【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ５は、第１半導体基板２１と、第１半導体基板２１に比較してｎ型の不純物濃度が高い第２半導体基板２３と、を備え、裏面入射型である。第１半導体基板２１と第２半導体基板２３とは、表面２１ｂ及び表面２３ｂが貼着面とされて、貼着されている。第１半導体基板２１は、表面２１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されている。第２半導体基板２３の表面２３ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域には、不規則な凹凸１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、導電体を任意の電圧に設定することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線５２と一体的に形成されており、切替部５４に接続されている。また、切替部５４は、制御装置１０６から入力される制御信号に応じて、接続配線５２の接続先を、バイアス電源１１０、内部電源５６、及びグランドのいずれかに切り替える。光電変換基板６０の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】
放射線を測定するための容量センサデバイスを提供する。
【解決手段】
デバイスは２つのセンサ領域および上部プレート構造を含む。センサ領域は、放射線がその材料に当たると電子−正孔対を生成する材料から成る。２つのセンサ領域の間に分離領域が配置される。センサ領域と上部プレートとの間のキャパシタンスはセンサ領域に当たる放射線に応じて決まる。遮断構造が、放射線の選択された入射角において他方のセンサ領域内の電子−正孔対生成に対してとは異なるように一方のセンサ領域の電子−正孔対生成に影響を与えるように、或る範囲内のパラメータ値を有する放射線をセンサ領域から選択的にかつ異なって遮断する。 （もっと読む）

【課題】２波長赤外線イメージセンサにおいて、同じ画素ピッチにおける画素面積を広くする。
【解決手段】共通コンタクト層の一方の面に積層形成された第１の赤外光吸収層及び第１のコンタクト層と、前記共通コンタクト層の他方の面に積層形成された第２の赤外光吸収層及び第２のコンタクト層と、前記第２の赤外光吸収層及び前記第２のコンタクト層を分離する上側画素分離溝と、前記共通コンタクト層を介し、前記上側画素分離溝に対応する位置に形成された前記第１の赤外光吸収層及び前記第１のコンタクト層を分離する下側画素分離溝と、前記上側画素分離溝及び前記下側画素分離溝により分離された各々の画素ごとに、前記第２のコンタクト層、前記第２の赤外光吸収層、前記共通コンタクト層、前記第１の赤外光吸収層を除去することにより形成されたコンタクト穴と、を有することを特徴とする赤外線検知器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し、且つ、変換素子の電極の剥離を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素１１を基板１００の上に有し、画素１１が、スイッチ素子１３と、スイッチ素子１３の上に配置され画素毎に分離されスイッチ素子１３と接合された透明導電性酸化物からなる電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２と、を有し、複数のスイッチ素子１３を覆うように複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた有機材料からなる層間絶縁層１２０を有する検出装置の製造方法であって、層間絶縁層１２０に接する複数の電極１２２の間において層間絶縁層１２０を覆うように配置された無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆うように不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 画素１１がスイッチ素子１３と電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２とを有し、複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた無機材料からなる保護層１３７と有機材料からなる層間絶縁層１２０とに設けられたコンタクトホールにおいてスイッチ素子１３と電極１２２とが接続されている検出装置の製造方法であって、複数の電極１２２の間に層間絶縁層１２０を覆うように無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆う不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、絶縁部材１２１を形成する際に層間絶縁層１２０のコンタクトホール内に位置する電極１２２の段差の部分の正射影が位置する保護層１３７の領域が被覆されるように、被覆層１６０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】改良されたカラーマイクロレンズを用いることにより、レンズ自体の色分解性と集光性の適正化を図るとともに、周囲の画素からの光を遮断して、全体として色再現性の良好なカラー固体撮像素子を簡単な製造工程で提供すること。
【解決手段】半導体基板２上に複数の光電変換素子３を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面４に、光電変換素子の各々に対応して複数のマイクロレンズ６を設けた固体撮像素子１において、マイクロレンズが所定の分光透過率特性を有する複数色の内の１色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズを他の色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズと連ねて規則的に繰り返し配列してなり、隣接する異なる色のカラーマイクロレンズが、カラーマイクロレンズの高さより低い遮光性のブラックマトリクスのパターン７により隔てられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 光検知素子の検知効率を高めることが望まれている。
【解決手段】 基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。量子ドット層の上に、再入射構造物が配置されている。再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 （もっと読む）

【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ１００と、赤外線イメージセンサ１００から信号を読み出す読み出し回路３００と、赤外線イメージセンサ１００と読み出し回路３００との間に設けられた中継部材２００と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層１０６、１１０と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ１５９と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ１５７、１５８と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ３０２、３０３に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ３０４に、中継部材に設けられた中継配線２０７を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】支持部材との接触面に凹部を設け、該支持部材上に載置しても、異物、傷が付かない構造を有するデバイスを提供する。また、凹部を形成する位置を光学的機能部の位置に対して高い精度で調整して製造することが可能な、デバイスの製造方法を提供する。また、第一基板に備えられた光学的機能部に対して、凹部の加工の影響が及ぶのを回避して製造することが可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１０１の一方の主面１０１Ｓと第二基板１０５の一方の主面１０５Ｓとが、接着層１０４を介して接合され、第一基板１０１の一方の主面１０１Ｓに内在する光学的機能部１０２と、第二基板１０５の他方の主面１０５Ｔ側に配され、光学的機能部１０２を含み重なる領域に位置する凹部１０７とを有する、ことを特徴とするデバイス。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出素子、及び放射線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出素子１０は、放射線を検出可能な化合物半導体からなる半導体基板１００と、半導体基板１００の表面に設けられ、表面側から半導体基板１００の内部に向けて徐々に幅が狭まる溝１２０と、半導体基板１００の表面の平坦な領域と半導体基板１００の表面の反対側の面とのそれぞれに設けられる電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ等と接続してハイブリッド型検出装置を形成するときオープン不良を生じにくい、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】化合物半導体の受光素子アレイは、ＣＭＯＳ等との接続のためにバンプが設けられた電極が複数配列されており、電極が配列された領域は、中心から距離に応じて領域Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３に分けられており、外側の領域の、領域面積当たりのバンプの占有面積が中心側の領域のそれより大きくなるように、外側の領域のバンプの個数の密度が、中心側の領域のそれより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）