【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層に接する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に設けられ第１の酸化物半導体層とは異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、を少なくとも含む酸化物半導体積層を用いてトランジスタを構成する。第１の酸化物半導体層と第２の酸化物半導体層とは互いに異なるエネルギーギャップを有すればよく、その積層順は問わない。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことのできる半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜との界面の電子状態が良好なトランジスタを有する半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】ｃ軸配向し、かつ表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸を中心に回転した結晶を含む酸化物材料を用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】昇圧効率を向上させた昇圧回路を提供することを課題の一とする。または、昇圧効率を向上させた昇圧回路を用いたＲＦＩＤタグを提供することを課題の一とする。
【解決手段】単位昇圧回路の出力端子に当たるノード、または当該ノードに接続されたトランジスタのゲート電極をブートストラップ動作により昇圧することで、当該トランジスタにおけるしきい値電位と同等の電位の低下を防ぎ、当該単位昇圧回路の出力電位の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態（例えば３以上の状態）の区別を正確、かつ容易にした半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセルと、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第２信号線及び複数のワード線を駆動する、第２信号線およびワード線の駆動回路と、書き込み電位を第１信号線に出力する、書き込み回路と、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において生じるＴＦＴのバラツキを低減する。
【解決手段】トランジスタと、第１のソース配線と、隣り合う第２のソース配線と、電源供給線とを有し、第１のソース配線は、トランジスタと電気的に接続することができ、記トランジスタは、チャネル形成領域を有し、チャネル形成領域は、電源供給線と重なる領域を有し、チャネル形成領域は、第２のソース配線と重なる領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線と重ならない半導体装置である。その結果、チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比が０．１〜０．０１であるＴＦＴを提供することができ、各ＴＦＴ間のバラツキを低減することができる。さらに、電源供給線は第１のソース配線よりも幅の広い領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線よりも幅の広い領域を有する。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの活性層の構成材料として用いる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式


〔式中、Ｅは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｅ−を表す。〕で表される構造単位と、式（１）で表される構造単位とは異なる式


〔式中、Ａｒ^１は、２価の芳香族基、−ＣＲ^３＝ＣＲ^３−で表される基又は−Ｃ≡Ｃ−で表される基を表す。〕で表される構造単位とを含む高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴをそれぞれ有する複数の画素からなる画素アレイにおいて、画素の電気的特性に影響を及ぼすことなく、容易に高密度化することが可能な画素アレイを提供する。
【解決手段】複数の画素を有する画素アレイにおいて、隣接する所定数の画素にそれぞれ設けられたＴＦＴは互いに近接配置され、該ＴＦＴの半導体膜は近接する複数のＴＦＴに渡って連続して形成される。画素アレイは、同一の列に配列された複数の画素にそれぞれ設けられたＴＦＴに接続され、該ＴＦＴに信号を供給、または該ＴＦＴから信号を読み出す列信号線と、複数の画素の隣接する行間に設けられ、ＴＦＴをオフ状態にしうる電圧信号が印加された行共通線と、を有する。半導体膜が連続して形成された複数のＴＦＴのうち、行方向に近接配置される各ＴＦＴは、２本の列信号線を挟んで近接配置されており、列方向に近接配置される各ＴＦＴは、行共通線を挟んで近接配置されている。 （もっと読む）

【課題】光照射時の素子特性を安定化する。
【解決手段】酸化物半導体を主体とする半導体膜を成膜する第一工程と、第一工程後に、半導体膜の面上に第一の絶縁膜を成膜する第二工程と、第二工程後に、酸化性雰囲気中で熱処理する第三工程と、第三工程後に、第一の絶縁膜の面上に第二の絶縁膜を成膜する第四工程と、を有し、第二工程と前記第三工程の際に、第一の絶縁膜の厚みをＺ（ｎｍ）とし、第三工程での熱処理温度をＴ（℃）とし、前記第一の絶縁膜及び前記半導体膜中への酸素の拡散距離をＬ（ｎｍ）としたとき、０＜Ｚ＜Ｌ＝８×１０^−６×Ｔ^３−０．００９２×Ｔ^２＋３．６×Ｔ−４６８±０．１の関係式を満たすように第一の絶縁膜の厚みと熱処理温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】特定構造のπ電子共役化合物前駆体を含む薄膜中の該前駆体のπ電子共役化合物への変換が、基板の耐熱温度に制限されることなく、且つ大気下で進行する、有機膜の製造方法。
【解決手段】π電子共役化合物前駆体Ａ−（Ｂ）ｍを含む薄膜中の該前駆体Ａ−（Ｂ）ｍが、活性エネルギー線の照射により、π電子共役系化合物Ａ−（Ｃ）ｍと脱離性化合物Ｘ−Ｙに変換される。Ａ−（Ｂ）ｍ→Ａ−（Ｃ）ｍ＋Ｘ−Ｙ




（Ａはπ電子共役系置換基、Ｂは溶媒可溶性置換基、ｍは自然数である。） （もっと読む）

【課題】優れた電気特性、大気安定性を有した薄膜トランジスタ及びそれを用いた電子デバイスをウェットプロセスにて作製するための、π電子共役系化合物前駆体、及びトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（Ｉ）で示される工程により得られる有機膜を用いたトップゲート型薄膜トランジスタ。




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【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は０．１５以下、好ましくは０．１２以下、さらに好ましくは０．１０以下、さらに好ましくは０．０８以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し（１１１）面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する複数の有機トランジスタを備えた有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、各々が有機半導体材料を含む有機半導体領域４を有する複数の有機トランジスタ２０と、を備えている。このうち有機半導体領域４は、少なくとも基板１１を含む支持部材１７によって支持されている。そして、有機半導体素子１０の製造方法は、支持部材１７を準備する工程と、支持部材１７上に有機半導体材料を含む連続的な有機半導体層３０を設ける工程と、有機半導体層３０をパターニングして複数の有機半導体領域４を形成するパターニング工程と、を備えている。ここで、パターニング工程は、凹部４２および凸部４１を有する凹凸版４０を準備する工程と、凹凸版４０の凸部４１を支持部材１７上の有機半導体層３０に当接させることにより有機半導体層３０をパターニングする当接工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】触媒金属膜の任意の領域にグラフェンを選択的に合成しうるグラフェンの合成方法を提供する。
【解決手段】基板の所定の領域上に、触媒金属膜を形成する。次いで、触媒金属膜の側面に、触媒金属膜よりも触媒能の低い被覆膜を形成する。次いで、触媒金属膜の上面上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に合成し、グラフェンチャネルを形成する。次いで、基板上に、グラフェンチャネルに接合されたソース電極及びドレイン電極を形成する。次いで、触媒金属膜及び被覆膜を除去する。次いで、グラフェンチャネル上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物薄膜の膜質を向上する。
【解決手段】有機成分とＩｎとを含有する第１酸化物前駆体膜４に対して有機成分の熱分解温度未満で有機成分の結合状態を選択的に変化させ、フーリエ変換型赤外分光で測定したときに得られる赤外線吸収スペクトルにおいて、赤外線の波数１３８０ｃｍ^−１以上１５２０ｃｍ^−１以下の範囲を赤外線の波数１３８０ｃｍ^−１以上１４５０ｃｍ^−１以下の範囲と赤外線の波数１４５０ｃｍ^−１超１５２０ｃｍ^−１以下の範囲とに分割したときに、赤外線の波数１３８０ｃｍ^−１以上１４５０ｃｍ^-１以下の範囲に位置するピークが、赤外線の波数１３５０ｃｍ^−１以上１７５０ｃｍ^−１以下の範囲における赤外線吸収スペクトルの中で最大値を示す第２酸化物前駆体膜６を得る前処理工程と、第２酸化物前駆体膜中に残存する有機成分を除去して、第２酸化物前駆体膜６を非晶質酸化物薄膜８へ変化させる後処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の体積抵抗率を有する金属酸化物薄膜を、簡便かつ大面積に作製でき、更に所望の形状の金属酸化物を形成する精度が高い金属酸化物薄膜形成用塗布液などの提供。
【解決手段】無機インジウム化合物と、無機マグネシウム化合物及び無機亜鉛化合物の少なくともいずれかと、グリコールエーテル類とを含有する金属酸化物薄膜形成用塗布液である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する複数の有機トランジスタを備えた有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、各々が液晶性有機半導体材料を含む有機半導体領域４を有する複数の有機トランジスタ２０と、を備えている。このうち有機半導体領域４は、少なくとも基板１１を含む支持部材１７によって支持されている。そして、有機半導体素子１０の製造方法は、支持部材１７を準備する工程と、支持部材１７上に液晶性有機半導体材料を含む連続的な有機半導体層３０を設ける工程と、有機半導体層３０をパターニングして複数の有機半導体領域４を形成するパターニング工程と、を備えている。ここで、パターニング工程は、凹部４２および凸部４１を有する凹凸版４０を準備する工程と、凹凸版４０の凸部４１を支持部材１７上の有機半導体層３０に当接させることにより有機半導体層３０をパターニングする当接工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板にマトリクス状に配列された各々の有機半導体トランジスタの形成面積が小さく、かつ表示装置に用いた場合に均一で視認性に優れた画像表示を行うことを可能とするアクティブマトリクス基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】樹脂製基材と、上記樹脂製基材上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体材料を含む有機半導体層を備える有機半導体トランジスタとを有し、上記有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているアクティブマトリクス基板であって、隣接する２つの上記有機半導体トランジスタが、１つの上記有機半導体層のみを共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）