【課題】書き込み電力消費量を削減することが可能な磁気トンネル接合部を有するＭＲＡＭセルを備えたメモリ装置の書き込み方法を提供する。
【解決手段】ビットラインＢＬの中の一つにビットライン電圧を印加するとともに、ワードラインＷＬの中の一つにワードライン電圧を印加して、選定したＭＲＡＭセル１の磁気トンネル接合部２に加熱電流を流す工程を有し、このワードライン電圧は、加熱電流の大きさが磁気トンネル接合部２を所定の高さの閾値温度に加熱するのに十分な大きさとなる、ＭＲＡＭセル１のコア動作電圧よりも高いワードラインオーバードライブ電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】消費電力化が可能な記憶素子を提供する。
【解決手段】積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１６の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１６に対して情報の記憶が行われる記憶素子３を構成する。この記憶素子３は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１６と、記憶層１６に対してトンネルバリア層１５を介して設けられている磁化固定層１４とを備える。そして、トンネルバリア層１５は、厚さが０．１ｎｍ以上０．６ｎｍ以下であり、且つ、界面ラフネスが０．５ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御された磁気抵抗効果素子及びその磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリのリーク電流を削減する。
【解決手段】本発明の一態様に係る不揮発性半導体メモリ１は、複数のワード線ＷＬ０〜ＷＬｎと、複数のワード線ＷＬ０〜ＷＬｎと交差する複数のビット線ＢＬ０〜ＢＬｍと、複数のワード線ＷＬ０〜ＷＬｎと複数のビット線ＢＬ０〜ＢＬｍとの交差部のそれぞれに対して備えられており、第１のダイオード５ａと抵抗変化型記憶素子５ｂとを含む複数のメモリセル５と、複数のビット線ＢＬ０〜ＢＬｍと交差するダミーワード線ＤＷＬと、複数のワード線ＷＬ０〜ＷＬｎと交差するダミービット線ＤＢＬと、ダミーワード線ＤＷＬと複数のビット線ＢＬ０〜ＢＬｍとの交差部、及び、ダミービット線ＤＢＬと複数のワード線ＷＬ０〜ＷＬｎとの交差部のそれぞれに対して備えられており、それぞれが第２のダイオード６ａを含む複数のダミーセル６とを具備する。 （もっと読む）

減電圧のI/Oデバイスを含む抵抗ベースメモリが開示される。特定の一実施形態では、回路は、第1の抵抗メモリセルおよび第1の負荷トランジスタを含むデータ経路を含む。基準経路は、第2の抵抗メモリセルおよび第2の負荷トランジスタを含む。第1の負荷トランジスタおよび第2の負荷トランジスタは、回路内のコアトランジスタのコア供給電圧と同等の負荷供給電圧で動作するように構成された入出力(I/O)トランジスタである。
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【課題】 既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。
【解決手段】 Ｍ（マグネトプラムバイト）型フェライトからなる強誘電性と強磁性を合わせもつマルチフェロイックス固体材料で、室温の動作環境温度において外部磁場を作用させることにより電流を誘起する。例えば、マルチフェロイックス素子は、ＢａＦｅ_12-x-δＳｃ_x Ｍｇ_δＯ₁₉（δ＝０．０５）結晶材料のＳｃ濃度ｘが１．６から２であるマルチフェロイックス固体材料１とそれを挟むように形成される金属電極２とからなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置され、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】磁性層を備えたトラック及びそれを備える磁性素子を提供する。
【解決手段】複数の磁区及びそれらの間に磁壁を有するトラックと、前記トラックに連結された磁壁移動手段と、前記トラックについての情報の再生及び記録のための読み取り／書き込み手段と、を備え、前記トラックは、前記磁区及び磁壁を有する磁性層と、前記磁性層の第１面に備えられた第１非磁性層と、前記磁性層の第２面に前記第１非磁性層と異なる物質で形成され、原子番号が１４以上である金属及びマグネシウムのうち少なくとも一つを含む第２非磁性層と、を備える磁性素子である。かかる構造に起因して、磁性層は、高い非断熱係数（β）を有する。磁性素子は、例えば、情報保存素子（メモリ）である。 （もっと読む）

磁気ランダムアクセスメモリを製造するシステムおよび方法が開示される。特定の一実施形態では、磁気トンネル接合メモリシステムを作製する方法は、金属層の一部分を、ほぼ直線の部分を有する無分岐のソースラインの中に形成するステップを含む。この方法はまた、ソースラインをほぼ直線の部分で、第1のビアを使用して第1のトランジスタに結合するステップを含む。第1のトランジスタは、ソースラインから受け取った第1の電流を第1の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される。この方法は、ソースラインを、第2のビアを使用して第2のトランジスタに結合するステップを含み、第2のトランジスタは、ソースラインから受け取った第2の電流を第2の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される。
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スピン注入型ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）等の不揮発性メモリセル（１４０，１５４）にデータを書込むための装置および関連する方法。いくつかの実施例に従うと、抵抗性検知素子（ＲＳＥ）（１４０）は、ヒートアシスト領域（１５０）、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（１４２）およびピン止め領域（１５２）を有する。スピン分極された電流を用いてＭＴＪに第１論理状態が書込まれるとき、ピン止め領域およびヒートアシスト領域は、各々、実質的にゼロの正味磁気モーメントを有する。静磁場を用いてＭＴＪに第２論理状態が書込まれるとき、ピン止め領域は実質的にゼロの正味磁気モーメントを有し、ヒートアシスト領域は非ゼロの正味磁気モーメントを有する。
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スピン偏極電流を使用してメモリセルの磁気デバイスにおける磁気領域の磁化方向及び／又はヘリシティを制御してスイッチングする高速かつ低電力の方法。磁気デバイスは、固定の磁気ヘリシティ及び／又は磁化方向を有する基準磁化層と、可変の磁気ヘリシティ及び／又は磁化方向を有する自由磁化層とを含む。固定磁化層及び自由磁化層は、非磁化層により分離されることが好ましい。固定及び自由磁化層は、層法線に対して実質的に非ゼロ角度の磁化方向を有することができる。デバイスに電流を印加してトルクを誘起することができ、これは、デバイスの磁気状態を変更し、そのためにそれは情報を書き込むための磁気メモリとして作用することができる。デバイスの磁気状態に依存する抵抗が測定されてデバイスに格納された情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】永久磁石を使用しつつ低いローカルパワーで作動可能な混合器を提供することを主目的とする。
【解決手段】磁化固定層、磁化自由層、および磁化固定層と磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備えた磁気抵抗効果素子２と、磁化自由層に磁場Ｈを印加する磁場印加部３とを備え、高周波の信号Ｓ１およびローカル信号Ｓ２を入力したときに磁気抵抗効果素子２によって両高周波信号Ｓ１，Ｓ２を乗算して乗算信号Ｓ３を生成する。この場合、磁場印加部３は、温度係数が異なり、かつ残留磁束密度の温度変化量が同等の２種の永久磁石３１，３２が磁化方向を互いに逆向きとした状態で磁場Ｈの方向に沿って直列に配設されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】ホール素子が形成された半導体装置において磁力線の検出感度を高める。
【解決手段】半導体基板１０の半導体層１１の表面に、定電流が供給される１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂを含むホール素子２０が形成されている。ホール素子２０は薄い第１の絶縁膜１３に覆われており、その第１の絶縁膜１３上には、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａを覆う第１の金属層１５が形成されている。また、第１の金属層１５の一部上に開口部１６Ａを有して、第１の絶縁膜１３及び第１の金属層１５を覆うようにして、第２の絶縁膜１６が形成されている。第２の絶縁膜１６上には、開口部１６Ａ内で第１の金属層１５と接続されると共に、当該第１の金属層１５よりも広く延在する第２の金属層１７が形成されている。第１の金属層１５及び第２の金属層１７の比透磁率は、いずれも、第２の絶縁膜１６の比透磁率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】スピンの散乱を抑制しつつ、良好なスピン伝導性及び電気抵抗特性を実現可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１００Ａは、半導体材料からなるチャンネル７と、チャンネル７上に第１絶縁層８１を介して配置された磁化固定層１２Ｂと、チャンネル７上に第２絶縁層８２を介して配置された磁化自由層１２Ｃと、チャンネル７上に配置された第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄと、を備え、チャンネル７のうちの第１絶縁層８１との接触面を含む第１領域７１、第２絶縁層８２との接触面を含む第２領域７２、第１電極２０Ａとの対向面を含む第３領域７４、及び第２電極２０Ｄとの対向面を含む第４領域７５のキャリア濃度は、チャンネル７全体の平均のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピン素子を使用した弛緩発振器を提供する。
【解決手段】弛緩発振器は、電源を印加する電源部と、該電源部から印加される電源によって駆動されるスピン素子と、該スピン素子に並列に連結されるキャパシタとを含む。スピン素子は、磁場の強さによって可変な可変電圧値を有する。キャパシタは、前記スピン素子が臨界電圧範囲の最小電圧値を有すると放電し、スピン素子が前記臨界電圧範囲の最大電圧値を有すると充電する。従って弛緩発振器は、製作に必要な部品の個数が少なくて回路が単純化され、製造費用と消費電力が少ない。よって弛緩発振器は、広範囲な周波数帯域の調節が可能で活動範囲が広く、磁化反転を使用することによって高出力が可能であるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】 ビットラインにプリチャージされる電圧をデータに応じて異なるようにし、プリチャージ動作を行なうことのできる半導体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体メモリ装置は、ソースラインおよびビットラインを介して流れる電流の方向に対応する極性のデータが保存される複数のメモリセル４１０と、前記データが複数の前記メモリセルに保存される前にプリチャージ信号ＰＲＥに応答し、前記ビットラインを前記データに対応する電圧でプリチャージするプリチャージ駆動手段４５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、多入力信号の加算処理に優れた信号処理デバイスおよび信号処理方法を提供することを可能にする。
【解決手段】少なくとも１層以上の磁性層を含む連続膜１０と、連続膜上に、連続膜に直接に接触するかまたは絶縁層を介して接触するように設けられ、前記連続膜との接触面の形状はドット形状であり、入力信号を受けることにより、連続膜との接触面直下の、連続膜の磁性層の領域にスピン波を発生させる複数のスピン波発生部２０_１〜２０_ｎと、連続膜上に設けられ、スピン波発生部によって発生されられて連続膜を伝播するスピン波を電気信号として検出する少なくとも１個の信号検出部３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の磁性層を含む磁性メモリセルに対するデータの書き込み／読み出しを行う磁性メモリデバイス、およびそのデータ読み出し方法に関し、磁性メモリデバイス全体の消費電力の節減を図ることを目的とする。
【解決手段】複数の磁性層を積層して形成される磁性メモリセルＭijが、複数の磁性層の磁気モーメントの方向によって異なる抵抗値を有し、複数の磁性メモリセルを複数の第１のラインと、第１のラインと交差する複数の第２のラインとの交点に沿って配置し、各々の磁性メモリセルの容量値とほぼ同一の容量値を有する電圧読み出し手段８を、各々の磁性メモリセルに直列に接続し、第１および第２のラインにより選択される磁性メモリセルの一端と電圧読み出し手段との接点の過渡状態の電位を、予め定められたタイミングで計測して得られる電圧のレベルを判定し、磁性メモリセルのデータを読み出すように構成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力が小さくかつ磁界の検出精度の高い磁界検出装置および磁界検出方法を提供する。
【解決手段】トンネル磁気抵抗効果素子１０の下部電極１７にバイアス電流Ｉｂを流す。これによって、別途バイアス電流用の配線層を設ける場合に比べて、より少ない消費電力でバイアス磁界をトンネル磁気抵抗効果素子に印加することができる。また、外部磁界に応じてバイアス磁界の大きさを変化させることによって、磁界検出精度を向上させることができる。 （もっと読む）

コンピューティングシステムが少なくとも１つの機能的ユニット及び少なくとも１つの機能的ユニットに接続された磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)ブロックを含む。MRAMブロックは少なくとも１つの機能的ユニットのパワーダウン状態の間、少なくとも１つの機能的ユニットの機能的状態を格納するように構成される。
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【課題】記録層が磁化反転する際の反転電流を低減することを可能にする。
【解決手段】電圧を印加することによって格子が伸縮する圧電層１１と、圧電層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記録層１２と、記録層上に設けられた第１の非磁性層１３と、第１の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する参照層１４と、を備え、記録層は、読み出し時の電圧印加時での熱擾乱耐性が書き込み時の電圧印加時での熱擾乱耐性よりも大きい。 （もっと読む）