基板上のギャップを酸化シリコンで充填する方法を記載する。前記方法には、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップと、前駆物質を反応させて、基板上のギャップ内に第一酸化シリコン層を形成するステップと、該第一酸化シリコン層をエッチングして層内の炭素含量を減少させるステップと、が含まれるのがよい。前記方法には、第一層上に第二酸化シリコン層を形成するステップと；第二層をエッチングして第二層内の炭素含量を減少させるステップとが含まれるのがよい。ギャップを充填した後に酸化シリコン層をアニールする。 （もっと読む）

【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程；少なくとも１つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程；複合層を堆積する工程；該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程；及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも１つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】実用的な処理プロセス速度や処理効果を得る事が可能な触媒化学処理装置および触媒化学処理方法の提供。
【解決手段】被処理基体に吸収される波長の光を放射する光源が、装置内または外に配設されてなる。触媒体に接地に対して正または負の電位を印加する事のできる電源が設けられている。加熱触媒体に反応ガスを接触させ、光源から放射される光を触媒体を経て基体表面に照射し、触媒体から発生するフリーラジカルを固体光化学的に励起されている状態の基体表面に供給し、表面処理する。触媒体に接地に対して正または負の電位を印加し、触媒体からの熱電子および光電子の放出を制御して基体表面を処理する。 （もっと読む）

【課題】低温度でＳｉＮ_ｘ薄膜を形成する薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】光ＣＶＤ法による薄膜作製方法において、被対象物である基板を載置した反応容器に２種類の原料ガス（シラン・ＮＨ_３）を導入して混合し、前記基板の温度を室温〜３００℃にすると共に、波長１２６ｎｍの真空紫外光を照射することによってＳｉＮ_ｘ薄膜を形成する。そしてＳｉＮ_ｘ薄膜が形成された基板にさらに前記真空紫外光による光アニーリングを行なう。 （もっと読む）

【課題】 大きな基体への適用も容易であり、またコストの低廉化にも資し、さらに、液体原料の浸透力を利用して狭トレンチ基体上への良好な成膜が可能なアルミナ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 下記（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とするアルミナ膜形成方法。
（１）基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び有機溶媒を含有するアルミナ形成用組成物を塗布し、塗膜を形成する工程
（２）工程（１）で形成した塗膜から溶媒を除去する工程
（３）酸化性ガスの存在下、塗膜に加熱および光照射もしくはいずれか一方を行う工程 （もっと読む）

二つの有機シリコン化合物を含む混合物からチャンバ内で基板上に低誘電率膜を堆積させる方法が提供される。混合物には、更に、炭化水素化と酸化ガスが含まれてもよい。第一有機シリコン化合物は、Ｓｉ原子あたり平均一つ以上のＳｉ-Ｃ結合を有する。第二有機シリコン化合物のＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数は、第一有機シリコン化合物におけるＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数より大きい。低誘電率膜は、良好なプラズマ／ウェットエッチング損傷抵抗、良好な機械的性質、且つ望ましい誘電率を有する （もっと読む）

【課題】プラズマ化学気相堆積法による有機・無機複合原料を用いるシリカを主成分とする薄膜中に半径が0.3nm-1.0nmの範囲のサブナノスケール空孔を限定的に形成して、比誘電率および屈折率の減少したシリカ薄膜及びその製造方法を提供。
【解決手段】
ケイ酸アルキル及び炭化水素からなる混合物中の炭化水素の割合が0.1から1.5である混合物にプラズマ化学気相堆積法による操作が、ケイ酸アルキル流量が20sccm-50sccmであり、炭化水素流量は4sccm-35sccmであり、希釈用不活性ガス流量は40sccm-80sccmであり、成膜反応炉内圧力は50Pa-150Paであり、高周波RF放電出力は200W-300Wであり、基板温度は80℃-100℃、前記得られた複合薄膜を300℃以上での加熱処理もしくは有機シリカ複合膜堆積時の基板温度での酸素プラズマ処理により有機物質を分解脱離させるシリカ薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などに層間絶縁膜として用いられる低比誘電率のシリカ系被膜に損傷を与えずに研磨するための化学的機械的平坦化方法を提供する。
【解決手段】加水分解性基を置換基として有するシラン化合物（Ａ）を塩基性化合物の存在下で縮合させたシロキサン樹脂と、第２級アルコール又は第３級アルコールと、を含有してなる被膜形成用組成物を塗設して得られたシリカ系皮膜を層間絶縁膜として用いた半導体集積回路を、ジカルボン酸を含む研磨液で研磨することを特徴とする化学的機械的平坦化方法。 （もっと読む）

【課題】ポリマーを構成するＳｉ原子にシリルメチル基が結合した新規なポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるシラン化合物を縮合して得られるポリマー。
【化１】


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_３は、同一または異なり、それぞれハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、またはヒドロキシ基を示し、Ｙ_１〜Ｙ_３は、同一または異なり、アルキル基、アルケニル基、またはアリール基を示す） （もっと読む）

【課題】 基板上に設けられた誘電体物質を硬化するための紫外線（ＵＶ）硬化チャンバ及びＵＶ放射線を使用して誘電体物質を硬化する方法を改善する。
【解決手段】 一実施形態による基板処理ツールは、基板処理領域を画成する本体、基板処理領域内に基板を支持するように適応された基板支持体、この基板支持体から離間され、基板支持体上に配置された基板へ紫外線を伝送するように構成された紫外線ランプ、及び上記紫外線ランプ又は基板支持体の少なくとも一方を互いに対して少なくとも１８０度回転させるように作動的に結合されるモータを備える。基板処理ツールは、回転されるときに組み合わさって実質的に一様な照射パターンを生成する相補的な高強度領域及び低強度領域を有する紫外線のフラッドパターンを基板上に生成するように適応された１つ又はそれ以上のリフレクタを更に含むことができる。他の実施形態も開示される。 （もっと読む）

【課題】
層間絶縁膜に用いる低誘電率膜の機械的強度を増加する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）複数の半導体素子を形成した半導体基板上方に下層絶縁膜を塗布する工程と、（ｂ）前記下層絶縁膜を処理して機械的強度を増加させる工程と、（ｃ）前記下層絶縁膜上方に、上層絶縁膜を塗布する工程と、（ｄ）前記上層絶縁膜中に配線パターン、前記下層絶縁膜中にビア導電体を有する埋め込み配線を形成する工程と、を含む。機械的強度を増加させる処理は、紫外線照射、水素プラズマ処理を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の製造方法では、同一の絶縁膜内に引張応力と圧縮応力とが共存した半導体装置を得ることが困難であった。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る製造方法は、ｎＦＥＴ９およびｐＦＥＴ７をシリコン基板１に形成する工程と、ｎＦＥＴ９およびｐＦＥＴ７の双方を覆うとともに、所定波長の光が照射されることにより応力値が変化する絶縁膜２０を形成する工程と、絶縁膜２０の部分１２（第１部分）または部分１０（第２部分）のうち何れか一方に上記光を照射することにより、部分１２の応力値と部分１０の応力値とを相異ならしめる工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】制御された二軸応力を有する超低誘電率層と、該低誘電率層を形成するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＥＣＶＤとスピン・コーティングとの一方によってＳｉ、Ｃ、ＯおよびＨを含む層を形成する工程と、それぞれ１０ｐｐｍ未満の非常に低い濃度の酸素および水を含む環境中で膜を硬化する工程とを組み込んだ、制御された二軸応力を有する超低誘電率層を形成するための方法を含む。この方法を用いて形成された２．８以下の誘電率を有する材料も含む。本発明は、４６ＭＰａ未満の低い二軸応力を有する膜を形成するための問題を克服する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＯＨ誘電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】細孔の直径（または特性寸法）および細孔径分布（ＰＳＤ）がナノスケールで制御され、改善された凝集力（または同じことであるが、改善された破壊靭性または改良された脆性）と、応力腐食割れ、Ｃｕ侵入およびその他の重要な性質などのウエハの性質の劣化に対する抵抗力の増加を示す、半導体デバイス製造において有用な多孔質複合材料を提供する。本多孔質複合材料は、少なくとも一つの二官能性有機細孔源を前駆体化合物として利用して製造される。 （もっと読む）

【課題】高誘電体薄膜中から炭素成分を抜くと共に、全体を焼き締めて密度を向上させ、欠損の発生を防止すると共に、膜密度を向上させることで比誘電率を高め、高い電気特性を得ることができる高誘電体薄膜の改質方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物材料を用いて被処理体の表面に形成された高誘電体薄膜を改質するための改質処理を行う高誘電体薄膜の改質方法において、前記改質処理は、前記被処理体を所定の温度に維持しつつ不活性ガスの雰囲気中で前記高誘電体薄膜に紫外線を照射することによって前記高誘電体薄膜の改質を行うようにした改質工程を有するように構成する。これにより、高誘電体薄膜中から炭素成分を抜くと共に、全体を焼き締めて密度を向上させ、欠損の発生を防止すると共に、膜密度を向上させることで比誘電率を高め、高い電気特性を得る。 （もっと読む）

【課題】 高強度で低誘電率な膜を形成可能な低誘電率膜形成用組成物等の提供。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるアルコキシシランの加水分解生成物であるポリシロキサンと、放射線分解性化合物とを、少なくとも含有する低誘電率膜形成用組成物を塗布し塗布膜を形成する工程と、
該塗布膜に放射線を照射する工程と、
該塗布膜に熱処理を行う工程と、
を含むことを特徴とする低誘電率膜の製造方法。
【化１３】


一般式（１）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基、及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。ｎは、０から３までの整数を表す。 （もっと読む）

【課題】 高強度で低誘電率な膜を形成可能な低誘電率膜形成用組成物等の提供。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるアルコキシシランの加水分解生成物であるポリシロキサンと、吸収極大波長が互いに異なる２種以上の放射線分解性化合物とを、少なくとも含有することを特徴とする低誘電率膜形成用組成物。
【化１３】


一般式（１）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基、及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。ｎは、０から３までの整数を表す。
放射線分解性化合物の含有量が、ポリシロキサン１００質量部に対し、０．１〜２００質量部である態様、吸収極大波長が互いに異なる２種以上の放射線分解性化合物を含有する態様、分子サイズが互いに異なる２種以上の放射線分解性化合物を含有する態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 非常に簡便な構成・手段で表面自由エネルギーによるマッピングを基板表面に施し、かつ有機半導体分子の配向において基板面からの大きな角度と十分な方位角アンカリングを実現し、さらにチャネルを形成する電極材料がラビング工程においても剥離しない高い密着性を持つ優れた有機電子デバイス構造を実現する。
【解決手段】 絶縁性微粒子を含む絶縁層と配向膜となる絶縁性微粒子を含まない絶縁層の積層体を用いて、微細チャネル形成と電極の高密着性と有機半導体分子の高角度配向を実現し、高移動度の有機トランジスタなどの高特性な有機電子デバイスを実現する。 （もっと読む）

誘電体膜を硬化させる多段階システム及び方法。当該システムは、前記誘電体膜中の、たとえば水分のような汚染物の量を減少させるように備えられた乾燥システムを有する。当該システムはさらに、前記誘電体膜を硬化させるために、前記乾燥システムと結合し、かつ紫外(UV)放射線及び赤外(IR)放射線によって前記誘電体膜を処理するように備えられた硬化システムを有する。
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無機バリアコーティングと界面コーティングとを含む被覆基板であって、当該界面コーティングが、ケイ素結合した放射線感受性基を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、被覆基板、及び当該被覆基板を製造する方法。 （もっと読む）