【課題】 ゾル−ゲル法を用いて、硬化時の収縮率が小さく低誘電率である塗布型シリカ系被膜を得ることが可能な、塗布型シリカ系被膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）、（２）及び（３）にて表される化合物を含む（Ａ）成分を必須成分とし、２００〜３００℃での一段目硬化から、６００℃の二段目硬化迄の膜収縮率が５％以下であり、二段目硬化温度が４００℃の場合の、シリカ系被膜の比誘電率が２．５以下である、前記（Ａ）成分の加水分解・重縮合反応を経て得られる塗布型シリカ系被膜形成用組成物。


［Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は炭素数１〜３の有機基を示し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ_４は炭素数６〜２０の直鎖状アルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】リーク電流を増大させることなく薄膜化が可能であり、素子を微細化することができ、しかも、界面準位に起因する動作の不安定化を生じるおそれが少ない電磁気素子用絶縁膜、及び、このような電磁気素子用絶縁膜を用いた電界効果素子を提供すること。
【解決手段】１２(Ｃａ_xＳｒ_1-x)Ｏ・７Ａｌ₂Ｏ₃（０≦ｘ≦１）で表される組成を有し、アモルファス構造を備えた電磁気素子用絶縁膜。半導体Ａと、半導体Ａ上に形成されたソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、ソース電極Ｓ−ドレイン電極Ｄ間の通電方向に対して垂直方向に電界を印加するためのゲート電極Ｇと、半導体Ａとゲート電極Ｇとの間に形成されたゲート絶縁膜Ｂとを備えた電界効果素子１０。ゲート絶縁膜Ｂは、本発明に係る電磁気素子用絶縁膜からなる。 （もっと読む）

【課題】酸化ケイ素膜からなるゲート絶縁膜の形成時に適用する紫外線照射による樹脂基板等の変色や変形を生じさせない、半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０上にポリシリコン半導体薄膜１３を形成する工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３にチャネル、ソース拡散及びドレイン拡散の各領域を形成する工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３上に絶縁膜前駆体１４’を形成する工程と、絶縁膜前駆体１４’に紫外線２７照射をする工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３及び絶縁膜１４からなる積層構造物をアイランド化する工程と、アイランド化した積層構造物の側壁部分１７を絶縁性物質１６で覆う工程と、絶縁膜１４上にゲート電極１５ｇを形成するとともに、絶縁膜１４に形成したコンタクトホール２６を介してソース拡散領域１３ｓ及びドレイン拡散領域１３ｄに接続するソース電極１５ｓ及びドレイン電極１５ｄを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を実現する構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板（半導体基板１）上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜（有機シリコンポリマー膜２）を設ける工程と、選択的エッチングにより有機シリコンポリマー膜２に孔（配線溝３）を設けるとともに、配線溝３の内部に金属膜（バリア膜４および銅配線５）を設ける工程と、還元ガス雰囲気中で、上記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、有機シリコンポリマー膜２に紫外線６を照射して、多孔質膜７を得る工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】低温形成が可能で、反応残存物が無く、高品質な塗布型ＳｉＯ_２ゲート絶縁膜の作製方法及びそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、ゲート電極、ゲート絶縁膜、金属酸化物半導体層ならびにソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート電極がマイクロ波吸収能を持ち、かつ該ゲート電極上に塗布により前駆体膜を形成し、加熱変換してゲート絶縁膜を作製する薄膜トランジスタの製造方法であって、ゲート絶縁膜前駆体膜のゲート絶縁膜への加熱変換工程の後、マイクロ波（０．３〜５０ＧＨｚ）照射工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高解像度であり、焦点深度（ＤＯＦ）が広く、得られるパターン形状が良好であり、且つ低比誘電率な硬化パターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、並びに、それを用いてなる硬化パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシロキサン（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）と、下記一般式（１）で表される構造単位（ｃ１）を含む重合体（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）と、を含有するネガ型感放射線性組成物。
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【課題】 テンプレートを用いることなく基板に凹凸状のパターンを形成することができるパターン形成装置を提供することを目的とする。
【解決装置】 パターン形成装置（１０）は、基板（ＦＢ）の表面に凹凸状のパターンを形成する。そして、パターン形成装置（１０）は所定のエネルギーに応じて硬化する硬化性材料（ＬＲ）を基板（ＦＢ）の表面に接触させる接触装置（１２）と、パターンに対応するパターン情報に基づいて基板（ＦＢ）の表面と接触した硬化性材料（ＬＲ）に所定のエネルギーを付与し該硬化性材料（ＬＲ）を硬化させる硬化装置（１１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された塗布膜を減圧雰囲気下で熱処理するにあたり、処理室内へのパージガスの供給量が少ない場合でも基板への昇華物の付着を抑制することができる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室２１の天井の中央部に、基板載置台３１と対向するように当該処理室２１にパージガスを導入するためのガス供給ノズル５１を設けて、処理室２１の底部に当該処理室２１内を減圧雰囲気とするための排気口６４ａ、６４ｂを設ける。また、処理室２１の中央部にウエハＷを水平に載置するための基板載置台３１を設けると共に、この基板載置台３１を加熱するヒータ３３を設けて、前記基板載置台３１の外縁から外方に突出し、当該基板載置台３１の周方向に沿って形成されると共に処理室２１の底面との間に空間を形成する整流部３４を設ける。 （もっと読む）

【課題】多孔質シリカ膜で構成される低誘電率絶縁膜の疎水性を改善すると共に、空孔径を所定の範囲に制御することによって、比誘電率の低減、リーク電流の低減、および機械的強度の向上を図る。
【解決手段】基板上に多孔質シリカ膜形成用原料を塗布する工程と、多孔質シリカ膜形成用原料が塗布された基板を水を添加しない有機アミン蒸気雰囲気中に暴露する気相処理工程と、を含む多孔質シリカ膜からなる低誘電率絶縁膜の作製方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板とパターン状モールドとの間隙に、水素化ケイ素化合物およびハロゲン化ケイ素化合物よりなる群から選択される少なくとも１種のシラン化合物を配置する第一の工程と、配置した前記シラン化合物に熱処理および紫外線照射処理から選択される少なくとも１種の処理を施す第二の工程とを含むパターンの形成方法に関する。
【解決手段】上記第二の工程を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で行うことによりシリコンからなるパターンを形成することができ、上記第二の工程の少なくとも一部を酸素含有雰囲気下で行うことによりシリコン酸化物からなるパターンを形成することができる。 （もっと読む）

パターンが形成された基板の製造方法が開示される。本発明による他のパターンが形成された基板の製造方法は、酸化物ビードが分散された溶液を用意して基板上にパターンを形成した後、基板上にマイクロチャネルが形成されるように仮設構造物を基板の上方に設ける。そして、酸化物ビードが分散された溶液をマイクロチャネルに注入して基板上に酸化物ビードを固定させ、基板を熱処理する。本発明によれば、低コストの酸化物ビードを所望の形態で基板上にパターニングすることができて、ドライエッチング時に基板に加えられる損傷を防止でき、エッチング過程がなくて素子収率低下問題がなく、結果的に素子の量産性が向上する。また、ドライエッチングのための高コストの装備投資が不要で経済的に有利なだけでなく、短時間に多くの基板を製作できる高い生産性を持つ。
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【課題】疎水性機能を損なうことなく、かつ比誘電率への影響が小さく、機械的特性の向上を可能とする疎水性多孔質ＳＯＧ膜の作製方法の提供。
【解決手段】ＳＯＧ膜の熱処理を酸素含有ガスの存在下で行って疎水性多孔質ＳＯＧ膜を作製する。この熱処理を、そのプロセスの所定の時期に導入した酸素分圧５Ｅ＋３Ｐａ以上の酸素含有ガス中で、３００℃〜１０００℃の温度で行う。 （もっと読む）

【課題】従来の強誘電体薄膜よりも低いリーク電流密度、かつ、高い絶縁耐圧が得られる、薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｉを含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料並びに複合金属酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の温度を低温に保ってＳＯＧ膜をキュア処理することができ、かつキュア処理時の膜のクラックの発生を低減させることが可能なＳＯＧ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン及び／又はシリコン化合物と有機溶媒を含有するスピンオングラス材料を基板に塗布した後に、酸素を主成分とするガスにより形成されたプラズマ中で結晶化が生じない条件下で、前記スピンオングラス材料塗膜を高密度化することによりアモルファススピンオングラス膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
回路部とセンサ部を同一基板上に形成した半導体集積装置において、非鉛材料を使用した半導体集積装置を提供するとともに、その作製方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積装置は、回路部２は、表面に保護層４４〜４６が成膜されており、センサ部３は、回路部の保護層表面を含む半導体基板表面の全体に成膜された非鉛強誘電体材料３１のうち該回路部に成膜された部分を除去した残余部により構成されている。作製方法は、回路部を形成する工程と、半導体基板の表面全体に、シリコン窒化膜を主とする保護層を構築する工程と、センサ部形成領域に積層された保護層を除去する工程と、半導体基板の全体に下部電極層を形成する工程と、下部電極層の表面に非鉛強誘電体材料層を形成する工程と、回路部形成領域に積層される非鉛強誘電体材料層および下部電極層を順次除去する工程と、センサ部に上部電極を形成する工程と、配線電極を形成する工程とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】 二次粒子の影響をなくした状態で基板に原料液を塗布して薄膜を形成する。
【解決手段】 メッシュ部材６７により、ノズル（配管６５ａを含む概念のノズル）により与える剪断応力よりも大きい剪断応力をノズル６５と基板６４の間でゾルに与え、ゾルに生じた二次粒子を基板６４の直前で破壊した状態でゾルを基板６４に塗布する。 （もっと読む）

【課題】圧電層に作用する圧縮応力を緩和し、圧電層の見かけ上の圧電特性の低下を抑制する。
【解決手段】まず、振動板４０の一表面に、エアロゾルデポジション法により圧電層４１を形成する（圧電層形成工程）。そして、圧電層４１が形成された振動板４０を所定の温度（例えば、９００℃）で加熱する（加熱工程）。その後、加熱された圧電層４１が形成された振動板４０を環境温度まで冷却し（冷却工程）、圧電層４１の表面に複数の個別電極４２をそれぞれ形成する（電極形成工程）。続いて、個別電極４２を覆うように圧電層４１の上面に、ＡＤ法により圧電層形成工程で用いた粒子とキャリアガスとを含んだエアロゾルと同様のエアロゾルを噴きつけて絶縁層６０を形成する（噴きつけ工程）。 （もっと読む）

【課題】塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる塗布型膜の形成方法を提供する。
【解決手段】塗布型膜の形成方法は、半導体基板Ｗを含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程Ｓ１と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程Ｓ２と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程Ｓ３とを含む。 （もっと読む）

【課題】
強誘電特性が良好で、絶縁性の良い強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供す
る。
【解決手段】本発明ではペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物よりなる強誘電体材料であって、前記金属酸化物は、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスと、銅酸化物および／またはニッケル酸化物を含有し、前記鉄酸ビスマスのマンガンの置換量は、鉄およびマンガンの合計量に対して０．５ａｔ．％以上２０ａｔ．％以下であり、かつ銅酸化物および／またはニッケル酸化物の添加量が、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスに対して０．５モル％以上２０モル％以下である強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供する。 （もっと読む）

金属酸化物前駆体、溶媒およびエポキシドの混合物からゾルを製造すること、およびゾルから金属酸化物材料を調製することにより調製される誘電体酸化物材料。種々の形態において、混合物は、共溶媒、１以上の追加の金属酸化物前駆体、水、またはガラス形成酸化物の前駆体、またはこれらの任意の組合せをも含み得る。調製された誘電体酸化物材料は、κ値が高く、漏電が少なく、誘電正接値が低い薄膜の形態であり得る。
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