【課題】安定した原子レベルの平坦面（テラス）を有する半導体ウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体の表面に絶縁膜が形成された半導体ウェーハであって、半導体と絶縁膜の界面が、平坦面（テラス）が結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有し、界面の任意の３μｍ×３μｍの領域を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の測定領域とした場合に、この測定領域において、段差に概ね垂直方向の、概ね０．３μｍ間隔の１０本の測線に沿って測定された平坦面の幅（テラス幅）の測定値の９０％以上が５０ｎｍ以上であり、測定領域において、段差に概ね垂直方向の１０本の測線に沿って測定された前記段差の高さ（ステップ高さ）の測定値の９０％以上が１原子層分の高さであることを特徴とする半導体ウェーハおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＵＶキュアを実施するチャンバー内の雰囲気ガスに着目し、Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を向上させるための具体的な製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜３を形成した状態の半導体基板ＳＢをチャンバー内に収容し、大量の窒素ガスをチャンバー内に導入してチャンバー内の空気等をパージし、チャンバー内の雰囲気ガスを窒素ガスに置換する。その後、窒素パージにより大気圧あるいは大気圧より若干陽圧に調整されたチャンバー内に微量な酸素ガスを導入してＵＶキュアを実施する。酸素ガスの導入に際しては、流量計を用いて流量を制御しながら酸素ガスを導入し、チャンバー内の酸素濃度が５ｐｐｍ〜４００ｐｐｍの範囲で一定値となるように流量計を用いて調整を行う。 （もっと読む）

【課題】薄膜の絶縁物バリアー膜を緻密にして、上記リーク電流の増加を十分に防止できるようにする。
【解決手段】ウェハ７に形成されている配線接続孔に対して絶縁体バリアー膜を形成する手段１０３１等と、絶縁体バリアー膜に紫外線を照射する手段３等とを有する。詳しくは、ウェハ７が載置されるヒーター６が設置される第一領域Ｂと、ヒーター６上のウェハ７に紫外線を照射するランプ３が設置される第二領域Ａとの間を仕切る仕切り板１０６８と、第二領域Ａに配置されていてクリーニングを行うプラズマ発生用の電極１０６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、膜特性に優れた絶縁膜が形成可能な組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）〜（ＩＶ）表される化合物のうちの少なくともいずれかの重合物を含む組成物、該組成物を用いた膜製造方法、該方法で製造された膜、該を含む半導体デバイス。Ｒ_４Ｓｉ （Ｉ）Ｒ_３Ｓｉ-（Ｘ-ＳｉＲ_２）_ｍ-Ｘ-Ｓｉ-Ｒ_３ （II）＊ -（Ｘ-ＳｉＲ_２）_ｎ- ＊ （III）ｍ・ＲＳｉ(Ｏ_0.5)₃ （ＩＶ）（式（Ｉ）〜（ＩＶ）中、Ｒは非加水分解性基、Ｘは−Ｏ−等、ｍは０以上の整数、ｎは２〜１６の整数を表し、式（III）の＊同士は結合して環を形成し、式（ＩＶ）は、ｍ個のＲＳｉ(Ｏ_0.5)₃ユニットを有し、各ユニットが、各ユニットにおける酸素原子を共有して他のユニットに連結しカゴ構造を形成している化合物を表し、ｍは８〜１６の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】膜強度が高く、吸湿による誘電率上昇を防止できる低誘電率絶縁膜、寄生容量増大によるデバイス応答速度の遅延および信頼性の低下を防止できる多層配線装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＣＨ₃結合およびＳｉ−ＯＨ結合を有する物質を含む絶縁膜を形成し、絶縁膜にフィルターを介して紫外線を照射して絶縁膜を変性させることを含む多層配線装置の製造方法において、そのフィルターとして、紫外線照射により、絶縁膜中の、Ｘ線光電子分光分析法によるＣ濃度の減少率が３０％以下、Ｃ−Ｈ結合、Ｏ−Ｈ結合およびＳｉ−ＯＨのＳｉ−Ｏ結合からなる群から選ばれた１以上の結合の減少率が１０％以上である特性を与えるフィルターを使用する。あるいは、紫外線照射により、絶縁膜中にＳｉ−ＣＨ₂−ＣＨ₂−Ｓｉ結合およびＳｉ−ＣＨ₂−Ｓｉ結合を形成させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造温度を低下させること。
【解決手段】紫外領域の光を照射のもと基板にオゾンガスを供して基板にバッファ用酸化膜を形成した後にこのバッファ用酸化膜にポリシリコンが形成される。次いで、酸化処理炉１０内で光源１４からの紫外領域の光を照射のもと前記基板のポリシリコンにオゾンガスを供して前記ポリシリコン上にゲート絶縁膜を形成する。前記基板には紫外領域の光を照射して前記基板のポリシリコンを結晶化及び粒界サイズを大型化するとよい。また、図示省略のＣＶＤ処理炉では前記ゲート絶縁膜が形成された基板に紫外領域の光を照射しながらオゾンガスを供して前記基板にゲート絶縁膜が追加形成される。前記ゲート絶縁膜が形成された基板は電極が蒸着された後に適宜に酸化処理炉１０内で紫外領域の光が照射されることでアニール処理される。 （もっと読む）

プラズマ物理蒸着過程では、レーザー波長を有する非常に強いラインビームを用いたウエハーの動的表面アニール処理に用いられるイオン注入後のウエハー上に非晶質炭素層を堆積させる。堆積処理は、ドーパント集積閾値温度よりも低いウエハー温度において行われ、チャンバにウエハーを導入することと、チャンバ内を炭化水素処理ガス、好ましくはプロピレン（Ｃ３Ｈ６）、トルエン（Ｃ７Ｈ８）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）又はアセチレンとメタンの混合物（Ｃ２Ｈ４）で満たすこととを含む。この処理は更に、ＲＦプラズマバイアス電力をウエハーに印加しながら、ＲＦプラズマ動力源をチャンバに誘導的に結合させることを含む。堆積された非晶質炭素層は、高い吸収率、大きな強度、そして優れたステップ被覆率という驚くべき組み合わせを有する。
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【課題】ＮＭＯＳトランジスタの電流駆動能力を向上することが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１にＮＭＯＳトランジスタ３を形成する。その後、引張応力が０．５ＧＰａ以下で、かつ結合水素濃度が少なくとも２．０×１０²²ａｔｏｍｓ／ｃｃであるシリコン窒化膜２０を、ＮＭＯＳトランジスタ３のゲート構造６を覆って半導体基板１上に形成する。そして、シリコン窒化膜２０に対して、紫外線、電子ビーム及び赤外線の少なくとも一つを照射する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く、かつ誘電率が低く安定した絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンに炭化水素基を結合させたＳｉＯＣ系材料からなる多孔質の第１層間絶縁膜５を基板１上に成膜する工程と、第１層間絶縁膜５に電子線ＥＢを照射することにより第１層間絶縁膜５の機械的強度を高める工程とを行う半導体装置の製造方法において、電子線ＥＢを照射した後に、第１層間絶縁膜５を酸素雰囲気中においてアニール処理を行い、Ｓｉ−Ｈ結合をＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に置き換える。 （もっと読む）

【課題】ガラスやシリコン基板上に結晶化したＹ_２Ｏ_３を含む薄膜形成を可能にし、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたY、Dy, Sm, Gd, Ho, Eu, Tm, Tb, Er, Ce Pr, Yb, La, Nd, Luからなる群れより選ばれる少なくとも一種類の希土類金属元素を含む有機金属薄膜または金属酸化物膜を、250〜600℃の温度に保持し、波長200nm以下の紫外光を照射しつつ、結晶化を行うことを特徴とする結晶化金属酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ上に大きな応力を有する応力膜を精度良く形成する。
【解決手段】ｎＭＯＳＦＥＴ１０が形成された基板の全面に堆積した引っ張り応力膜３を、ｎＭＯＳＦＥＴ１０上に残してエッチングにより除去し、その後、その残った引っ張り応力膜３に対してＵＶ照射を行う。このＵＶ照射により、引っ張り応力膜３の引っ張り応力を向上させる。また、ＵＶ照射によって引っ張り応力膜３が硬化するが、エッチング後にＵＶ照射を行うため、そのような硬化に起因したエッチング不良の発生は回避される。これにより、ｎＭＯＳＦＥＴ１０の高速化および高品質化が図られる。 （もっと読む）

【課題】 チップサイズの拡大、及び工程数の増加を行うことなく、容量素子を半導体チップ内に形成可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 第１絶縁膜６、第２絶縁膜７、第３絶縁膜８を順次積層した後、配線領域となる第１領域を遮蔽膜によって被覆した状態で、紫外線を照射することで、第２領域内の第２絶縁膜７を比誘電率の高い第２絶縁膜７ｂに変化させる。その後、遮蔽膜を除去した後、所定のマスクパターンに基づく遮蔽膜で被覆した状態でエッチング処理を行って、第１領域及び第２領域内に溝構造を形成し、当該溝構造内に銅膜を成膜する。これによって、第１領域内の銅膜９ａは、当該銅膜９ａ間の絶縁膜の比誘電率が低いため、配線間容量が抑制されており、配線に利用可能であるとともに、第２領域内の銅膜９ｂは、当該銅膜９ｂ間の絶縁膜の比誘電率が高いため十分な静電容量が確保でき、容量素子として利用可能である。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶配向度の高い金属酸化物膜を、簡易、低コスト、かつ、基材及び金属酸化物膜に損傷を殆ど与えずに得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】基材１０上に（１１１）結晶面を有する金属膜１４を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に金属酸化物膜２０を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に形成された金属酸化物膜２０の温度を２５〜６００℃に維持し、金属酸化物膜２０に対して紫外線を照射する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタのドレイン電流がその表面に形成された絶縁膜の応力によって変化することを利用して、ウェハ面内におけるドレイン電流バラツキの抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＭＯＳ型トランジスタ素子上に応力調整用絶縁膜１０を有し、ＭＯＳ型トランジスタ素子のゲート線幅Ｌｇの設計値からの変動量に応じて、応力調整用絶縁膜１０の応力が紫外線１１の照射により調整されている。ＭＯＳ型トランジスタ素子がＰ型ＭＯＳＦＥＴの場合は、同じ設計値に対してゲート線幅が小さいほど応力が大きくなるように調整され、ＭＯＳ型トランジスタ素子がＮ型ＭＯＳＦＥＴの場合は、同じ設計値に対してゲート線幅が大きいほど応力が大きくなるように調整されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができる絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびに前記絶縁膜形成用組成物を用いたシリカ系絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物と、（Ｂ）成分；下記一般式（３）で表される構造を有するカルボシランとを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含む。Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ ・・・・・（１） Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・・（２）


・・・・・（３） （もっと読む）

【課題】ＮＭＩＳトランジスタに損傷を与えることなく、ＮＭＩＳ領域上の内部応力を有する絶縁膜がＰＭＩＳ領域上の絶縁膜に比べて引張応力を有する半導体装置を製造する方法、並びに、該方法によって製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板(1)におけるＮＭＩＳ領域(3)上に形成されたＮＭＩＳトランジスタと、半導体基板(1)におけるＮＭＩＳ領域(3)と間隔をおいて形成されたＰＭＩＳ領域(4)上に形成されたＰＭＩＳトランジスタと、半導体基板(1)上に、ＮＭＩＳトランジスタとＰＭＩＳトランジスタとを覆うように形成され、内部応力を有する連続した応力絶縁膜(22、22a)とを備える。応力絶縁膜(22、22a)におけるＮＭＩＳ領域上に位置する部分(22a)は、ＰＭＩＳ領域(4)上に位置する部分(22)に比べて、引張の内部応力を有している。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜を機械的強度と電気的特性の良好な膜に改質可能な紫外光または可視光を照射する照射装置を提供する。
【解決手段】照射装置に、Ｌｏｗ−ｋ膜の材料によって決まるＬｏｗ−ｋ膜吸収端に対応する波長以上の光を照射し、かつ、当該Ｌｏｗ−ｋ膜の水素が関係する結合基を切断するために必要な波長以下の光を照射する照射手段を有する。照射手段は石英パイプ４内に不活性ガス５を充填したランプ３と受光センサー９とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボラジン骨格を含む絶縁膜を用いた半導体装置のデバイス信頼性を向上させる。
【解決手段】ボラジン化合物を原料として成膜し、当該膜に波長４５０ｎｍ以下の波長を有する紫外線または電離放射線を照射することを特徴とする層間絶縁膜の製造方法および当該製造方法を用いて製造された層間絶縁膜、ならびに当該層間絶縁膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

基板上に酸化シリコン層を堆積する方法が記載される。方法には、堆積チャンバに基板を準備するステップと、堆積チャンバの外部で原子酸素前駆物質を生成させるステップと、原子酸素前駆物質をチャンバへ導入するステップとが含まれ得る。方法には、堆積チャンバにシリコン前駆物質を導入するステップであって、シリコン前駆物質と原子酸素前駆物質が最初にチャンバ内で混合される前記ステップが含まれ得る。シリコン前駆物質と原子酸素前駆物質が反応して、基板上に酸化シリコン層を形成する。基板上に酸化シリコン層を堆積させるシステムも記載される。 （もっと読む）

【課題】 貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料との間の付着性を向上させた相互接続構造を提供する。
【解決手段】 化学的にエッチングした誘電材料と貴金属ライナとの間の付着性を向上させた相互接続構造およびこれを製造する方法を提供する。本発明によれば、化学的にエッチングした誘電材料に処理ステップを行って、処理した表面が疎水性になるように誘電材料の化学的性質を変更する。処理ステップは、貴金属ライナの堆積前に実行して、化学的にエッチングした誘電材料と貴金属ライナとの間の付着性を向上させるのに役立てる。 （もっと読む）