【課題】 微細ＬＳＩの製造プロセスに適する極めて低い温度で、強誘電体薄膜又は高誘電体薄膜を製造する。
【解決手段】 強誘電体薄膜又は高誘電体薄膜を形成方法は、基板１０２上に、強誘電体又は高誘電体よりなる第１の微粒子１０１ａが混合され、第１の微粒子１０１ａを構成する金属元素と同一の金属元素を含む有機化合物原料１０４を塗布する工程と、塗布された有機化合物原料１０４を金属酸化物のアモルファス膜１０５に変化させる工程と、レーザーを照射して、第１の微粒子１０１ａの結晶構造と同一の結晶構造を持つように、金属酸化物のアモルファス膜１０５の結晶化を行なう工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンネル部の有機樹脂層をプラスチックからなる基板側およびこの基板に対向する表面側から侵入する水、水素、酸素などから保護することが可能な有機半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチックからなる基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を含む前記基板上に形成されたＳｉＮ_xまたはＡｌ₂Ｏ₃からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極の間のチャンネル領域を少なくとも含む前記ゲート絶縁膜上に形成された有機半導体層と、少なくとも前記有機半導体層に形成されたＳｉＮ_x層を含む保護層とを具備したことを特徴とする有機半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 低い誘電率を有し、弾性係数、硬度などの機械的物性にも優れるうえ、熱的安定性もある、二重有機シロキサン前駆体を用いた絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の絶縁膜の製造方法は、二重有機シロキサン前駆体化合物と薄膜物性改良剤との混合物をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法によって薄膜化する段階を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子などにおいて好適に用いられる膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）ゼオライトのMFI構造を有し、前記MFI構造を構成するシロキサンの１０員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、ポリオルガノシロキサン化合物と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物、および下記一般式（３) で表される化合物より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を、加水分解、縮合して得られる化合物と、（Ｃ）有機溶媒とを含有する。
Ｓｉ（ＯＲ）_４ ・・・・・（１）
Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ・・・・・（２）
Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・・・・（３） （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体素子などにおいて好適に用いられる膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）ゼオライトのMFI構造を有し、前記MFI構造を構成するシロキサンの１０員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、ポリオルガノシロキサン化合物と、（Ｂ）ポリカルボシラン化合物とを、有機溶媒の存在下で混合し、加熱することにより得られる化合物を含有する。 （もっと読む）

【課題】処理室内に低ｋ誘電体フィルム層を有する基板から湿気及び汚染物質を取り除くための乾燥方法を提供する。
【解決手段】集積回路の低ｋ誘電体フィルムから汚染物質を乾燥して取り除くための方法。この方法は、低ｋ誘電体層を光子に露出させ、光子の露光と同時に、あるいはその前か後に、低ｋ誘電体層の劣化を生じさせないで汚染物質を取り除くのに有効な処理に対して基板を露出させることからなる。この処理は、加熱処理、真空処理、脱酸素プラズマ処理、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択されることを特徴とする。
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【課題】 誘電率及び／又はＳｉＣＯＨ膜の信頼性に影響を及ぼさない方法を用いて、漏れ電流が改善されたＳｉＣＯＨ膜を提供すること。
【解決手段】 深紫外線（ＤＵＶ）に曝されていない従来技術のＳｉＣＯＨ誘電体膜を含む従来技術の誘電体膜に比べて改善された絶縁特性を有するＳｉ、Ｃ、Ｏ及びＨ原子（以下ＳｉＣＯＨ）からなる誘電体膜の製造方法が開示される。改善された特性は、ＳｉＣＯＨ誘電体膜の誘電率に悪影響を及ぼす（増加させる）ことなく達成される、漏れ電流の減少を含む。本発明によれば、堆積時のＳｉＣＯＨ誘電体膜をＤＵＶレーザ・アニールに曝すことにより、減少された漏れ電流及び改善された信頼性を呈するＳｉＣＯＨ誘電体膜が得られる。本発明のＤＵＶレーザ・アニール・ステップは、おそらく、膜から弱く結合されたＣを除去し、それにより漏れ電流を改善する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子などにおいて好適に用いられる膜形成用組成物ならびにシリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（Ａ）で表される化合物から選ばれた１種のシラン化合物と、
下記一般式（Ｂ）で表される化合物および下記一般式（Ｃ）で表される化合物から選ばれた１種のシラン化合物とを、加水分解、縮合した加水分解縮合物ならびに有機溶媒を含む、熱および紫外線を用いて硬化する半導体装置の絶縁膜形成用組成物。


（Ｒ^９）_ａ−Ｓｉ−（ＯＲ^１０）_４−ａ・・・（Ｂ）
Ｒ^１１_ｂ（Ｒ^１２Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^１５）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^１３）_３−ｃＲ^１４_ｃ・・・（Ｃ） （もっと読む）

【課題】
【解決手段】紫外光線を使用して、多孔質低誘電率半導体ウェハのような、基板を処理するシステム及び方法が開示されている。基板は、最初に、湿式処理モジュール内にて清浄化し、次に、減圧圧力及び１００℃以下、好ましくは８０℃以下の温度にて紫外線モジュール内にて乾燥させる。ロボット式モジュールが基板を湿式処理モジュールから紫外線モジュールまで搬送する。紫外線モジュールは、１７２ｎｍのインコヒーレントな真空紫外ＶＵＶ光線を提供するパルスキセノンエキシマーランプを含むことができる。 （もっと読む）

【解決課題】 低誘電率と高機械強度を両立する絶縁膜を得ること
【解決手段】 エチル基、ビニル基、エチニル基、プロピル基、アリル基、ブチル基またはフェニル基よりなる群から選ばれる置換基を有する環状シロキサンを含むＣＶＤ用絶縁膜原料組成物及び、該ＣＶＤ用絶縁膜原料組成物を気化または昇華して生成させたガスを、基材を静置した反応容器に導入した後、該ガスをプラズマ化して該基材上に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】
プラズマを用いて行う半導体装置の製造装置に於いて、プラズマ暴露により生じるプラズマ損傷を低減するための装置を提供する。
【解決手段】
プラズマプロセス後に、真空中、若しくは不活性雰囲気中で半導体表面にX線、若しくは紫外線、或いはその両者を照射する装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の層間絶縁膜として、均一な厚さの塗膜が形成可能で、耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、誘電率特性に優れた絶縁膜形成用材料を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する重合体（Ａ）を含有することを特徴とする絶縁膜形成用材料。
【化３０】


Ｒ₁〜Ｒ₇は水酸基、炭化水素基、ディールス−アルダー反応により炭化水素基になる基、炭化水素基の炭素原子の一部を珪素原子に置き換えた基、又はディールス−アルダー反応により炭化水素基になる基の炭素原子の一部を珪素原子に置き換えた基を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚの１つは水酸基を表し、残る２つは異なり、−Ｏ−、酸素原子側で連結される式（ＩＢ）から選択され、ｎは１〜１０を表す。
【化３１】


Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄はＲ₁〜Ｒ₇と同義、Ｒ₁₅〜Ｒ₁₇は単結合、炭化水素基、又はディールス-アルダー反応により炭化水素基になる基、Ｒ₁₈は単結合又は-Ｏ-、ｍは０〜１０を表す。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜を基板上に堆積し、その膜を後処理する方法を提供する。
【解決手段】後処理には、低誘電率膜を所望の高温まで急速に加熱し、その所望の高温に膜が露出される時間が約５秒以内になるように急速に冷却することを含む。一態様において、後処理は低誘電率膜を電子ビーム処理及び/又は紫外線処理に露出することも含む。

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高誘電率層（１８０）を半導体装置中に集積するためにシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層（１６０）を使用する方法である。この方法は、基板（１５０）上にＳｉＧｅ表面層（１６０）を形成し、前記ＳｉＧｅ表面層（１６０）上に高誘電率層（１８０）を堆積する。酸化層（１７０）は、前記高誘電率層（１８０）とＳｉＧｅ表面層（１６０）の未反応部位との間に位置し、前記高誘電率層（１８０）の堆積中とその後のアニーリング処理中とのいずれか、又はいずれもの間に形成される。前記方法は、前記高誘電率層（１８０）上に電極層（１９０）を形成する。
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【課題】所定パターンのＳｉＯ_２膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成されたＳｉＯ_２膜、このＳｉＯ_２膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、所定パターンの第２の層間絶縁層（ＳｉＯ_２膜）５を形成する方法であり、主としてポリオルガノシロキサンで構成されるポリオルガノシロキサン膜を形成する第１の工程と、ポリオルガノシロキサン膜の前記所定パターンに対応する領域に、第１のＳｉＯ_２化処理を施して、前記領域に存在するポリオルガノシロキサンをＳｉＯ_２に変化させる第２の工程と、ＳｉＯ_２に変化した前記領域をアルカリ溶液により除去する第３の工程と、第３の工程において残存するポリオルガノシロキサン膜に、第２のＳｉＯ_２化処理を施して、ポリオルガノシロキサンをＳｉＯ_２に変化させることにより、第２の層間絶縁層５を得る第４の工程とを有する。 （もっと読む）

有機強誘電体高分子と有機両極性半導体との組み合わせを備える不揮発性強誘電体メモリデバイスが提案されている。本発明に係るデバイスは、高分子に適合し、また、高分子の利点、即ち、溶液処理、低コスト、低温層堆積及びフレキシブル基板との適合性を十分に活用している。
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