【課題】薄膜キャパシタ等において、チューナビリティ、リーク電流特性及び誘電率を向上させ得る誘電体薄膜形成用組成物、誘電体薄膜の形成方法及び誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式：Ｂａ_1-xＳｒ_xＴｉ_yＯ₃（式中０．２＜ｘ＜０．６、０．９＜ｙ＜１．１）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｃｕ（銅）を含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料及び複合酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつＡとＢとのモル比Ｂ／Ａが０．００１≦Ｂ／Ａ＜０．１５の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で動作し、記憶情報の信頼性が高く、小型で軽量、安価な記憶装置と
その駆動方法を提供することを課題とする。さらに低消費電力で動作し、記憶情報の信頼
性が高く、無線通信距離の長い、小型で軽量、安価な半導体装置とその駆動方法を提供す
ることを課題とする。
【解決手段】記憶装置は、少なくとも記憶素子がマトリックス状に配置されたメモリセル
アレイと、書き込み回路とを有し、記憶素子は第一の導電層と、第二の導電層と第一の導
電層と第二の導電層とに挟まれて設けられた有機化合物層とを有し、書き込み回路は、複
数回印加する電圧を発生させる電圧発生回路と、電圧の出力時間を制御するタイミング制
御回路とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで安定した品質の薄膜を製造すること。
【解決手段】薄膜製造方法は、基板２０の第１主面２０ａ上に形成させる薄膜の金属酸化物前駆体溶液１２中に、基板を配置する配置工程と、光源１３からレーザ光１４を照射することにより、基板２０の第１主面２０ａ上に薄膜を形成する形成工程と、光源１３と同一の光源１３からレーザ光１４を照射して、基板２０の第１主面２０ａと金属酸化物前駆体溶液１２の液面の距離７３を計測する工程と、計測結果に基づいて、基板２０の高さ方向の位置を調整する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ピラーのアスペクト比が低い不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性記憶装置は、第１方向に延びる第１導電部材と、前記第１方向に対して交差する第２方向に延びる第２導電部材と、を備える。前記第１導電部材における前記第２導電部材に接続される部分は、前記第２導電部材に向けて突出している。そして、前記第１導電部材においては、前記第１方向における抵抗率が前記第１導電部材が突出する第３方向における抵抗率よりも低く、前記第３方向において抵抗値が変化し、前記第２導電部材においては、前記第２方向における抵抗率が前記第３方向における抵抗率よりも低く、前記第３方向において抵抗値が変化する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性記憶装置は、第１配線と、前記第１配線上に設けられ、複数の微小導電体が集合したナノマテリアル集合層と、前記ナノマテリアル集合層上に設けられた第２配線と、を備える。そして、上方から見て、前記ナノマテリアル集合層の少なくとも下部は、前記第２配線の内側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高さのばらつきが低減された埋め込みビット線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板内にビット線とワード線を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板をエッチングして第１の方向に延在する第１の溝を形成することによって、複数の第１の半導体ピラーを形成する工程と、第１の半導体ピラーの側面の一部に拡散層を形成する工程と、隣接する前記第１の半導体ピラー間の前記第１の溝に、拡散層に接続するビット線を形成する工程と、第１の半導体ピラーと前記ビット線を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の半導体ピラーの少なくとも一部が露出するように前記第１の絶縁膜に、第１の方向に直交する第２の方向に延在する第２の溝を形成する工程と、露出した第１の半導体ピラー上にエピタキシャル層を成長させて第２の半導体ピラーを形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置の特性を向上させ、微細化を図る。
【解決手段】第１の配線と第２の配線とに接続された記憶セルを有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記第１の配線の上に、第１の電極膜を形成する工程と、前記第１の電極膜の上に、複数のカーボンナノチューブが絶縁材中に分散され、前記複数のカーボンナノチューブのうちの少なくとも１つのカーボンナノチューブが前記絶縁材の表面から表出した層を形成する工程と、前記層の上に、第２の電極膜を形成する工程と、前記第２の電極膜の上に、前記第２の配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中、０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物に、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐ、Ｂ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＣｓからなる群より選ばれた１種或いは２種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、２〜２３層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さｔが４５〜５００ｎｍであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均ｘが２００〜５０００ｎｍであり、焼成層のいずれにおいても１．５ｔ＜ｘ＜２３ｔの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、電極間の短絡を防止することができ、電極との接触面積を大きくすることができる導電性ナノマテリアルを含む抵抗変化層を有する不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板の主面上を第１の方向に延在する第１の配線と、前記第１の方向と非平行な第２の方向に延在する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に挟持され前記第１の配線と前記第２の配線とを介して印加される電圧または供給される電流により第１の抵抗状態と第２の抵抗状態との間を可逆的に変化可能な導電性ナノマテリアルを含む抵抗変化層と、を備え、前記抵抗変化層は、前記第１の方向及び前記第２の方向に対して略垂直な第３の方向に沿って密度が変化していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、中間絶縁層、電荷蓄積層、及びトンネル絶縁層のうちの少なくとも１つが酸化ガリウムを含まない場合に比べて、情報の書込みと消去を繰り返しても閾値電圧の変動が抑制された不揮発性記憶素子を提供する。
【解決手段】基板と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネル層と、電荷蓄積層と、ゲート電極と、前記チャネル層及び前記電荷蓄積層の間に設けられたトンネル絶縁層と、前記電荷蓄積層及び前記ゲート電極の間に設けられた、中間絶縁層と、を備え、前記中間絶縁層、前記電荷蓄積層、及び前記トンネル絶縁層が酸化ガリウムを含み、前記チャネル層が有機半導体層である不揮発性記憶素子である。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｏ₃およびＢａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃をベースにした圧電材料の特性を向上させる非鉛系圧電材料を提供する。
【解決手段】基板１上に弾性膜２、密着層３，４，５、下部電極６、圧電膜９を形成する。圧電材料は、Ｂｉ（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｏ₃とＢａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃の混晶からなる圧電材料であって、組成式（１−ｘ）Ｂｉ（Ｆｅ_1-yＭｎ_y）Ｏ₃−ｘＢａ（Ｚｒ_uＴｉ_1-u）Ｏ₃で表され、０＜ｘ＜０．４０、０．０１＜ｙ＜０．１０および０≦ｕ＜０．１６である。かかる構成によれば、Ｂｉ（Ｆｅ_1-yＭｎ_y）Ｏ₃の自発分極量や高いキュリー温度を維持しつつ、Ｂａ（Ｚｒ_uＴｉ_1-u）Ｏ₃により圧電特性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体材料層の電気特性（例えば、高残留分極特性、低リーク電流特性など。）をより一層向上させることが可能な強誘電体材料層の製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより強誘電体材料となるゾルゲル溶液を準備する第１工程と、基材上に前記ゾルゲル溶液を塗布することにより、前記強誘電体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、前記前駆体組成物層を１２０℃〜２５０℃の範囲内にある第１温度で乾燥させる第３工程と、前記前駆体組成物層を前記第１温度よりも高く、かつ、１５０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前記前駆体組成物層に対して型押し加工を施す第４工程と、前記前駆体組成物層を前記第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前記前駆体組成物層から強誘電体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む強誘電体材料層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴなどの強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなり、複合金属酸化物Ｂを構成するための原料が、ｎ−オクタン酸基がその酸素原子を介して金属元素と結合している化合物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１．０×１０^―１Ａ／ｃｍ^２以上のリーク電流を抑制できる液体噴射ヘッドの製造方法及びこれを用いた液体噴射装置、並びに圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】液体噴射ヘッドの製造方法は、第１電極６０と第２電極８０とに挟持された圧電体層７０を備え、圧力発生室１２に圧力変化を生じさせる圧電素子３００とを有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、蒸着法により白金又はイリジウムの少なくとも１種を含む拡散抑制層６２を形成する工程を含む第１電極６０を形成する第１電極形成工程と、第１電極６０上に、チタン、ビスマス、バリウム、カリウム及びナトリウムを含む複合酸化物からなる圧電体層７０を形成する圧電体層形成工程と圧電体層７０上に、第２電極８０を形成する第２電極形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】環境負荷を低減し、リーク電流の発生を抑制した液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置、圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極６０を形成する工程と、第１電極６０上方に、焼成によりビスマス、鉄、マンガン、カリウム、及びチタンを含む複合酸化物を形成する有機金属化合物と、ポリビニルピロリドンと、を含む塗布液７１を塗布する工程と、塗布液７１を焼成し、ペロブスカイト型構造の複合酸化物からなる圧電体層７２を形成する工程と、圧電体層７２の上方に第２電極を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有せず、かつリーク電流を抑制できる液体噴射ヘッドの製造方法及びこれを用いた液体噴射装置、並びに圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する工程と、絶縁体膜５５上に反応性スパッタリング法により酸化チタンからなる密着層５６を形成する工程と、密着層５６上に第１電極６０を形成する工程と、第１電極６０上にチタン、ビスマス、バリウム、カリウム及びナトリウムを含む複合酸化物からなる圧電体層７０を形成する工程と、圧電体層７０上に第２電極８０を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】サイドウォールスペーサを利用してリソグラフィー解像限界未満のパターンと任意の寸法のパターンとが混在するパターンを形成する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜３及びシリコン酸窒化膜４からなる被エッチング部材上に塗布膜５をスピン塗布法により成膜し、塗布膜５をパターニングすることによってサイドウォールコアを形成し、サイドウォールコアの少なくとも側面を覆うシリコン酸化膜７を成膜し、シリコン酸化膜７上に有機反射防止膜８をスピン塗布法により成膜する。次いで、有機反射防止膜８をエッチングすることによって、シリコン酸化膜７の凹部７ａを覆う埋込マスクを形成し、シリコン酸化膜７をエッチングすることにより、サイドウォールコアまたは埋込マスクと重ならない被エッチング部材を露出させ、被エッチング部材をエッチングすることでフォトリソグラフィー解像限界未満のパターンを得る。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性の劣化を抑制した不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１ダミーセル領域１２１に設けられた素子分離絶縁層３３と、第２ダミーセル領域１２２に設けられた素子分離絶縁層４３と、第１ダミーセル領域１２１と第２ダミーセル領域１２２との間の境界に位置する素子分離絶縁層５１とを備える。素子分離絶縁層３３の上面は、浮遊電極層３２の上面よりも低い高さに位置する。素子分離絶縁層４３の上面は、浮遊電極層４２の上面と同じ高さに位置する。浮遊電極層３２に隣接する素子分離絶縁層５１の上面の端部は、浮遊電極層３２の上面よりも低い高さに位置する。素子分離絶縁層５１の上面は、浮遊電極層３２の側面から浮遊電極層４２の側面へ向かって上昇する傾斜ＴＬを有する。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく、良好な圧電特性を有する圧電体層を備えた液体噴射ヘッド及びその液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる液体噴射ヘッド６００は、薄膜法により形成された圧電体層３０および圧電体層３０に電圧を印加する電極１０，２０を含む圧電アクチュエーター１０２を備える。液体噴射ヘッド６００の圧電体層３０は、チタン酸ビスマスナトリウムと、０．２モル％以上８．０モル％以下の銅と、を含む固溶体である。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく、良好な圧電特性を有する圧電体層を備えた液体噴射ヘッド及びその液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる液体噴射ヘッド６００は、薄膜法により形成された圧電体層３０および圧電体層３０に電圧を印加する電極１０，２０を含む圧電アクチュエーター１０２を備える。液体噴射ヘッド６００の圧電体層３０は、チタン酸ビスマスナトリウムと、０．２モル％以上８．０モル％以下のマンガンと、を含む固溶体である。 （もっと読む）