、との名称を用いたが、これは導電体の種類を区別する為の名称であって、その形成順番を指定する物ではない。更には、回路基板１内に三種類の導電体が必要となる訳でもない。例えば、回路基板１には第一導電体と、それを覆う第一薄膜と第二絶縁膜とが第一導電体に対する保護膜として設けられており、第一導電体にプローブカードにて探針を接触させる為のヴィアホール３１を有する構造体と云った様な、導電体が一種類しか存在しない回路基板１に対しても、本発明を適応する事ができる。
【０１５２】
又、これ迄の説明では、三種類の溶媒に対して、第一溶媒、第二溶媒、第三溶媒、との名称を用いたが、これは溶媒の種類を区別する為の名称であって、その使用順番を指定する物ではない。
【符号の説明】
【０１５３】
１…回路基板、１０…基板、１１…ソースドレイン電極、１２…ゲート電極、１３…画素電極、２１…ゲート絶縁膜、２２…層間絶縁膜、３１…ヴィアホール、３２…貫通孔、４１…有機半導体膜、５１…インクジェット法、５２…液滴、５３…導電体用インク、５４…ＵＶインク、５５…紫外線、６１…溶液、６２…フッ化アルキルチオール、７２…有機ＴＦＴ、８０…電気光学装置、８１…アクティブマトリックス基板、９０…電子書籍、１００…多層配線基板、１１１…電極パッド、１１３…第一配線、１３１…第二配線、２１１…絶縁膜、２２１…第一層間絶縁膜、２２２…第二層間絶縁膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、
前記第一薄膜は第一高分子材料からなり、
前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、
前記第一薄膜は第一高分子材料からなり、
前記第一高分子材料を溶解する第三溶媒を前記第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、
前記第三溶媒が乾燥した後に、前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
前記第二高分子材料の分子量が５００以上５００００以下の範囲に有る事を特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、
前記第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、
前記第一導電体上の前記第一薄膜に貫通孔を開口して、前記第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、
前記貫通孔形成工程は、前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は、前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】
基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、
前記第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、
前記第一導電体上の前記第一薄膜に貫通孔を開口して、前記第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、
前記貫通孔形成工程は、前記第一高分子材料を溶解する第三溶媒を前記第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、
前記第三溶媒が乾燥した後に、前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第二高分子材料の分子量が５００以上５００００以下の範囲に有る事を特徴とする請求項３又は４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔形成工程後に、前記第一導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、
前記貫通孔以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前記前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する第二絶縁膜形成工程と、を更に含む事を特徴とする請求項４乃至は６のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記撥液化工程後に、前記第一薄膜上に第二導電体を形成する第二導電体形成工程を含み、
前記第二導電体形成工程後に前記第二絶縁膜形成工程を行う事を特徴とする請求項７に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記第二絶縁膜形成工程後に、前記貫通孔を含む領域に第三導電体を形成する第三導電体形成工程を含む事を特徴とする請求項７又は８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第一導電体形成工程後に、有機半導体膜を印刷する半導体膜形成工程を含み、
前記半導体膜形成工程後に前記第一薄膜成膜工程を行う事を特徴とする請求項４乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記有機半導体膜はエーテル系溶剤に対しても、ケトン系溶剤に対しても、エステル系溶剤に対しても、フッ素系溶剤に対しても難溶性を示す事を特徴とする請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第一薄膜はエーテル系溶剤又は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかに可溶である事を特徴とする請求項４乃至１１のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第一薄膜はアルコール系溶剤に対して難溶性を示す事を特徴とする請求項４乃至１２のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第一薄膜は前記前駆体樹脂に対して難溶性を示す事を特徴とする請求項７乃至１２のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液に、前記第一導電体の表面を触れさせる事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記チオール化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事を特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記ジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事を特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含む事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１９】
前記前駆体樹脂はアルコール系溶剤に可溶である事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２０】
前記前駆体樹脂は光硬化性樹脂である事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２１】
前記前駆体樹脂は熱硬化性樹脂である事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２２】
前記回路基板は、ゲート絶縁膜を備えるトランジスターを有し、
前記第一薄膜が前記ゲート絶縁膜として機能している事を特徴とする請求項４乃至２１のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１】
基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、
前記第一薄膜は第一高分子材料からなり、
前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、
前記第一薄膜は第一高分子材料からなり、
前記第一高分子材料を溶解する第三溶媒を前記第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、
前記第三溶媒が乾燥した後に、前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
前記第二高分子材料の分子量が５００以上５００００以下の範囲に有る事を特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、
前記第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、
前記第一導電体上の前記第一薄膜に貫通孔を開口して、前記第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、
前記貫通孔形成工程は、前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は、前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】
基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、
前記第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、
前記第一導電体上の前記第一薄膜に貫通孔を開口して、前記第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、
前記貫通孔形成工程は、前記第一高分子材料を溶解する第三溶媒を前記第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、
前記第三溶媒が乾燥した後に、前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第二高分子材料の分子量が５００以上５００００以下の範囲に有る事を特徴とする請求項３又は４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔形成工程後に、前記第一導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、
前記貫通孔以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前記前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する第二絶縁膜形成工程と、を更に含む事を特徴とする請求項４乃至は６のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記撥液化工程後に、前記第一薄膜上に第二導電体を形成する第二導電体形成工程を含み、
前記第二導電体形成工程後に前記第二絶縁膜形成工程を行う事を特徴とする請求項７に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記第二絶縁膜形成工程後に、前記貫通孔を含む領域に第三導電体を形成する第三導電体形成工程を含む事を特徴とする請求項７又は８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第一導電体形成工程後に、有機半導体膜を印刷する半導体膜形成工程を含み、
前記半導体膜形成工程後に前記第一薄膜成膜工程を行う事を特徴とする請求項４乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記有機半導体膜はエーテル系溶剤に対しても、ケトン系溶剤に対しても、エステル系溶剤に対しても、フッ素系溶剤に対しても難溶性を示す事を特徴とする請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第一薄膜はエーテル系溶剤又は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかに可溶である事を特徴とする請求項４乃至１１のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第一薄膜はアルコール系溶剤に対して難溶性を示す事を特徴とする請求項４乃至１２のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第一薄膜は前記前駆体樹脂に対して難溶性を示す事を特徴とする請求項７乃至１２のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液に、前記第一導電体の表面を触れさせる事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記チオール化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事を特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記ジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事を特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含む事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１９】
前記前駆体樹脂はアルコール系溶剤に可溶である事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２０】
前記前駆体樹脂は光硬化性樹脂である事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２１】
前記前駆体樹脂は熱硬化性樹脂である事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２２】
前記回路基板は、ゲート絶縁膜を備えるトランジスターを有し、
前記第一薄膜が前記ゲート絶縁膜として機能している事を特徴とする請求項４乃至２１のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１２−７９７５２（Ｐ２０１２−７９７５２Ａ）
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２０８０７（Ｐ２０１０−２２０８０７）
【出願日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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