【課題】基板上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜から紫外線照射処理によって脱ガスしたガス成分の排気時間を短縮し、異常放電をなくすことができる真空排気系を備えた紫外線照射処理装置及びＬｏｗ−ｋ膜の紫外線キュア方法を提供する。
【解決手段】基板加熱機構２４を備えた基板支持ステージが配置されている紫外線照射処理室２の上部に、紫外線光源２１を組み込んだ紫外線照射装置２２と紫外線透過窓２３が配置され、前記処理室２の内部を排気するための真空排気系であって、大気から低真空領域に排気するための低真空用ポンプ２６ａと、低真空領域から中・高真空領域へ排気するための中・高真空用ポンプ２６ｂと、を組み合わせた真空排気系２６が接続されてなる紫外線照射処理装置を用いて、基板Ｓ上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜を熱キュア処理する。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく、良好な圧電特性を有する圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子の製造方法は、圧電体層の原料液となる前駆体溶液を第１電極１０上に塗布して前駆体層２２を形成する工程と、前駆体層２２を熱処理により脱脂する工程と、脱脂した前駆体層２２を結晶化して、圧電体層を形成する工程と、を含み、前駆体溶液は、ビスマス、ナトリウム、バリウム、およびチタンを含み、熱処理の温度は、４２５℃以上４５０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】紫外線が照射されても疎水性の低下が抑えられ、誘電率の上昇が抑制された低誘電率膜を製造するための低誘電率膜の前駆体組成物、及び、低誘電率膜の製造方法を提供する。
【解決手段】低誘電率膜の前駆体組成物は、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジエトキシジシラン、ジメトキシジシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン及びジメチルメトキシシランから選択される一種以上の化合物と、式：（ＲＯ）_３−Ｓｉ−Ｘ−Ｓｉ−（ＲＯ）_３（ＲＯはアルコキシ基、Ｘは有機架橋基であってメチレン基、エチレン基、ビニレン基、１，４−フェニレン基から選択される）で表される化合物、式：Ｓｉ（ＯＲ）_４（Ｒは一価の有機基）で表される化合物、環状シロキサン、二重環状シロキサン及びゼオライト微結晶から選択される一種以上の物質と、熱分解性化合物と、アルコキシシラン加水分解触媒と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく、良好な圧電特性を有する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】液体噴射ヘッド６００は、ノズル孔６１２に連通する圧力発生室６２２と、圧電体層２０、および圧電体層２０に電圧を印加する電極１０，３０を有する圧電素子１００と、を含み、圧電体層２０は、ペロブスカイト型構造の複合酸化物を含み、複合酸化物は、Ａサイトの元素として、ビスマス、ナトリウム、およびバリウムを含み、Ｂサイトの元素として、チタンを含み、Ｂサイトの元素に対する、Ａサイトの元素のモル比（Ａサイトの元素／Ｂサイトの元素）は、１．０４以上１．０８以下である。 （もっと読む）

【課題】収縮率および引っ張り応力の低いアイソレーション構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板表面に多孔質化剤を含む第１のポリシラザン組成物を塗布および焼成して、屈折率が１．３以下の多孔質シリカ質膜を形成させ、次いでその膜の表面に第２のポリシラザン組成物を含浸させ、焼成することにより、屈折率１．４以上のシリカ質膜からなるアイソレーション構造を形成させる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく、良好な圧電特性を有する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】液体噴射ヘッド６００は、ノズル孔６１２に連通する圧力発生室６２２と、圧電体層２０、および圧電体層２０に電圧を印加する電極１０，３０を有する圧電素子１００と、を含み、圧電体層２０は、ペロブスカイト型構造の複合酸化物からなり、複合酸化物は、Ａサイトの元素として、ビスマス、ナトリウム、およびバリウムを含み、Ｂサイトの元素として、銅、およびチタンを含み、銅およびチタンの総量に対する、銅の割合は、７ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】ボイドを発生させることなく絶縁膜を注入することを可能とする終端トレンチを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置は，半導体素子が形成されたセル領域と，このセル領域の四方をＸ方向に対して長手方向が平行な2つのトレンチとＸ方向と９０度であるＹ方向に対して長手方向が平行な２つのトレンチとで囲む終端トレンチ領域とを有する素子形成領域と，複数の素子形成領域を分離する溝を備えるダイシングライン領域とを具備する。この終端トレンチ領域は，素子形成領域の四隅においてＸ方向に長手方向が平行なトレンチとＹ方向に長手方向が平行なトレンチとが交差し，素子形成領域の四方側面において，終端トレンチ領域の短手方向の垂直断面が開放された状態で，ダイシングライン領域の長手方向と垂直に接していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高価な機体設備を組み合わせる必要なしに、コストを抑えて、大面積の酸化膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】第１前駆体、燃料および溶剤を含む塗料を調製し、前記塗料を基材に塗布し、前記基材の塗料に焼き戻しのステップを行い、前記塗料を酸化膜に転化させるステップを包括する。前記第１前駆体が第１金属を含み、前記第１金属がタングステン、ニッケル、チタン、亜鉛、銅或いは銀であり、前記燃料がチオウレア、ウレア、グリシン、クエン酸の何れかひとつ、或いはこれらの組み合わせを含み、前記溶剤が水、アルコール、過酸化水素水の何れかひとつ、或いはこれらの組み合わせを含む。 （もっと読む）

【課題】 良質のシリコン酸化膜を狭いスペース内に低温で形成できるようにする。
【解決手段】 本実施形態は、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶解した溶液を回転塗布してポリマー膜を形成するスピンコーティングユニットと、前記スピンコーティングユニットにより前記ポリマー膜が形成された基板を当該ポリマー膜に触れることなく酸化ユニット内に搬送する搬送機構と、前記搬送機構により基板が搬送されると、前記ポリマー膜に過酸化水素を含む加熱した水溶液への浸漬処理、過酸化水素を含む加熱した水溶液の噴霧処理、及び、過酸化水素蒸気を含む反応ガスへの曝露処理、の何れかを行うことにより前記ポリマー膜をシリコン酸化膜に転換する酸化ユニットと、を備え、前記スピンコーティングユニットによるポリマー膜の形成処理および前記酸化ユニットによる前記ポリマー膜のシリコン酸化膜への転換処理を１装置内にて完了することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空装置を使用せずに、トランジスタ等の半導体装置に適用できるＭＯＳ構造の積層膜を形成する。
【解決手段】成膜方法は、半導体膜３を有する基板に、ポリシラン溶液を塗布し、半導体膜３上にポリシラン膜５を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、ポリシラン膜５上に、金属塩溶液を塗布し、金属イオン含有膜７を形成することにより、ポリシラン膜５をポリシロキサン膜５Ａへ、金属イオン含有膜７を金属微粒子含有膜７Ａへ、それぞれ改質する工程（ＳＴＥＰ２）を備え、ＭＯＳ構造の積層膜１００を形成する。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、圧電特性に優れた新規な圧電材料を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型構造を有する圧電材料は，一般式（１）で表される。(Ｂｉ_1-xＢａ_x)（Ｆｅ_1-xＴｉ_x）Ｏ₃・・・（１）但し，０＜ｘ＜１である。ｘは、ペロブスカイト型構造のＡサイトにおけるＢａ組成であって、ＢサイトにおけるＴｉ組成である。圧電材料は、環境上問題となる鉛（Ｐｂ）を含まないため、極めて有用である。さらに、鉛フリーでありながら、良好な圧電特性、例えば充分な格子のひずみ量を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜を、簡便で低コストに、パターニングする方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に油性インクのパターンを形成する工程と、前記油性インクのパターンが形成された基板上に有機ケイ素ポリマーを塗布する工程と、ホットプレート法により、前記基板上に形成された前記有機ケイ素ポリマーを酸化してシリコン酸化膜を形成すると共に、前記油性インクを分解することにより油性インクのパターン上のシリコン酸化膜を剥離し、前記油性インクのパターンとは逆のパターン形状を有するシリコン酸化膜のパターンを形成する工程と、前記シリコン酸化膜のパターンが形成された基板を洗浄して、前記分解した油性インクおよび剥離したシリコン酸化膜を除去する工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜のパターニング方法である。 （もっと読む）

【課題】基板側面に付着した異物の効率的な除去が可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａの側面に保護材３を形成する工程と、基板１０Ａの少なくとも一方の主面に機能層４Ａを形成する工程と、保護材３を基板１０Ａから剥離する工程と、
を有することを特徴とする、デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】塗布液を吐出するノズルの先端で塗布液の固化を防止することができる塗布処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態による塗布処理装置は、ノズル２２と、塗布液供給源２１と、固化防止溶媒供給手段と、を備える。ノズル２２は、液体を吐出する流路２２１と、流路２２１の周囲を囲むように形成される流路２２２と、を有する。塗布液供給源２１と、ノズル２２の流路２２１に配管３１を介して塗布液４５を供給する。また、固化防止溶媒供給手段は、ノズル２２の流路２２２に配管３２，３３を介して塗布液４５の固化を防止する固化防止溶媒を気体状または霧状の状態で供給する。そして、気体状または霧状の固化防止溶媒がノズル２２の流路２２２から吐出される。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜の上に、ＳｒＲｕＯ_３膜を形成し、その上に酸化イリジウム等の電極を従来の方法で形成した強誘電体キャパシタでは、目標とする大きさのＱｓｗを得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、下部電極膜を形成する。下部電極膜の上に、強誘電体膜を形成する。強誘電体膜の上に、ペロブスカイト構造を持つ導電性酸化物からなるアモルファスの中間膜を形成する。中間膜の上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第１の上部電極膜を形成する。第１の上部電極膜を形成した後、酸化性ガスを含む中で第１の熱処理を行うことにより、中間膜を結晶化させる。第１の熱処理の後、第１の上部電極膜の上に、第１の上部電極膜を形成するときの成長温度よりも低温で、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第２の上部電極膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度および密着力に優れた低誘電率の層間絶縁層を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第１の多孔質層６と、第１の多孔質層６の直上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第２の多孔質層７と、第１の多孔質層６に埋め込まれたビア１０と、第２の多孔質層７に埋め込まれた配線１１と、を有し、第１の多孔質層６の孔密度ｘ_１は４０％以下であり、第２の多孔質層７の孔密度ｘ_２は、（ｘ_１＋５）％以上である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、誘電特性などの膜特性、特に、機械強度に優れた絶縁膜、および、該絶縁膜を効率よく製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表されるカゴ型シルセスキオキサン化合物の重合体を含む膜に、大気圧下にて低温プラズマ処理を施し、硬化させて得られる絶縁膜。
一般式（１） （ＲＳｉＯ_3/2）_n
（一般式（１）中、Ｒはそれぞれ独立して非加水分解性基を表し、Ｒのうち少なくとも２つはビニル基またはエチニル基を含む基を表す。ｎは、８〜１６の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】 シートフィルム上に薄膜を形成する塗布装置および塗布方法において、吸着による塗布膜厚ムラを防止するのに適した技術を提供する。
【解決手段】 シートフィルムＦの一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持するステージ３４０と、ステージ３４０保持されたシートフィルムＦの表面に薄膜材料を塗布する塗布ノズル３４３と、塗布された薄膜材料をシートフィルムＦの表面に広げるためにステージ３４０を回転する回転機構とを具備する塗布ユニット３４において、塗布手ノズル３４３より薄膜材料が塗布される前にシートフィルムＦを保持した状態でステージ３４０を回転することでステージ３４０の中央部３４１ａとシートフィルムＦとの間に残留する空気を排気した状態で吸着状態を達成する。 （もっと読む）

【課題】ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜から、ＴＦＴの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でＯＨ基を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に低温形成された、ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜を有機溶媒に接触・浸漬させる工程と、その後、前記シリコン酸化膜を低温加熱する熱アニール処理を加える工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜からのＯＨ基除去法。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復
【解決手段】第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の層の第１の誘電率が第２の誘電率まで増加しており、該方法は、ケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、そしてケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面を、紫外線照射、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ、の各ステップを含み、ケイ素含有誘電体材料の層は、ケイ素含有誘電体材料の層をエネルギー源に曝した後の第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する、方法。 （もっと読む）