【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
【解決手段】本発明の１つの薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極２２０とチャネル４０との間に、ゲート電極２０に接する、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる第１酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３２と、チャネル４０に接する、ランタン（Ｌａ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物、ランタン（Ｌａ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからなる酸化物、及びストロンチウム（Ｓｒ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物の群から選択される１種の第２酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３４との積層酸化物３０を備え、チャネル４０が、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とからなるチャネル用酸化物（不可避不純物を含み得る）である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】Ｉｎと、Ｍ１と、Ｍ２と、Ｚｎと、を含む酸化物材料であり、Ｍ１＝１３族元素、代表的にはＧａであり、Ｍ２の元素は、Ｍ１の元素よりも含有量が少ない材料を提供する。Ｍ２としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｎなどが挙げられる。Ｍ２を含ませることで、酸化物半導体材料における酸素欠損の発生を抑制することができる。酸素欠損がほとんど存在しないトランジスタを実現できれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び／または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁表面に形成される酸化物半導体膜は、下地界面近傍に非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因の一つと考えられている。
【解決手段】酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。当該材料として絶縁性の金属酸化物を用いる。金属酸化物として、酸化物半導体膜を構成する材料と同族の材料である酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどを用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の膜減り及びダメージを抑え、微細なトランジスタを歩留まり良く作製する。
【解決手段】絶縁表面上の半導体膜と、半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の、第１の金属膜および第１の金属膜上の第２の金属膜を有するゲート電極と、ゲート絶縁膜上に形成され、かつ第１の金属膜の側面と接し、第１の金属膜と同一の金属元素を有する金属酸化物膜と、を有し、第２の金属膜より第１の金属膜のほうが、イオン化傾向が大きい半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の導電率を高めることで、高いオン特性を有する酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】第１の領域および第２の領域を有し、少なくともインジウム（Ｉｎ）を含む酸化物半導体膜と、少なくとも酸化物半導体膜の第１の領域と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体膜およびゲート電極の間に設けられたゲート絶縁膜と、少なくとも一部が酸化物半導体膜の第２の領域と接して設けられた電極と、を有し、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜と電極との界面近傍のＩｎの濃度が高く、界面から１５ｎｍの範囲で遠ざかるに従いＩｎの濃度が低くなる。なお、酸化物半導体膜の第１の領域はトランジスタのチャネル領域として機能し、第２の領域はトランジスタのソース領域、ドレイン領域として機能する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせずに、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する方法を提供する。また、本発明では、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を提供する。
【解決手段】半導体積層体を製造する本発明の方法は、基材の表面上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結シリコン膜１２０を形成する工程、及び未焼結シリコン膜に光２００を照射して、半導体シリコン膜１３０ａを形成する工程を含み、かつ基材の表面１００ａに対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。本発明の半導体積層体は、この半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、かつ基材の表面に対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。 （もっと読む）

【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域３０を含むＦＥＴ３４、活性領域３０からなるスクライブライン３６、ＦＥＴ３４とスクライブライン３６との間に位置する不活性領域３２、及び不活性領域３２を横断してＦＥＴ３４とスクライブライン３６とを電気的に接続する接続領域３８を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜２０を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜２０に選択的に開口部２１を形成する工程と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６における開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｃの側の側面部１０１６ｅは、側面部１０１６ｄを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｂの側の側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｇを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、Ｘ軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 （もっと読む）

【課題】微細なパターン、例えば、線幅が５０μｍよりも小さいパターンであっても高い精度でパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】微細なパターンのパターン形成方法であって、基板上に形成された、親疎水性変換機能を有する第１の膜において、パターンが形成されるパターン形成領域を親疎水性に変化させる工程と、パターン形成領域に第２の膜を形成し、第２の膜が乾燥してパターンを形成する工程とを有する。第２の膜は、厚さが０．１μｍになったときの粘度が３ｍＰａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】高電圧駆動素子の為にＳｉＣやＧａＮの基板の簡素化が重要な課題となっている。Ｓｉ基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のＳｉＣ膜を形成し、トレンチによる絶縁物分離構造とし、その中に結晶欠陥が多くてもその影響を避ける新構造の素子の発明である。
【解決手段】ＳｉＣ膜に形成したＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子を構成しているＰＮ接合面において基板面と並行となる面にあるＰＮ接合に印加される電界が、ＳｉＣ膜が形成されているシリコン酸化膜や基板となるＳｉ層により緩和されて、さらには基板電位をドレイン電圧とは逆方向の電位とすることにより大きく電界緩和されて、ＳｉＣ膜に発生している基板と垂直方向の結晶欠陥の結晶欠陥降伏電圧以下とすることを特徴とする素子構造を持った半導体装置。 （もっと読む）

【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＴＦＴ，バックプレーン等）は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態（溶液の状態）で半導体層上に塗布（または印刷）されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制し、且つ、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６には、３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが開けられている。開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各底部には、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが露出し、各々がチャネル部として機能する部分である。開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｄ，１０１６ｅは、側面部１０１６ｉに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｊに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。 （もっと読む）

【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。ま
た、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し
、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面
に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気
伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を
有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気
的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）