【課題】より小さい磁場で磁性層の磁化方向を所定の方向に設定する。
【解決手段】磁気メモリ２１の磁場印加装置３０は、磁気メモリ２１の磁性層に磁場を印加し、磁性層の磁化方向を初期化する磁石３２Ａ及び３２Ｂと、磁性層に磁場が印加されている間に、磁気メモリ２１の温度を上昇させる温度上昇機構３３と、制御回路３４とを含む。磁石３２Ａ及び３２Ｂはそれぞれ、設定する磁化方向に応じて、磁場を発生し、磁気メモリ２１の上から下へ向かう磁場、又は下から上へ向かう磁場が印加される。 （もっと読む）

【課題】所望のＳ／Ｎとなる電流センサを提供する。
【解決手段】被測定電線２１が挿通される磁気コア２と、磁気コア２に配置されたホール素子３と、磁気コア２に巻回された負帰還コイル４と、ホール素子３の電流入力端子３ａ，３ａに直流定電流Ｉ２を供給する電源部５と、ホール素子３の電圧出力端子３ｂ，３ｂ間に発生する出力電圧Ｖ１に基づいて負帰還コイル４に負帰還電流Ｉ３を供給する電流生成部６と、負帰還コイル４に接続されて負帰還電流Ｉ３を検出電圧Ｖ２に変換して出力する終端抵抗７とを備え、測定電流Ｉ１の非検出時における検出電圧Ｖ２に含まれる予め規定された周波数でのノイズのパワースペクトル密度を算出しつつ、電源部５に対する制御を実行して直流定電流Ｉ２の電流値を変更することにより、算出しているパワースペクトル密度を予め規定された基準密度ＤＥｒｅｆに一致させる補正処理を実行する処理部９を備えている。 （もっと読む）

【課題】読み取り素子のための空間の大きさを縮小することによって、磁気シールドの大きさおよびシールド間の利用可能な空間の大きさを最小化する。
【解決手段】空気ベアリング面（ＡＢＳ）１４８に対して設置されたデータ読み取りスタック１３２は、第１のバッファ層１４２と第２のバッファ層１４２との間に取り付けられ、少なくとも一方のバッファ層は、データ読み取りスタックに所定の短絡比を付与する。 （もっと読む）

【課題】装置、センサおよびセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】さまざまな実施の形態が、概して所定の第１の形態を有する減結合層で構築された磁気センサに向けられる。磁気自由層は、減結合層に接して隣り合うように蒸着可能であり、減結合層は、処置得の第２の形態を有する少なくとも第１のサブ層を有するように構成された磁気自由層を有する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングストリートにＧａＡｓが露出している場合、結果ダイシング時に素子のチッピング、電極や磁性体の剥離、溶解したＧａＡｓによる電極接合部の汚染が発生し、さらにＧａＡｓ基板裏面もエッチングされるためＧａＡｓの溶解による電極接合部の汚染の課題がある。
【解決手段】本発明は、ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、上記ホール素子上に絶縁層と、上記絶縁層上にＴｉ系金属層と、上記Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層とを有し、ダイシングストリート上を少なくとも無機絶縁材料乃至有機絶縁材料もしくはその両方でカバーさせＧａＡｓを露出させず、またさらにＧａＡｓ基板裏面にも有機絶縁膜でカバーすることにより本課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】
乗算信号の出力低下を回避しつつ、低いローカルパワーで作動可能とする。
【解決手段】
磁化固定層、磁化自由層、および前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備え、高周波信号Ｓ１およびローカル信号Ｓ２を入力したときに磁気抵抗効果によって両信号Ｓ１，Ｓ２を乗算して電圧信号（乗算信号）Ｓ３を生成する磁気抵抗効果素子２の磁化自由層に対し、磁場印加部３より発生する磁場を膜面法線方向、または膜面方向から膜面法線方向に傾けて掛けることで、Ｑ値の高い共振特性を得ることができ、大きな乗算信号を得ることができ、さらに狭帯域周波数選択性の機能を有する周波数変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
大きな乗算信号を取り出すことが可能で、さらに受信用バンドパスフィルタ機能を有した混合器を提供することを主目的とする。
【解決手段】
磁化固定層、磁化自由層、および前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備え、高周波信号Ｓ１およびローカル信号Ｓ２を入力したときに磁気抵抗効果によって当該両信号Ｓ１，Ｓ２を乗算して電圧信号（乗算信号）Ｓ４を生成する磁気抵抗効果素子２から得た乗算信号は、共振特性の強度に応じて増減し、共振周波数ｆ０と両信号Ｓ１，Ｓ２のそれぞれ周波数ｆ１、ｆ２が一致するときに最大強度を示し、共振周波数ｆ０から周波数ｆ１、ｆ２の両方またはいずれか一つが離れると減衰する。あたかもバンドパスフィルタを挿入したときと同じ効果があり、磁場印加部３による磁場を制御することで、所望のバンドパスフィルタを有する周波数変換装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】再生信号におけるビット間干渉ノイズを低減する。
【解決手段】一実施形態のスピントルク発振素子再生ヘッドは、スピントルク発振素子及び一対のシールド部を備える。スピントルク発振素子は、磁気記録媒体に対向する第１の対向面を有する。前記スピントルク発振素子は、１対のシールド部の間に配置される。シールド部は、前記磁気記録媒体に対向する第２の対向面をそれぞれ有する。前記第２の対向面のそれぞれと前記磁気記録媒体との距離は、前記第１の対向面と前記磁気記録媒体との距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ１は、センサ回路部２を備える。このセンサ回路部２は、第１および第３の磁気抵抗素子Ｒ1，Ｒ3を直列接続した第１の直列回路６と、第２および第４の磁気抵抗素子Ｒ2，Ｒ4を直列接続した第２の直列回路７とを備え、第１の直列回路６と第２の直列回路７とを並列接続したブリッジ回路５によって構成される。第１ないし第４の磁気抵抗素子Ｒ1〜Ｒ4の表面は絶縁膜１２によって覆われる。また、第３の磁気抵抗素子Ｒ3および第４の磁気抵抗素子Ｒ4の表面には、絶縁膜１２を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】水分透過量が小さいＳｉ系絶縁膜が回路表面に形成されており、Ｓｉ系絶縁膜の密着性及び耐クラック性に優れた薄膜磁気センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の工程を備えた薄膜磁気センサの製造方法及びこの方法により得られる薄膜磁気センサ。（１）基板表面に薄膜ヨーク、ＧＭＲ膜、電極及び配線を備えた素子部を形成する素子部形成工程。（２）少なくとも電極の表面の全部又は一部を含む領域（薄膜ヨーク、ＧＭＲ膜及び配線の表面を除く）にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程。（３）基板の表面にＡｌ₂Ｏ₃膜を形成するＡｌ₂Ｏ₃膜形成工程。（４）Ａｌ₂Ｏ₃膜の表面に、Ｃａｔ−ＣＶＤ法を用いてＳｉ系絶縁膜を形成するＳｉ系絶縁膜形成工程。（５）フォトレジスト膜、並びに、フォトレジスト膜の上に形成された余分なＡｌ₂Ｏ₃膜及びＳｉ系絶縁膜を除去する除去工程。 （もっと読む）

【課題】 特に、軟磁性体と磁気抵抗効果素子間でオフセットが生じても、外乱感度を小さくすることができる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 軟磁性体３のＹ１側部側に位置し、感度軸方向Ｐ１がＹ２、Ｙ１からの水平磁界成分を受ける第１磁気抵抗効果素子Ｓ１と、軟磁性体のＹ２側部側に位置し、感度軸方向Ｐ２はＹ１、Ｙ２からの水平磁界成分を受ける第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２と、軟磁性体のＹ２側部側に位置し、感度軸方向がＹ２、Ｙ２からの水平磁界成分を受ける第３磁気抵抗効果素子Ｓ３、軟磁性体のＹ１側部側に位置し、感度軸方向がＹ１、Ｙ１からの水平磁界成分を受ける第４磁気抵抗効果素子Ｓ４と備える。Ｓ１とＳ２とが直列接続されたＡ素子群と、Ｓ３とＳ４とが直列接続されたＢ素子群が構成される。Ａ素子群とＢ素子群とが直列接続されるとともに、Ａ素子群とＢ素子群の間に出力端子が設けられる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の出力を低下させずに耐環境性の向上を図ること。
【解決手段】半導体に磁界を加えると抵抗が変化する磁気抵抗体１０を備えている磁気抵抗素子で、磁気抵抗体１０が、基板１１上に設けられた薄膜状の半導体層１２ａからなる感磁部１２と、感磁部１２上に配置された複数の短絡電極１３，１３とを備え、半導体層１２ａの厚みが、０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。半導体層１２ａの延在方向に対して垂直方向の半導体層の幅をＷ、複数の短絡電極間の一定間隔の距離をＬとしたときに、距離Ｌと幅Ｗの比であるＬ／Ｗが、０．１８以上０．２２以下である。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子に対するバイアス磁界の強さを確保しつつバイアス磁界の強さのばらつきを抑制して、センサの検出精度を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗素子を備えるセンサチップ３を基板２にベアチップ実装することにより、モールドＩＣを用いる従来の磁気センサにおけるモールド成形工程を廃止し、モールド成形に基づくセンサチップ３と磁石５との相対位置のばらつき要因を排除する。また、磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石５を基板２に接合することにより、センサチップ３を磁石５に実装する従来の磁気センサと比較して、高導電率の磁石５を用いることが可能になり、磁気抵抗素子に対して強いバイアス磁界を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】 強磁場耐性を向上させた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 素子連設体１７，１８，５２，５３を備える。各素子連設体では、素子部へ供給されるバイアス磁界Ｂ１，Ｂ２の方向が、隣り合う素子部で逆向きとなるように各バイアス層が配置されるとともに、平面視にて前記軟磁性体と重なり面積の大きい前記バイアス層を両側に配置した前記素子部と、前記重なり面積がゼロの前記バイアス層を両側に配置した前記素子部とが並んでいる。Ｐ１，Ｐ２は感度軸方向である。第１の素子連設体１７と第２の素子連設体１８とが直列に接続された磁気抵抗効果素子と、第３の素子連設体５２と第４の素子連設体５３とが直列に接続された第２の磁気抵抗効果素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気状態の変化を検出することができるデータ検知素子を提供するために装置および関連する方法が用いられ得る。
【解決手段】本発明のさまざまな実施例は、一般に、磁気的に応答する積層体と、空気軸受け面（ＡＢＳ）の近位に高磁気モーメント領域を生成し、硬磁石の近位に低磁気モーメント領域を生成するための手段とに向けられている。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を飽和させることなく、被検知物へ掛かる磁界強度が強化され、検知感度を向上させる磁気センサ装置を得る。
【解決手段】筐体の中空部を搬送される被検知物の一方の面に搬送方向に沿って磁極が反転するように配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置し前記第１の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記第１の磁石の磁極の反転部に第１の間隙を備えた第１のヨークと、前記第２の磁石の磁極の反転部に前記第１の間隙より長い第２の間隙を備えた第２のヨークと、前記被検知物と前記第１のヨークとの間の前記勾配磁界の弱磁界強度領域に設けられ、前記勾配磁界の強磁界強度領域を搬送される前記被検知物による磁界変化を検知する磁気抵抗効果素子とを備えた。 （もっと読む）

【課題】外部の感度測定用磁界発生源を用いることなく磁気センサの各軸方向の感度を測定する機能を有する磁気センサ及びその感度測定方法を提供すること。
【解決手段】感度測定装置では、感磁部（３１）による検出された磁束密度は、切換部（３２）によって各軸の磁界強度情報が抽出され、増幅部（３３）を介して、感度演算部（３４）に入力される。感度演算部（３４）は、感磁部（３１）からの各軸に関する磁界強度情報に基づいて感度を演算する。感度演算部は、感磁部（３１）からの磁束密度を各軸の磁気成分に分解する軸成分分解部（３４ａ）と、軸成分分解部（３４ａ）からの磁界強度の各軸成分を基準値と比較して感度を判定する感度判定部（３４ｂ）と、感度判定部（３４ｂ）からの感度情報に基づいて感度補正を行う感度補正部（３４ｃ）とを備えている。センサ診断部（３９）は、感度情報に基づいて磁気センサの感度良否を自己診断し、自己感度補正(調整)をする。 （もっと読む）

【課題】磁界プローブ、磁界測定装置、及び磁界測定方法において、磁界プローブの小型化を図ること。
【解決手段】測定対象Ｓに近接する先端部２ａを備えたベース２と、先端部２ａに設けられた磁気抵抗素子８と、磁気抵抗素子８の横の前記ベース２に設けられ、磁気抵抗素子８に印加する第１のバイアス磁界H₁を発生させる第１の磁界発生部３と、ベース２に設けられ、第１のバイアス磁界H₁とは異なる向きの第２のバイアス磁界H₂を発生させて、磁気抵抗素子８に前記第２のバイアス磁界H₂を印加する第２の磁界発生部４とを有し、第１のバイアス磁界H₁の向きを切り替えることにより、第１のバイアス磁界H₁と第２のバイアス磁界H₂とを合成した合成バイアス磁界H_sの向きが、ベース２の先端方向D_tから９０°変化する磁界プローブによる。 （もっと読む）

【課題】隣接するビット線同士の短絡が抑制されており、かつ層間絶縁膜が平坦に研磨された半導体装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子ＭＲＤが複数配置されたメモリセル領域と、平面視においてメモリセル領域の周囲に配置された周辺回路領域とを備える。磁気抵抗素子ＭＲＤは、磁化固定層と磁化自由層とトンネル絶縁層とを含んでいる。磁気抵抗素子ＭＲＤの上方には、主表面に沿った方向に向けて延びる複数の第１の配線ＢＬを有している。上記周辺回路領域には、第１の配線ＢＬと同一レイヤにより構成される第２の配線ＢＬ２と平面視において重なるように、磁化自由層と同一材質の層、トンネル絶縁層と同一材質の層および磁化固定層と同一材質の層が積層された積層構造ＤＭＭが配置されている。積層構造ＤＭＭは、周辺回路領域にて平面視において隣接する１対の第２の配線ＢＬ２の両方と重ならない。 （もっと読む）

【課題】低保磁力をもつ軟磁性薄膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に設けられたホール素子２と、ホール素子１上に設けられた軟磁性薄膜６が、少なくともホウ素を含有している。また、半導体基板１上で、かつホール素子２上に設けられた有機絶縁膜４と、有機絶縁膜４と軟磁性薄膜６との間に設けられた金属導電層５とを備え、軟磁性薄膜６が、金属導電層５上で少なくとも１個以上のホール素子２の感磁部を覆うように配置されている。形成された軟磁性薄膜６の総重量を１００重量％としたときの鉄含有量が１５〜３０重量％、ホウ素含有量が０．１５〜０．３５量％、電解めっき液を安定化するｐＨ緩衝剤に起因する炭素を０．４〜０．８重量％、残部がニッケルである。 （もっと読む）