【課題】 スピン注入磁化反転を用いたメモリにおいて、高速動作時の低電流書き換え動作を実現し、メモリセル毎のばらつきを抑え、読み出しディスターブを抑える。
【解決手段】 書き換え前に弱いパルスを与えてスピンの状態を不安定にし、書き換え電流を低減する。書き換え電流がパルス幅により非線形に大きくなる領域で読み出しを行い、ディスターブを抑える。更に、ビット線電荷で注入スピン量を一定とした駆動方法によりばらつきを抑える。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、絶縁体から成る中間層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７を構成する強磁性層の磁歪定数の大きさが１×１０^−５以上である記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して絶縁体から成る中間層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７を構成する強磁性層の一部或いは全域にわたって微細な酸化物が分散している記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】装着する部位の形状にかかわらず、所望の部位に取り付けて磁界を測定することができ、また量産性にも優れる有機半導体を用いたホール素子を提供する。
【解決手段】有機半導体層４の一方向にドレン電流Ｉ_Ｄを供給するため有機半導体層４の両端部にそれぞれ配設した一対の電極であるドレン電極５及びソース電極６と、有機半導体層４の表面にゲート絶縁層を介して配設されたゲート電極と、有機半導体層４を磁界Ｂ中に置いた場合に、磁界Ｂ及びドレン電流Ｉ_Ｄに対して直角方向に発生するホール電界に基づくホール電圧を取り出すため、ドレン電極５及びソース電極６に対して直角方向で有機半導体層４の他の両端部にそれぞれ配設した一対のホール電極１，２とを有する。 （もっと読む）

【課題】３値以上の多値記録が可能であり、かつ製造の容易なスピン注入磁化反転素子を提供することにある。
【解決手段】スピン注入磁化反転素子において、磁化が第１の方向に実質的に固定された強磁性固定層１３と、非磁性の分離層１４と、磁化の方向が可変の２以上の強磁性フリー層１５、１６、１７を備え、強磁性固定層１３は分離層１４の一方の主面に配置され、前記各強磁性フリー層１５、１６、１７はそれぞれが分離層１４の他方の主面に接して配置する。 各強磁性フリー層１５、１６、１７は、膜厚、磁化反転臨界電流密度または保磁力が全て異なることが好ましい。 また、スピン注入磁化反転素子を用いて磁気記録装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】小さな電流を簡易な制御で流すことで感磁層の磁化の向きの変更を行うことが可能な磁気メモリ及びスピン注入方法を提供する。
【解決手段】 このスピン注入方法によれば、外部磁界Ｅ_Ｘにアシストされたスピントランスファートルクが働くため、小さな電流で磁化の向きを変更することができ、初期アシストを行う感磁層Ｆ１内の外部磁界Ｅ_Ｘの強度を低下させるだけで感磁層Ｆ１の磁化の向きを制御できるため、精密な電流制御を要せず、したがって、小さな電流を簡易な制御で流すことで感磁層の磁化の向きの変更を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気メモリを実現する。
【解決手段】情報記録媒体としての磁性細線１に対し、リザーブ領域９５の長さに等しい長さで、等間隔に記録素子１６ａ〜１６ｄまたは再生素子１７ａ〜１７ｄを配置している。例えば情報の記録時に、端子２１ａと端子２１ｃとを選択して電圧を印加し、記録領域９４ａ内の磁壁をリザーブ領域９５に向かって移動させると、リザーブ領域９５の長さ分、磁壁を移動させる間に、全磁区が、記録素子１６ａおよび１６ｂのどちらかを通過する。情報の再生時についても、記録領域９４ｂの磁区についても、同じことがいえる。したがって、記録領域９４ａ・９４ｂの全磁区の記録再生を可能としながら、従来より遥かに高密度の記録再生を可能にする。 （もっと読む）

【課題】複数の磁性層を含む磁性メモリセルに対するデータの書き込み／読み出しを行う磁性メモリデバイス、およびそのデータ読み出し方法に関し、磁性メモリデバイス全体の消費電力の節減を図ることを目的とする。
【解決手段】複数の磁性層を積層して形成される磁性メモリセルＭijが、複数の磁性層の磁気モーメントの方向によって異なる抵抗値を有し、複数の磁性メモリセルを複数の第１のラインと、第１のラインと交差する複数の第２のラインとの交点に沿って配置し、各々の磁性メモリセルの容量値とほぼ同一の容量値を有する電圧読み出し手段８を、各々の磁性メモリセルに直列に接続し、第１および第２のラインにより選択される磁性メモリセルの一端と電圧読み出し手段との接点の電位を、予め定められたタイミングで計測して得られる電圧のレベルを判定し、磁性メモリセルのデータを読み出すように構成される。 （もっと読む）

【課題】素子破壊が発生しない低電流密度でスピン反転し、低電流で書き込みを行うことを可能にする。
【解決手段】磁化の向きが固着された磁化固着層４と、磁化の向きが可変の磁気記録層６と、磁化固着層と磁気記録層との間に設けられた非磁性層５とを備え、磁化固着層の磁化の向きと磁気記録層の磁化の向きが０度より大きく、１８０度よりも小さい角度をなしており、磁気記録層にスピン偏極した電子を注入することにより磁気記録層の向きを反転させる。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンＦＥＴは、磁化方向が固定される磁気固着層１２と、磁化方向が変化する磁気フリー層１３と、磁気固着層１２と磁気フリー層１３との間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層１８を介して配置されるゲート電極１９と、磁気フリー層１３上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層１５とを備える。 （もっと読む）

本発明は、磁性多層膜、その製造方法及び磁性メモリにおける応用に関するものであり、当該磁性多層膜の各層が閉鎖の円環形または楕円環形であり、その磁性セルには、強磁性を有する薄膜層の磁気モーメントまたは磁束が、時計方向または反時計方向の閉鎖状態に形成される。本発明は、また前記の閉鎖形状磁性多層膜の幾何中心位置に1つの金属芯が設けられる磁性多層膜に関するものであり、当該金属芯の横断面が対応的に円形または楕円形状である。本発明は、さらに前記閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）磁性多層膜により製造される磁性メモリ。本発明は、微細加工方法によって前記閉鎖形状磁性多層膜を製造する。本発明に係る閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）形状の磁性多層膜は、磁気ランダムアクセスメモリ、コンピュータ磁気読み出しヘッド、磁気センサー、磁気論理デバイス、スピントランジスタなどのような磁性多層膜を核とする各種のデバイスに広く用いられる。
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【課題】 意図しない磁化反転を抑制可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】 磁気ヨーク８は、第１配線６及び第２配線７の基準面ＳＳ上の部分と、磁気抵抗効果素子５とを覆っており、磁気抵抗効果素子５の厚み方向に垂直な全方位に位置している。したがって、磁気抵抗効果素子５や第１配線６及び第２配線７の基準面ＳＳ上の部分への外部磁界の導入が抑制される。この構造では、磁気抵抗効果素子５における感磁層の意図しない磁化反転を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 書込み時等における磁化特性を均質化して、低電流による書込み作業を実行できるようにする。
【解決手段】 配線５を任意方向に延在させ、この配線５に対して磁気抵抗効果素子４を隣接配置し、配線５における磁気抵抗効果素子４と反対側に反素子側ヨーク２０Ｂを近接配置した磁気記憶装置１であって、反素子側ヨーク２０Ｂの厚さを、５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍより小さくなるように設定した。 （もっと読む）

【課題】薄膜磁性体の端部に生じる磁区構造の乱れを抑えることによって、更なる性能の向上を可能とした磁気インピーダンス素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板２上に短冊状の薄膜磁性体３が形成され、この薄膜磁性体３に高周波電流を流したときに、薄膜磁性体３のインピーダンスが外部磁界の印加に応じて変化する磁気インピーダンス素子１であって、薄膜磁性体３の端部は、非磁性基板２の面内において長辺と直交する方向に対して短辺が所定の角度で傾斜した形状を有し、薄膜磁性体３の端部が傾斜する方向と、薄膜磁性体３の磁化容易軸方向とがほぼ一致している。これにより、薄膜磁性体３の端部に乱れの少ない均一な磁区構造を形成することができる。 （もっと読む）

非揮発性の複数の磁気メモリデバイスの集積アレイであって、前記磁気メモリデバイスの各々は、一定の磁化方向を有する第１の磁化層（１０）と、可変の磁化方向を有する自由磁化層（２０）と、前記第１の磁化層と前記自由磁化層とを分離する空間層（３０）と、前記磁気メモリデバイスを選択するスイッチとを備え、各層、及び前記スイッチの少なくとも一部は、ナノワイヤなどの柱状構体として形成している。前記スイッチは、好適に柱状ナノ構体で集積して形成している。柱状構体の前記スイッチを前記磁化層に組み入れることによって、前記磁気メモリデバイスを小さくして高集積化を可能にする。これは、外部磁界を用いるか、又は柱状構体で発生した磁界のみを用いる磁気デバイスに適用可能である。書き込み電流は、柱状構体に沿って順方向又は逆方向に結合させて、電流の方向に従う前記自由磁化層の磁化方向を変えることができる。
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【課題】ＭＳＭ電流制限素子、およびＭＳＭ電流制限素子を有する抵抗メモリセルを製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板を用意する工程と、基板上にＭＳＭ下部電極を形成する工程と、ＭＳＭ下部電極上に、ｘが約１以上約２以下の範囲内であるＺｎＯｘ半導体層を形成する工程と、ＺｎＯｘ半導体層上にＭＳＭ上部電極を形成する工程とを有している。このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】トグル書き込み方式のＭＲＡＭの書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置のメモリセルの書込み方法は、逐次的に、第１の方向に第１の磁界を提供し、第１の方向に対して実質的に垂直な第２の方向に第２の磁界を提供し、第１の磁界をオフに切換え、第１の方向と反対の第３の方向に第３の磁界を提供し、第２の磁界をオフに切換え、第３の磁界をオフに切換えるステップを含んでいる。ＭＲＡＭメモリセルの磁気モーメントを切換える方法は、バイアス磁界の方向と鈍角を形成する方向に磁界を提供するステップを含んでいる。ＭＲＡＭ装置の読取方法は、基準電流を発生するために基準メモリセルの磁気モーメントを部分的に切換え、読取られるメモリセルを通る読取電流を測定し、読取った電流を基準電流と比較するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 少ない電流で選択的にセルを書き込むトグル方式ＭＲＡＭの提供。
【解決手段】 トグル方式のＭＲＡＭは、ＭＲＡＭ基板上のＸ−Ｙ平面内に配置されたメモリスタックを有し、各メモリスタックは、Ｚ軸に沿って積層された複数のトグルメモリセルを有する。各スタックは、２つの直交する書込み線同士の間の交差領域に配置される。セルは対で積層され、各対のセルは、その磁化容易軸が互いに対して略平行に位置合わせされると共にＸ，Ｙ軸と非平行である。各対のセルは、そのフリー層が反対方向で磁気的にバイアスされる。ある対の各セルのフリー層は、他のセルのフリー層のバイアス方向と反対方向でバイアスされるため、ある対の１つのセルを、他のセルをトルグ切換えすることなく、トグル切換えできる。フリー層に対するバイアス磁場は、各セルのために必要なスイッチング磁場を減少させるので、低書込み電流で、低電力のトグル方式ＭＲＡＭが得られる。 （もっと読む）

【課題】 データ転送線の複数のＴＭＲを接続した場合にも大きな読み出し信号を得ることができ、高速動作と高密度化を実現する。
【解決手段】 第１の磁性体と第２の磁性体との間に非磁性体絶縁膜が形成された複数のメモリセルと、複数のメモリセルの第１の磁性体に電気的に共通に接続されたデータ転送線１４とを具備した磁気記憶装置において、電流端子の一端がデータ転送線１４に接続され、しきい値がＶthであるトランジスタ２８１と、このトランジスタ２８１の制御入力端子に電圧Ｖcを供給する電圧ノードとを具備し、メモリセルからのデータ読み出し時において、トランジスタ２８１の電流端子の他端の電圧はＶc−Ｖthより高い。 （もっと読む）