【課題】赤外線検出感度の高い赤外線検出システムを提供する。
【解決手段】第１の半導体基板１１とヒータ層１３との間に形成された第１の多孔質部１２を有する赤外線放射素子１０と、第２の半導体基板２１と感温部２３との間に形成された第２の多孔質部２２を有し赤外線放射素子１０から放射された赤外線を検出する赤外線検出素子２０と、赤外線放射素子１０への入力電力を制御して赤外線放射素子１０から赤外線を放射させる制御部（図示せず）とを備える。赤外線放射素子１０は、第１の多孔質部１２におけるヒータ層１３側に第１の多孔質部１２の表層部を酸化することにより形成された第１の封孔層１２ｄを有し、赤外線検出素子２０は、第２の多孔質部２２における感温部２３側に第２の多孔質部２２の表層部を酸化することにより形成された第２の封孔層２２ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】受光素子の受光感度の低下を招くことなく、受光効率を向上可能な光通信モジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る双方向光送受信モジュールは、基板と；前記基板上に配置され、波長に応じて光を透過または反射する波長分波器と；前記基板上に配置され、前記波長分波器を介して受信用の光が入射し、当該光を電気信号に変換する受光素子と；前記基板上に配置され、送信用の光を発光する発光素子とを備える。そして、前記送信用の光は、前記波長分波器を介して出力される。また、前記受光素子の受光部は、前記基板表面と水平な面内において前記受信用の光の光軸と直交する方向の長さが当該光軸と平行な方向の長さよりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感度強度のばらつきや、感度波長のばらつきを抑えることが可能な照度センサを提供する。
【解決手段】所定のピーク感度波長を有する第１受光部ＰＤ１と、第１受光部ＰＤ１と比較して長いピーク感度波長を有する第２受光部ＰＤ２とを備え、第１受光部ＰＤ１と第２受光部ＰＤ２とが直列接続された接続点を出力端とし、第１受光部ＰＤ１と第２受光部ＰＤ２とのそれぞれが２以上にほぼ同じ面積で分割された状態で並列接続され、分割された第１受光部ＰＤ１と第２受光部ＰＤ２とが、受光領域Ｓで平面的に均等に分布するように、交互に配置されている。そして、第１受光部と第２受光部とを封止する樹脂封止部４を備え、この樹脂封止部４には、受光領域Ｓに集光するレンズ部４１が設けられると共に、レンズ部４１の光入射面を除く上面が、粗面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のメロシアニン色素を提供し、更に、一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層を含む光電変換部を備える光電変換素子において、前記光電変換膜が、上記メロシアニン色素を含有することで構成される光電変換素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるメロシアニン色素、該色素を含む色素薄膜、一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層を含む光電変換部を備える光電変換素子の前記光電変換層に該色素を含有する光電変換素子。
一般式（１）
【化１】


（式中、Ａ_１は２価の原子団を表し、ｎは１〜３の整数を表し、Ａ_２〜Ａ_３はそれぞれ独立に芳香族炭化水素環、または炭素数３〜１８のヘテロ環を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２は水素原子または炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数３〜１８のヘテロ環を表す。） （もっと読む）

【課題】複数個のプラガブル光送受信モジュールを、高密度で実装してホスト装置の小型化を可能とし、また、パネル開口部における隙間を狭くしてＥＭＩシールド機能を高めることが可能なプラガブル光送受信モジュールを提供する。
【解決手段】ホスト装置の共通ケージ１３に装着されて使用されるプラガブル光送受信モジュールで、導電性の弾性フィンガ１７ａ，１７ｂを金属カバー１５の両側面１５ａ，１５ｂに備え、複数のプラガブル光送受信モジュール１０を両側面が互いに隣接するように配置した場合に、一方の側面の弾性フィンガが隣接する他方の側面に接触し、且つ、両側面の弾性フィンガ１７ａ，１７ｂ同士は互いに干渉しないように設けられているようにする。両側面の弾性フィンガ同士は互いに干渉しないように、例えば、一方の側面の弾性フィンガ１７ａと他方の側面の弾性フィンガ１７ｂとは、互いに異なる高さ位置に設ける。 （もっと読む）

【課題】 リセット動作を高速に行うことが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 ブロック配線を有する光電変換装置において、光信号を出力する第１のブロック配線と光信号に重畳したノイズ信号を出力する第２のブロック配線とを有し、第１のブロック配線と第２のブロック配線との導通を制御するスイッチを有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング速度が速く、集積化に適した光半導体リレーを提供する。
【解決手段】発光素子１１と、受光素子１３と、光起電力が印加されて、ゲート・ソース間が充電されることによりドレイン・ソース間のインピーダンスが変化する出力ＭＯＳトランジスタ１５を有する出力部１６と、第１電極が出力ＭＯＳトランジスタ１５のゲートに接続され、第２電極が抵抗を介して受光素子１３のカソードに接続され、制御電極がカソードに接続された制御トランジスタ１８と、第１電極が出力ＭＯＳトランジスタ１５のゲートに接続され、第２電極が絶縁ゲート出力ＭＯＳトランジスタ１５のソースに接続され、制御電極が制御トランジスタ１８の第２電極に接続されたトランジスタ１９と、制御トランジスタ１８の第２電極と、放電トランジスタ１９の第２電極との間に接続されたダイオード２０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】低コストで高解像度かつ実効感度の高いセンサ装置、エリアセンサ装置、および、この光センサ素子を内蔵した画像表示装置を提供する。
【解決手段】入射光Ｌ１側に、少なくともセンサ素子２を被覆するように設置された遮光部と遮光部の中に設けた開口部に形成された集光部６とで構成されたマイクロレンズ３の集光部が、センサ素子２上に集光された光のスポットが該センサ素子２の光電変換層２ｂに到達するように設置される。これにより、入射光Ｌ１をセンサ素子２の光電変換層２ｂに集光し、センサ素子２の実効効率を向上し、かつ遮光部により、隣接センサ素子への迷光をカットする。 （もっと読む）

【課題】フェルールの先端面の清掃が容易で、接続相手側の光部品との光接続を良好にできるフェルール内蔵光部品およびレセプタクル型光部品を提供する。
【解決手段】フェルールホルダ４にフェルール６を挿通し、フェルールホルダ４の先端側から、光ファイバ５を挿通したフェルール６の先端を先方に突出させる。フェルールホルダ４に割スリーブ７の後端側を挿入してフェルール６の外周側に密着させ、割スリーブ７の先端側はフェルールホルダ４の先端側から先方に突出させる。ハウジング２の底壁１０側の貫通孔９に、フェルール内蔵光部品１の先端側から突出したフェルール６と割スリーブ７を挿入し、フェルール内蔵光部品１をハウジング２に固定する。ハウジング２内には、割スリーブ７の先端側と外周側とを保持する割スリーブ保持部１１と、ハウジング２の先端側から挿入される接続相手側部品を抜け止め状態で係止する係止部１２とを設ける。 （もっと読む）

【課題】伝送速度が高いと共にコストが低い光モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光モジュールは、配線部を表面に有する搭載基板と光素子と、搭載基板の表面に水平な部分を含んで湾曲して形成される接続端子部を含むと共に光素子を搭載する素子搭載部とを有する光デバイスとを備え、接続端子の平行な部分と配線部とが接続部材を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】光信号の損失、劣化を確実に低減できる光電気混載パッケージを提供すること。
【解決手段】光電気混載パッケージ２は、配線基板１０、はんだボール４９及び光素子２４を備える。はんだボール４９は、配線基板１０の裏面１３に位置するはんだボール接合部４８上に接合され、光導波路付き基板６１への搭載時に光導波路付き基板６１に接続される。光素子２４は、発光部２５を光導波路８１側に向けた状態で、配線基板１０の裏面１３に位置する光素子実装部５５上に実装される。はんだボール接合部４８の表面から光素子実装部５５の表面との段差Ａ１は、はんだボール４９の最大径Ａ２の半分以上の大きさである。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの下部電極と、データとの間の寄生容量を低減する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、ガラス基板１と、ガラス基板１上に設けられ、ガラス基板１よりも低い誘電率を有する下地絶縁膜１９と、下地絶縁膜１９上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、半導体層４を積層してなり、半導体層４に接続されたドレイン電極７を有するスイッチング素子とを備える。ドレイン電極７は、下地絶縁膜１９表面に直に接する延設部分を有する。そして、ドレイン電極７の延設部分上に設けられたフォトダイオード２０をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】寄生インピーダンスによる高周波信号、高速応答への悪影響を抑制し、トランスファモールドを必要としない生産性のよい受光モジュールを提供する。
【解決手段】受光素子２がフリップチップ実装されたプリアンプ回路チップ３と、受光素子を収容する収容凹部４ａを有し所定の光波長に対して透光性のあるベース配線基板４と、光ファイバを接続保持するスリーブ７とを備える。前記のプリアンプ回路チップ３はベース配線基板４にフリップチップ実装で搭載され、前記のスリーブ７は光ファイバからの信号光を受光素子２で受光するように調芯されてベース配線基板４に接着固定される。 （もっと読む）

【課題】挿入光源の永久磁石列に接触する電子ビームのハロー部の強度を高い応答速度で高感度に検出することができる電子ビーム検出器を備えた挿入光源装置を提供する。
【解決手段】本発明の挿入光源装置は、ギャップ空間を介して対向配置された一対の永久磁石列を備え前記永久磁石列間に挿入された電子ビームに蛇行運動させることによってシンクロトロン光を発生させる挿入光源と、前記電子ビームの強度を検出する電子ビーム検出器を備え、前記電子ビーム検出器は、半導体板と、前記半導体板を挟んで配置され且つ前記電子ビームの入射側から見て互いに重なる重なり部分を有する第１及び第２電極を備え、前記重なり部分は、前記永久磁石列の前記ギャップ空間側の面を含む平面の近傍に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速且つ高密度の光配線を低コストで構築するため、簡易な光結合系でも大きな実装余裕と動作余裕が得られる半導体受光素子およびその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた半導体からなる受光部と、基板上に設けられた樹脂層と、樹脂層に周囲を囲まれて受光部の上に位置し、開口径が、受光部近傍で受光部より小さく、基板から離れるに従って連続的に広くなり、樹脂層の表面側で受光部より大きい逆錐体型開口と、逆錐体型開口の斜面に設けられ、且つ受光部の電極とは電気絶縁された金属からなる光反射膜とを備え、基板上の受光部以外の部分が遮光されている。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサであって、方向性がなく、かつ引き出し電極が必要ではなく、さらに、広い波長範囲にわたって、分光波長感度特性がフラットなものを得る。
【解決手段】紫外線センサ１は、ｎ型半導体としてのＺｎＯ層２とｐ型半導体としての（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３とを含む、積層体４を備える。積層体４の各端部上に、第１および第２の端子電極５および６がそれぞれ設けられる。（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３内には、第１および第２の端子電極５および６にそれぞれ電気的に接続される第１および第２の電流経路付与電極７および８が互いの間に所定の間隔９を隔てかつ同一平面上に位置するように設けられる。ＺｎＯ層２の外表面上には、細線をもって第３の電流経路付与電極１０が設けられる。ＺｎＯ層２が紫外線の受光側に位置するように用いられる。 （もっと読む）

【課題】 高域においてゲインが低下しないと共に、ＰＤ保護カバー等を必要としない。
【解決手段】 基板１０の所定位置に切欠部１０ａを形成し、この切欠部１０ａ内にフォトダイオード（ＰＤ）１１を配置する。ことにより、フォトダイオード１１を基板１０に沈めて取り付けることができ、フォトダイオード１１から導出されている光ファイバを、基板１０の一面とほぼ同じ高さで導出することができると共に、他端面から導出されたリード線１１ｂをほぼ最短距離で基板のハンダ付け部１０ｂにハンダ付けできる。これにより、高周波特性が改善される。 （もっと読む）

【課題】その目的は、全体の低背化を達成しやすくて、光部品と他部品とを高い精度で光結合でき、しかも比較的簡単に製造できる光電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換モジュール４１は、第１積層基板５１、光素子１７、光結合部材としてのガイドピン３１、光素子駆動用半導体集積回路素子１８等を備える。第１積層基板５１は、モジュール搭載用配線基板１１の厚さ方向と直交する方向に複数の絶縁層５２を積層してなる多層基板を有する。多層基板の下面には複数のバンプ用パッド７９が設けられ、多層基板の側面には光素子用キャビティ１４３が設けられる。光素子１７は、第１積層基板５１の側面にて光素子用キャビティ１４３内に収容された状態で搭載されている。ガイドピン３１は、第１積層基板５１の側面に設けられ、光素子１７とそれに光結合されるべき他部品２１との光軸合わせの際の位置基準となる。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも信号配線の寄生容量を低下させ、感度の向上、ノイズの減少を図る。
【解決手段】 本発明の撮像装置は、絶縁基板上に配置された複数の画素を有し、前記複数の画素はそれぞれ、複数の薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタ上に配置された変換素子と、前記複数の薄膜トランジスタと前記変換素子との間に配置された複数の絶縁膜と、を含み、前記複数の薄膜トランジスタは、前記変換素子にゲート電極が電気的に接続された読み出し用薄膜トランジスタと、前記読み出し用薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された第１の選択用薄膜トランジスタと、を含み、入射した光又は放射線を変換素子が変換して得られる電荷に対応した信号が転送される信号配線及び第１の選択用薄膜トランジスタのゲート電極に駆動信号を供給するゲート配線の少なくとも一方が前記複数の絶縁膜の間に配置されている。 （もっと読む）

放射線検出器１００は、シンチレータ１０２、波長シフタ１１２及び光検出器１１０を含む。シンチレータ１０２は、第１の比較的短い波長、例えば紫外又は深紫外のシンチレーション光子を生成する。前記光検出器は、スペクトルの可視部分の光子に対して感受性を持つ。前記波長シフタは、シンチレータ１０２と光検出器１１０との間のスペクトルミスマッチを減少させる。
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