【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器６０内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器６０内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】直接描画法によりレジストの膜パターンやパッシベーション用などの有機膜パターンを形成する際に発生し易い描画性や密着性の問題を防ぐことのできる半導体基板への有機膜パターンの直接描画プロセスにおける前処理方法を提供すること。
【解決手段】相互に異なる材料で構成された複数のパターン膜２、３、４で覆われた半導体基板１表面上に、前記複数のパターン膜２、３、４上に跨って積層される有機膜パターン５を直接描画法により形成する際に、前処理として前記半導体基板１表面を、プラズマ生成ガスとして酸素と窒素を用いてアッシングし、続いて水素と窒素をプラズマ生成ガスとして用いてクリーニング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによる処理が可能な、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、炭酸エステル系の化合物である回復剤と接触させてダメージ回復処理を行うことを特徴とする絶縁膜のダメージ回復方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＨ、ＳｉＣＯＨ、又は有機ポリマーを絶縁膜として使用した場合に、導電パターンの表層に酸化層が残ることを抑制でき、絶縁膜の表層の比誘電率が上昇することを抑制でき、かつ絶縁膜と拡散防止膜の密着性が低下することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、ＳｉＯＨ、ＳｉＣＯＨ、又は有機ポリマーからなる絶縁膜１００に、導電パターン２００を埋め込む工程と、絶縁膜１００及び導電パターン２００の表面を、炭化水素ガスを処理ガスに含むプラズマで処理する工程と、上記した処理ガスに、Ｓｉ含有ガスを徐々に又は段階的に添加量を増大しながら添加してプラズマＣＶＤを行うことにより、絶縁膜１００上及び導電パターン２００上に、ＳｉＣＨ膜、ＳｉＣＨＮ膜、ＳｉＣＨＯ膜、またはＳｉＣＨＯＮ膜からなる拡散防止膜３０２を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハトラックシステム内において半導体ウェーハ処理を遂行するためのプラズマチャンバ。
【解決手段】処理チャンバは、半導体ウェーハ表面を処理プラズマに曝すためのウェーハトラックセル内の熱スタックモジュールとして構成することができる。シャワーヘッド電極及びウェーハチャックアセンブリを処理チャンバ内に位置決めし、半導体ウェーハのプラズマ強化処理を遂行させることができる。種々の型のガス供給源をシャワーヘッド電極と流体的に通じさせ、所望のプラズマを形成するガス状混合体を供給することができる。ガスの流れをコントローラ及び一連のガス制御弁によって調整し、予め選択されたガス状混合体を形成させ、半導体ウェーハ表面に曝されるプラズマとして処理チャンバ内へ導入することができる。予め選択されたガス状混合体は、表面プライム処理及び底反射防止被膜（ＢＡＲＣ）堆積のような異なる半導体ウェーハ処理動作のために処方することができる。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、特にプラズマＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ｒは炭素数１〜４の鎖状又は分岐状アルキル基を表す。ｎは３〜５の整数を表す。）
で示されるビニル基含有環状シロキサン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】特に、絶縁膜の誘電率上昇や絶縁性を劣化させること無くレジストポイズニングを抑制した配線加工技術を提供することである。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜とを備え、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜は構成要素として窒素またはメチル基を有し、かつ、前記第２の絶縁膜上にはレジスト膜が設けられてエッチング技術により前記第２の絶縁膜には孔が形成されてなる半導体素子であって、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に、構成要素として窒素およびメチル基を有さない中間絶縁層が設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に膜を形成する際、良好な密着性を保ったまま、可視光領域での光透過性を向上させた成膜を可能とし、更に、その膜がカーボン膜であっても、良好な密着性と光透過性を同時に有することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、プラズマ生成可能な反応室２において、半導体基板Ｗの被処理面に膜を形成する工程に先立って、前記膜を形成する工程を行う反応室に半導体基板Ｗを設置したまま、少なくとも酸素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第１の工程と、反応室２に半導体基板Ｗを設置したまま、少なくとも水素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第２の工程とを、順に有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、高強度、高耐熱性を具備する薄膜を得ること及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）、（２）及び（３）で表される多環脂環式化合物から選ばれる１種類以上の多環脂環式化合物を前駆体物質とする薄膜であり、多環脂環式化合物をプラズマ重合法により薄膜とする製造方法であり、低誘電率、高強度、高耐熱性を備えた薄膜となり、ＣＰＵ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ等の半導体装置、薄膜上にパターン形成し、回路を描いて作製された薄膜トランジスタに代表される情報処理用小型電子回路装置、高周波通信用電子回路装置等の電子回路装置、画像表示装置、表面保護膜、光学膜等として使用することができる。
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ポリマー無機又は有機官能化基板表面を改質する方法が提供される。一実施形態では、大気圧（ＡＰ）プラズマ流を基板表面に向け、その結果、重合開始剤として機能する表面結合活性部位が形成される。モノマー又はモノマー溶液と接触させた場合、活性部位は、基板表面に共有結合したグラフトポリマーの稠密なアレイの形成を促進させる。別の実施形態では、無機基板を清浄化し、湿度チャンバ内で調整し、ＡＰプラズマで処理し、モノマー又はモノマー溶液に接触させて、基板表面でのグラフトポリマーの形成及び成長を促進させる。 （もっと読む）

【目的】多孔質絶縁膜の吸着サイトの修復と共に表面に露出した空孔を塞ぐ両プロセスを効率よく行なう半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基板上に多孔質絶縁材料を用いた多孔質絶縁膜を形成するｌｏｗ−ｋ膜形成工程（Ｓ１０４）と、ｌｏｗ−ｋ膜に開口部を形成する配線溝形成工程（Ｓ１１６）と、前記開口部にＳｉ−ＯＨ基を置換する所定のガスを供給して、前記開口部表面のｌｏｗ−ｋ膜の膜質を修復する膜質修復工程（Ｓ１２２）と、前記膜質の修復を行なった後に、膜質修復に用いたガスと同じ前記所定のガスを用いて前記開口部表面のポアシーリングを行なうポアシーリング工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

無機バリアコーティングと界面コーティングとを含む被覆基板であって、当該界面コーティングが、ケイ素結合した放射線感受性基を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、被覆基板、及び当該被覆基板を製造する方法。 （もっと読む）

少なくとも一つのバリア層を含むコーティングを有する基板であって、前記バリア層は密度が１．６ｇ／ｃｍ^３以上の水素化シリコンオキシカーバイドを含み、少なくとも一つのバリア層はアルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、チタン、酸化チタン、窒化チタン、及び酸窒化チタンから選択される。 （もっと読む）

【課題】緻密かつ絶縁耐性が強い高品質なゲート絶縁膜を形成し、トンネルリーク電流が少ない信頼性の高い有機トランジスタを提案することを目的とする。
【解決手段】電子密度が１０^１１ｃｍ^−３以上かつ電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下の高密度プラズマを用いて酸素（もしくは酸素を含むガス）や窒素（もしくは窒素を含むガス）などをプラズマ励起によって活性化し、ゲート電極となる導電層の一部と直接反応させ絶縁化することでゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ａは、酸素原子、ホウ素原子、及び窒素原子からなる群から選ばれた少なくとも一種を含む基を表し、ｎは、１または２を表し、ｘは、２乃至１０の整数を表す）で示される環状シロキサン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料として利用する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置のコンタクト抵抗並びにショットキー特性の向上を図る。
【解決手段】サファイアからなる基板１１の上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるバッファ層１２と、ｉ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層１３と、ｉ型ＡｌＧａＮからなる第２の窒化物半導体層１４が順次形成されている。第２の窒化物半導体層１４の表面に、プラズマを電離することにより生成した窒素イオンガス１８を、プラズマを発生させる陰極と被処理基板の距離を十分離して照射する。その後、ソース電極１５及びドレイン電極１６、ゲート電極１７を形成する。この構成により、半導体表面にダメージを与えることなく、窒素空孔を含む基板表面の窒素不足を補完してから電極を作製することが可能となる。そのため、コンタクト抵抗の低減やショットキー特性の改善が実現できる。 （もっと読む）

本発明は、官能化されたケイ素及び／又はゲルマニウム表面、このようなテーラーメイドで官能化されたケイ素及び／又はゲルマニウム表面の調製方法、このようなテーラーメイドで官能化されたケイ素及び／又はゲルマニウム表面の表面に結合した有機材料を調製するための使用、及び工業デバイスにおける使用に関する。該Ｓｉ及び／又はＧｅ表面は、窒化ケイ素表面、炭化ケイ素表面、窒化ゲルマニウム表面、炭化ゲルマニウム表面、及びシリコンゲルマニウム表面を含む。 （もっと読む）