【課題】トランジスタのリーク電流を低減し、論理回路の誤動作を抑制する。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅１
μｍあたりのオフ電流が１×１０^−１３Ａ以下であるトランジスタを有し、入力信号とし
て、第１の信号、第２の信号、及びクロック信号である第３の信号が入力され、入力され
た第１の信号乃至第３の信号に応じて電圧状態が設定された第４の信号及び第５の信号を
出力信号として出力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】性能向上を容易に実現することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、そのゲート電極から分離絶縁層を介して離間された半導体層と、その半導体層に接続されると共に互いに離間されたソース電極およびドレイン電極とを備える。ソース電極とドレイン電極との間においてゲート電極とソース電極およびドレイン電極とが重ならない第１領域における分離絶縁層の厚さは、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも一方とが重なる第２領域における分離絶縁層の厚さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供
する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有するトランジ
スタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接
するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、χはφｍｓ以上
かつφｍｄ未満の関係になるように構成し、酸化物半導体とソース電極の接触面積よりも
酸化物半導体とドレイン電極の接触面積を大きくし、トランジスタのゲート電極とドレイ
ン電極を電気的に接続することで、整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも３０秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネルに用いた薄膜デバイスおよびその製造方法において、PETやPES等の樹脂基板上でも自己整合型トップゲート構造の作製を可能にする。
【解決手段】ＩＧＺＯ膜２によりチャネル膜を作製するＴＦＴの製造方法であり、ＩＧＺＯ膜２とゲート電極膜４との間に、ゲート絶縁膜３として機能する有機膜をスピンコート等の塗布法を用いて作製し（図１（ｂ））、その後、ＩＧＺＯ膜２と、外部に導出されたソース・ドレイン電極膜７との間に、絶縁膜として機能する層間膜５をスパッタリング法を用いて作製する（図１（ｃ）、（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】新規な構成を有する半導体装置である。
【解決手段】第１の素子を有し、第２の素子を有し、トランジスタを有し、容量を有し、第１の素子の出力は、第２の素子の入力と電気的に接続され、第２の素子の出力は、第１の素子の入力と電気的に接続され、第１の素子の入力は、入力端子と電気的に接続され、第１の素子の出力は、出力端子と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方は、容量の一方の電極と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は、入力端子と電気的に接続され、トランジスタのチャネル形成領域は、結晶を有する酸化物半導体を有する。結晶を有する酸化物半導体を有するトランジスタはリーク電流が非常に小さいため、データを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物の半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタであって、各種センサに利用して新しいセンサを作製できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタ１は、非晶質酸化物の半導体薄膜２とドレイン電極３とソース電極４とゲート電極５を備え、ゲート電極５に印加されるゲート電圧に応じて半導体薄膜２にチャネル層が形成されて、ドレイン電極３とソース電極４の間にドレイン・ソース間電流が流れ得るものであって、非晶質酸化物は、弱く結合してバンドギャップ内に欠陥準位を生成する過剰酸素が含まれている。 （もっと読む）

【課題】新たな半導体材料を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】水素濃度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下の領域を有する酸化物半導体層又はキャリア密度が１×１０^１４ｃｍ^−３未満の領域を有する酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層の膜厚は、酸化物半導体層のドナー密度に基づく空乏層の広がり得る最大幅よりも薄いトランジスタである。 （もっと読む）

【課題】電流駆動能力がより小さなクロック信号生成回路を適用することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎチャネル型トランジスタで構成されるスイッチ及び論理回路を有し、スイッチは導通状態又は非導通状態がクロック信号によって選択され、論理回路は、ブートストラップ回路と、入力信号が入力される入力端子と、反転入力端子と、出力端子とを有し、高電源線と出力端子との接続を反転入力端子に入力される信号によって制御し、低電源線と出力端子との接続を入力端子に入力される信号によって制御することによって、入力信号がローレベル電位の場合には、ブートストラップ回路を用いて出力端子の電位を上昇させることにより出力端子から高電源電位を出力し、トランジスタは、チャネルが形成される半導体層と、半導体層を挟んで上下に設けられた一対のゲート電極とを有し、一対のゲート電極の他方はソースと接続される。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が十分な有機半導体素子を安価に製造することができる有機半導体素子用電極、及びかかる有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極５、６。 （もっと読む）

【課題】両極性の有機トランジスタを簡便に製造しうる、ｐ型とｎ型の両極性を示す高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式
【化０】


（１）
〔式中、Ｚ^１は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１）−、−Ｎ（ＣＯＲ^２）−又は−Ｎ（ＣＯ_２Ｒ^３）−を表す。Ｚ^２は、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１）−、−Ｎ（ＣＯＲ^２）−又は−Ｎ（ＣＯ_２Ｒ^３）−を表す。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Ｒ^Ａ及びＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。〕
で表される構成単位を含む高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極４、ゲート絶縁膜３、有機半導体層２、ソース電極５及びドレイン電極６を有する有機半導体素子１００であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域２０に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】熱処理による特性変動を抑制した酸化物半導体を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、絶縁層と、絶縁層上のゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられ酸化物層より形成された半導体層と、半導体層の上において、ゲート電極を挟むように離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタと、ソース電極及びドレイン電極のいずれかに接続され、前記酸化物層より形成され前記半導体層よりも電気抵抗が低い画素電極と、画素電極に与えられる電気信号によって光学特性の変化と発光との少なくともいずれかを生ずる光学素子と、画素電極の下に設けられゲート絶縁膜と同じ材料で形成された膜と、を備え、ゲート電極の上のゲート絶縁膜の半導体層の側の表面は、画素電極の下に設けられた膜の画素電極の側の表面よりも平滑性が高い表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機トランジスタ作製に有用な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（１−１）〜式（１−３）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位と、アリーレン基または２価の芳香族複素環基からなる構造単位とを含む高分子化合物とする。


式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、炭素数が２以上のアルキル基を表す。Ｅは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｎ（Ｒ^ａ）−を表す。Ｒ^ａは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。環Ａは、芳香環または複素環を表す。ｎ_２は０以上の整数を表し、ｎ_３は１〜３の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を含む半導体膜を用いたダイオードを提供する。
【解決手段】基板上の、酸化亜鉛を含み、チャネル形成領域を有する半導体膜と、前記半
導体膜とゲート電極との間のゲート絶縁膜と、前記半導体膜と電気的に接続されるソース
電極及びドレイン電極と、を有し、前記ゲート電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン
電極の一方と電気的に接続される。前記ゲート電極は前記チャネル形成領域の上又は下に
あり、前記ゲート電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上にあってもよい。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、銅層と銅酸化物層および／または銅合金層とを含む金属積層膜パターンを精度良くエッチング加工し、優れた断面形状を形成し、かつ実用性に優れた安定で液寿命の長いエッチング液組成物、およびかかるエッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は銅層と銅酸化物層および／または銅合金層とを有する金属積層膜を、過硫酸塩および／または過硫酸溶液０．１〜８０重量％と、りん酸０．１〜８０重量％と、硝酸および／または硫酸０．１〜５０重量％とを含有するエッチング液組成物であり、さらに塩化物イオンやアンモニウムイオンを加えることで、エッチングレートや断面形状を容易に制御することが可能となるエッチング液組成物またはエッチング方法に関する。 （もっと読む）