【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子を提供することを目的とする。
【解決手段】記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、非磁性体による中間層と、上記記憶層に対して、上記中間層を介して設けられ、磁化の向きが固定された磁化固定層とを有する層構造を備える。
そして、上記記憶層は、少なくとも２つの強磁性層が結合層を介して積層され、上記２つの強磁性層が上記結合層を介して磁気的に結合し、上記２つの強磁性層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜しており、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化状態が変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。 （もっと読む）

【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１４と、磁化の向きが固定された磁化固定層１２と、上記記憶層１４と上記磁化固定層１２との間に配された非磁性体による中間層１３と、垂直磁気異方性誘起層１５とを含む層構造を有する記憶素子３を構成する。そして、上記記憶層１４が、第１の強磁性層１４ａと第１の結合層１４ｂと第２の強磁性層１４ｃと第２の結合層１４ｄと第３の強磁性層１４ｅとが同順に積層されて、上記第１の強磁性層１４ａが上記中間層１３に接し、上記第３の強磁性層１４ｅが上記垂直磁気異方性誘起層１５に接し、上記結合層１４ｂ，１４ｄを介して隣接する上記強磁性層１４ａ，１４ｃ，１４ｅの磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。 （もっと読む）

【課題】少ない電流で高速に動作させることが可能な記憶素子・記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶層１４と磁化固定層１２とこれらの間に配された非磁性体による中間層１３とキャップ層１５とを少なくとも含み、上記記憶層として、第１の強磁性層１４ｉと第２の強磁性層１４ｐとが結合層１４ｃを介して磁気的に結合され、上記第１の強磁性層が上記中間層に接し、上記第２の強磁性層が上記キャップ層に接しており、上記第１の強磁性層と上記第２の強磁性層のうち一方が膜面内磁化が優位な面内磁化層とされ、他方が垂直磁化が優位な垂直磁化層とされ、上記第１の強磁性層及び上記第２の強磁性層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜しているものを用いる。記憶層の磁化の向きが傾斜しているので、記憶素子に対し膜面に垂直な方向の電流を流すと速やかに強磁性層の磁化の歳差運動の振幅増加が始り、短い時間の反転動作が可能になる。 （もっと読む）

【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、磁化の向きが固定された磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層との間に配された非磁性体による中間層とを含む層構造を有する記憶素子を構成する。そして上記磁化固定層が、少なくとも２つの強磁性層が結合層を介して積層され、上記２つの強磁性層が上記結合層を介して磁気的に結合し、上記２つの強磁性層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。このような構成により、上記記憶層及び上記磁化固定層のそれぞれの磁化の向きがほぼ平行又は反平行とされてしまうことによる磁化反転時間の発散を効果的に抑えることができ、書き込みエラーを低減し、より短い時間で書き込みができる。 （もっと読む）

【課題】ピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向との成す角度に対して検出精度が異なることを簡素な構成で抑制することができると共に、応答速度を向上させることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】磁化方向が所定方向に固定されたピン層１１および外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層１３を有し、ピン層１１の磁化方向とフリー層１３の磁化方向との成す角度に応じて抵抗値が変化する第１、第２磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２を有する検出部１０を備える。そして、第１、第２磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２をピン層１１の磁化方向が互いに直交する状態で直列接続し、検出部１０から第１、第２磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２の中点電圧を検出信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】電流で書き込み動作を行うことができる大容量の磁気メモリ及び磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】磁化が固定された第１の磁性層１０と、磁化が可変の第２の磁性層３０と、第１の磁性層１０と第２の磁性層３０との間に設けられた第１の中間層２０と、第１の磁性層１０と第２の磁性層３０とを結ぶ第１の方向に直交する第２の方向に延在し、第２の磁性層３０に隣接し、スピン波を伝搬する第１の磁性細線４０と、第１の磁性細線４０の一端に設けられた第１のスピン波入力部と、第１の磁性細線４０の他端に設けられた第１のスピン波検出部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い熱揺らぎ耐性を確保しつつ、スイッチング電流を低減するも、記憶保持特性を向上させ、更なる高速動作化及び高集積化を可能する信頼性の高い磁気抵抗素子及び磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】反強磁性層５１及び積層フェリー固定層５０と、トンネルバリア層２と、非磁性層４を間に挟持した第１の磁性層３と第２の磁性層５とを有する積層磁化自由層１１とを有してＭＴＪ１０が構成されており、ＭＴＪ１０は、その周縁において、当該ＭＴＪ１０の面内磁化容易軸の方向と垂直となる方向に一対の溝１０ａ，１０ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】高速読み出しが可能なＭＲＡＭを得る。
【解決手段】行列に並べられたメモリセルを備えるメモリセルアレイと、センスアンプ回路２６とを具備し、メモリセルのそれぞれは、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子を備え、メモリセルアレイには、ｎ個（ｎ≧２）のメモリセル毎に設けられ、磁気抵抗素子に電流が流されることによって生成される電位を増幅する複数の増幅回路３０が配置され、複数の増幅回路のうち、入力されるアドレスに対応して選択されるメモリセルと接続される増幅回路が選択され、センスアンプ回路は、選択された増幅回路の出力に応答して、磁気抵抗素子に記憶された前記データを識別する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光信号の情報を記憶させておくために電力を消費することがなく、光信号の情報の書込み、および読出しを高速にかつ簡単な構成で行なうことができる不揮発性光メモリを提供する。
【解決手段】本発明は、電子のスピン偏極状態を利用して光信号を記憶する半導体レーザー構造を備えた不揮発性光メモリ１０である。不揮発性光メモリ１０は、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層２と、分布ブラッグ反射層２上に、量子井戸構造を有する半導体活性層３とを備えている。発光領域１０ａの半導体活性層３上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層４と、受光領域１０ｂの半導体活性層３上の一部に、半導体活性層３の表面に対して垂直の磁化方向を有する強磁性電極５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】書き込み時における磁化反転がより高速に起こる磁気記録素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体を備えた磁気記録素子が提供される。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、膜面に対して垂直成分を有する第１の方向に磁化が固定された第１の強磁性層と、磁化の方向が膜面垂直な方向に可変である第２の強磁性層と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間の第１の非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層軸に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、磁化の方向が膜面平行な方向に可変である第３の強磁性層と、膜面に対して垂直成分を有する第２の方向に磁化が固定された第４の強磁性層と、第３の強磁性層と第４の強磁性層との間の２の非磁性層と、を含む。積層軸を法線とする平面において、第４の強磁性層の外縁は第１積層部の外縁よりも外側の部分を有する。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子やアンプのオフセット電圧をキャンセルし、磁界の高速サンプリングやジッタ改善を実現することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１００は、磁電変換素子１０１と、磁電変換素子１０１の第１バイアス状態φ１と第２バイアス状態φ２を切り替える切替スイッチ回路１０２と、磁電変換素子１０１の出力電圧を増幅して増幅電圧ＶＰ、ＶＮを生成する増幅回路１０３と、第２バイアス状態φ２で得られた増幅電圧から直前の第１バイアス状態φ１で得られた増幅電圧を減算して第１減算電圧ＳＨＡ、ＳＨＣを生成する第１減算処理と、第１バイアス状態φ１で得られた増幅電圧から直前の第２バイアス状態φ２で得られた増幅電圧を減算して第２減算電圧ＳＨＢ、ＳＨＤを生成する第２減算処理と、を並行して行う減算回路１０４と、第１減算電圧と第２減算電圧を選択して選択電圧ＳＨＥ、ＳＨＦを出力する選択回路１０５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】今後ますます増加するトランジスタの閾値のばらつきに対して、高速に動作させることができる集積回路を提供する。
【解決手段】集積回路１は、電流制御型のＭＯＳ電流論理回路１０と、電流制御型のＭＯＳ電流論理回路１０の定電流用ＭＯＳＦＥＴ１６に接続される可変抵抗素子２０と、電流制御型のＭＯＳ電流論理回路１０の閾値のばらつきにより生じる出力基準電圧の変動△Ｖ_Ｂを検出するアンプ２２と、可変抵抗素子２０の抵抗値を書き込む回路３４と、を備えている。電流制御型のＭＯＳ電流論理回路１０の基準電圧Ｖ_Ｂと出力信号との差がアンプ２２によって検出され、可変抵抗素子２０の抵抗が書き込み回路３４によって書き込まれる。回路を構成するトランジスタの閾値がばらついても、集積回路１は高速且つ安定に動作する。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリとして最適であるような構造を提供する。
【解決手段】本発明は、磁気デバイスに関するものであって、固定磁化方向を有した磁化ベクトルを備えたピン止めされた磁化層（ＦＭ１）と；変更可能な磁化方向を有した少なくとも１つの磁化ベクトルを備えた自由磁化層（ＦＭ２）と；ピン止めされた磁化層と自由磁化層とを空間的に分離する第１非磁性層であるとともに、この分離によって、ピン止めされた磁化層と自由磁化層との間の磁気的相互作用を最小化させるような、第１非磁性層（Ｎ１）と；を具備している。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子へのデータを書込む方法を改善する。
【解決手段】スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。さまざまな実施形態に従えば、書込電流が磁気メモリセルを通して印加されて、所望の磁化状態への素子の磁気歳差運動を開始する。フィールドアシスト電流の流れは、書込電流の連続した印加の間に磁気メモリ素子に隣接して実質的に印加されて、素子上に磁場を誘起する。フィールドアシスト電流は、書込電流が停止された後も持続され、所望の磁化状態へのフィールドアシストされた歳差を提供する。 （もっと読む）

【課題】多層化された磁気記録媒体からの読み出しをより速くする。
【解決手段】実施形態によれば、互いに共鳴周波数が異なる磁性体により形成され積層される複数の磁性層を含み、それぞれの磁性層が記録トラックを含む磁気記録媒体に対して、記録トラックの媒体の磁気共鳴現象を利用して記録の読み出し又は書き込みを行う三次元磁気記録再生装置の磁気ヘッドは、スピントルク発振素子と、補助磁極とを含む。前記スピントルク発振素子は、同時に複数の異なる周波数で発振可能である。前記補助磁極は、前記スピントルク発振素子による前記読み出し又は書き込みを補助する。 （もっと読む）

【課題】磁気制動定数が小さく、駆動電流の低減が可能な記憶素子を提供する。
【解決手段】組成式Ｆｅ_ｘＮｉ_ｙＢ_ｚ［但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．２ｘ≦ｙ≦４ｘ、０．１（ｘ＋ｙ）≦ｚ≦０．４（ｘ＋ｙ）］を主成分とし、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する磁性層を有する記憶素子を構成する。さらに、この記憶素子は、磁性層の一方の面に接し、塩化ナトリウム構造又はスピネル構造の酸化物からなる酸化物層を備える。 （もっと読む）

【課題】エラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる、記憶装置を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１４と、この記憶層１４に対して、非磁性層１３を介して設けられ、磁化Ｍ１２の向きが膜面に平行な方向に固定された固定磁化層１２と、記憶層１４の固定磁化層１２とは反対の側に、非磁性層１５を介して設けられ、磁化Ｍ１６の向きが膜面に垂直な方向である磁性層１６とを含む記憶素子１０と、この記憶素子１０に、記憶素子１０の各層の積層方向に流す電流を供給する配線とを含む記憶装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 磁化反転のための電流を低減し、動作を高速にする。
【解決手段】 １層の絶縁体層または非磁性層からなる中間層（２４、５１）と、中間層を挟む１対の強磁性層（２３、２５）とを備え、１対の強磁性層の強磁性層の保磁力が互いに異なるスピンバルブ素子またはそのスピンバルブ素子を用いる記憶装置。１対の強磁性層の強磁性層の磁化容易軸（１０、１２）の方向を互いに異なるようにする。また、好適には、磁化容易軸の間の角度を一定の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気トンネル接合構造体並びにそれを含む磁性素子、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の垂直磁気トンネル接合は、上部磁性層及び下部磁性層のうちいずれか１層の磁性層に自由層を含み、トンネリング層と自由層との間に、分極強化層と交換遮断層とが積層されており、該交換遮断層は、非晶質の非磁性層であり、該分極強化層は、Ｆｅ層、体心立方（ｂｃｃ）構造を有するＦｅ系合金層、ＣｏＦｅＢ系非晶質合金層、Ｌ２１型ホイスラ（Ｈｅｕｓｌｅｒ）合金層及びそれらの複合層のうちいずれか１層であり、該非晶質非磁性層は、ジルコニウム・ベース非晶質合金層、チタン・ベース非晶質合金層、パラジウム・ベース非晶質合金層、アルミニウム・ベース非晶質合金層及びそれらの複合層のうちいずれか１層であり、また該非晶質非磁性層は、全体的には非晶質であるが、局所的にはナノ結晶構造を有するものでありうる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でありながら、磁化方向の高速スイッチングが可能な磁気スイッチング素子を提供する。
【解決手段】この磁気スイッチング素子１００は、磁性酸化物層３０と、上記磁性酸化物層３０の一方面側に位置する非磁性電極層４０と、上記磁性酸化物層３０の他方面側に位置する磁性金属層２０と、上記非磁性電極層４０と上記磁性金属層２０との間に正逆電圧を印加するための電極と、を備える。 （もっと読む）