【課題】ｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）下地層上方に、Ｚｎ、必要に応じてＭｇ、Ｏ、Ｎ、及びＴｅを供給して、ＮとＴｅが共ドープされたＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と（ｂ）Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜上に、Ｚｎ及びＭｇの少なくとも一方、Ｔｅ、及びＮを供給して、ＮがドープされたＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＴｅ（０≦ｙ≦１）単結晶膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】ｐｎ接合型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは逆の導電性を示す第２の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第１のインジウム組成を有する第１の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第１のインジウム組成より小さい組成の第２のインジウム組成を有する第２の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層と第２の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第１の窒化ガリウム・インジウム層及び第２の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】真空槽内に導入する反応ガスと副ターゲットとを反応させずに副ターゲットをスパッタリングする。
【解決手段】真空槽５１内の主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有する主スパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に分離容器６２を配置し、分離容器６２内にドーパントの副ターゲット６４を配置する。分離容器６２の外部と内部は、主排気装置４７と副排気装置６５とで別々に真空排気し、また、分離容器６２内部に希ガスを供給すると、副ターゲットは反応性ガスと接触せずにスパッタされ、副ターゲット６４を構成する材料の反応生成物は発生しない。 （もっと読む）

【課題】主材料のみからなる薄膜と該主材料に１％以下（ｐｐｍオーダー）の副材料を添加した薄膜、およびそれらの多層や積層膜を制御性よく高品質かつ安全・安価に提供することを目的としたスパッタリング装置、スパッタリング方法および該薄膜を用いて作成された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】形成する薄膜の主材料ターゲット１ｉを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード３ｍの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット１ｐ，１ｎを有するコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード３ｍおよびコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】単一金属酸化物半導体材料をチャネル層として使用時に極性をｐ型伝導又はｎ型伝導に変更できる同時両極性電界効果型トランジスタを実現し、さらに、該同時両極性ＴＦＴを用いたＣＭＯＳ構造のトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に設けたチャネル層と、前記チャネル層上又は下にゲート絶縁膜を介して設けられて前記チャネル層のキャリア濃度を制御するゲート電極を有する電界効果型トランジスタにおいて、前記チャネル層材料は、酸化第一スズ（ＳｎＯ）薄膜であり、前記チャネル層とゲート絶縁膜との界面の欠陥準位密度が５×１０^１４ｃｍ^−２ｅＶ^−１以下であり、前記チャネル層は、電子（ｎ型）及び正孔（ｐ型）伝導性の両方の動作が可能な同時両極性を有することを特徴とする同時両極性電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】わずかな温度差によって作動させたときでも1Vを超える電圧で動作し、マイクロワット・レベルからワット・レベルの電力が得られる、高性能薄膜熱電対およびそれを製造する方法の提供。
【解決手段】薄膜TEモジュールおよび電源のある態様は、約20cm-1よりも大きく、おそらく通常約100cm-1を超える比較的な大きなL/A比値を有する。この様な大きなL/A比値は、20℃や10℃のような比較的小さな温度差によって作動させたときでも1Vよりもずっと高い電圧を与えるμW〜W電源の製造を可能にする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】ＳｉＣ原料粉末３とドーパント元素４の配置場所を異ならせると共に、ＳｉＣ原料粉末３に対してドーパント元素４が種結晶２から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素４の配置場所をＳｉＣ原料粉末３の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、ＳｉＣ原料粉末３が昇華し始めるよりも前にドーパント元素４が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたＳｉＣ単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗率が低く、しかも、エピタキシャル成長工程等のウエハプロセスにおいて炭化珪素単結晶基板が１０００℃以上に晒されても、積層欠陥が殆ど発生することがない炭化珪素単結晶基板、および、この基板を用いて得た炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】体積抵抗率が０．００１Ωcm以上０．０１２Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であり、表裏面のうち少なくとも片面の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下であると共に、外周側面の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下である炭化珪素単結晶基板、および、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素エピタキシャルウェハ、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム又はこれらの混晶をエピタキシャル成長してなる薄膜エピタキシャルウェハ。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が大幅に改善した酸化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ用半導体層の材料として、高い正孔移動度を示すｐ形半導体多結晶薄膜を、かつ、低い成膜温度でのプラスチック基板上への成膜をも行うことのできるｐ形半導体多結晶薄膜を、提供する。
【解決手段】ガラスまたはプラスチックまたはステンレス基板のような非結晶質または多結晶基板１上に、該基板の温度を３００℃以下とし、成長膜へのガリウム（Ga）、アンチモン（Sb）、及びヒ素（As）原子のそれぞれの供給量J_Ga，J_Sb，及びJ_Asを、J_Sb＜J_Ga＜J_As+J_Sbを満たすような値として、Ga,Sb,及びAs原子を同時供給して真空蒸着により成膜してなる、Sb組成yが０.５＜y＜1を満たすｐ形GaSb_yAs_1-y多結晶薄膜６を形成する製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体の新規なｎ型ドーピング技術に係るＺｎＯ系半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）