本発明はゲート型電界効果デバイスに関し、その製法にも関する。一例では、ゲート型電界効果デバイスはソース/ドレーン領域ペアを含み、チャンネル領域をそれらの間に有している。ゲートはソース/ドレーン領域間でチャンネル領域に近接して受領される。ゲートはソース/ドレーン領域間にゲート幅部を有している。ゲート誘電体はチャンネル領域とゲートに近接して受領される。ゲート誘電体は少なくとも２つの異なる領域をゲートの幅部に沿って有している。これら異なる領域はそれぞれ異なる誘電率ｋを有する２つの異質領域を提供するように異なる材料で提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの形成方法および該方法によって形成されたデバイスを提供すること。
【解決手段】第１の誘電材料（１２ａ〜ｆ）と第２の誘電材料（１４ａ〜ｆ）の互層を付着させる。ここで、第１の誘電材料と第２の誘電材料は異なる速度で選択的にエッチング可能である。誘電材料の互層内に第１のフィーチャ（２２、２４）を形成する。誘電材料の互層を選択的にエッチングして、第１の誘電材料を有するそれぞれの層内の第１の誘電材料の少なくとも一部分（２６）を除去し、第２の誘電材料は本質的にエッチングされていないままにしておく。 （もっと読む）

【課題】無機ハロゲン化ガリウムと、有機エステルと、任意で酸素分子とを含む混合ガスを用いて、高温のガラス基板に酸化ガリウム被膜を形成する化学蒸着方法を提供する。
【解決手段】有機エステルと無機ハロゲン化ガリウムとを用いた化学蒸着法により、ガラス基板に酸化ガリウム膜を形成する。蒸着速度を早くするために、有機エステルは３から６個の炭素原子からなるもの使用することが好ましい。また酸化ガリウム膜を形成する化学蒸着は、大気圧下で行う。本発明によれば、蒸着速度が速いため、十分な厚みを持った酸化ガリウム膜を形成することができる。本発明における方法により得られる蒸着速度は、１秒当たり７５Å以上である。 （もっと読む）

本発明は、約１０００ｐｐｍ未満のジルコニウム濃度を有するハロゲン化ハフニウム組成物、約１０００ｐｐｍ未満のジルコニウム濃度を有するハロゲン化ハフニウム組成物の製造方法、有機金属化合物前駆体、有機金属化合物前駆体の製造方法、及び有機金属化合物前駆体からの膜又は被膜の製造方法に関する。有機金属化合物は、膜蒸着のための化学蒸着又は原子層蒸着の前駆体として半導体用途に有用である。
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本発明は、チップス上にＳｉＯ₂含有絶縁層を形成させる方法および前記目的のための特殊な前駆体の使用に関する。更に、本発明は、前記方法で得ることができる絶縁層ならびにこのような絶縁層を備えたチップスに関する。 （もっと読む）

ゼオライトを形成する方法-炭素ドープ酸化物(CDO)混合物誘電材料についてここで説明する。ゼオライト粒子は溶媒中で分散可能である。ゼオライト溶媒溶液はたとえばウエハ又は他の誘電層のように基礎をなす層の上に堆積可能である。少なくともある程度の溶媒はゼオライト薄膜を形成するのに除去可能である。CDOはゼオライト-CDO混合膜/誘電体を形成するのにゼオライト膜中に堆積可能である。ゼオライト-CDO混合物膜/誘電体は固層ゼオライト-CDO混合物誘電体を形成するのに焼成することが可能である。
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超臨界流体を用いて前駆体を反応室中へ流入させる方法を提供する。いくつかの態様ではＡＬＤ処理中に超臨界流体を用いて少なくとも１種の前駆体を反応室中へ流入させ、また特定の態様においてＡＬＤ処理中に超臨界流体を用いて複数の前駆体を反応室中へ流入させる。本発明を用いて、例えば金属酸化物、金属窒化物及び金属から成る材料等の金属含有材料を含めた種々材料を製造する。反応室中への金属含有前駆体の流入に用いられる超臨界流体を用いて金属酸化物を製造し、次いで前駆体を用いて基板表面上へ金属含有層を形成させる。次いで金損含有層を酸素と反応させて前記層中の金属の少なくとも一部を金属酸化物へ変換させる。

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アミノ置換ジシラン化合物に基づいた新規な種類の揮発性液体前駆体を用いて、基板の表面上に窒化シリコンの誘電体材料を形成する。この種類の前駆体は、当該技術分野に内在する高い堆積温度の問題及び望ましくない副生成物の形成を克服するものである。別の態様においては、基板上に窒化シリコン膜を堆積させる方法を提供する。 （もっと読む）

基板が堆積チャンバー内に配置される。基板上にケイ素を含む第一の種の単層を化学吸着させるのに有効な条件で、チャンバーにトリメチルシランを流し、チャンバーに第一の不活性ガスを流す。第一の不活性ガスは第一の流量で流す。第一の種の単層を形成した後、酸化剤と化学吸着された第一の種とが反応し、基板上に二酸化ケイ素含有単層を形成するのに有効な条件で、チャンバーに酸化剤を流し、チャンバーに第二の不活性ガスを流す。第二の不活性ガス流は第一の流量未満である第二の流量を有する。基板上に二酸化ケイ素含有層を形成するのに有効となるように（ａ）トリメチルシラン及び第一の不活性ガス流及び（ｂ）酸化剤及び第二の不活性ガス流を連続的に繰り返す。他の態様や特徴が企図される。 （もっと読む）

総括的には本発明は、限定ではないが、高誘電率ゲート誘電体膜などの高誘電率誘電体膜又は層の堆積方法を提供する。１つの実施形態では、オゾンが別個のサイクルのチャンバに選択的に運ばれて、属酸化物層が最小厚さの界面酸化物層を有する基板の表面上に金属酸化物層を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）サイクルが実施される。 （もっと読む）

ハフニウムベースの誘電体膜を堆積する方法が提供される。本方法は、オゾンとハフニウム前駆体を含む１つ又はそれ以上の反応物質とを用いた原子層堆積段階を含む。半導体デバイスもまた提供される。該デバイスは、基板と、基板上に形成されたハフニウムベースの誘電体層と、基板及びハフニウムベースの誘電体層間に形成された界面層とを含み、該界面層は二酸化ケイ素を含み且つ結晶構造を有する。 （もっと読む）

エッチング剤又はアッシング処理を受けた有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の表面に疎水性を回復するための方法。これらの膜は、これらの膜の低く安定な誘電特性を確保するために集積回路の製造で絶縁材料として使用されている。該方法は、これらの膜に応力誘起ボイドが形成されるのを防止する。有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜は、ビア及びトレンチを形成するためにエッチング剤又はアッシング試薬による処理を受けてパターン化されるが、その処理が以前に存在していた炭素含有部分の少なくとも一部を除去するようなものであるため、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性が削減される。ビア及びトレンチはその後金属で充填され、アニール処理を受ける。膜がエッチング剤又はアッシング試薬に当てられた後、アニール処理にかけられる前に、膜を強化剤組成物と接触させ、炭素含有部分の一部を回復し、有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性を増大させる。 （もっと読む）

【課題】 接触なしで原料を蒸発させて、単元又は多元の層及びスタック層を堆積する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、プロセスチャンバー（２）内で少なくとも１層を少なくとも１つの基板上に堆積する装置であって、複数の成分からなり、絶縁性、パッシベーション性、又は導電性を有する層と、インジェクタユニット（５）を用いて液状又は液体に溶解した原料（３）を温度制御された蒸発チャンバ（４）に不連続に射ち込むことによって成分が蒸発され、これらの蒸気がキャリアガス（７）によってプロセスチャンバーに供給される装置に関する。各インジェクターユニット（５）を通る流量の時間プロファイルを決定する、射出圧、射出周波数、及びデューティ比、並びにオン／オフの他のインジェクターユニットのオン／オフに対する位相関係等の流量パラメータが個別に設定又は変更されることが基本である。 （もっと読む）

後の堆積、特に原子層堆積（ＡＬＤ）によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面（２００）を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面（２００）は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ＡＬＤ反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、−ＯＨ、−ＮＨ、及び／又は−ＮＨ_２末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

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集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

本発明はリンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法を含む。一実施において、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法は堆積チャンバー中で基板の位置決めをすることを含む。第1及び第2気相反応物をリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積するために有効な条件下で交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該チャンバー中の該基板へ導入する。該第1及び第2気相反応物の一つはRがヒドロカルビルであるPO(OR)₃であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物はRがヒドロカルビルであるSi(OR)₃OHである。 （もっと読む）

流動性絶縁材料から残留炭素堆積物を除去する方法。流動性絶縁材料はケイ素、炭素および水素を含むもので、流動性酸化物材料またはスピンオン流動性酸化物材料である。残留炭素堆積物は、流動性絶縁材料をオゾンに曝露することによってその流動性絶縁材料から除去される。流動性絶縁材料は、半導体基板上に配置されたトレンチの中に絶縁層を形成するために使用される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は１以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 加水分解性の液体材料が大気と接触するのを確実に防止できる液体自動供給システムを提供する。
【解決手段】 このＣＶＤ装置５０は、処理室５１にペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を供給するための容器５３に予備容器７３を接続し、容器５３内のペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）の残量が少なくなったときは、配管５４と容器５３とを切り離して新しい容器５３と交換するのではなく、予備容器７３からペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を補充する。これにより、配管５４と容器５３とを切り離すためのジョイント６１ｊを通じて配管５４内に大気が侵入し、配管５４内の残留ペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）が加水分解されて酸化タンタルが生成することはない。 （もっと読む）