【課題】絶縁膜としての性能を損なうことなく、スピンオングラスを用いた簡便な方法でメタル下絶縁膜や素子分離用絶縁膜として利用可能な絶縁膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてオルガノアルコキシシランの加水分解縮合物を含む塗布液を基板上に塗布して塗布基板を得る工程と、第二の工程として前記塗布基板を７００℃以上９００℃以下の温度で水素を含む気体中で加熱して前記塗布膜を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程とを順に含む。 （もっと読む）

【課題】第２プレートで薄膜担持体の裏面を支持しつつ基板に押し付けて薄膜担持体の表面に形成した薄膜を基板に転写した際に、第２プレートが薄膜担持体に密着するのを防止しながら基板に薄膜を良好に転写することができる薄膜転写装置および薄膜転写方法を提供する。
【解決手段】第２プレート１９のうちシートフィルムＦの裏面を支持する上面３７は凹凸形状を有し、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１で定義される最大高さをＲｚ、粗さ曲線要素の平均長さをＲＳｍとしたとき、
２μｍ≦Ｒｚ≦１１μｍ、かつ、
ＲＳｍ≦２５μｍ
の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質のコーティング膜を与えることができるコーティング装置およびコーティング方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、
該処理チャンバ内の所定位置に電子デバイス用基材を配置するための基材保持手段と、前記コーティング材料を供給するためのコーティング材料供給手段と、前記電子デバイス用基材をプラズマ照射するためのプラズマ源とを少なくとも含むコーティング装置。このような構成により、前記プラズマを電子デバイス用基材上に照射しつつ、該基材上にコーティング層を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩを利用して形成した素子分離膜がウエットエッチング工程により目減りすることを出来るだけ抑制しながら半導体装置を製造する。
【解決手段】 犠牲酸化膜の形成とウエットエッチングによる剥離、及び／又は、二酸化珪素膜の形成とウエットエッチングによる剥離を行う半導体装置の製造プロセスにおいて、犠牲酸化膜及び／又は二酸化珪素膜の形成を、プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（^１Ｄ_２）ラジカルが支配的なプラズマにより行う。 （もっと読む）

ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、式（Ｉ）のポリシラン単位、及び式（ＩＩ）のポリシラザン単位を含有し、式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立してＨ、Ｓｉ、及びＮ原子から選択され、Ｒ^３はＨ、Ｓｉ、又はＣ原子から選択され、ａ≧１であり、ｂ≧１であり、（ａ＋ｂ）≧２である。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、溶媒を含む組成物に製剤することができる。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、ＰＭＤ及びＳＴＩ用途において１００ｎｍ以下の幅及び少なくとも６のアスペクト比を有する溝を充填するために用いることができる。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、１分子当たり２個以上のケイ素原子を有するペルクロロポリシランの第１級アミンでのアミノ化により調製することができる。

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【課題】 ７００℃以下の温度で焼成でき、しかも、メッキ処理によってオーバーコート層が侵食され難いビスマス系非鉛ガラス及びそれを用いた複合材料を提供することである。
【解決手段】 本発明のビスマス系非鉛ガラスは、実質的にＰｂＯを含まず、質量百分率で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ３６〜６５％、Ｂ_２Ｏ_３ １０〜３０％、ＳｉＯ_２ １０超〜３０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ５〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜２０％、ＺｎＯ ０〜２％未満、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜１０％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ被膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいて、ＳｉＨ_３基に由来する４．３〜４．５ｐｐｍのピーク面積に対する、ＳｉＨ_１基とＳｉＨ_２基とに由来する４．５〜５．３ｐｐｍのピーク面積の比が、４．２〜５０である無機ポリシラザンと、有機溶媒とを有する絶縁膜形成用塗布液である。絶縁膜は、上記絶縁膜形成用塗布液を用いて得る。無機ポリシラザンは、ジハロシラン化合物、トリハロシラン化合物、又はこれらの混合物と塩基とを反応させてアダクツを形成した後、アダクツの溶液または分散液にアンモニアを−５０〜−１℃にて反応させることにより得る。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で素子分離領域を形成できる、半導体装置の素子や配線間を電気的に分離するためのエアギャップ構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】第１の面に開口部を有するトレンチ２が形成された基板１の第１の面４上に、平均粒径がトレンチ２の開口幅の１．０倍以上かつ２００ｎｍ以下のシリカ粒子５、及びバインダー成分６を含む塗布液を塗布する塗布工程、および前記塗布工程後に前記基板１を前記バインダーの熱分解温度以上の温度で加熱する加熱工程、を行うことを特徴とするトレンチ２内部にエアギャップ８を形成するエアギャップ形成方法。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた段階化キャップ層の表面上に配される少なくとも１つのパターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質を含む配線構造を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの硬化され且つパターニングされたｌｏｗ−ｋ物質およびパターニングされた段階化キャップ層は、その中に組み込まれる導電的充填領域を各々有する。パターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質は、１つ以上の酸感受性イメージング可能基を有する機能性ポリマー、コポリマー、あるいは少なくとも２種の任意の組み合わせのポリマー類もしくはコポリマー類またはその両方を含むブレンドの硬化生成物であり、段階化キャップ層はバリア領域として機能する下部領域および恒久的な反射防止膜の反射防止特性を有する上部領域を含む。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド誘電体を有する拡張型バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造を提供すること。
【解決手段】ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】ポリシラザン化合物を用いて、低温で表面が親水性のシリカ質膜を得る方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に、ポリシラザン化合物およびシリカ転化反応促進化合物を含んでなる組成物を塗布し、得られた塗膜に、ポリシラザン塗膜処理液を塗布し、３００℃以下でポリシラザン化合物をシリカ質膜に転化させるシリカ質膜製造方法。このポリシラザン塗膜処理液は、過酸化水素とアルコールと溶媒とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】大型の基板を変形させないで短時間に均一に加熱したい製造工程がある。基板の大きさが特に１ｍ近くまたはそれ以上になると、基板全体を加熱することが困難になる。高温のガスのビームをライン状に基板に吹き付け、基板を相対的に移動させる加熱方法では基板表裏の温度差により、基板が反るまたは割れる課題があった。
【解決手段】基板の表面と裏面に高温のガスをライン状に吹き付けて表裏の温度差を小さく抑える。これにより、大型基板の短時間均一アニール処理が可能になった。 （もっと読む）

【課題】多孔質層間絶縁膜作製の際の多層化工程数を削減することができる前駆体組成物、この前駆体組成物を用いて得られた多孔質膜及びその作製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４の化合物（Ａ）及び式：Ｒ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａの化合物（Ｂ）（上記式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい。）から選ばれた少なくとも１種の化合物と、２５０℃以上で熱分解する熱分解性有機化合物（Ｄ）と、９０〜２００℃の温度範囲内で熱分解し、そしてこの熱分解によりアミン類を発生する化合物であって、この熱分解温度以下では、この化合物の水溶液又はこの水溶液とアルコールとの混合溶液のｐＨが６．５〜８の範囲内に入る化合物（Ｅ）を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止することができるＣＳＤ溶液塗布膜除去用組成物及びこれを用いた強誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】β-ジケトン類、β‐ケトエステル類、多価アルコール類、カルボン酸類、
アルカノールアミン類、α‐ヒドロキシカルボン酸、α‐ヒドロキシカルボニル誘導体、およびヒドラゾン誘導体から選ばれる１種あるいは２種以上の有機溶剤と、水とを含むＣＳＤ塗布膜除去用組成物を噴射又は滴下して、ＣＳＤ塗布膜の外周端部を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化物材料膜の結晶化温度を低温化できる水蒸気加圧急速加熱装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る水蒸気加圧急速加熱装置は、処理室３４内に配置された、基板３５を載置する載置台３６と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱機構３８と、前記処理室内を加圧する加圧機構４３と、前記処理室内に加熱及び加圧された水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、前記処理室内を真空排気する真空排気機構５６と、前記処理室内に加熱及び加圧された酸素ガスを供給する酸素ガス供給機構と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に埋め込むために特に好適な縮合反応物溶液であって、ポットライフが長く、トレンチ埋め込み用として使用した場合のトレンチ内への埋め込み性が良好で、焼成して酸化シリコンとしたときの硬化収縮率が小さく、クラック耐性及びＨＦ耐性に優れる縮合反応物溶液を提供する。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物の縮合換算量４０質量％以上９９質量％以下と、（ｉｉ）シリカ粒子１質量％以上６０質量％以下とを少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該一般式（１）で表されるシラン化合物が、４官能シラン化合物及び３官能シラン化合物を少なくとも含有する２種類以上のシラン化合物である、縮合反応物溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶化しようとする強誘電体膜の配向を変換して任意に制御した強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る強誘電体膜は、基板上に形成された（１１１）配向したPt膜４と、前記Pt膜上に形成されたPZT膜６と、を具備し、前記PZT膜は、（１１１）＋（００１）、（００１）、（００１）＋（１１０）及び（１１０）のいずれかに配向されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体薄膜の結晶化を良質かつ短時間で行うことを可能にする。
【解決手段】成膜目標とする金属酸化物からなる誘電体微粒子または成膜目標とする金属酸化物と同一の結晶構造を有する微粒子が混合され、前記微粒子を構成する金属元素と同一の金属元素または成膜目標とする金属酸化物を構成する金属元素と同一の金属元素を含む有機化合物原料膜を基板上に設ける工程と、前記有機化合物原料膜に紫外光を照射して前記有機化合物原料の結合鎖を切断する工程と、前記微粒子の結晶構造と同一の結晶構造を持つように、前記膜を酸素含有雰囲気下で結晶化させる工程とを備える。微粒子が紫外光を吸収することで発熱し結晶成長時の結晶核として作用し、原料は該微粒子を核に成長することで、短時間で大型の結晶粒を得られる効果がある。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止する。
【解決手段】強誘電体薄膜形成用の有機金属化合物を含有するＣＳＤ溶液を基板２に塗布してゲル状塗膜１を形成する工程と、基板２を回転させながら外周端部に水Ｗを噴射又は滴下して、ゲル状塗膜１の外周端部を除去する工程と、外周端部について除去された後のゲル状塗膜１を加熱処理して強誘電体薄膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ゾル−ゲル法を用いて、硬化時の収縮率が小さく低誘電率である塗布型シリカ系被膜を得ることが可能な、塗布型シリカ系被膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）、（２）及び（３）にて表される化合物を含む（Ａ）成分を必須成分とし、２００〜３００℃での一段目硬化から、６００℃の二段目硬化迄の膜収縮率が５％以下であり、二段目硬化温度が４００℃の場合の、シリカ系被膜の比誘電率が２．５以下である、前記（Ａ）成分の加水分解・重縮合反応を経て得られる塗布型シリカ系被膜形成用組成物。


［Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は炭素数１〜３の有機基を示し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ_４は炭素数６〜２０の直鎖状アルキル基を示す。］ （もっと読む）