【課題】酸化物材料膜の結晶化温度を低温化できる水蒸気加圧急速加熱装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る水蒸気加圧急速加熱装置は、処理室３４内に配置された、基板３５を載置する載置台３６と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱機構３８と、前記処理室内を加圧する加圧機構４３と、前記処理室内に加熱及び加圧された水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、前記処理室内を真空排気する真空排気機構５６と、前記処理室内に加熱及び加圧された酸素ガスを供給する酸素ガス供給機構と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリの信頼性を向上する。
【解決手段】本発明の例に関わる強誘電体メモリは、半導体基板５０内に設けられる拡散層２３，２４と、拡散層２３，２４間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極２１と、を有する電界効果トランジスタ２と、層間絶縁膜５１内に埋め込まれ、拡散層２３，２４上に設けられるコンタクトプラグ３０，３１と、層間絶縁膜５１上及びコンタクトプラグ３０，３１上に設けられる酸化防止膜４０と、酸化防止膜４０上に設けられる強誘電体膜１０と、強誘電体膜１０及び酸化防止膜４０を貫通して、コンタクトプラグ３０，３１上に設けられる電極１１，１２と、を有するキャパシタ１と、電極１１，１２間の酸化防止膜４０上に設けられ、強誘電体膜１０に対して種結晶として機能するシード層４１と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを高信頼性化する。
【解決手段】半導体記憶装置７０に設けられる強誘電体キャパシタ５０は、積層形成される下部電極膜１４、強誘電体膜１５、及び上部電極膜１６から構成される。下部電極膜１４は、メモリセルトランジスタ４０のソース及びドレインの一方の上部に設けられるコンタクトプラグ１１と電気的に接続される部分が下に凸となりコンタクトプラグ上部に埋め込まれる形状を有し、反応防止膜１３を介してコンタクトプラグ１１に接続される。上部電極膜１６は、コンタクトプラグ２３を介して配線層２５に接続される。コンタクトプラグ１１及び反応防止膜１３が接続される界面の両端部とコンタクトプラグ１１の上側面とは反応防止膜９で覆われる。強誘電体キャパシタ５０は、コンタクトプラグ１１及び２３を除く領域が反応防止膜９と反応防止膜９と接する反応防止膜１９により覆われる。 （もっと読む）

スイッチング素子は、第１の部分と第２の部分とを有する第１の半導体層と、第１の部分と第２の部分とを有する第２の半導体層と、上記第１の半導体層と上記第２の半導体層との間に配置される絶縁層と、上記第１の半導体層の上記第１の部分と接触して第１の接合部を形成するとともに、上記第２の半導体層の上記第１の部分と接触して第２の接合部を形成する第１の金属コンタクトと、上記第１の半導体層の上記第２の部分と接触して第３の接合部を形成するとともに、上記第２の半導体層の上記第２の部分と接触して第４の接合部を形成する第２の金属コンタクトとを含み、上記第１の接合部と上記第４の接合部とはショットキー接触部であり、上記第２の接合部と上記第３の接合部はオーミック接触部である。
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【課題】大容量のデータを格納することができ、かつ、微細化に適した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板に設けられた複数のセルトランジスタと、セルトランジスタ上に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上方に設けられ、互いに異なる抗電圧を有する第１から第ｎ（ｎは２以上の整数）の強誘電体膜と、第１から第ｎの強誘電体膜を挟むように第１から第ｎの強誘電体膜の両側面にそれぞれ設けられた複数の電極を備え、第１から第ｎの強誘電体膜および電極がデータを保持する強誘電体キャパシタを構成する。 （もっと読む）

【課題】膜の膨れによる欠陥の発生を防止することで半導体装置の品質向上と歩留まりの向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の上方に第２層間絶縁膜を形成し（ステップＳ１００）、第１熱処理を行い（ステップＳ１１０）、その後に基板洗浄を行う（ステップＳ１２０）。下部電極密着膜及び第１導電性膜を形成したら、第１導電性膜に表面処理して不純物を除去し（ステップＳ１７０）、第１導電性膜を大気に晒すことなく第１誘電体膜を形成する（ステップＳ１８０）。さらに、第１誘電体膜を表面処理して不純物を除去し（ステップＳ２００）、第１誘電体膜を大気に晒すことなく第２誘電体膜を形成する（ステップＳ２１０）。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜が水素バリア膜から発生する水素によって劣化することを確実に防止できるようにする半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１１の上に形成された強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜１８を有するキャパシタ２０と、キャパシタ２０の下側に形成された第１の水素バリア膜１５とを有している。第１の水素バリア膜１５は、フッ素を含む窒化シリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】セルトランジスタの閾値のばらつきに由来する不良の効果的なスクリーニングが可能な強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】強誘電体メモリであって、当該強誘電体メモリは、強誘電体キャパシタとセルトランジスタとが並列接続されたメモリセルを複数有し、メモリセル同士がブロックごとに直列接続されたメモリセルアレイ１１１と、複数本のワード線ＷＬ１〜ＷＬ８と、複数本のビット線ＢＬ１〜ＢＬ４と、メモリセル用の動作電圧、グラウンド電圧、又は動作電圧及びグラウンド電圧と異なる電圧値を有する第３の電圧を選択し、選択された電圧をワード線に印加するワード線ドライバ２０１と、ビット線に接続され、セルトランジスタの閾値電圧、出力電流、又は出力電圧を測定し、閾値電圧、出力電流、又は出力電圧の測定結果を示す信号を出力する測定回路２０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】よりアスペクト比の大きい３次元構造型キャパシタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板２１上に絶縁膜３４を形成する工程と、形成した絶縁膜３４上に、第１の方向に延在し、帯状のパターンを有する第１マスクを形成する工程と、第１マスクをマスクに絶縁膜３４をエッチングして、絶縁膜３４を帯状体に加工する帯状体形成工程と、帯状体の上に、第１の方向と異なる第２の方向に延在し、帯状のパターンを有する第２マスクを形成する工程と、第２マスクをマスクにして、帯状体をエッチングして、帯状体を柱状体３４に加工する柱状体形成工程と、柱状体３４の表面を被覆するように第１導電膜を形成する工程と、第１導電膜をエッチングして、第１導電膜から成る電極３５を柱状体３４の側面に形成する電極形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜を薄膜化可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ＭＯＳトランジスタ１０１と、層間絶縁膜３０７，３０８，３１６と、強誘電体キャパシタ１０２と、コンタクトプラグ３１１〜３１３と、強誘電体膜３１７ｂとを有する。まず、強誘電体膜３１７を厚く堆積し、その後に、ウエハ全体で膜厚を均一に堆積可能な層間絶縁膜３１６をストッパとして、ＣＭＰ法で強誘電体膜３１７を平坦化して、強誘電体膜３１７ａを形成する。そのため、強誘電体膜３１７ａに膜厚が薄い部分は生じず、リーク電流が流れることはなく、強誘電体膜３１７ａの膜厚がばらつくこともない。よって、半導体装置の強誘電体膜３１７ａを確実に薄膜化できる。 （もっと読む）

【課題】 ジルコニウム含有膜の原子層堆積に有用なジルコニウム前駆体を提供する。
【解決手段】 式


で示されるジルコニウム前駆体。そのような前駆体は、室温で液体であり、ジルコニウム含有膜、たとえば高κ誘電体膜をマイクロ電子デバイス基板上に形成するためのＡＬＤなどの気相堆積プロセスで利用されうる。ジルコニウム前駆体は、熱安定化用アミン添加剤によりそのような気相堆積プロセスにおいて安定化されうる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に覆われるキャパシタの特性を良好にすることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１の上方に形成された第１の層間絶縁膜（第１絶縁膜）１１と、第１の層間絶縁膜１１上に形成され且つ下部電極１６ａ、誘電体膜１７ａ及び上部電極１８ａを有するキャパシタ２０と、キャパシタ２０及び第１層間絶縁膜１１の上方に形成された第４の層間絶縁膜（第２絶縁膜）２６と、キャパシタ２０及びその周辺の上方であって第４の層間絶縁膜２６の上に形成され且つ第４の層間絶縁膜２６とは逆の方向の応力を有する金属パターン３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来構造のフラッシュメモリと比べてはるかに微細化可能な、フラーレンによるダイポールを利用した半導体記憶素子を提供する。
【解決手段】半導体領域を含む第１の電極１１と、第１の電極１１上に形成され、膜厚方向に設けられた孔を有する絶縁膜１２と、孔の開口部を覆って閉鎖された空間１３を形成する金属を含む第２の電極１５と、閉鎖空間１３内に配置され、電圧の印加により第１または第２の電極１１，１５のいずれかの側に移動することにより第１の電極１１と第２の電極１５との間にダイポールを発生させて、フラットバンド電圧をシフトさせるフラーレン１４を具備する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の発生を防止し且つ電気的特性に優れた強誘電体キャパシタを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の導電層４０を形成し、第１の導電層４０の表面に酸化膜１０を形成し、酸化膜１０を大気にさらし、酸化膜１０を、減圧下且つ第１の温度で減圧加熱処理し、減圧加熱処理された酸化膜１０を大気にさらすことなく、減圧下且つ第１の温度よりも低い第２の温度で、非晶質の第１の誘電体層４１を酸化膜１０上に形成し、第１の温度よりも高い第３の温度で、非晶質の第１の誘電体層４１を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】一回の塗布で形成するゾル−ゲル前駆体液膜が厚く、可能な限り少ない繰り返し塗布回数で、所望の酸化物誘電体膜厚さとできるゾル−ゲル前駆体液を提供する。
【解決手段】この目的のため、ペロブスカイト構造を備える酸化物セラミックからなる膜を形成するためのゾル−ゲル前駆体液であって、第１成分系調成剤（ペロブスカイト構造のＡサイトを構成するバリウム及び／又はストロンチウムとを含有した溶液。）と第２成分系調成剤（ペロブスカイト構造のＢサイトを構成するチタンの供給源として、チタンアルコキシドを部分加水分解し重合度調成したものを含有する溶液。）とを含むことを特徴とするゾル−ゲル前駆体液を採用する。 （もっと読む）

【課題】
強誘電特性が良好で、絶縁性の良い強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供す
る。
【解決手段】本発明ではペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物よりなる強誘電体材料であって、前記金属酸化物は、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスと、銅酸化物および／またはニッケル酸化物を含有し、前記鉄酸ビスマスのマンガンの置換量は、鉄およびマンガンの合計量に対して０．５ａｔ．％以上２０ａｔ．％以下であり、かつ銅酸化物および／またはニッケル酸化物の添加量が、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスに対して０．５モル％以上２０モル％以下である強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水素による強誘電体キャパシタの劣化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、トランジスタを被覆する第１の層間膜と、第１の層間膜中に形成され、トランジスタのソースまたはドレインの一方に接続された第１のプラグと、第１のプラグおよび第１の層間膜の上方に形成された強誘電体キャパシタと、隣接する強誘電体キャパシタ間の下にある第１の層間膜中に形成され、トランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された第２のプラグと、強誘電体キャパシタの側面を被覆する第１の絶縁膜と、強誘電体キャパシタの側面において第１の絶縁膜をさらに被覆する第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜を被覆する第２の層間膜と、隣接する強誘電体キャパシタ間の第２の層間膜を貫通して第２のプラグに接続された第３のプラグとを備え、第２の絶縁膜は、第１の絶縁膜よりもエッチングされ難い材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｎｄを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００５≦Ｂ／Ａ＜０．０３の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）