【課題】電極と、基板または絶縁層との密着性に優れる半導体装置、かかる半導体装置を簡便に製造する方法および信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、有機半導体層７と、絶縁部６と、有機半導体層７に重なるゲート部３と、有機半導体層７と絶縁部６との間に位置するソース部４と、有機半導体層７と絶縁部６との間に位置するドレイン部５と、を備え、絶縁部６は、典型金属元素で構成される複合金属酸化物を含み、ソース部４とドレイン部５の少なくとも一つが、絶縁部６を構成する複合金属酸化物の一部が導体化されたものを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物、炭素−炭素不飽和結合を有する耐熱性有機高分子化合物および有機溶剤を含む。該組成物を基板上に塗布した後、硬膜することにより絶縁膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の層間絶縁膜に適した、均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜を提供する。
【解決手段】組成物は、下記式（Ａ）および式（Ｂ）を構成単位として含む共重合体等を含有する。


上式中Ａ^１〜Ａ^６は水素原子等、ｍおよびｎは１以上の整数、ｍ＋ｎ個のＳｉＯ_1.5ユニットは酸素原子を共有して他のユニットに連結して、カゴ構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタを構成する材料によって熱処理温度が制限される半導体装置の層間絶縁膜の形成において、ＣＭＰ平坦化処理工程でスクラッチの発生を抑制することが可能な比較的低温のプロセスで形成されるＯ₃／ＴＥＯＳ系の熱−ＵＳＧ膜からなる層間絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を得ること。
【解決手段】ソース／ドレイン領域となる拡散層１６および／またはゲート電極１３上にシリサイド膜１４，１７を有する電界効果型トランジスタがシリコン基板１上に形成された半導体基材上に、熱ＣＶＤ法によって不純物が導入されていないシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２２を形成する工程と、シリサイド膜１４，１７に影響を与えない程度の温度で、シリコン酸化膜中に混入したガス状反応生成物を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復
【解決手段】第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の層の第１の誘電率が第２の誘電率まで増加しており、該方法は、ケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させること；およびケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面を、紫外線、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すこと、の各ステップを含み、ケイ素含有誘電体材料の層は、ケイ素含有誘電体材料の層をエネルギー源に曝した後の第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、低比誘電率であり、機械的強度に優れた絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物５０〜１００モル％と他のシラン化合物０〜５０モル％とを加水分解縮合して得られた第１の加水分解縮合物と、下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物３０〜１００モル％と他のシラン化合物０〜３０モル％とを加水分解縮合して得られた第２の加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含み、前記第２の加水分解縮合物の分子量は、前記第１の加水分解縮合物の分子量より大きい。Ｓｉ（ＯＲ^１）_４ ・・・・・（１）Ｒ^２_ａ（Ｒ^３Ｏ）_３−ａＳｉ−（Ｒ^６）_ｃ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｂＲ^５_ｂ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】高集積化、多層化に好適な低比誘電率絶縁膜のに用いるシリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】シリカ系膜は、（Ａ）成分；Ｓｉ（ＯＲ^１）_４および一般式Ｒ^２_ａ（Ｒ^３Ｏ）_３−ａＳｉ−（Ｒ^６）_ｃ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｂＲ^５_ｂで表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、原料比で全シラン化合物の５０モル％以上含む混合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物、ならびに有機溶媒と、を含む絶縁膜形成用組成物を紫外線または電子線により硬化して得られる。（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ａおよびｂは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を表し、ｃは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、低誘電率ホウ素炭素窒
素薄膜を成膜することができる成膜方法を提供することを日的とすること。
【解決手段】前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズ
マを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素
炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された所定のパターン上に塗布膜を形成するにあたって、当該塗布膜の表面を平坦化する。
【解決手段】塗布処理装置２４の処理容器１５０の内部には、ウェハＷを水平に真空吸着保持するスピンチャック１２０が設けられている。スピンチャック１２０の上方には、ウェハＷ表面の中心部に液体状の塗布膜形成成分を含む塗布液を塗布するための塗布ノズル１３０が配置されている。処理容器１５０内の上方には、スピンチャック１２０上のウェハＷに対して紫外線を照射する照射部１１０が設けられている。塗布ノズル１３０からウェハＷのパターン上に塗布液が塗布された後、塗布された塗布液に対して照射部１１０から紫外線が照射され、塗布膜が形成される。 （もっと読む）

（ａ）ゲート（２０９）と、前記ゲートに関連するチャネル領域とを備える半導体構造を提供する半導体構造ステップと；（ｂ）前記半導体構造上に、第１ストレッサ材料の第１サブ層（２３１）を堆積することによって、前記半導体構造に引張応力を印加する第１サブ層堆積ステップであって、前記第１ストレッサ材料はシリコン−窒素結合を含むことと；（ｃ）放射源に露出することによって、前記第１ストレッサ材料をキュアする第１キュアステップと；（ｄ）前記第１サブ層上に、第２ストレッサ材料の第２サブ層（２３３）を堆積することによって、前記半導体構造に引張応力を印加する第２サブ層堆積ステップであって、前記第２ストレッサ材料はシリコン−窒素結合を含むことと；（ｅ）放射源に露出することによって、前記第２サブ層をキュアする第２キュアステップとを有する、半導体デバイスの製造方法を提供する。
（もっと読む）

【課題】 膜強度の強化と、膜中の水分或いはＯＨ基の脱離とを効率的に実行可能な絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 所定の原料ガス雰囲気下で第２低誘電率絶縁膜８を所望膜厚より薄い膜厚分成膜し、その後、大気暴露することなく、第２低誘電率絶縁膜８の成膜工程と同一基板温度、同一圧力下でＯ_２ガス処理を施し、第２低誘電率絶縁膜８中の残存未反応原料の脱離処理、終端化処理、或いは膜中に吸着形成されたＯＨ基の脱離処理を行う。その後、第２キャップ絶縁膜１１を成膜する。以下、第２低誘電率絶縁膜と第２キャップ絶縁膜との膜厚合計が所望膜厚になるまで、第２低誘電率絶縁膜成膜工程、残存未反応原料脱離工程、及び第２キャップ絶縁膜成膜工程を複数回繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】本願発明の課題は、可塑性を有するプラスチック基板等に対して、基板の耐熱温度以下における低温印刷プロセスにより、現在電子デバイスとして使用されているものと同等の高い絶縁性能を有する酸化シリコン薄膜を用いる半導体薄膜素子及びその形成方法を提供することである。
【解決手段】可塑性を有するプラスチック基板上にシラザン構造又はシロキサン構造を含むケイ素化合物の塗布膜を形成し、該塗布膜を酸化シリコン薄膜に転化し、該薄膜を絶縁層又は封止層の一部とすることにより半導体薄膜素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】 より高品質なゲート絶縁膜の製造方法、これを有する有機トランジスタの製造方法、有機ＥＬ表示装置の製造方法、ディスプレイを提供することを提供する。
【解決手段】 ゲート電極５２と、ゲート絶縁膜５４、有機半導体層５６、ソース電極５８、ドレイン電極６０とから形成されている有機ＴＦＴ５０は、ゲート絶縁膜５４について、金属酸化物粒子３０とバインダー樹脂とを含み、前記ゲート絶縁膜５４の構成材料となる塗布膜３２を塗布し、モールド表面４２により塗布された塗布膜３２の表面を押圧して製造する。 （もっと読む）

【課題】信号の処理速度向上が得られる誘電率が小さく、かつ、ＣＭＰ（化学・機械的研磨）に耐え得る機械的強度を持ち、更には形成された膜の面内均一性が高く、かつ、ロット間でのバラツキが少ない膜を、緩い成膜条件（最適成膜条件の範囲が広く）で、かつ、容易に、形成することができる半導体装置（素子）における絶縁膜（誘電膜）を形成する為の膜形成材料及び膜形成方法を提供する。
【解決手段】膜を形成する為の材料であって、炭素数が４〜７個のシクロアルキル基を一つ、炭素数が１〜３個のアルキル基を一つ、及び、炭素数が１〜３個のアルコキシ基を二つ持つＳｉ化合物。 （もっと読む）

【課題】組立実装時の応力による半導体チップの層間絶縁膜の剥がれや破壊を抑制する。
【解決手段】複数の素子形成領域が形成された半導体ウェハ上に、低誘電率膜１０８を含む絶縁膜および配線により構成された多層配線構造を形成する工程と、半導体ウェハの各素子形成領域を覆うとともに当該素子形成領域の外縁部が選択的に開口されたマスク膜を用い、半導体ウェハの上部から絶縁膜に電子線または紫外線を照射し、マスク膜の開口した領域に対応する箇所の低誘電率膜１０８を改質して当該低誘電率膜１０８に改質領域１２０を形成する工程と、半導体ウェハを、各素子形成領域の改質領域１２０上または当該改質領域１２０よりも外周のダイシングラインに沿って切断して個別化する工程とにより半導体チップ１００を製造する。 （もっと読む）

【課題】１の層間絶縁膜について、配線の配置密度が異なる場所に同じ絶縁材料を使用し、且つ、配線の配置密度に対応した寄生容量を有する半導体装置或いは半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線の配置密度が異なる第１のエリア及び第２のエリアを有する半導体装置の製造方法であって、前記配線間を絶縁する多孔質の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表出する面のうち、前記第１のエリアよりも前記配置密度が小さい前記第２のエリアにエネルギー線を照射し、前記絶縁膜のヤング率が前記第１のエリアに比べて大きな値になるように、前記絶縁膜の構造を変える工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】誘電率を低くするとともに、機械強度および電気特性を向上することができるシリカ系被膜等の被膜の形成方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る被膜の形成方法は、被膜形成用組成物を基材に塗布する塗布工程と、上記基材に塗布した被膜形成用組成物を３００℃以下で乾燥する乾燥工程と、乾燥した被膜形成用組成物に対して、３５０℃以上で加熱しながら、紫外線を照射する照射工程とを包含している。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ用に低温処理可能なまたは溶液処理または印刷可能なゲート絶縁体として使用でき、また、薄膜トランジスタまたは他のエレクトロニクスデバイス用のステンレス鋼箔の平坦化にも使用できる配合物を提供すること。
【解決手段】１３５℃から２５０℃で硬化し、そのうえ、処理温度の低下にもかかわらず良好なリーク電流密度値（９×１０^-9Ａ／ｃｍ²から１×１０^-10Ａ／ｃｍ²）を与えるゾルゲルシリケート前駆体の特定の組み合わせを含んでなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第１の絶縁膜とＣｕの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第２の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】ケイ素を含む第１の絶縁膜を形成する工程（Ａ）と、該第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜に積層する工程（Ａ）と、非酸化雰囲気下で紫外線を照射する工程（Ｂ）と、を順次含むことを特徴とする積層構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属材料を用いた低温成膜条件下であっても、膜中に水素含有成分が残留し難い高誘電体膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に有機金属原料を用いて３５０℃以下の温度でＡＬＤまたはＣＶＤにより高誘電体膜を成膜する工程と、低圧の酸素含有雰囲気で高誘電体膜に紫外線を照射して膜中の水素を脱離させる工程とを有する。 （もっと読む）