【課題】強誘電体等からなる金属酸化物膜を所望の位置に低温で低コストで形成する。
【解決手段】金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液に、金属酸化物膜が成膜される基板を浸す工程と、前記基板と前記前駆体溶液との界面に光を集光した状態で、前記光を走査しながら照射する工程と、を有し、前記前駆体溶液は前記光を透過するものであって、前記基板上に前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】質量密度の高い絶縁膜の製造方法を提案すること。
【解決手段】絶縁膜の製造方法は、基板の上に絶縁膜を形成するステップと、その絶縁膜を処理するステップとを備えている。絶縁膜は、ＳｉとＯとを含んでおり、たとえばＳｉＯ₂膜である。第２のステップでは、絶縁膜の温度を５５１℃以上５７４℃以下として、活性状態の希ガスと活性状態の酸素とを絶縁膜に供給する。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合のＩ−Ｖ特性を向上させる半導体材料を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体材料は、酸化亜鉛の結晶を含有する粒子を備え、酸化亜鉛の結晶子の大きさが５〜５０ｎｍであり、酸化亜鉛の結晶における窒素の含有率が５００〜１００００質量ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】単一配向の結晶配向性が高いセラミックス薄膜を得ることができるセラミックス前駆体薄膜の製造方法および前駆体溶液を提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法は、金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液に、アモルファス粉末を混合し、金属アルコキシド系化合物を含む前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、前記前駆体溶液を用いてゲル膜を成膜するゲル膜成膜工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、耐熱性に乏しいＭＴＪ素子等の素子の劣化を避けつつ、良好な半導体装置を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、基板上に複数の素子を形成し、複数の素子の間を埋め込むようにシリコン化合物膜を形成し、マイクロ波を照射することにより、シリコン化合物膜を酸化シリコン膜に改質する。 （もっと読む）

【課題】低収縮かつ低応力である絶縁膜を製造することができる方法の提供。
【解決手段】基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、引き続き前記塗膜を過酸化水素雰囲気下、５０〜２００℃で加熱することを含んでなることを特徴とする、二酸化ケイ素膜の製造方法。この二酸化ケイ素膜の製造方法によって各種絶縁膜などのアイソレーション構造を形成させることができる。 （もっと読む）

【課題】均一で高い充填密度を有し、かつ欠陥が少ない絶縁膜を形成することができる方法の提供。
【解決手段】基板表面に、二酸化ケイ素微粒子と、ポリマーと、界面活性剤と、分散媒とを含む二酸化ケイ素分散液を塗布し、次いでポリシラザン組成物を塗布した後、加熱して絶縁膜を形成させる、絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】分極特性を向上させる強誘電体素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体素子は、基板１と、この基板１上に形成された拡散防止層２と、拡散防止層２の上に形成された下部電極層３と、下部電極層３の上に形成された強誘電体膜４と、強誘電体膜４の上に形成された上部電極層５とから構成されている。強誘電体膜４の化学溶液法を用いた製造方法は、基板１の主面に下部電極層３を形成する下部電極形成工程と、この下部電極層３上に強誘電体４の前駆体膜を形成する前駆体形成工程と、前駆体膜を加熱して結晶化させることで強誘電体膜４を形成する結晶化工程と、強誘電体膜４を一定の温度まで冷却する冷却工程と、を少なくとも含み、結晶化工程において、前駆体膜に応力を印加した後に結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができる圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電セラミックス膜形成用組成物は、ビスマス及び鉄を含む金属錯体混合物と、ポリエチレングリコールと、ターピネオールと、溶媒と、を含む。ポリエチレングリコールと、沸点の高いターピネオールとを含むことにより、鉄酸ビスマス系の圧電材料からなりクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。また、圧電特性の良好な圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができる圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電セラミックス膜形成用組成物は、カリウム、ナトリウム、及びニオブを含む金属錯体混合物と、シリコーンオイルと、溶媒と、を含み、金属錯体混合物と溶媒との総量１００容量部に対してシリコーンオイルを５容量部以下含む。所定量のシリコーンオイルを含むことにより、圧電セラミックス膜を形成する際の焼成工程における熱膨張が抑制されて、圧電セラミックス膜の残留応力を低減させることができる。これにより、クラックの発生が抑制されたニオブ酸カリウムナトリウム系の圧電材料からなる圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第１および第２の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第１の領域に設けられ、第１の幅を有する第１の溝と、前記基板の前記第２の領域に設けられ、第１の幅よりも広い第２の幅を有する第２の溝と、前記第１の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第１の絶縁膜と、前記第１の幅を上回る直径を有し、前記第２の溝を埋める微粒子と、前記第２の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第２の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第２の絶縁膜とを持つ。 （もっと読む）

【課題】液状の原料を確実に気化させることができ、配管や処理チャンバ内の汚染を防止して良好な表面処理を可能とする表面処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理物Ｓが配置される処理チャンバ２と、この処理チャンバに接続された気化器６とを備え、この気化器にその表面処理を行う表面処理装置において、前記気化器６から処理チャンバ内に通じ被処理物に至る経路に原料が衝突する加熱体５０を設け、加熱体は、所定の角度で傾斜させて処理チャンバ内に配置した反射板５１と、この反射板を所定の温度に加熱する加熱手段５２を有する。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの微細化がさらに進展しても、トレンチの内部に、膨張可能な膜及び酸化障壁となる膜を形成することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 トレンチ内部に酸化障壁膜の形成工程（ステップ３）、酸化障壁膜上に膨張可能な膜の形成工程（ステップ４）、焼成することで収縮する埋め込み材でトレンチを埋め込む工程（ステップ５）、埋め込み材の焼成工程（ステップ６）と、を含み、ステップ３の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、トレンチの内部に第１のシード層を形成する工程（ステップ３１）、第１のシード層上に窒化シリコン膜を形成する工程（ステップ３２）と、を含み、ステップ４の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、窒化シリコン膜上に第２のシード層を形成する工程（ステップ４１）と、第２のシード層上にシリコン膜を形成する工程（ステップ４２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ＣＶＤ装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、ＣＶＤ装置による成膜処理を行う基板の前処理を行なうための基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージが配された基板処理室と、前記基板処理室内で前記基板ステージを介して前記基板を加熱する加熱部と、前記基板処理室内で、前記加熱部により加熱された前記基板の表面を酸化する酸化処理部と、前記基板処理室内で、前記酸化処理部により酸化された前記基板の表面に有機溶剤を塗布する塗布処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に形成されたトレンチの埋め込み用途に好適なポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法の提供。
【解決手段】（ｉ）一般式：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）（式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である）で表される１種類以上のシラン化合物に由来し重量平均分子量が３００以上１０００未満であるポリシロキサン化合物を得る工程と、（ｉｉ）該ポリシロキサン化合物とシリカ粒子とを溶媒中で反応させてポリシロキサン縮合反応物溶液を得る工程と、（ｉｉｉ）該ポリシロキサン縮合反応物溶液に、少なくとも１種類の沸点１００℃以上２００℃以下の溶媒を加えた後に、蒸留により沸点１００℃以下の成分を留去する工程と、を含むポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物と、（ｉｉ）シリカ粒子と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該一般式（１）で表されるシラン化合物が４官能シラン化合物及び３官能シラン化合物を少なくとも含有し、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のトレンチ内に埋め込んだ際に、クラック、及びボイドが生じにくく、かつ高密度に埋め込むことができるトレンチ埋め込み方法。
【解決手段】（１）トレンチ２を有する基体１上に、シロキサン系重合体、空孔形成剤、及び有機溶媒を含むトレンチ埋め込み用組成物を、少なくとも該組成物が前記トレンチ内に充填されるように塗布し、塗膜３を形成する工程、及び、（２）工程（１）で得られた塗膜３に加熱処理および光処理の少なくともいずれか一方を行う工程、を含むトレンチ埋め込み方法。 （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である。｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物の縮合換算量４０質量％以上９９質量％以下と、（ｉｉ）シリカ粒子１質量％以上６０質量％以下と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）

【課題】記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。
【解決手段】高アスペクト比の特徴を有する半導体基材を用意する工程、該半導体基材を低分子量のアミノシランを含む液体配合物と接触させる工程、該半導体基材上に該液体配合物を塗布することにより膜を形成する工程、及び該膜を酸化条件下において高温で加熱する工程を含む方法が提供される。この方法のための組成物もまた記載される。 （もっと読む）

【課題】繰り返しの熱処理でも安定して膜の積層が可能で、製造工程を短縮できる電気−機械変換膜の作製方法と、電気-機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】第1の電極と、電気-機械変換膜８３と、第2の電極とを順次設けて成る電気-機械変換素子を基板又は下地膜上に備えた液体吐出ヘッド構成体の、電気-機械変換膜８３を、少なくとも酸化チタン等の光触媒機能を有する化合物から成る表面改質膜８０を形成する工程と、表面改質膜８０に選択的に光を照射して光照射部位の親水性を高め、光照射部位と光未照射部位との水に対する接触角の差を60°を超えるように制御する工程により親水性とされた部位８１に直接、もしくは親水性部位８１に第1の電極を設けこれを介してインクジェット法によりパターン化して設ける電気−機械変換素子。 （もっと読む）