【課題】基板温度を高精度に計測可能な基板温度計測装置及び基板温度計測方法を提供する。
【解決手段】基板１００を加熱する加熱源１０と、基板１００を透過できない波長領域の赤外線を透過させる透過窓３０と、基板１００を透過できない波長領域を感度範囲に含み、加熱源１０により加熱された基板１００から放射され、透過窓３０を透過した赤外線を分析して基板１００の基板温度を計測する温度計測器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
金属元素を供給する供給源に対向して配置されている部材表面を粗面化するようにした。図１に示されるように、ウエハ２５を保持する基板ホルダ１１の金属元素供給源と対向する面に凹凸を形成した。このように凹凸を形成すると、金属元素が堆積した場合、平坦な面と比べて、付着性が向上し、粗面化された面からは簡単には剥がれ落ちない。 （もっと読む）

【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面に窒化物の被膜が形成されることを防止でき、膜厚を精度良く制御でき、優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、ＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７が配置され、ターゲット４７をスパッタしてターゲット４７に含まれる原料からなる原料粒子を生成する第１プラズマ発生領域４５ａと、基板１１が配置され、窒素元素含有プラズマを発生させる第２プラズマ発生領域４５ｂとがチャンバ４１内に設けられ、第１プラズマ発生領域４５ａと第２プラズマ発生領域４５ｂとが、原料粒子を基板１１上に供給するための開口部４３を有する遮蔽壁４５によって分離されているＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】様々なデバイスに適用できるｐ型不純物がドーピングされたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ膜（０≦Ｘ＜０．５）で、ｐ型ドーパントのアクセプタ濃度を、５×１０^２０ｃｍ^−３以下になるように形成する。アクセプタ濃度が、５×１０^２０ｃｍ^−３を超えてくると、ｐ型不純物と母体となるＺｎＯ結晶との混晶化が発生し、ｐ型にドーピングされた良質のＺｎＯ系薄膜とならない。これは、ＺｎＯ２次イオン強度に変化が見られることでわかる。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 （もっと読む）

本発明は真空蒸着装置及びこれに関連する蒸着方法に関する。基板が設置される蒸着領域を局部的にポンピングするために１つまたはそれ以上のクライオパネルを使用する真空蒸着装置が提供される。本発明は、特に、分子線エピタキシーにおいて高蒸気圧蒸着材料をポンピングしその再蒸発を最小限に抑えるために応用可能である。
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【課題】形成する有機分子薄膜以外の構造体を新たに設けるなどの複雑な工程を追加することなく、欠陥の少ない高品質な有機分子薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が、面方位（１１１）より［１１−２］方向に２°傾斜した微傾斜シリコン（１１１）基板（結晶基板１０１）を用い、この上に構造と方位の揃ったＣ６０薄膜を形成する。先ず、洗浄した結晶基板１０１に超高真空の中で所定の加熱処理を施し、結晶基板１０１の表面構造を高温相の１×１構造から低温相の７×７構造に転移させ、一本一本ばらばらの状態から数本のステップが束になった状態（ステップ１１１）へと変化させる。また、この状態となる温度で、結晶基板１０１の表面に金を蒸着することで、最終的に結晶基板１０１の表面構造を６×６構造とし、この上に、１００℃でＣ６０よりなる有機分子１０２を蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】加熱チャンバーにより加熱された基板の温度を均一に保持しつつ大気圧から真空に移行させることができるロードロックチャンバーを備えた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１におけるロードロックチャンバー２０は、その内部空間を所定温度に保持するための保熱手段２３を備える。この保熱手段２３は、基板が収容される内部空間を形成し且つ該内部空間における対流の発生を実質的に防止又は抑制するように配置された複数のヒータパネル２３ａ〜２３ｃからなる。このような構成により、上記の内部空間Ｓにおいて対流が発生しにくくなるので、ロードロックチャンバー２０内に搬入されてきた基板２の温度を均一に保持しつつ大気圧から真空に移行させることができる。 （もっと読む）

【課題】最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は最表面が六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を表層部に有した酸化ガリウム単結晶複合体の選択的製造方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を窒素プラズマで窒化処理して窒化ガリウム層を形成する際に窒化処理の時間を制御することで、反射高速電子線回折によって測定される窒化ガリウム層の最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を選択的に製造する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法、及びこの複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】鉄シリサイド層の製造方法並びに半導体基板及び光半導体装置において、β−ＦｅＳｉ_２の平坦で良質な連続膜を形成すること及び高キャリア移動度を得ること。
【解決手段】結晶面（００１）を表面に有するＳｉ基板１上にβ−ＦｅＳｉ_２の鉄シリサイド層４ｂを成膜する方法であって、前記Ｓｉ基板上に設けられたＳｉＧｅ層上に、直接又は歪みＳｉ層を介して前記鉄シリサイド層をエピタキシャル成長する鉄シリサイド層形成工程を有し、該鉄シリサイド層形成工程は、４００℃以上９４０℃以下の成膜温度でＦｅ原料とＳｉ原料とを同時に供給して前記鉄シリサイド層の少なくとも一部を成膜する高温成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、触媒分子線エピタキシ（ｃａｔ−ＭＢＥ）の装置、及びそれを用いてIII族窒化物材料を成長させる方法に関する。
【解決手段】 本発明の触媒分子線エピタキシ装置１２０は、熱線１０を含み、アンモニア、窒素ガス等の窒素を含むガス１１０が熱線１０を通過する際に、前記熱線１０によって前記窒素を含むガスを触媒作用により分解して活性化イオンを生成し、前記活性化イオンがIII族金属元素と反応して加熱基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）