【課題】基板に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に埋め込むために特に好適な縮合反応物溶液であって、ポットライフが長く、トレンチ埋め込み用として使用した場合のトレンチ内への埋め込み性が良好で、焼成して酸化シリコンとしたときの硬化収縮率が小さく、クラック耐性及びＨＦ耐性に優れる縮合反応物溶液を提供する。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物の縮合換算量４０質量％以上９９質量％以下と、（ｉｉ）シリカ粒子１質量％以上６０質量％以下とを少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該一般式（１）で表されるシラン化合物が、４官能シラン化合物及び３官能シラン化合物を少なくとも含有する２種類以上のシラン化合物である、縮合反応物溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】誘電体薄膜の結晶化を良質かつ短時間で行うことを可能にする。
【解決手段】成膜目標とする金属酸化物からなる誘電体微粒子または成膜目標とする金属酸化物と同一の結晶構造を有する微粒子が混合され、前記微粒子を構成する金属元素と同一の金属元素または成膜目標とする金属酸化物を構成する金属元素と同一の金属元素を含む有機化合物原料膜を基板上に設ける工程と、前記有機化合物原料膜に紫外光を照射して前記有機化合物原料の結合鎖を切断する工程と、前記微粒子の結晶構造と同一の結晶構造を持つように、前記膜を酸素含有雰囲気下で結晶化させる工程とを備える。微粒子が紫外光を吸収することで発熱し結晶成長時の結晶核として作用し、原料は該微粒子を核に成長することで、短時間で大型の結晶粒を得られる効果がある。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上にトランジスタ３４を形成する工程と、半導体基板上及びトランジスタ上に複数の部分膜３６ａ、３８ａ、４０ａ、４２を積層することにより、複数の部分膜を有する第１の絶縁層４４を形成する工程と、第１の絶縁層上に、第１の絶縁層とエッチング特性が異なる第２の絶縁層４６を形成する工程と、第１の絶縁層をエッチングストッパとして、第２の絶縁層をエッチングすることにより、第２の絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホール内に露出する第１の絶縁層をエッチングする工程とを有し、第１の絶縁層を形成する工程では、複数の部分膜のうちの最上層の部分膜以外の部分膜に対して膜を収縮させるキュア処理を行い、複数の部分膜のうちの最上層の部分膜に対してキュア処理を行わない。 （もっと読む）

【課題】ポリマー絶縁層及び無機層から構成されるゲート絶縁層を有し、溶液により塗布可能な半導体前駆体材料を用いこれに半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を有することにより、移動度が高く、閾電圧が低く、且つ、Ｏｎ／Ｏｆｆ特性が良好な薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持体６上にゲート電極５、ゲート絶縁層２、ソース電極３及びドレイン電極４、金属酸化物半導体層１を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁層が、ポリマー絶縁層２ａ該ポリマー絶縁層上の無機層２ｂからなり、無機層２ｂの上に金属酸化物半導体前駆体材料の溶液を用いて金属酸化物半導体前駆体層を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化ケイ素膜からなるゲート絶縁膜の形成時に適用する紫外線照射による樹脂基板等の変色や変形を生じさせない、半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０上にポリシリコン半導体薄膜１３を形成する工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３にチャネル、ソース拡散及びドレイン拡散の各領域を形成する工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３上に絶縁膜前駆体１４’を形成する工程と、絶縁膜前駆体１４’に紫外線２７照射をする工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３及び絶縁膜１４からなる積層構造物をアイランド化する工程と、アイランド化した積層構造物の側壁部分１７を絶縁性物質１６で覆う工程と、絶縁膜１４上にゲート電極１５ｇを形成するとともに、絶縁膜１４に形成したコンタクトホール２６を介してソース拡散領域１３ｓ及びドレイン拡散領域１３ｄに接続するソース電極１５ｓ及びドレイン電極１５ｄを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を実現する構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板（半導体基板１）上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜（有機シリコンポリマー膜２）を設ける工程と、選択的エッチングにより有機シリコンポリマー膜２に孔（配線溝３）を設けるとともに、配線溝３の内部に金属膜（バリア膜４および銅配線５）を設ける工程と、還元ガス雰囲気中で、上記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、有機シリコンポリマー膜２に紫外線６を照射して、多孔質膜７を得る工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 テンプレートを用いることなく基板に凹凸状のパターンを形成することができるパターン形成装置を提供することを目的とする。
【解決装置】 パターン形成装置（１０）は、基板（ＦＢ）の表面に凹凸状のパターンを形成する。そして、パターン形成装置（１０）は所定のエネルギーに応じて硬化する硬化性材料（ＬＲ）を基板（ＦＢ）の表面に接触させる接触装置（１２）と、パターンに対応するパターン情報に基づいて基板（ＦＢ）の表面と接触した硬化性材料（ＬＲ）に所定のエネルギーを付与し該硬化性材料（ＬＲ）を硬化させる硬化装置（１１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板とパターン状モールドとの間隙に、水素化ケイ素化合物およびハロゲン化ケイ素化合物よりなる群から選択される少なくとも１種のシラン化合物を配置する第一の工程と、配置した前記シラン化合物に熱処理および紫外線照射処理から選択される少なくとも１種の処理を施す第二の工程とを含むパターンの形成方法に関する。
【解決手段】上記第二の工程を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で行うことによりシリコンからなるパターンを形成することができ、上記第二の工程の少なくとも一部を酸素含有雰囲気下で行うことによりシリコン酸化物からなるパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込まれた金属の酸化、及びパターン欠損の発生を抑制しつつ、低誘電率絶縁膜自体の電気的特性を十分に回復できる低誘電率絶縁膜のダメージ回復方法を提供すること。
【解決手段】低誘電率絶縁膜を加工処理した後、低誘電率絶縁膜の表面に加工処理によって生じたダメージ性官能基を、疎水性官能基に置換し（ＳＴ．２）、低誘電率絶縁膜の表面に置換処理によって生じたデンス層の下に存在するダメージ成分を、紫外線加熱処理を用いて回復させる（ＳＴ．３）。 （もっと読む）

【課題】配線遅延の増大を防止すると共に、配線信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、基板の上に形成され、第１の配線２を有する第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１及び第１の配線２の上に形成された第２の絶縁膜３と、第２の絶縁膜３の上に形成された第３の絶縁膜４とを有している。第２の絶縁膜３は、空孔を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、誘電率、硬度等の諸特性に優れ、誘電率の経時変化が小さく、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した多孔質膜、およびその多孔質膜を製造する組成物を提供する。
【解決手段】多孔質膜は、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより、その一部が脱離して揮発性成分を生じる官能基を有する化合物（Ｘ）を用いて形成され、空孔分布曲線における最大ピークを示す空孔直径が５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜用の材料として使用するのに適し、硬膜時における膜減りが小さく、かつ誘電率に優れた膜を製造することができる化合物、およびその化合物を含む組成物、さらにはその組成物より得られる膜を提供。
【解決手段】化合物は、ジエノフィル構造を有する化合物（Ａ）と、環状もしくは直鎖状のいずれかで表される共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）とのディールス・アルダー反応により形成され、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより逆ディールス・アルダー反応を介して前記共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）を放出する化合物である。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な溶液の保存安定性が良く、埋め込み性が高く、厚膜化ができ、かつ良好なクラック耐性を有するトレンチ埋め込み用縮合反応物、及びトレンチ埋め込み膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物、並びに２０℃における蒸気圧が５３０Pａ以上であり、かつ、沸点が８０℃以上１３０℃未満である有機溶媒（Ａ）、及び２０℃における蒸気圧が５３０Pａ未満であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｂ）から成る混合溶媒、又は２０℃における蒸気圧が５３０Ｐａ以上であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｃ）を含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用縮合反応物。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の結晶欠陥の発生を抑えつつ、シリコン酸化膜の膜質を向上させることが可能なシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】スピンコーティング法により、過水素化シラザン重合体溶液を半導体基板１０１の表面上に塗布し、塗布された過水素化シラザン重合体溶液中の溶媒を加熱処理で揮発させることにより、半導体基板表面上の過水素化シラザン重合体をポリシラザン膜に変化させ、酸素（Ｏ_２）を含む雰囲気中において、ＵＶランプ１にＵＶ光を発光させることにより、雰囲気中にオゾン（Ｏ_３）を発生させ、遮蔽板４によってポリシラザン膜をＵＶランプ１の熱で硬化させないようにした状態で、ポリシラザン膜の表面を発生したオゾンにより酸化し、ポリシラザン膜を水蒸気酸化することにより、ポリシラザン膜中の不純物を除去し、ポリシラザン膜をアニールすることにより、ポリシラザン膜をシリコン酸化膜に変化させる。 （もっと読む）

【課題】相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。
【解決手段】単層構造の層間絶縁膜である第３の絶縁膜１０７は複数の空孔１２０を有している。第３の絶縁膜１０７における単位体積当たりの空孔占有率は膜厚方向に変化している。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適な溶液のポットライフが長く、トレンチへの埋め込み性が高く、HF耐性、クラック耐性を有するトレンチ埋め込み用反応物を提供する。
【解決手段】トレンチ埋め込み用縮合反応物を、該縮合反応物が少なくともポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物を含み、該ポリシロキサン化合物がＨＳｉＯ_３／２基、ＭｅＨＳｉＯ基、及びＨ_２ＳｉＯ基から選ばれる基の少なくとも一種を４０ｍｏｌ％以上有し、該ポリシロキサンの重量平均分子量が１０００以上２０００００以下であり、該シリカ粒子の平均一次粒径が1ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜における空孔の径を小さくすることができ、かつ多孔質絶縁膜の強度を高くすることができる多孔質絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサンを骨格とし側鎖に少なくとも一つの揮発性炭化水素基が結合した環状シロキサン化合物と、シリコン含有化合物とを、プラズマ中に導入し、基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜にエネルギーを加えることにより、絶縁膜を多孔質絶縁膜にする工程とを備える。シリコン含有化合物は、環状シロキサン化合物の骨格、揮発性炭化水素基、及び環状シロキサン化合物と揮発性炭化水素基の結合より低エネルギーで分解する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高くて幅が狭い凹状フィーチャーに誘電層を形成するための新規方法を提供する。
【解決手段】間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。インサイチュ処理は、純粋な熱処理プロセスまたはプラズマ処理プロセス。堆積−インサイチュ処理−堆積−インサイチュ処理というプロセスを実行して、間隙に誘電層を形成する。この一連の手順は、間隙をボトムアップ式に充填するべく必要なだけ繰り返される。エクサイチュ処理後プロセスは、間隙の充填が完了した後で実行される。特定の実施形態によると、誘電率が３．０未満の膜が形成される。上記プロセスは、フロントエンドおよびバックエンドの間隙充填に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】配線が形成された層間絶縁膜を有する半導体装置において、層間絶縁膜と、層間絶縁膜下に形成された下層との界面に、剥離が発生することを防止する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜１０と、第１の層間絶縁膜１０上に形成された第２の層間絶縁膜１４と、第２の層間絶縁膜１４の上部領域に形成された第１の配線２１とを備え、第２の層間絶縁膜１４は、空孔１４ｂを含有する多孔質領域１４Ｂと、非多孔質領域１４Ａとで構成され、多孔質領域１４Ｂは、第２の層間絶縁膜１４のうち、第１の配線２１の周囲に位置する領域に形成され、非多孔質領域１４Ａは、少なくとも第１の層間絶縁膜１０と多孔質領域１４Ｂとの間に介在して形成されている。 （もっと読む）

【課題】 低温で形成されたＳｉＯ_２膜は高温で形成されたＳｉＯ_２膜より特性が僅かに劣るため、そのままでは使う事が出来なかった。又、高温で形成されたＳｉＯ_２膜と同等の特性を得るためには、後工程で少なくとも５００℃以上でのアニールを行う必要があった。ところが、プロセス低温化の要求から、基板温度を５００℃以下に維持したまま、高品質なＳｉＯ_２膜を形成する技術の開発が必要とされていた。
【解決手段】
活性な酸素原子を用いて５００℃以下の低温でＳｉＯ_２膜を成膜後、紫外光をシリコン基板のシリコン酸化膜側表面に１回または複数回照射する事で、Ｓｉ基板を高温にする事なくＳｉＯ_２膜の特性を改善させる事が可能となった。前記紫外光とは、２００ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の波長のみが含まれ、１回の照射時間が０．１マイクロ秒以下であり、照射１回当たりのエネルギー密度が０．０１Ｊ／ｃｍ^２以上であるという条件を満たす紫外光である。 （もっと読む）