【課題】絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができ且つ環境負荷の少ない圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料を提供する。
【解決手段】ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、圧電体層７０および圧電体層７０に設けられた電極６０，８０を備えた圧電素子３００と、を具備し、圧電体層７０は、ビスマス、鉄およびセリウムを含むペロブスカイト型複合酸化物であり、圧電体層７０は、セリウムを、ビスマスおよびセリウムの総量に対してモル比で０．０１以上０．１３以下含む液体噴射ヘッドＩとする。 （もっと読む）

【課題】第３電極への電圧印加のみで低抵抗状態と高抵抗状態のスイッチングが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、抵抗変化素子１０を有している。抵抗変化素子１０は、金属イオンが伝導可能なイオン伝導層１４と、イオン伝導層１４と接する第１電極１２、第２電極１６および第３電極１７と、を備えている。第１電極１２と第２電極１６とは、電気化学反応に寄与しない不関電極であり、イオン伝導層１４を挟んで対向するように配置され、第１電極１２と第２電極１６間との距離がイオン伝導層１４の厚みと等しい。第３電極１７は酸化可能な金属を含む電極である。第１電極１２とイオン伝導層１４とが接する面積をＳ１、第２電極１６とイオン伝導層１４とが接する面積をＳ２、第３電極１７とイオン伝導層１４が接する面積をＳ３としたとき、Ｓ１＋Ｓ２＜Ｓ３である。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく且つ比誘電率が高い液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層７０と、圧電体層７０に設けられた電極６０，８０とを具備する圧電素子３００を備えた液体噴射ヘッドＩであって、圧電体層７０は、膜厚が３μｍ以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、（１１０）面に優先配向し、且つ、この（１１０）面に由来するＸ線の回折ピーク位置（２θ）が３１．８０°以上３２．００°以下である。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝の底側の中空部を、素子分離溝の開口側に形成した絶縁層を除去することなく形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１にＳｉＯＮ膜２、リンドープ多結晶Ｓｉ膜３、ＳｉＮ膜４、ＳｉＯ_２膜５を形成する工程と、エッチングによって第１のＳＴＩ溝８０を形成する工程と、第１のＳＴＩ溝８０を含む領域にポリシラザン溶液を塗布して第１のシリコン酸化層７０を形成する工程と、第１のシリコン酸化層７０を覆うようにＣＶＤ法によって第２のシリコン酸化層７１を形成する工程と、第１のＳＴＩ溝８０の外部の領域で第２のシリコン酸化層７１をエッチングして第１のシリコン酸化層７０を露出させ、その露出部分から溶剤を浸入させて第１のシリコン酸化層７０を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく且つ比誘電率が高い液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層７０と、圧電体層７０に設けられた電極６０，８０とを具備する圧電素子３００を備えた液体噴射ヘッドＩであって、圧電体層７０は、膜厚が３μｍ以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、（１１０）面に優先配向し、且つ、この（１１０）面に由来するＸ線の回折ピークの半値幅が０．２４°以上０．２８°以下である。 （もっと読む）

【課題】高集積化が容易な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置の製造方法において、ｐ形シリコン及びｎ形シリコンを順次堆積させることにより、シリコンダイオードを形成する工程と、前記シリコンダイオードを選択的に除去してピラーを形成する工程と、前記ピラーの周囲に過水素化シラザン重合体を含む溶液を配置する工程と、前記溶液を加熱することにより、シリコン酸化膜を形成する工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができ且つ環境負荷の少ない液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と前記圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸ビスマスカリウムを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物である液体噴射ヘッドとする。 （もっと読む）

電気的浸透性ソース層を含む半導体デバイス及びこれの製造方法に対する様々な実施例が与えられる。一実施例では、半導体デバイスは、ゲート層、誘電体層、メモリ層、ソース層、半導体チャネル層、及びドレイン層を含む。ソース層は電気的浸透性及びパーフォレーションを有する。半導体チャネル層はソース層及びメモリ層と接触する。ソース層及び半導体チャネル層は、ゲート電圧チューナブル電荷注入バリアを形成する。
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【課題】金属酸化物単一ナノ粒子を抵抗変化メモリに利用するもので、メモリの大容量化や低消費電力化を実現する抵抗変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極と、前記第１電極上に形成された絶縁膜層と、前記絶縁膜層上に形成された第２電極、及び第１電極と第２電極と接触し絶縁膜中にフェリチンタンパク質により形成された金属酸化物ナノ粒子を１つ含むことを特徴とする抵抗変化メモリ素子であって、金属酸化物ナノ粒子の抵抗変化を利用したメモリ素子である。これにより、メモリ素子サイズの縮小と動作電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】第１の溝を埋め込み特性に優れたＳＯＤ膜で埋め込むことで、ショートの発生を抑制することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の溝１７に第１のＳＯＤ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜を埋め込み、第１のＳＯＤ膜を高温で改質させることで第１の絶縁膜４５を形成し、第１の絶縁膜４５上に位置する部分の第１の溝１７に、第１のＳＯＤ膜と同じ材料よりなる第２のＳＯＤ膜４６を埋め込み、第１のＳＯＤ膜を改質させる温度よりも低い温度で、第２のＳＯＤ膜４６を改質させることで、第２の絶縁膜２７を形成し、その後、ウエットエッチングにより第１の絶縁膜４５を除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の強誘電体キャパシタによる凹凸形状の影響を受けてキャパシタを被覆する水素バリア膜の水素拡散阻止能力が劣化すること、および強誘電体キャパシタの分極特性がばらつくことを防止する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された強誘電体キャパシタ１９を被覆する層間絶縁膜２０として、ペロブスカイト型金属酸化物絶縁体、ビスマス層状ペロブスカイト型酸化物強誘電体などのような金属酸化物を含む絶縁体からなる膜を用いる。このような膜はスピンコート法で形成できるので容易にその表面が平坦な膜が得られ、従ってその上に形成される水素バリア膜２２の膜厚も一様となって水素拡散阻止能力が維持できる。また膜２０は酸素が透過しやすい性質を有するので、酸素熱処理により強誘電体キャパシタ１９における分極特性のばらつきも十分防止できる。 （もっと読む）

【課題】電極に挟み込まれる強誘電体膜を特性のばらつきなく形成することのできる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板Ｓと、半導体基板Ｓ上に形成された一対のソース／ドレイン拡散層１１を有するセルトランジスタＴと、セルトランジスタＴに接続された強誘電体キャパシタＣとを備える。セルトランジスタＴ及び強誘電体キャパシタＣにより１つのメモリセルが構成される。強誘電体キャパシタＣは、半導体基板Ｓの表面に垂直な方向を長手方向として延びる電極３１と、電極３１の側面に接するように設けられた強誘電体膜３２と、半導体基板Ｓの表面に垂直な方向を長手方向として延び且つ電極３１との間に強誘電体膜３２を挟み込むように設けられた電極３１とを備える。強誘電体膜３２は、有機材料により構成されている。 （もっと読む）

【課題】硝酸塩や溶媒としてのＰＲＴＲ対象物質を使用せず且つ廃液も生じさせずに製造できる鉛を含有しない圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置を提供する。
【解決手段】Ｂｉ^３＋、Ｆｅ^３＋及びＭｎ^３＋を含み、溶媒としてアセチルアセトン及び２−エチルヘキサン酸を含む圧電セラミックス膜形成用組成物とする。 （もっと読む）

【課題】 変位量の低下を抑制した強誘電体薄膜を形成することができる強誘電体薄膜形
成用組成物、液体噴射ヘッドの製造方法、及びアクチュエーター装置の製造方法を提供す
る。
【解決手段】 ＡＢＯ_３の化学式を有するペロブスカイト構造の強誘電体薄膜をゾル−ゲ
ル法により形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であって、強誘電体薄膜を構成する
有機金属化合物と、水とを少なくとも含むゾルからなり、前記ゾルは、Ｂサイトを構成し
得る金属の総量をＸｍｏｌ／ｋｇとし、未反応水分量をＹｍｏｌ／ｋｇとしたとき、２Ｘ
＜Ｙ＜５Ｘを満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】 保存安定性を長期に亘って良好に保持することができるセラミックス薄膜形成
用組成物の保存方法、セラミック薄膜の製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド
の製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミックス薄膜を構成する有機金属化合物と、水と、を少なくとも混合
してセラミックス薄膜形成用組成物とし、該セラミックス薄膜形成用組成物を冷結晶化さ
せた後、冷結晶化のピーク領域の上限温度より高く融解開始温度より低い温度で保存する
。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、誤動作が生じる確率を抑え、かつ消費電力を低減させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１の配線と、前記第１の配線と対向する位置に在る第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に在り、前記第１の配線と前記第２の配線とを介して印加される電圧または供給される電流により、第１の抵抗率を有する第１の状態と、前記第１の抵抗率よりも、より高い第２の抵抗率を有する第２の抵抗状態との間を可逆的に変化することが可能な可変抵抗層とを備え、前記可変抵抗層は、炭素と珪素の化合物を主成分とし、且つ水素を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティ及び高い誘電率を発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し乾燥する工程を繰返し行って所望の厚さの組成物の未焼成膜を得た後、基板上に形成した未焼成膜を焼成することにより誘電体薄膜を形成する方法において、形成する誘電体薄膜がペロブスカイト型酸化物を主成分とする薄膜であるとき、基板上に形成した未焼成膜の焼成が、６０〜６０００℃／分の急速昇温加熱による第一次焼成と、０．５〜３０℃／分の低速昇温加熱による第二次焼成とをこの順番に少なくとも含むことを特徴とする。 （もっと読む）

発明は、小分子有機機能性材料を含む乳濁液及び分散液、それらの調製のため方法、小分子有機機能性材料と、任意にさらなる有機機能性材料とを含むエレクトロニクス素子及びエレクトロニクス素子の調製のためのそれらの使用に関する。 （もっと読む）

【課題】整流素子における逆方向電流の増大を抑制できると共に、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、第一方向に延びる導電線Ｌ２（ｉ）と、第一方向と交差する第二方向に延びる導電線Ｌ３（ｊ）と、導電線Ｌ２（ｉ）と導電線Ｌ３（ｊ）との間に直列接続された、相変化膜１７と整流素子とから構成されるセルユニットとを備える。さらに、相変化膜１７の側面に形成されたシリコン窒化膜２１と、整流素子の側面に順に形成されたシリコン酸化膜２０及びシリコン窒化膜２１を含む２重側壁膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたアモルファス膜の結晶化を、基板表面に対して垂直方向（即ち下から上方向）ではなく略平行方向（即ち横方向）に進行させる結晶化膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上にアモルファス膜１を形成し、前記アモルファス膜１にレーザ光を照射してレーザ光照射領域１ａを結晶化し、前記アモルファス膜１に熱処理を施すことにより、前記レーザ光照射領域以外のアモルファス膜１を結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）