【課題】ケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復
【解決手段】第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の層の第１の誘電率が第２の誘電率まで増加しており、該方法は、ケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、そしてケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面を、紫外線照射、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ、の各ステップを含み、ケイ素含有誘電体材料の層は、ケイ素含有誘電体材料の層をエネルギー源に曝した後の第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する、方法。 （もっと読む）

【課題】エネルギーコストを抑制できるシリコンオキシナイトライド膜の製造方法とそれにより製造されたシリコンオキシナイトライド膜付き基板の提供。
【解決手段】基板表面にポリシラザン化合物を含む被膜形成用組成物を塗布して塗膜を形成させ、前記塗膜に含まれる過剰の溶媒を除去し、溶媒除去後の塗膜を１５０℃未満の温度条件下で紫外線を照射することを含むシリコンオキシナイトライド膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性が損なわれるのを防止しつつ、電気的特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、化学気相堆積法により、シリコンと酸素と炭素とを含む絶縁膜４２を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程の後、３５０℃以下の温度で加熱しながら絶縁膜に対して紫外線キュアを行う工程と、紫外線キュアを行う工程の後、絶縁膜に対してヘリウムプラズマ処理を行う工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜ＩＬ２を形成する際にＣＶＤ装置内に供給するポロジェンの流量を、ポロジェンおよびメチルジエトキシシランの合計の流量の３０％以上６０％以下とすることで、層間絶縁膜ＩＬ２内に形成される空孔１０の大きさを小さくし、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。また、水分を含む変質層ＣＬの形成を抑えることで、各配線を構成するバリア膜および主導体膜の酸化を防ぎ、各配線間の耐圧の劣化を防ぐ。これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０にトランジスタ３６を形成する工程と、半導体基板上に、トランジスタを覆う第１のシリコン窒化膜３８を形成する工程と、第１のシリコン窒化膜にＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程と、ＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程の後、第１のシリコン窒化膜に対して熱処理を行う工程と、熱処理を行う工程の後、第１のシリコン窒化膜上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率を容易かつ十分に低下させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、それぞれ環状ＳｉＯ構造を主骨格とし互いに構造が異なる２種類以上の有機シロキサン化合物原料を混合した後で気化する。又は、それら２種類以上の有機シロキサン化合物原料の混合と気化とを一度に行うことによって、気化ガスを生成する。そして、その気化ガスをキャリアガスとともに反応炉に輸送する。そして、反応炉にてその気化ガスを用いたプラズマＣＶＤ法又はプラズマ重合法によって多孔質絶縁膜を成膜する。 （もっと読む）

炭素非含有シリコン−窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層（例えばシリコン−窒素−水素（Ｓｉ−Ｎ−Ｈ）膜）を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン−窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される。シリコン−窒素膜が、炭素を含まずに形成されるため、膜を硬化された酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン−窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン−窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために、低温で実施され得る。低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にする。
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低誘電率層を基板上に堆積するための方法が提供される。一実施形態では、本方法は、１種または複数のオルガノシリコン化合物をチャンバに導入するステップであって、１種または複数のオルガノシリコン化合物がシリコン原子およびこのシリコン原子に結合されたポロゲン成分を含むステップと、１種または複数のオルガノシリコン化合物を、ＲＦ電力の存在下で反応させることにより、低誘電率層をチャンバ内の基板上に堆積させるステップと、低誘電率層からポロゲン成分が実質的に除去されるようにこの低誘電率層を後処理するステップとを含む。任意選択で、不活性キャリアガス、酸化ガス、またはその両方を、１種または複数のオルガノシリコン化合物と共に処理チャンバ内に導入してもよい。後処理プロセスは、堆積した材料の紫外線硬化とすることができる。ＵＶ硬化プロセスは、熱または電子ビーム硬化プロセスと同時にまたは連続して使用してもよい。低誘電率層は、良好な機械的性質および望ましい誘電率を有する。
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次世代の誘電体膜に適切な誘電率およびヤング率を有するＳｉＣＯＨ膜を成膜するために適合した前駆体が開示される。 （もっと読む）

【課題】加圧した状態でランプアニール処理ができる加圧式ランプアニール装置を提供する。
【解決手段】被処理基板としてのウエハ２を導入する処理室５５と、前記処理室内を加圧する加圧ライン（加圧機構）１２と、前記ウエハ２にランプ光を照射するランプヒータ５とを具備する。加圧ライン１２は、アルゴンガスによる加圧ライン、酸素ガスによる加圧ライン及び窒素ガスによる加圧ラインを有している。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】空孔を含む絶縁膜を用いる半導体装置及びその製造方法において、配線間耐圧を向上すると共に配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置２００の製造方法は、基板上に、単一層からなり且つ空孔形成材料２０２を含む絶縁膜２０３を形成する工程（ａ）と、絶縁膜２０３の表面部である第１領域２１０には空孔を形成することなく、絶縁膜２０３における第１領域２１０よりも下方の第２領域には空孔形成材料２０２の除去により空孔２０４を形成する工程（ｂ）と、絶縁膜２０３に少なくとも１つの配線溝２１１を形成する工程（ｃ）と、配線溝２１１を埋め込むように導電膜２１５を形成する工程（ｄ）と、配線溝２１１からはみ出た余剰部分の導電膜２１５を除去することにより配線２０７を形成する工程（ｅ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等において、薄型で容量が大きく、かつ、少ないスルーホール発生率の誘電体膜を提供する。
【解決手段】第１の基体、第１の誘電体材料からなる第１の基体上の誘電体層であって、誘電体層が誘電体膜厚を有し、第１の基体との境界面から誘電体層の半対面まで通じるスルーホールに貫通される誘電体層、及び、スルーホールを少なくとも部分的に塞ぐ第２の誘電体材料からなる装置、並びに、そのような装置を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および／または、蒸気内ＵＶ硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内ＵＶ硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１４内に蒸気を供給する段階と、チャンバ１４内に、シリコンを含む堆積層が設けられている基板２２を配置する段階と、所定の変換期間にわたって、蒸気の存在下で、堆積層にＵＶ光を当てて、堆積層を少なくとも部分的に変換する段階とを備えるシステム１０および方法を提供する。また、チャンバ１４内にアンモニアを供給する段階と、チャンバ１４内に、堆積層を有する基板２２を配置する段階と、アンモニアの存在下で所定の変換期間にわたって堆積層にＵＶ光を当てて、少なくとも部分的に堆積層を高密度化する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性、密着性、及びパターニング性に優れ、かつ、少ない工程数で製造しうる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、支持基板２と、支持基板２の上方に形成された半導体層４〜６と、半導体層の上面に形成された電極層７と、電極層７の一部が露出するように形成された、半導体層４〜６を保護するための保護層８と、保護層８の表面に形成され、電極７を電気的に連結する配線９を含む。保護層８は（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［一般式（１）中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

クラッキングする傾向を減少させた、間隙充填酸化ケイ素層の形成が記載される。堆積は、トレンチの充填を容易にする、流動可能なシリコン含有層の形成を含む。高い基板温度における後続の処理が、従来技術の方法に従って形成された流動可能な膜よりも、誘電体膜中のクラッキングを少なくする。間隙充填酸化ケイ素層の形成に先立って堆積された圧縮性ライナ層が記載され、後続して堆積される膜がクラックする傾向を減少する。流動可能なシリコン含有層の後に堆積される圧縮性キャッピング層も、クラッキングを減少させるように決定された。圧縮性ライナ層および圧縮性キャッピング層は、単独でまたは組み合わせて使用され、クラッキングを減少させ、多くの場合クラッキングをなくすことができる。開示した実施形態の圧縮性キャッピング層は、下にある窒化ケイ素の層を酸化ケイ素層に変換できることが、さらに確定されている。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜に対するＵＶキュア処理による低誘電率膜の下で且つ配線の上に形成されるライナ膜とその下層の膜との間の界面剥離を、ＵＶブロッキング膜を用いずに防ぐことにより、高歩留まりの配線構造を有する信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】基板の上に、第１の絶縁膜１１を形成し、形成した第１の絶縁膜１１の上部に第１の金属配線１２を形成し、第１の絶縁膜１１の上に、第１の金属配線１２を覆うように第２の絶縁膜１３を形成し、第２の絶縁膜１３に対して膜質の改質処理を行う。その後に、第２の絶縁膜１３の上に第３の絶縁膜１４を形成し、形成した第３の絶縁膜１４に対してキュア処理を行う。 （もっと読む）

【課題】冷却効率に優れ、安定的に絶縁膜を所望の特性に改質できる、冷却機構を有する紫外線照射装置を備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、紫外線発光部１０１と、紫外線発光部１０１との間に空間１０３が形成されるように、紫外線発光部１０１を覆うように配置された外套管１０２とを備える。外套管１０２は、冷却媒体が空間１０３の内部に流入する冷媒流入口１０４と、冷却媒体が空間１０３の外部に流出する冷媒流出口１０５とを有し、冷媒流出口１０５近傍における外套管１０２の内壁の上部高さは、冷媒流入口１０５近傍における外套管１０２の内壁の上部高さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の膜強度を十分に確保する。
【解決手段】第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。層間絶縁膜上に形成されている第２の配線層絶縁膜と、第２の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第２の銅配線１６と、を有する。第１、第２の配線層絶縁膜は、第１、第２の低誘電率膜（第１の低誘電率膜４、第３の低誘電率膜１１）を含む。層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。 （もっと読む）

【課題】多孔質層間絶縁膜作製の際の多層化工程数を削減することができる前駆体組成物、この前駆体組成物を用いて得られた多孔質膜及びその作製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４の化合物（Ａ）及び式：Ｒ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａの化合物（Ｂ）（上記式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい。）から選ばれた少なくとも１種の化合物と、２５０℃以上で熱分解する熱分解性有機化合物（Ｄ）と、９０〜２００℃の温度範囲内で熱分解し、そしてこの熱分解によりアミン類を発生する化合物であって、この熱分解温度以下では、この化合物の水溶液又はこの水溶液とアルコールとの混合溶液のｐＨが６．５〜８の範囲内に入る化合物（Ｅ）を含む。 （もっと読む）