【課題】面積の増加を抑えつつ、ヒューズ構造体のデータの保持量を増加する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成されたヒューズ構造体１２０を含む。ヒューズ構造体１２０は、第１の配線（１２２）および第２の配線（１２４）と、これらを接続するビア１２３とから構成された電気ヒューズ１２１と、一端がビア１２３の側方にビア１２３に接続して形成された抵抗配線１２８と、を含む。電気ヒューズ１２１のビア１２３は、基板の積層方向において、第１の配線（１２２）との接続箇所から抵抗配線１２８との接続箇所までの間に、面内方向の断面積が第２の配線（１２４）との接続箇所から抵抗配線１２８との接続箇所までの面内方向の断面積よりも小さい箇所を有する。 （もっと読む）

【課題】制御信号の系統を整理して、不定信号伝播防止回路等の検討漏れの危険性を回避し、さらに、自動化ツールへの搭載へ向けた検討を容易にし、また、チップ内部での電源遮断制御を容易化することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置において、各独立した電源領域ＡｒｅａＡ〜ＡｒｅａＩごとに電源遮断の優先順を設け、優先順の高い回路がＯＮしている場合にはそれより優先順の低い電源領域はＯＦＦにできないという規則を設けて、設計方法の容易化を図る。また、各独立した電源領域ＡｒｅａＡ〜ＡｒｅａＩ内において、さらに別の電源を印加できる領域を設け、その領域に中継バッファ（リピータ）やクロックバッファ、情報退避用の情報保持ラッチを集積する。レイアウト上は、電源線の電流を分散させる目的でセルがロウ方向に並ぶ方向と垂直な方向にまとめてレイアウトすればよい。 （もっと読む）

【課題】
半導体チップを製造する際の製造バラツキ又は半導体チップ内の半導体回路の動作条件による、複数の最終バッファから出力される複数のクロック間の位相差を軽減することが可能なクロック分配回路を提供することを目的とする。
【解決手段】
回路装置内に配置されたクロック分配回路であって、リング状のクロック配線と、前記クロック配線に接続し、自己発振により、前記クロック配線内に第１クロック信号を発生させる発振回路と、前記回路装置内において、２以上の場所それぞれに、配置され、第２クロック信号を出力する２以上の位相調整回路と、を備え、前記位相調整回路それぞれは、配置場所に応じた位相を有する前記第１クロック信号を受け取り、前記位相調整回路それぞれが受け取った前記第１クロック信号間の位相差よりも、前記位相調整回路それぞれが出力する前記第２クロック信号間の位相差を減じる調整を行うことを特徴とするクロック分配回路。
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【課題】結晶化半導体薄膜に対して適正かつ効率的なフォトマスクの作成を可能にする。
【解決手段】１実施形態に係る設計ライブラリデータベースは、２次元的に区画して各々薄膜トランジスタのチャネル領域のサイズを超える複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化半導体薄膜を用いる薄膜トランジスタ回路の設計ライブラリデータベースであって、各々のチャネル領域が単一の前記結晶粒規定領域内の固定位置に配置される２個以上の薄膜トランジスタおよび前記２個以上の薄膜トランジスタを相互接続する配線を含む様々な論理ゲート回路をそれぞれ表す複数のスタンダードセル、並びに前記様々な論理ゲート回路の様々な組み合わせをそれぞれ表す複数のマクロセルの少なくとも一方のセルのライブラリ、および前記複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化アレイパターンのスタンダードセルのライブラリを含みハードディスクに登録される。 （もっと読む）

【課題】プロセスマージンを大きく取れる配線配置構造を提供する。
【解決手段】基板上に形成された複数の第１配線６を含む第１配線層と、第１配線層上に形成され、第１配線６に接続された複数のビアコンタクト１０を含むコンタクト層と、コンタクト層上に形成され、ビアコンタクト１０に接続された複数の第２配線１４を含む第２配線層とを備える半導体装置において、コンタクトピッチは、第１配線６の最小配線ピッチ、又は、第２配線１４の最小配線ピッチ、よりも大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＲＤＲに従い設計され、活性領域と電源配線との境界部や周辺部における不具合の発生が抑制された、小型化かつ高集積化された半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのスタンダードセル内における半導体基板ＳＢの主表面に形成される第１導電型の機能素子用不純物領域Ａｐと、電源電位が印加される第２導電型の電源電位用不純物領域Ａｎとを備える。半導体基板ＳＢの主表面上に形成され、かつ半導体基板ＳＢの主表面に達する貫通孔ＳＣＴＨを有する絶縁層ＩＩ１、ＩＩ２と、絶縁層ＩＩ１、ＩＩ２の貫通孔内に形成されたコンタクト用導電層ＰＣＬとを備える。上記機能素子用不純物領域Ａｐと電源電位用不純物領域Ａｎとをまたぐように形成されるコンタクト用導電層ＰＣＬを通じて電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】切断が確実に行われる電気ヒューズを備えた半導体装置とその製造方法とを提供する。
【解決手段】電気ヒューズは、ポリシリコン膜１４と、タングステンシリサイド等の金属シリサイド膜１５との積層構造とされる。所定の長さの電気ヒューズに、電流密度４０ｍＡ／μｍ³以上の電流を流すことにより、エレクトロマイグレーションとピンチ効果によって電気ヒューズが確実に切断される。 （もっと読む）

【課題】ゲート引き込み配線の長さが長く、ゲート引き込み配線に接続できる信号線の本数を十分に確保された半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の方向に並置された複数の回路セルであって、それぞれはその方向と略直交する第２の方向に並置された第１の導電型の第１の領域と第２の導電型の第２の領域とに分離される複数の回路セルと、第２の方向に平行離間して配置すると共に第１の方向に延伸する第１の電源線及び第２の電源線とを備え、第１の領域は第１の電源線から第１の電源電位が供給される少なくとも一の第１のトランジスタを有し、第２の領域は第２の電源線から第２の電源電位が供給される少なくとも一の第２のトランジスタを有し、複数の回路セルのうちの少なくとも１つの回路セルはさらに第１の領域において第１及び第２のトランジスタの間に第１の容量素子を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バスの配線経路の設計精度を向上させること。
【解決手段】コンピュータが、一以上の配線層を含む配線領域に対して、それぞれ図形によって表現された複数のバスの経路を前記バス間で交差しないように生成する配線プラン生成手順と、前記バスごとに、当該バスが接続される部品内からの当該バスの所属ネットごとの配線の引き出しの可否の検証を行う妥当性判定手順と、前記妥当性判定手順によって全ての前記所属ネットが引き出せることが確認された前記バスの前記所属ネットを示す図形を前記配線領域に記録する配線プラン確定手順とを実行し、前記妥当性判定手順によって少なくとも一部の前記所属ネットが引き出せないことが確認された前記バスについて前記配線プラン生成手順を再実行する。 （もっと読む）

【課題】
複数階層を有する半導体集積回路の階層レイアウトを行なう際に、複数個所で使用される下位モジュールについての各配置箇所における下位モジュール近傍の上位階層の配線状況を考慮して、下位モジュールのレイアウト設計を行なうことを課題とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、本発明に係るレイアウト設計装置は、複数階層を有する半導体集積回路のレイアウト設計装置であって、複数個所で使用される下位モジュールについて、前記下位モジュールが配置される上位モジュール内のそれぞれの配置箇所近傍の上位階層の配線情報を抽出し、抽出した上位階層の配線情報を、前記下位モジュールのレイアウト設計を行なう際の配線禁止領域として設定し、前記下位モジュールのレイアウトを行なう。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路において、シールド配線を配置することで配線間のクロストークの影響を削減するとともに、配置したシールド配線の電位を安定化させること。
【解決手段】半導体集積回路の設計方法は、コンピュータが、半導体集積回路の配線パターンにおいて、配置済の信号配線に対して複数のシールド配線を配置する工程と、前記複数のシールド配線のそれぞれを電源配線に接続する工程と、前記複数のシールド配線を相互に接続する工程と、前記複数のシールド配線のうちの電源配線に接続されていないものを除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 抵抗変化性のバイポーラ型メモリを、誤書き込みや誤動作を起こさずにFPGAに適用する。
【解決手段】 本発明の半導体集積回路は、一端が第一の電源１０５に接続され、他端が出力ノード１０８に接続される第一の抵抗変化性素子１０１と、一端が出力ノード１０８に接続される第二の抵抗変化性素子１０２と、第二の抵抗変化性素子１０２の他端と第一の端子が接続され、第二の電源１０６と第二の端子が接続される、第一のスイッチング素子１０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】低い印加電圧（３Ｖ以下）で導通状態を変更可能なアンチヒューズ素子（アンチヒューズ構造）を提供する。
【解決手段】本発明のアンチヒューズ構造１００は、第一配線３と、前記第一配線３上に順次積層された、不純物を含有した第一の多結晶シリコン膜６、第一のタングステンシリサイド膜７、第一の窒化タングステン膜８からなる第一のアンチヒューズ部２０ａと、前記第一のアンチヒューズ部２０ａ上に接続された第二配線１０と、を具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プリミティブセルに用いる金属配線層を増やすことなくプリミティブセルを小型化する。
【解決手段】素子形成領域に複数の回路素子によってプリミティブセルを構成する場合に、素子形成領域に前記プリミティブセルを構成するために必要な第１導電型の第１半導体ウェル領域及び第２導電型の第２半導体ウェル領域を並列的に複数個形成し、その上に前記素子形成領域の延在方向に一定ピッチで規則的に複数のゲート配線を配置したとき、形成された前記第１半導体ウェル領域及び前記第２半導体ウェル領域にＬ字型に屈曲された形状があるとき、これをＬ字形の屈曲部分を隣のウェル領域に延長してＴ字形の形状とし、延長した部分に、ソース電極とドレイン電極が共に電源ライン又はグランドラインに接続するダミーＭＯＳトランジスタを構成し、プリミティブセルを構成する素子の接続を一層の金属配線層の金属配線を用いて行う。 （もっと読む）

【課題】従来技術の半導体集積回路では、電源遮断領域において発生する電圧降下等を抑制することができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、高電位側電源ライン１４及び低電位側電源ライン１５と、部分電源ライン１３ａ，１３ｂと、高電位側電源ライン１４と部分電源ライン１３ａとの間に設けられた電源スイッチＳＷＡ１〜ＳＷＡｍと、部分電源ライン１３ａと低電位側電源ライン１５との間に設けられた内部回路１２ａと、高電位側電源ライン１４と部分電源ライン１３ｂとの間に設けられた電源スイッチＳＷＢ１〜ＳＷＢｎと、部分電源ライン１３ｂと低電位側電源ライン１５との間に設けられた内部回路１２ｂと、部分電源ライン１３ａ，１３ｂ間に設けられ、電源スイッチＳＷＡ１〜ＳＷＡｍ，ＳＷＢ１〜ＳＷＢｎがオンの場合にオンに制御される電源スイッチＳＷＸ１〜ＳＷＸｐと、を備える。 （もっと読む）

【課題】機能回路の電源配線及び接地配線に要する接地面積を少なくし、同時に消費電流による電源電圧降下及び接地電圧上昇を抑えることで、薄型・軽量・高機能・低価格の半導体装置を提供する。
【解決手段】機能回路に電源電圧を供給する電源配線１００９及び接地電圧を供給する接地配線１０１０が格子状に配置されている半導体装置である。格子状にすることで、電源電圧降下及び接地電圧上昇は大幅に低減できる。また、配線幅を細くしても、格子状にしない場合と同程度の電源電圧降下及び接地電圧上昇に抑えられるので、電源配線及び接地配線の配置面積を大幅に低減できる。 （もっと読む）

【課題】チップ面積が増大することなく設計において大きな後戻りをしなくてすむ半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】一列に配列された各ＩＯバッファ１〜５と、各ＩＯバッファ１〜５に対応して配列されたパッド接続用配線２１〜２５と、各ＩＯバッファ１〜５に対応して一列に配列されるとともに、ＩＯバッファ１〜５及びパッド接続用配線２１〜２５と異なる層にて対応するパッド接続用配線の一部と重なるように配置され、かつ、対応するパッド接続用配線の隣の他のパッド接続用配線まで延長して配線されたＩＯバッファ切替用配線３１〜３５と、を備え、各ＩＯバッファ切替用配線３１〜３５は、隣の他のＩＯバッファ切替用配線と短絡しないように同じ形状に形成され、各ＩＯバッファ１〜５は、同じ位置にて対応するＩＯバッファ切替用配線３１〜３５と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】計算負荷を低減でき、計算時間を低減できる半導体デバイスパターン検証方法および検証プログラムを提供する。
【解決手段】半導体デバイスパターン検証方法は、マスクパターンを算出する第１工程<ST11>、半導体基板上に形成されるフォトレジストの形状を算出する第２工程<ST12>、図形演算処理を用いて一律リサイズを行い、擬似的な仮加工形状に限定して算出する第３工程<ST13>、設計パターンが前記半導体基板上に形成されるか否かについて図形検証を行い、危険箇所候補を検出する第４工程<ST14>、危険箇所候補の加工シミュレーションを行い、部分加工形状を算出する第５工程<ST15>を具備する。 （もっと読む）

【課題】シリサイド配線の寄生抵抗による影響を許容できる範囲に抑制しながら、チップ面積の低減を実現する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０上に、セル高さＡＨのセルＡ及びセル高さＢＨのセルＢを備えている。セルＡは、Ｐ型ソース領域１３ＰＳ及びＰ型ドレイン領域１３ＰＤと、ゲート電極１６Ａとを含むＰ型ＭＩＳトランジスタと、Ｎ型基板コンタクト領域１３ＮＳＣとを有している。セルＢは、Ｐ型ソース領域１３ＰＳ及びＰ型ドレイン領域１３ＰＤと、ゲート電極１６Ｂとを含むＰ型ＭＩＳトランジスタと、Ｐ型電源供給領域１３ＰＳＰと、該Ｐ型電源供給領域１３ＰＳＰと接続するように、Ｐ型ソース領域１３ＰＳが引き出されてシリサイド化されたＰ型引き出し領域１３ＰＳＴとを有している。セル高さＡＨは、セル高さＢＨよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】クラックによる導通が発生した場合に、ＰＡＤ下素子を分離できないこと。
【解決手段】本発明は、ＰＡＤ部の下部にＰＡＤ下素子が配置されている半導体チップを搭載している半導体装置に適用される。ここで、半導体チップのＰＡＤ部は、ボンディング時のクラックにより導通した場合に電位が変化する導通検出素子１０と、導通検出素子１０の電位変化を基に、導通検出素子１０がクラックにより導通したか否かを判定する導通判定部２０と、導通判定部２０の判定結果が導通検出素子１０が導通したことを示す場合に、ＰＡＤ下素子をＰＡＤ部から分離させる素子分離部３０と、を有する。 （もっと読む）