【課題】構造が簡単な印刷法で形成が可能な情報記録部材を提供すること。
【解決手段】基板１０２と、前記基板上に設けられた一つ以上の下部配線１０３と、前記下部配線上に印刷法で設けられた複数の導電性バンプ１０４と、前記基板と前記下部配線と前記導電性バンプとを覆うように設けられた絶縁層１０５と、前記下部配線と交差し前記導電性バンプに重なるように前記絶縁層上に設けられた一つ以上の上部配線１０６とを備えることを特徴とする情報記録装置。 （もっと読む）

【課題】１つのチップに圧電素子と強誘電体素子とを混載させ、得られる半導体装置の小型化を図ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、圧電素子３と、強誘電体素子２と、を同一基板上に備える半導体装置１において、強誘電体素子２を構成する強誘電体膜１５ｂが、圧電素子３を構成する圧電体膜４の少なくとも一部と同じ材料から形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜界面の汚染を防止し、半導体基板とコントロールゲートの間の絶縁膜の破壊を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板２の第１表面領域Ｃ１上にゲート絶縁膜４を介してフローティングゲート５を形成する工程と；第１表面領域Ｃ１に隣接する第２表面領域Ｃ２及びフローティングゲート５の端部を覆うようにトンネル絶縁膜８ａを形成する工程と；トンネル絶縁膜８ａを覆い、第２表面領域Ｃ２の上方が厚く、フローティングゲート５の上方が薄くなるように第１酸化膜３３を形成する工程と；第１酸化膜３３とフローティングゲート５上のトンネル絶縁膜８ａの表面とをエッチバックする工程と；第２表面領域Ｃ２上の第トンネル絶縁膜８ａ上にコントロールゲート９を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】従来の強誘電体薄膜よりも低いリーク電流密度、かつ、高い絶縁耐圧が得られる、薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｉを含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料並びに複合金属酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、欠陥の少ない良質な塗布型酸化シリコン膜の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板に素子分離溝を形成し、前記素子分離溝の内部に、前記素子分離溝を埋め込むように、シリコン化合物膜を形成し、第１の温度での第１の酸化処理により、前記シリコン化合物膜の表面を、酸化剤及び不純物の通過を許容しつつもシリコン原子を含む揮発物が通過不可能な揮発物放出防止層に、改質し、前記第１の温度よりも高い第２の温度での第２の酸化処理により、前記素子分離溝の内部に、塗布型酸化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線間の記憶部の加工不良を低減した高歩留まりの不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性記憶装置は、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられ、抵抗が変化する第１記憶層を有する第１記憶部と、を有する。第１電極となる第１電極膜１１０ｆと、第１記憶部となる第１記憶部膜１３０ｆと、を積層し、これらを第１方向に延在する帯状に加工し、所定密度の層５８１を埋め込む。その上に、第２電極となる第２電極膜１４０ｆを形成し、その上に所定密度の層よりも密度が高いマスク層１５０を形成し、第２電極膜１４０ｆを第２方向に延在する帯状に加工し、第１記憶部膜１３０ｆの犠牲層５８１から露出した部分を除去して第１記憶部膜１３０ｆを柱状に加工し、その後犠牲層５８１を除去して第１記憶部膜１３０ｆを露出させて第１記憶部膜１３０ｆを除去する。 （もっと読む）

【課題】メモリ装置を製造するための方法。
【解決手段】ナノ粒子２４４を含むメモリ装置１００を製造するための方法であって、少なくとも１つの半導体をベースとする基板において、ソースおよびドレイン領域１１８、１２０と、ソースおよびドレイン領域１１８、１２０の間に配置され、かつメモリ装置１００のチャネル１２１を形成するための基板の少なくとも１つの領域上に少なくとも１つの第１の誘電体２４１とを形成するステップと、少なくとも１つの導電材料のナノ粒子を懸濁した状態で含み、少なくとも第１の誘電体２４１を覆う少なくとも１つのイオン液を堆積するステップと、ナノ粒子２４４の堆積物を少なくとも第１の誘電体２４１上に形成するステップと、残りのイオン液を除去するステップと、ナノ粒子２４４の堆積物の少なくとも一部上に、少なくとも１つの第２の誘電体２５２および少なくとも１つの制御ゲート２５４を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】第１の方向に延在する、少なくとも一つの第１の配線と、前記第１の配線の上層に配置され、前記第１の方向に対して非平行な第２の方向に延在する、少なくとも一つの第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線とが交差する、前記第１の配線と前記第２の配線との間に配置された、記憶素子を有した記憶セルと、前記記憶セル間に配置された素子分離層と、を備え、前記記憶セルの側面に、前記素子分離層よりも密度の高い、少なくとも一層の絶縁膜が配置していることを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】Ｘ軸方向に延在する、少なくとも一つの第１の配線と、第１の配線の上層に配置され、Ｘ軸方向に対して非平行なＹ軸方向に延在する、少なくとも一つの第２の配線と、第２の配線の上層に配置され、Ｘ軸方向に延在する、少なくとも一つの第３の配線と、第１の配線と第２の配線とが交差する、第１の配線と第２の配線との間に第１の記憶素子を有した第１の記憶セルを配置し、第２の配線と第３の配線とが交差する、第２の配線と第３の配線との間に第２の記憶素子を有した第２の記憶セルを配置した不揮発性記憶装置であって、Ｘ軸方向に略垂直な断面において、第１の配線の断面積と第３の配線の断面積とが略等しい不揮発性記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置において、記憶セルの特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】第１の方向に延在する、少なくとも一つの第１の配線と、前記第１の配線の上層に配置され、前記第１の方向に対して非平行な第２の方向に延在する、少なくとも一つの第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線とが交差する、前記第１の配線と前記第２の配線との間に配置された、記憶素子及び前記記憶素子に直列的に接続された整流素子を有した記憶セルと、を備え、前記整流素子の側面に保護膜が形成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜に適した配向度を安定して再現性良く得ることにより、安定した高い圧電特性を備えた圧電体素子及びこれを用いたインクジェト式記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極４２上にＴｉ膜を形成した後、圧電体薄膜４３を構成する圧電体層を複数回成膜し、この圧電体薄膜４３上に上部電極４４を形成して圧電体素子４０を製造する。圧電体層を複数回成膜するにあたり、初回の成膜における焼成温度を、他の回の各成膜における焼成温度より高い温度とする。また、初回の成膜における焼成時間を、他の回の各成膜における焼成時間より長い時間とする。これにより１００面配向度を向上させ、下部電極の酸化やＰｂの拡散も防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置の記憶セル間のショートを抑制し、その特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】基板上に配置させた第１の配線層の上層に、記憶セル層を形成し、記憶セル層を第２の方向に分離すると共に、第１の方向に延在する第１の配線を基板上に形成するために、第１の方向に連通する第１のトレンチを形成し、第１のトレンチ内に第１の素子分離層を埋設し、記憶セル層及び第１の素子分離層の上層に、第２の配線層を形成し、第２の配線層を加工し、第２の方向に延在する第２の配線を形成し、第１の素子分離層をエッチングして、第１の素子分離層の上面を所定の位置まで降下させて、記憶セル層を第１の方向に分離するために、第２の方向に連通する第２のトレンチを形成する。 （もっと読む）

【課題】
強誘電特性が良好で、絶縁性の良い強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供す
る。
【解決手段】本発明ではペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物よりなる強誘電体材料であって、前記金属酸化物は、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスと、銅酸化物および／またはニッケル酸化物を含有し、前記鉄酸ビスマスのマンガンの置換量は、鉄およびマンガンの合計量に対して０．５ａｔ．％以上２０ａｔ．％以下であり、かつ銅酸化物および／またはニッケル酸化物の添加量が、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスに対して０．５モル％以上２０モル％以下である強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不良ビットへの無駄なアクセスを抑制することができる不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の方向に延在する第１の配線と、前記第１の方向と非平行な第２の方向に延在する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に挟持され前記第１の配線と前記第２の配線とを介して供給される電流により第１の状態と第２の状態との間を不可逆的に遷移可能な遷移層と、を有する判別部と、前記第２の配線に対して前記第１の配線と反対側に設けられ前記第２の方向と非平行な第３の方向に延在する第３の配線と、前記第２の配線と前記第３の配線との間に挟持され前記第２の配線と前記第３の配線とを介して供給される電流により第３の状態と第４の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を有する変化素子部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配向制御層や保護膜等の圧電素子として本来必要でない膜を必須とせず、複雑なプロセスを要することなく、圧電性能と耐電圧とがいずれも良好な圧電体膜を提供する。
【解決手段】圧電素子１は、基板１０上に、下部電極２０と圧電体膜３０と上部電極４０とが順次積層された素子であり、圧電体膜３０は、膜表面における最大高さ（ピーク値Ｐ）と最小高さ（バレー値Ｖ）との差で規定される表面粗さＰ−Ｖ値が１７０．０ｎｍ以下であり、圧電定数ｄ_３１＞１５０ｐｃ／Ｎであり、かつ、電流値が１μＡ以上となる印加電圧により定義される絶縁破壊電圧が８０Ｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】一回の塗布で形成するゾル−ゲル前駆体液膜が厚く、可能な限り少ない繰り返し塗布回数で、所望の酸化物誘電体膜厚さとできるゾル−ゲル前駆体液を提供する。
【解決手段】この目的のため、ペロブスカイト構造を備える酸化物セラミックからなる膜を形成するためのゾル−ゲル前駆体液であって、第１成分系調成剤（ペロブスカイト構造のＡサイトを構成するバリウム及び／又はストロンチウムとを含有した溶液。）と第２成分系調成剤（ペロブスカイト構造のＢサイトを構成するチタンの供給源として、チタンアルコキシドを部分加水分解し重合度調成したものを含有する溶液。）とを含むことを特徴とするゾル−ゲル前駆体液を採用する。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した形成用組成物等を提供する。
【解決手段】一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）の複合金属酸化物Ａに、一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨ（但し、３≦ｎ≦７）で、かつ、上記金属に配位したときに式（１）の構造をとり得る、カルボン酸Ｂが混合した液状組成物であり、酸化物Ａ構成原料並びにカルボン酸Ｂがモル比０＜Ｂ／Ａ＜０．２になるように溶解している有機金属化合物溶液からなる。


但し、式中、上記一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨのｎを満たす範囲内で、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は水素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＰｂ，Ｌａ，Ｚｒ又はＴｉを示し、ｍはＭの価数を示す。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の低減と絶縁耐圧の向上の両特性をバランスよく改善することができる、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｐ（燐）を含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料並びに複合酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｍを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００５≦Ｂ／Ａ＜０．０３の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）