【課題】低コストで安定した品質の薄膜を製造することができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法であって、基板２０上に形成させる薄膜の原料溶液中に、基板２０を配置する配置工程と、基板２０の第１主面２０ａに光を照射することにより、第１主面２０ａ上に薄膜を形成する形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来のメモリ素子とは異なり、軟化又は溶融といった状態変化を利用したメモリ素子を提供し、メモリ容量が増大されたメモリ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】一対の電極間に、ガラス転移温度が異なる複数のメモリ材料層を積層させたメモリ素子である。ガラス転移温度は１０℃以上の差があると好ましい。このようなメモリ素子に電圧を印加することで、複数のメモリ材料層を一つずつ軟化又は溶融させる。このような構成により、メモリ容量が３値以上となり増大される。 （もっと読む）

【課題】縦型ＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置を形成する際のゲート電極とコンタクトプラグとの短絡を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体基板上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるマスク窒化膜のパターンを形成したのちに、溝および半導体ピラーを前記半導体基板に形成する第一工程と、前記マスク窒化膜を残存させたまま、前記溝を覆うゲート絶縁膜を形成したのちに前記半導体ピラーよりも低い高さのゲート電極を形成する第二工程と、前記溝を覆うように、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）からなるライナー膜を形成したのちに、前記ライナー膜上を覆い、かつ、前記溝内を充填するように層間膜（ＳＯＤ膜）を形成する第三工程と、前記マスク窒化膜をエッチングにより選択的に除去する第四工程と、を採用する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性であって、作成が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装
置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】一対の導電層間に有機化合物層が挟まれた単純な構造の記憶素子を有する半
導体装置及びその作製方法を提供する。また、不揮発性であり、作製が簡単であり、追記
が可能な記憶回路を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。絶縁層上に設けられ
た複数の電界効果トランジスタと、複数の電界効果トランジスタ上に設けられた複数の記
憶素子とを有する。複数の電界効果トランジスタは、単結晶半導体層をチャネル部とした
電界効果トランジスタである。複数の記憶素子の各々は、第１の導電層と、有機化合物層
と、第２の導電層が順に積層された素子である。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有せず、歪み量が大きい圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料を提供する。
【解決手段】ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、第１電極６０と、第１電極６０上に形成された圧電体層７０と、圧電体層７０上に形成された第２電極８０と、を備えた圧電素子３００と、を具備し、圧電体層７０は、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、電界誘起相転移を示す液体噴射ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、良好な強誘電体膜を所定の厚さで形成する。
【解決手段】誘電体膜を有する基板を製造する製造装置であって、複合酸化物を含む原材料体が塗布された基板を、大気圧以上の圧力に加圧した、体積比２０％以上の酸素を含む雰囲気中で熱処理して結晶化させる熱処理装置を備える製造装置および製造方法を提供する。当該製造装置は、光制御デバイスとして用いられる強誘電体膜を有する基板を製造してもよい。熱処理装置は、原材料が塗布された基板を雰囲気中に保持するチャンバと、熱処理中における予め定められた期間の間、チャンバ内の雰囲気の圧力を予め定められた圧力に調整する圧力調整部と、を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑制することにより特性を向上させる不揮発性メモリおよび不揮発性メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の配線１０と第２の配線１１とに接続された記憶セル８０ａを備え、前記記憶セル８０ａは、複数の層を有し、前記複数の層は、記憶層である抵抗変化膜２４と、前記記憶層に接し複数のカーボンナノチューブ２３ｃを含むカーボンナノチューブ含有層２３とを有し、カーボンナノチューブ２３ｃが抵抗変化膜２４の電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して高い再現性で確実に抵抗のヒステリシス特性及びメモリ特性を発現させることができる抵抗変化型メモリとその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｒ_ｘＣａ_１−ｘＭｎＯ_３にてなるＰＣＭＯ層を下部電極と上部電極とにより挟設してなる抵抗変化型メモリにおいて、上記ＰＣＭＯ層と上記上部電極もしくは下部電極との間に金属酸化物層を挿入形成した。ここで、上記金属酸化物は上記上部電極の金属の酸化物であり、上記上部電極と下部電極の少なくとも一方はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）のうちのいずれかにてなる。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上に形成されたメモリトランジスタ及び駆動トランジスタを備える透明不揮発性メモリセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による不揮発性メモリセルは、基板上に形成された半導体膜、バッファー膜、有機強誘電体膜及びゲート電極を含むメモリトランジスタと；前記基板上に形成された前記半導体膜、前記バッファー膜、ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を含む駆動トランジスタと；を備える。本発明によれば、同一の基板上に形成されたメモリトランジスタ及び駆動トランジスタを備え、可視光領域で透明な不揮発性メモリセルを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】上下部電極間の短絡を防止しながら、高密度記録と動作電流低減を実現する不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ装置は、基板２０と、前記基板２０上に形成された下部電極２１と、前記下部電極２１上に形成された導電性ナノマテリアルを含む抵抗変化層２３と、前記抵抗変化層２３上に形成された上部電極２４と、前記下部電極２１と前記抵抗変化層２３の間に形成された、前記下部電極２１と前記抵抗変化層２３の間の電気的導通を確保する導電材２２ｂを分散させた絶縁性バッファ層２２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ結晶からなる離散的フローティングゲートを、移流集積法により形成する半導体記憶素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成されたトンネル絶縁膜に対向するように配置された第２の基板２１との間に、金属ナノ粒子が分散された粒子分散液２２を充填する充填工程と、トンネル絶縁膜の表面に沿った方向に、第２の基板２１をシリコン基板１に対して相対的に移動させることにより、トンネル絶縁膜の表面における第２の基板２１から露出した領域に形成される粒子分散液２２のメニスカス領域２３において、粒子分散液２２の溶媒を蒸発させることにより、トンネル絶縁膜上に金属ナノ粒子を離散的に配置する。 （もっと読む）

【課題】結晶化しようとする強誘電体膜の配向を変換して任意に制御した強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る強誘電体膜は、基板上に形成された（１１１）配向したPt膜４と、前記Pt膜上に形成されたPZT膜６と、を具備し、前記PZT膜は、（１１１）＋（００１）、（００１）、（００１）＋（１１０）及び（１１０）のいずれかに配向されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、ＰＺＴより大きな残留分極量を有する（１１１）配向性に優れた強誘電体薄膜を得る。
【解決手段】 正方晶Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ3 に、前記正方晶Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ3 よりｃ軸／ａ軸比が大きい正方晶ペロブスカイト構造を有する材料を添加して（１１１）優先配向した強誘電体膜と、前記強誘電体膜を挟む下部電極と上部電極とを設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物材料膜の結晶化温度を低温化できる水蒸気加圧急速加熱装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る水蒸気加圧急速加熱装置は、処理室３４内に配置された、基板３５を載置する載置台３６と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱機構３８と、前記処理室内を加圧する加圧機構４３と、前記処理室内に加熱及び加圧された水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、前記処理室内を真空排気する真空排気機構５６と、前記処理室内に加熱及び加圧された酸素ガスを供給する酸素ガス供給機構と、を具備する。 （もっと読む）

ナノ構造に基づく電荷蓄積領域は、不揮発性メモリ装置に備えられており、選択ゲートおよび周辺回路の製造と一体に製造される。１つ以上のナノ構造コーティングは、メモリアレイ領域および周辺回路領域の基板に塗布される。選択ゲートや周辺トランジスタについての目標領域などの基板の不要な領域から、ナノ構造コーティングを除去するための様々な工程が、行われる。一例では、基盤のアクティブ領域にナノ構造を選択的に形成するために、自己組織化に基づく工程を用いて、１つ以上のナノ構造コーティングが形成される。自己組織化によって、ナノ構造コーティングのパターニングやエッチングを行うことなく、互いに電気的に分離されているナノ構造の個別のライン群を形成することができる。
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【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止する。
【解決手段】強誘電体薄膜形成用の有機金属化合物を含有するＣＳＤ溶液を基板２に塗布してゲル状塗膜１を形成する工程と、基板２を回転させながら外周端部に水Ｗを噴射又は滴下して、ゲル状塗膜１の外周端部を除去する工程と、外周端部について除去された後のゲル状塗膜１を加熱処理して強誘電体薄膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】素子間を確実に絶縁可能な半導体装置およびＮＡＮＤ型フラッシュメモリの製造方法を提供する。
【解決手段】アスペクト比が高いＳＴＩ用の溝６に対しては、塗布材料８を充填した後に酸素イオン等を注入し、その後に酸化処理を行うため、溝６の底部にまでＳｉＯ２膜１６を形成できる。一方、アスペクト比が小さい溝６に対しては、高密度プラズマＣＶＤ法やＴＥＯＳ／Ｏ３法を用いるため、ＳｉＯ２膜１６より絶縁性の高い絶縁膜ＳｉＯ２膜１５を形成できる。以上のように、溝６のアスペクト比に応じて、最適な手法で絶縁膜を形成するため、素子分離領域のアスペクト比によらず、半導体装置の素子間を確実に絶縁することができる。 （もっと読む）

切替え可能な電子デバイスは、第１の電極（１）と第２の電極（４）との間にホールブロッキング層（２）および導電性材料を含む層（３）を備え、電流密度が１００Ａｃｍ^−２以下である電流を流すと、切替え前のデバイスの導電率の１００分の１以下の導電率までデバイスの導電率を不可逆的に切り替えることができる。導電性材料は、ドープされ、任意選択で置換されているポリ（エチレンジオキシチオフェン）などのドープ有機材料である。ホールブロッキング層（２）は微粒子層、特に、ナノ粒子層を備えることができる。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単な印刷法で形成が可能な情報記録部材を提供すること。
【解決手段】基板１０２と、前記基板上に設けられた一つ以上の下部配線１０３と、前記下部配線上に印刷法で設けられた複数の導電性バンプ１０４と、前記基板と前記下部配線と前記導電性バンプとを覆うように設けられた絶縁層１０５と、前記下部配線と交差し前記導電性バンプに重なるように前記絶縁層上に設けられた一つ以上の上部配線１０６とを備えることを特徴とする情報記録装置。 （もっと読む）

【課題】１つのチップに圧電素子と強誘電体素子とを混載させ、得られる半導体装置の小型化を図ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、圧電素子３と、強誘電体素子２と、を同一基板上に備える半導体装置１において、強誘電体素子２を構成する強誘電体膜１５ｂが、圧電素子３を構成する圧電体膜４の少なくとも一部と同じ材料から形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）