【課題】化学蒸着法によって形成された酸化膜の膜質を向上させること。
【解決手段】酸化膜改質装置１は、化学蒸着法によって酸化膜（例えばシリコン酸化膜）が形成された基板２を格納すると共にオゾン含有ガスが供給される処理炉３と、この処理炉３内の基板２上の酸化膜に紫外光を有する光を照射する光源４を備える。光源４は前記オゾン含有ガスの供給と同時に前記光を照射する。前記オゾン含有ガスの雰囲気の圧力は例えば０．１〜３０Ｐａに制御される。前記オゾン含有ガスは例えばオゾン濃度が０．１〜１００ｖｏｌ％である。 （もっと読む）

エキシマ放射を発生させるための装置を提供する。装置は、ハウジング壁を有するハウジングを含む。電極がハウジング内に設けられる。管状ボディが電極の周囲にある。管状ボディは外壁および内壁を含む。少なくとも１種の不活性ガスが、外壁と内壁との間にあり、ハウジング壁および電極は、硬化処理用のエキシマ光で照明するために、不活性ガスを励起させるように構成される。
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【課題】Ｃｕ等の金属層の酸化が生じ難く、かつ、結晶性がよく、かつ、クラックの発生し難いＢａ及びＴｉ含有酸化物層の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを金属層１４上に形成するアモルファス層形成工程と、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｃを結晶化する結晶化工程と、を備える。アモルファス層形成工程では、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層を形成すること、及び、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層に１パルスあたり１〜１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射することの組合わせを１回行う又は複数回繰り返し行うことにより厚みが３００〜６６０ｎｍのＢａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを形成する。また、結晶化工程では、酸化物のアモルファス層２０Ｃに１パルスあたり６０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率であり、かつ機械的強度に優れたシリカ系膜およびその製造方法、ならびにシリカ系膜の形成に用いられる絶縁膜形成用組成物の提供。
【解決手段】本発明の一態様に係る絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも１つと、下記一般式（２）で表される化合物と、下記一般式（３）で表される化合物とをアルカリ触媒を用いて加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含む。


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^８は、同一または異なり、アルキル基を示し、Ｘは、ビニル成分を有する基を示す。）・・・（１）Ｒ^９_a（Ｒ^１０Ｏ）_３−aＳｉ−（Ｒ^１３）_c−Ｓｉ（ＯＲ^１１）_３−bＲ^１２_b・・・（２）Ｒ^１４_ｄＳｉ（ＯＲ^１５）_４−ｄ・・・（３） （もっと読む）

【課題】低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に所定の特性を有するシリコン窒化膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第１の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程Ｓ１と、前記被処理体を前記第１の温度よりも高い第２の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程Ｓ３とを行う。これにより、低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、熱及び紫外光に対する耐久性の低い汎用プラスチック基板に対して、それらの熱や光のエネルギーを基板に直接照射すること無く、高い絶縁性能を有する酸化シリコン薄膜の形成を効率的に行う装置及びその薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明の薄膜素子形成装置は、ケイ素化合物が塗設された基板に対して、装置に導入された雰囲気ガスに紫外光線を照射することによって生成されるオゾンや酸素ラジカルなどの活性酸素種を塗設膜に接触させ、かつ薄膜を２００℃以下の特定温度を保持することによって、該ケイ素化合物薄膜を酸化シリコン薄膜に変換すると同時に熱アニール効果により物理的・電気的性能の向上した薄膜を簡便に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン拡散の発生を防止でき、さらにガラス基板との密着性の良い膜を形成する半導体デバイス、半導体製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置に、半導体基材上に設けられた絶縁膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の窒化膜を形成する手段５と、前記窒化膜に１２００ＧＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段６，７と、前記窒化膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の別の窒化膜を形成する手段５と、前記別の窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段６，７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低誘電率であり、かつ、機械強度に優れた膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（Ａ）で表される構造及び式（Ｂ）で表される構造を少なくとも１つ有する化合物、及び／又は、前記化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。式中、Ｒ¹はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル、フェニル、フェノキシ、ナフチル、アダマンチル、ジアマンチル又は式（Ｂ）で表される構造を表し、Ｒ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル、フェニル、フェノキシ、又は、重合性基を表し、少なくとも１つのＲ²は重合性基である。
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【目的】パターン密度の違いによるエッチング差を抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上にポロジェン材料を含む絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の一部を除去する工程（Ｓ１０６）と、前記ポロジェン材料の一部が除去された前記絶縁膜に前記絶縁膜の底部を残すように開口部を形成する工程（Ｓ１１２）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の残部を除去する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部の前記底部をエッチングする工程（Ｓ１１６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度に優れ、低比誘電率でかつ吸湿性が低く、加工耐性が高い膜を形成することができるケイ素含有膜形成用組成物、上記組成物を用いるケイ素含有膜の形成方法、および上記形成方法によって得られるケイ素含有膜を提供する。
【解決手段】ケイ素含有膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される有機シラン化合物と、空孔形成剤とを含む。
【化１】


・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは１〜２の整数を示す。） （もっと読む）

本発明の一実施形態によれば、紫外線を用いてハードマスク薄膜をパターニングする方法及びシステムが開示される。本発明の実施形態は、ハードマスクパターンを作るためのフォトレジストの被着及びエッチングの加工上の問題を軽減する。最初に、酸化ケイ素などのハードマスク層を被着チャンバ内で基板上に被着させる。場合により、被着に続いてハードマスク層をベーク又はアニールする。その後、ハードマスク層の一部を紫外線で露光する。紫外線はハードマスク材料の露光部分及び未露光部分のパターンを作る。露光に続いて、ハードマスクの未露光部分を除去するウェットエッチングなどのエッチングプロセスが行われてもよい。エッチングに続いて、ハードマスクをアニールするか、ベークするか、又はプラズマ処理してもよい。
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【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度に優れ、低比誘電率でかつ吸湿性が低く、加工耐性が高いケイ素含有膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】ケイ素含有膜の形成方法は、下記一般式（１）で表される有機シラン化合物と空孔形成剤とを用いて、化学気相成長法により堆積膜を形成する工程と、前記堆積膜を硬化させる工程と、を含む。
【化１】


・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは１〜２の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】 炭化水素含有の多孔質層間絶縁膜を用いた多層配線では、低エネルギプラズマによる放電不安定性と隣接膜との密着性劣化により、低誘電率化と高信頼化を両立することが困難であった。
【解決手段】 本発明の多孔質絶縁膜１０は、有機シロキサンを原料とするプラズマＣＶＤによって形成されたものにおいて、第一の電子エネルギのプラズマを用いてプラズマＣＶＤによって形成された第一層１１と、第一層１１の上に第二の電子エネルギのプラズマを用いて前記プラズマＣＶＤによって形成された第二層１２とを備え、第一の電子エネルギが第二の電子エネルギよりも大きい、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各種特性に優れた電子デバイスを最適な構造で実現することができる電子デバイス用基板、および、かかる電子デバイス用基板を備える電子デバイス、さらに、かかる電子デバイスを備える強誘電体メモリ、電子機器、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタを提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板１００は、アモルファス層１５を有する基板１１と、アモルファス層１５上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層１３とを有している。バッファ層１２は、ＮａＣｌ構造の金属酸化物、蛍石型構造の金属酸化物のうちの少なくとも１種を含むものであるのが好ましく、また、立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長したものであるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】製造工程中にダメージを受けても、良好な品質を示す低誘電率膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に低誘電率膜１４を形成する工程（ａ）と、低誘電率膜１４に凹部２０を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、低誘電率膜１４に有機溶液４を塗布する工程（ｃ１）と、シリル化溶液５を用いて低誘電率膜１４をシリル化する工程（ｃ２）とを順に行う工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、凹部２０に金属を埋め込むことで、低誘電率膜１４にビアプラグ及び金属配線のうち少なくとも１つを形成する工程（ｄ）とを備えている。工程（ｃ２）の前に、工程（ｃ１）を行うことで、シリル化溶液５の低誘電率膜１４に対する浸透性が向上する。 （もっと読む）

【課題】低い比誘電率を有し、かつ密着性に優れた積層体およびその製造方法、ならびに該積層体を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】積層体は、シリカ系膜および有機系膜を含み、前記シリカ系膜と前記有機系膜とが、アルキル基、アシル基またはアリール基、と水素原子、フッ素原子、アルキル基、またはアリール基を有し２重結合を含む炭化水素基を有するアルコキシシランシラン化合物を硬化させて得られる層間膜を介して積層する。
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【課題】 半導体装置内で使用される多孔性の低ｋの誘電体を形成すること。
【解決手段】 ポロゲン材料を包含する低ｋの誘電体フィルムから多孔性の低ｋの誘電体材料を形成するプロセスが、紫外線照射へ低ｋの誘電体フィルムを露光することを含んでいる。一実施形態では、該フィルムが、２４０ｎｍ未満の広帯域の紫外線照射へ露光される。他の実施形態では、低ｋの誘電体フィルムが、フィルムのマトリックスの架橋結合密度を高めるのに効果的な第一の照射パターンへ露光される。このとき同時に、この第一の紫外線照射パターンへの露光の前後で、ポロゲン材料の濃度は、実質的に同一に維持している。低ｋの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低ｋの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低ｋの誘電体フィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低ｋ誘電体の形成方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に低ｋ誘電体を形成する方法であって、表面上に低ｋ誘電体を成膜し、低ｋ誘電体の機械的特性を効果的に向上させる時間と強さで紫外線に低ｋ誘電体を露光して、これによって、この機械的特性を、紫外線に露光されない低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、炉で硬化される低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、紫外線の露光の前に過度の活性化エネルギーにさらされる低ｋ誘電体の対応する機械的特性と比べて相当向上させ、この際、過度の活性化エネルギーには、過度のホットプレートベークシーケンス、炉の硬化、焼鈍硬化、複数の温度の硬化プロセス又はプラズマ処理であって、紫外線照射に先立つものが含まれる。 （もっと読む）

【課題】半導体構造の形成方法、より具体的にはトレンチ内における誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。シリコン酸化被膜は酸素含有環境内で紫外線（ＵＶ）硬化される。 （もっと読む）

【課題】加工耐性が高いケイ素含有絶縁膜ならびにその形成方法、および当該膜を形成することができるケイ素含有膜形成用組成物の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるシラン化合物と、下記一般式（２）ないし（４）のうちから選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、を含む化学気相成長法に用いられるケイ素含有膜形成用組成物である。


・・・・・（１）（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、フェニル基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは１〜２の整数を示す。）Ｒ^６_ａＳｉ（ＯＲ^７）_４−ａ・・・・（２）Ｒ^８_ｂ（Ｒ^９Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^１２）_ｄ−Ｏ_ｅ−Ｓｉ（ＯＲ^１０）_３−ｃＲ^１１_ｃ・・・（３）−｛Ｒ^１３_ｆ（Ｒ^１４Ｏ）_２−ｆＳｉ−（Ｒ^１５）_ｇ｝_ｈ−・・・（４） （もっと読む）