【課題】誘電率が低く、且つ、良好な品質を有する絶縁膜を備え、配線間の寄生容量が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第１の溝（第２の配線溝２８）を有し、高さ方向において組成比が異なる第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）と、第１の溝（第２の配線溝２８）を埋める第１の金属配線（第２の金属配線２５）とを備えている。第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）では、上部における機械的強度がその他の部分における機械的強度に比べて大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】配線に十分なＥＭ耐性を確保しつつ、配線層間・線間リークを低減しかつＴＤＤＢ寿命を向上することができるとともに、ビアエッチの際に高選択比を確保して高信頼性な配線を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上の第１の絶縁膜１に形成された配線溝Ｍ１と、配線溝Ｍ１側壁及び底部に形成されたタンタル系バリアメタル２ａと、タンタル系バリアメタル２ａに沿って配線溝Ｍ１を埋め込むように形成されたＣｕ膜２ｂと、Ｃｕ膜２ｂ表面に形成された銅とシリコンの合金層または銅とシリコンと窒素のＣｕＳｉＮ層３ａと、ＣｕＳｉＮ層３ａの上及び第１の絶縁膜１の上に形成され第１の絶縁膜１より高密度なＳｉＮｘ膜３ｄとを有する。 （もっと読む）

【課題】紫外線キュアの効率を向上させ、キュア済みの低誘電率膜の膜特性を改善する。
【解決手段】低誘電率材料を半導体処理中に処理チャンバ内でキュアする方法が与えられる。該低誘電率材料は紫外線が照射されてキュアされる。処理チャンバ内の雰囲気は、紫外線の照射中、２５から１００００ppmの酸素濃度を有する。酸素は、低誘電率材料中の-Si-H基及び-Si-OH基の形成を制限し、それにより、低誘電率材料中の吸湿及び酸化が減少する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、トレンチ形成層或いはビア形成層の低誘電率性と機械的強度を確保するとともに、膜剥がれを防止する。
【解決手段】 基体上に所定の原料ガスを用いてＳｉＯＣを主成分とする第１の多孔質絶縁膜２を予め定めた所定の膜厚まで気相成長させたのち、同一チャンバー内において連続して所定の原料ガスにポロジェン前駆体を添加してポロジェン４を包含するＳｉＯＣを主成分とする第２の多孔質絶縁膜３を気相成長させ、次いで、第１及び第２の多孔質絶縁膜３に２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線５を照射する。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体の結晶化における熱負荷を低減することができる強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体メモリならびに強誘電体メモリの製造方法、および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る強誘電体薄膜の形成方法は、基板１０上に形成された非晶質の酸化物薄膜３０にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して当該酸化物の微結晶核４０を形成する工程と、前記微結晶核４０を有する薄膜にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して前記酸化物を結晶化させて強誘電体５０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上の塗布膜の内部まで酸化させて、基板に均一な塗布膜を形成する。
【解決手段】ウェハにポリシラザンを含む塗布液を塗布して塗布膜を形成した後（ステップＳ１）、ウェハを加熱し塗布膜中の溶剤の一部を蒸発させる（ステップＳ２）。その後、ウェハに紫外線を照射し、塗布膜中のＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を切断する（ステップＳ３）。その後、ウェハを加熱しながら水蒸気中で塗布膜を酸化させる（ステップＳ４）。その後、ウェハを焼成し、塗布膜を脱水縮合させて、ウェハ上に所望の塗布膜を形成する（ステップＳ５）。 （もっと読む）

基板上の低誘電率(low-k)誘電膜を硬化する方法が記載されている。当該低誘電率誘電膜の誘電率は約4未満である。当該方法は、前記low-k誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露する工程を有する。前記UV曝露に続いて、前記誘電膜はIR放射線に曝露される。
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【課題】ゲート絶縁膜としての使用に耐え得るような高品位の酸化膜を窒化物半導体の上に作成する。
【解決手段】本発明による酸化膜形成方法は、ＳｉＯｘ粉末を原料として用いる真空蒸発により、窒化物半導体部材の上にＳｉＯｘ膜を堆積する工程と、堆積された前記ＳｉＯｘ膜を、酸化雰囲気で紫外線を照射しながら加熱することによって酸化する工程と備えている。原料のＳｉＯｘ粉末は、下記特性を有している：（１）フーリエ変換赤外分光分析（ＦＴＩＲ：Fourier Transform Infrared Spectroscopy）によって得られた赤外吸収スペクトルにおいて、８８０ｃｍ^−１にピークが現れる。（２）ラマン分光分析によって得られたラマンスペクトルにおいて、４５０〜５５０ｃｍ^−１にピークが現れない。（３）Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy）によって得られたＸＰＳスペクトルにおいて、ＳｉＯ_２のＳｉ−Ｏ結合に対応するピーク（約１０３ｅＶ）とＳｉの２ｐ軌道のＳｉ−Ｓｉ結合のピーク（約９９ｅＶ）とが現れ、且つ、Ｓｉ−Ｓｉ結合のピークの高さが、Ｓｉ−Ｏ結合のピークの高さの０．６倍以上である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で信頼性の高い積層絶縁膜構造体および多層配線を得ることができる。また、この多層配線により、特に半導体装置等の応答速度の高速化に寄与することができる。
【解決手段】基板上に多孔質絶縁膜前駆体の層を形成し、特定のシリコン化合物の層を形成し、必要に応じてそのシリコン化合物の層をプリキュアし、シリコン化合物の層またはプリキュア層を介して多孔質絶縁膜前駆体に紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】 相互接続積層物内の誘電層間にナノスケール波形界面を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】 相互接続積層物においてナノメートル・スケール波形界面を有する界面を含む誘電複合構造は、接着強度および界面破壊靭性の向上をもたらす。また、波形接着促進物層（１１４）を更に含んで固有の界面接着を更に向上させる複合構造も記載する。また、自己アセンブリング・ポリマー系およびパターン転送プロセスを用いてこれらの構造を可能とするための、ナノメートル・スケール波形界面を形成するための方法も記載する。 （もっと読む）

【課題】基板の被処理面に形成された処理膜にＵＶ光（紫外線）を照射し、該処理膜を硬化させる基板処理装置において、コスト増大を抑制し、安定した基板の温度制御を行なうことのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを所定温度に加熱するホットプレート５７と、ホットプレート５７上に設けられ、基板Ｗを支持する支持ピン５８と、支持ピン５８に支持された基板Ｗの被処理面に対しＵＶ光を照射するＵＶ光照射手段５２とを備え、支持ピン５８は、少なくとも所定の熱伝導率を有することにより、基板Ｗの熱をホットプレート５７に伝導し、ホットプレート５７は、支持ピン５８を介して伝導される熱を吸収する所定の熱容量を有する。 （もっと読む）

オルトケイ酸エステル単独若しくはオルトケイ酸エステル及びアルキル化オルトケイ酸エステル等のケイ素源と、極性溶媒と、水と、強酸触媒であろう酸触媒と、両親媒性ブロック共重合体界面活性剤とを含有し、任意に有機酸、共溶媒及び／又は反応性溶媒を含有するゾルとして生成された新規な組成物のスピンオン誘電。また、前記ゾルの製造方法と、電気的及び機械的特性を有するスピンオン誘電から生成された膜と、膜の電気的及び機械的能力を最適化するのに記載された膜を処理する方法と、ケイ素、鉄若しくは他の表面に前記膜を蒸着する方法とが提供される。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性に優れ、かつ、膜の破壊及び剥離を防止する絶縁膜を形成する方法を与える。
【解決手段】無機シラザンベース絶縁膜を形成する方法が与えられる。当該方法は、Si及びHから構成されるガス並びにN及びHから選択的に構成されるガスを被処理体が配置される反応チャンバ内に導入する工程と、被処理体の温度を−５０℃から５０℃に制御する工程と、無機シラザン結合を含むSi、N及びHにより構成される膜をプラズマ反応により堆積する工程を含む。 （もっと読む）

実施形態は、材料の前駆体を含有するインクから形体を印刷することに関する。該材料には、電気的活性な材料、例えば、半導体、金属、又はそれらの組合せのほか、誘電体を含む。該実施形態は印刷されるライン又はその他の形体の形状、輪郭及び寸法をより正確に制御できる改善された印刷工程条件を提供する。該組成物（複数可）及び／又は方法（複数可）は、インク中の成分の粘度及び質量負荷を増大させてピンニング制御を改善する。典型的な方法は、従って、材料の前駆体と溶媒とを含むインクを該基板上にパターンとして印刷するステップと、該前駆体を前記パターンとして沈殿させてピンニングラインを形成するステップと、該ピンニングラインによって画定されている該材料の前駆体の形体を形成するために、該溶媒を十分に蒸発させるステップと、該材料の前駆体を該パターン化材料に転化するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とすることなく、低温プロセスで絶縁膜の結晶欠陥を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に半導体層１３、ゲート絶縁膜１４およびゲート電極１５をこの順に積層してトップゲート型の薄膜トランジスタを製造する。この際、塗布法により、ゲート絶縁膜１４を形成したのち、エネルギービームＥを照射する。これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。 （もっと読む）

【課題】 低比誘電率と高機械的強度とを併せ持ち、光機能材料、電子機能材料などに好適に使用できる多孔質シリカおよび多孔質シリカフィルムの製造方法、および該多孔質シリカフィルムを用いる層間絶縁膜、半導体用材料および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｏ結合を主骨格とするアルキル基を含有する多孔質シリカフィルム中の原子の結合状態を赤外吸収スペクトルでシリカフィルム表面に起因する特定の吸収ピークの波数を規定することによって、低い比誘電率および高い機械的強度を併せ持ち、光機能材料、電子機能材料などとして有用な多孔質シリカフィルムを再現性良く製造できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率が小さくて高速応答性に優れ、かつ、絶縁膜の機械的強度にも優れ、更には配線の信頼性が高い半導体素子を提供することである
【解決手段】膜２に凹部３を形成する工程を有する半導体素子の製造方法において、前記凹部３を形成した後、該凹部が形成された膜２に電磁エネルギを照射する照射工程を有する。 （もっと読む）

【課題】４００℃よりも低温のプロセスで薄膜を改質する。
【解決手段】ＣＶＤ工程を経た基板の薄膜をアニール処理炉２にて前記基板の薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記薄膜の欠陥サイトでの紫外光の吸収による局所加熱を利用する。前記紫外光を照射する光源６はパルスレーザーまたは連続波レーザーである。前記薄膜の改質の際には紫外波長域以外の可視光域の光を発する光源の照射光が前記薄膜に供されるようにしてもよい。前記紫外光を照射する光源６は２１０ｎｍより長波長の光を照射する。ボンベ３からは酸化性ガスが、ボンベ４からは還元性ガスが、ボンベ５からは不活性ガスが個別に供される雰囲気のもと前記薄膜を薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記酸化性ガスとしてオゾンガスが供される。前記還元性ガスとして希釈水素ガスが供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の薄膜を紫外線により効率的にキュアするための紫外線照射装置及び方法を与える。
【解決手段】紫外線により半導体基板を照射するための紫外線照射装置は、基板支持台が内部に設けられたリアクタと、紫外線透過窓を通過した紫外線により基板支持台上に載置された半導体基板を照射するための、リアクタと結合された紫外線照射ユニットと、紫外線透過窓と紫外線が透過する液体層を形成するための少なくともひとつの紫外線ランプとの間に配置された液体層形成チャネルを含む。該液体層は液体層形成チャネルを通じて流れる液体により形成される。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、低比誘電率であり、かつ機械的強度に優れた絶縁膜形成用組成物ならびにシリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物１００〜１０モル％及び（Ｂ）成分；下記一般式（２）で表される化合物０〜９０モル％を加水分解縮合して得られたポリマーと、有機溶媒と、を含有する。Ｒ^１_ａＸ_３−ａＳｉ−（Ｒ^３）_ｃ−ＳｉＸ’_３−ｂＲ^２_ｂ ・・・・・（１） （式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子を表し、Ｒ^３は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ｍは１〜６の整数）を表し、ａ、ｂは０〜３の整数を示し、ｃは０または１を示す。）Ｒ^４_ｄＳｉＸ”_４−ｄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ^４は前記Ｒ^１、Ｒ^２と同じ基を表し、Ｘ”はハロゲン原子またはアルコキシル基を表し、ｄは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）