【課題】強誘電体キャパシタの強誘電体膜の上面および上部電極の上面が平坦であり、かつ、強誘電体キャパシタの分極状態を低電圧で変化させることができる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数のトランジスタと、複数のトランジスタを被覆する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、下部電極と上部電極との間に設けられた強誘電体膜を含む複数の強誘電体キャパシタとを備え、強誘電体膜は、Ｐｂ_ｘ（Ｚｒ_ｙ，Ｔｉ_{（１−ｙ）}）Ｏ_３（以下、ＰＺＴ）（ｘ、ｙは正数）からなり、その表面に突出部を有し、突出部の下にある前記強誘電体膜の底部の鉛濃度は、ＰＺＴの化学量論的組成の鉛濃度よりも高く、かつ、強誘電体膜の表面のＰＺＴの鉛濃度は、ＰＺＴの化学量論的組成の鉛濃度以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高集積化と供に、メモリ装置のキパシタで容量値の確保のために、酸素欠損のない高誘電率膜を形成する装置の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体膜を形成する工程と、酸化性ガスを供給して誘電体膜に対して酸化処理を行う工程を複数回、断続的に繰り返す熱処理工程と、を有する誘電体膜を備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧電体の上部電極端面の近傍部分における電荷集中と応力集中が緩和され、耐久性に優れた圧電素子を提供する。
【解決手段】本発明の圧電素子１は、圧電体３０と、圧電体３０に電界を印加する下部電極２０及び上部電極５０とを備えた素子であり、上部電極５０はパターン形成されており、上部電極５０の端部５０Ｅの領域は、圧電体３０への電界印加時に、圧電体３０の中心側から外周面側に向けて圧電体３０にかかる電界強度が徐々に低下する構造を有している。 （もっと読む）

【課題】絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ₃で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_1-xＣ_xＯ₃で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】電界によって分極と磁化を誘起し、その強度と方向を制御できるメモリ素子を提供する。
【解決手段】メモリ素子において、マルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、上下の金属電極２，２′に電界を印加するように配置し、上下の金属電極２，２′間に誘起される電荷、磁化を利用する。データの書き込みは、特定の選択されたビット線４とワード線５の間に印加する電圧による電界で分極を発生させることにより実現する。データの読み出しは、保持されている電気分極に起因する電圧強度で０もしくは１を判定すればよい。データの消去は、そのメモリセル３へ印加する電圧の符号を先に印加した電圧と反転させ、一定の強度を与えればよい。一方、分極発生すると同時に磁化６が発生する。この磁化６は磁界７をメモリセル３の外部に及ぼす。このことからメモリセル３の情報に相応した磁界を発生し得るアクティブ型メモリ素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの側壁残渣を除去し、かつ、水素による強誘電体キャパシタの特性劣化を抑制する半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板上に設けられたスイッチングトランジスタと、スイッチングトランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトプラグと、コンタクトプラグおよび層間絶縁膜の上方に形成され、下部電極、強誘電体膜および上部電極を含む強誘電体キャパシタと、半導体基板に形成され、コンタクトプラグとスイッチングトランジスタとの間を電気的に接続する拡散層と、強誘電体キャパシタの側面に形成された水素バリア膜と、上部電極の上面全体を被覆しかつ該上部電極の上面に接触するＴｉＮ膜またはＴｉＡｌＮ膜を含む配線とを備えている。 （もっと読む）

【課題】強誘電体前駆体膜に対して異物の付着が生じるのを抑制し、製品の歩留まり向上
を図ることができる強誘電体膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０の一方面に有機金属化合物が溶解された溶液を塗布して強誘電体前
駆体膜２０を形成する塗布工程と、強誘電体前駆体膜２０を加熱することで強誘電体膜２
１を形成する熱処理工程とを具備し、塗布工程から熱処理工程までの処理を、強誘電体膜
２１を形成する側の面を鉛直方向下向きにして基板１０を保持した状態で行う。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを有する信頼性の高い半導体装置を高い歩留りで製造し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された第１の絶縁膜２６と、ソース／ドレイン拡散層２２に達する第１のコンタクトホール２８ａ内に埋め込まれた第１の導体プラグ３２と、第１の絶縁膜上に形成されたキャパシタ４４と、第１の絶縁膜上に、キャパシタを覆うように形成された第１の水素拡散防止膜４８と、第１の水素拡散防止膜上に形成され、表面が平坦化された第２の絶縁膜５０と、第２の絶縁膜上に形成された第２の水素拡散防止膜５２と、キャパシタの下部電極３８又は上部電極４２に達する第２のコンタクトホール５６内に埋め込まれた第２の導体プラグ６２と、第１の導体プラグに達する第３のコンタクトホール内に埋め込まれた第３の導体プラグ６２と、第２の導体プラグ又は第３の導体プラグに接続された配線６４とを有している。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの下部電極の凹凸形成の制御性を向上させた半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、複数の突出部２０を有するように形成された下部電極ＬＥと、下部電極上に形成された強誘電体膜ＦＥと、強誘電体膜上に形成された上部電極ＵＥとを含む強誘電体キャパシタＦＣを備えている。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを用いた信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１と、半導体基板１０１表面部に形成された不純物拡散層１０２と、半導体基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０７と、層間絶縁膜１０７を貫通し、上面が層間絶縁膜１０７の上面より高く、層間絶縁膜１０７の上面より高い領域が凸状に形成され、不純物拡散層１０２と接触するコンタクトプラグ１１１と、コンタクトプラグ１１１上及び層間絶縁膜１０７の所定領域上に形成されたキャパシタ下部電極膜１１４と、キャパシタ下部電極膜１１４上に形成された強誘電体膜１１６と、強誘電体膜１１６上に形成されたキャパシタ上部電極膜１１７と、を備える。下部電極１１４ｂ中にグレインはほとんど形成されず、強誘電体膜１１６に含まれる酸素がコンタクトプラグ１１１へ拡散することが防止され、コンタクトプラグの酸化が抑制される。 （もっと読む）

【課題】シームの影響を抑制し、合わせずれが発生しないプラグを形成可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上のトランジスタ１１を被う層間絶縁膜１９と、層間絶縁膜１９の上にあり、水素の拡散を抑制する層間絶縁膜２０と、層間絶縁膜１９、２０を貫通して底面がトランジスタ１４に接続され、底面及び側面にバリアメタル２４が配設され、バリアメタル２４の内側に耐酸化性のプラグメタル２６が配設され、上面中央部のシームの上端開口部にプラグメタル２６が埋め込まれたプラグ下部電極２２と、プラグ下部電極２２の上面に接して、半導体基板１１の表面に対して約８５度に立った側面を有する強誘電体膜３３と、強誘電体膜３３上に形成され、強誘電体膜３３の側面に連続して立った側面を有する上部電極３５と、層間絶縁膜２０に接触し、強誘電体膜３３及び上部電極３５の側面、上部電極３５の上面に被うバリア絶縁膜３７とを備える。 （もっと読む）

導電物質を選択的に形成する方法及び金属導電構造を形成する方法を開示する。下部に横たわる物質領域を露出するように有機物質をパターン化することができる。下部に横たわる物質の上に位置する有機物質の残留部分と反応することなく下部に横たわる物質と反応するプラチナ前駆ガス等の前駆ガスに、下部に横たわる物質を晒してもよい。前駆ガスを原子層蒸着処理に用いてもよく、その間、前駆ガスは導電構造を形成するように下部に横たわる物質と選択的に反応して有機物質とは反応しない。導電構造は、例えば、半導体デバイス製造の様々な段階においてパターニング用マスクとして用いることができる。 （もっと読む）

【課題】新規な構成及び動作原理の誘電体記憶装置を提供する。
【解決手段】誘電体記憶装置が，第１及び第２の電極と，前記第１及び第２の電極間に挟まれる部分を有する誘電体部材と，前記第１及び第２の電極のいずれかに電流を供給することで，前記誘電体部材の前記部分を加熱する加熱手段と，前記加熱手段によって加熱された前記誘電体部材の前記部分に，前記第１及び第２の電極を介して，書き込み電圧を印加することで，情報を書き込む書込手段と，前記第１及び第２の電極を介して，前記書込手段によって情報が書き込まれた前記誘電体部材の前記部分から情報を読み出す読出手段と，を具備する （もっと読む）

【課題】上部電極膜に付着している残渣を確実に除去し、微細化した場合でも所望の特性を得ることができる半導体装置の製造方法及び容量素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に、下部電極膜２、強誘電体膜３及び上部電極膜４を形成し、その後、上部電極膜４のパターニングを行う。次に、強誘電体膜３のパターニングを行う。そして、強誘電体膜３のパターニング後に上部電極膜４に付着している残渣１３ａ及び１３ｂに対してウェット処理を行う。更に、ウェット処理後に上部電極膜４に付着している残渣１３ａ及び１３ｂに対してドライエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタへのストレスを抑制し、強誘電体キャパシタの分極特性の劣化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１０と、半導体基板の上方に設けられ、上部電極ＵＥ、強誘電体膜ＦＥおよび下部電極ＬＥを含む強誘電体キャパシタＦＣと、強誘電体キャパシタの周辺を取り囲むように設けられた上部層間絶縁膜ＩＬＤ３，ＩＬＤ４とを備え、強誘電体キャパシタと上部層間絶縁膜との間に間隙５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの特性を損ねることなく、ブロック選択部を微細化してもオフ時のリーク電流が増大しない半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、互いに並列に接続された強誘電体キャパシタおよびセルトランジスタを含むメモリセルが複数個直列に接続されて構成された複数のセルブロックと、複数のセルトランジスタのゲートに接続された複数のワード線と、互いに直列に接続されたエンハンスメント型トランジスタおよびデプレーション型トランジスタを含む複数のブロック選択部と、複数のブロック選択部を介して複数のセルブロックの一端に接続された複数のビット線と、複数のセルブロックの他端に接続された複数のプレート線とを備え、エンハンスメント型トランジスタのゲート長は、デプレーション型トランジスタのゲート長よりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上した半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダミートランジスタＤＴｒ上方の配線層１０８ｃ上にキャパシタ下部電極膜１０９を残しておき、キャパシタ上部電極膜１１１及び強誘電体膜１１０の除去によるキャパシタ加工の際に、配線層１０８ｃが除去されることを防止し、選択トランジスタＳＴｒの拡散層１０２ｃとビット線との接続を確保する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト形成時における強誘電体キャパシタへのエッチングダメージ、水素ダメージ、埋込み不良を抑制し、微細化に適した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタを被覆するように設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された第１の上部電極、強誘電体膜および下部電極を含む強誘電体キャパシタと、層間絶縁膜内に設けられ、下部電極とトランジスタとを電気的に接続するコンタクトプラグと、第１の上部電極上に設けられ、側面が順テーパーに形成された第２の上部電極と、第２の上部電極を介して第１の上部電極に電気的に接続された配線とを備えている。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの上部電極とセルトランジスタの拡散層を接続するための配線が、自己整合的に形成された不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に、セルトランジスタ１４と、強誘電体膜２９を第１電極３０および第２電極３１で挟持し、第１電極３０が第１コンタクトプラグ２７の上面と接触した強誘電体キャパシタ１３と、第２コンタクトプラグ２８の上面に接触し、第１電極３０と同じ材質の第１導電層３２と、第１電極３０、強誘電体膜２９および第１導電層３２の側面を覆うように第２絶縁膜２６上に形成され、第１導電層３２の上面を露出する第１開口を有する第３絶縁膜３３と、第３絶縁膜３３上に、一方３４ａが第２電極３１と連続的に繋がり、他方３４ｂが第１開口を通して第１導電層３２に接続されるように形成され、第２電極３１と同じ材質の第１配線３４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】電極材料／液晶性有機半導体（液晶物質）／電極材料の構成において、低電界で電荷注入を促進する。
【解決手段】２つの平板状電極１及び３と、液晶性有機半導体に強誘電性を付与した強誘電性液晶物質２とを備え、前記平板状電極は前記強誘電体液晶物質を挟み、前記平板状電極間に電圧を加えることにより前記強誘電性液晶物質を分極させ、電荷注入を促進させる液晶性有機半導体素子。 （もっと読む）