基材と、誘電体材料の転写層とを含んでなる熱的に画像形成可能なドナー素子を熱に曝す工程を含んでなる、熱転写プロセスによって充填誘電体材料のパターンを基材上に形成する方法を開示する。照射パターンは、誘電体材料層の部分が、電子デバイスが形成されている基材上に転写されるように、基材上に形成すべき所望のパターンの画像である。充填誘電体材料は、薄膜トランジスタのゲート電極上にパターン化することができる。パターン誘電体材料は、また、相互接続のための絶縁層を形成してもよい。このプロセスでの使用のためのドナー素子も開示する。熱転写プロセスでの使用のための薄膜トランジスタおよびドナー素子を形成するための方法も開示する。
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チャネル上にたい積されるゲート材料層（３２０）をプレーナ化するステップを含む、ＭＯＳＦＥＴ型の半導体デバイスを製造する方法である。このプレーナ化は、第１の”荒い”プレーナ化と、その後の”緻密な”プレーナ化を含んだ複数のステッププロセスで実行される。より緻密なプレーナ化で使用されるスラリーは、ゲート材料の低い領域に付着し易い付加材料を含んでいてもよい。
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本発明は、薄膜電子部品の製造方法およびこの方法を実施する装置に関する。また、本発明は、この方法に従って製造された薄膜電子部品に関する。まず、実質的に誘電性を有する基板上に、導電性材料から成るガルヴァニックに均一な最下段の導電層が形成され、この最下段の導電層から導電領域がガルヴァニックに相互に分離して、電極パターンが形成される。この電極パターン上には、薄膜部品に必要とされる上部の不活性層または活性層を１層または数層形成することが可能である。本発明によれば、この最下段の導電層が分離することによる電極パターンの形成は、ダイカットエンボス加工に基づく切断作業を最下段の導電層に行うことによる。すなわち、切断作業に使用する切断部材の浮彫りが、基板上に永久変形が生じさせ、同時に、導電層から、ガルヴァニックに相互に分離した導電領域に至る領域をエンボス加工する。本発明は、ロールツーロール方式における薄膜部品の製造に適している。

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有機半導体を有する電界効果トランジスタ、特に相互接続構造を有する複数の電界効果トランジスタを含むデバイスを製造する方法が提供される。ここで、４層に対して３つのフォトリソグラフィ・マスクが使用される。それに加えて、トランジスタがトップ・ゲート構造で提供され、有機半導体層（３０７）および誘電体層（３０９）が構造であり、一緒にパターン化される。電界効果トランジスタ（３００）に関連しない領域または第１および第２導電体層（３０３，３０５，５０１）の交差導電体部に関連しない領域から半導体層（３０７）および誘電体層（３０９）を取り除くことができる。
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後に絶縁層およびシリコン薄膜が形成される基板中のシリコン薄膜の焼鈍方法が開示される。本方法は、基板が処理中に変態しない温度範囲内でシリコン薄膜を加熱または予備加熱して、そこに内因性キャリヤを生成させることにより、抵抗をジュール加熱が可能な値に低下する工程；および予備加熱されたシリコン薄膜に電界を印加して、ジュール加熱をキャリヤの移動によって引き起こすことにより、結晶化を行い、結晶欠陥を排除し、結晶成長を確実にする工程を含む。本方法を用いると、予備加熱条件に従って、ａ−Ｓｉ薄膜、ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ薄膜またはポリ−Ｓｉ薄膜にジュール加熱が選択的に引き起こされ、それによって良好な品質のポリ−Ｓｉ薄膜が、非常に短時間に、基板を損傷することなく作製される。 （もっと読む）

気体透過バリアを原子層蒸着（ＡＬＤ）によってプラスチックまたはガラス基板上に蒸着することができる。ＡＬＤコーティングの使用によって、コーティング欠陥を減らすと共に数十ナノメートルの厚さにおいて桁違いに透過を低減させることができる。これらの薄いコーティングが、プラスチック基板の可撓性および透過性を保持する。かかる物品が、容器、電気および電子用途において有用である。

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コンデンサーなどのラミネートに使用するための有機ポリマー。このポリマーは、式：
【化１】


で示される反復単位を含む。上記式中、各Ｒ１は、独立して、Ｈ、アリール基、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、または架橋性基を含む有機基であり；各Ｒ２は、独立して、Ｈ、アリール基、またはＲ４であり；各Ｒ３は、独立して、Ｈまたはメチルであり；各Ｒ５は、独立して、アルキル基、ハロゲン、またはＲ４であり；各Ｒ４は、独立して、少なくとも１つのＣＮ基を含みかつＣＮ基１つあたり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり；そしてｎは０〜３に等しく；ただし、ポリマー中の少なくとも１つの反復単位は、Ｒ４を含む。

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電子デバイスに使用する有機高分子であって、この高分子は、式（ａ）および（ｂ）の反復単位を含む。式中、高分子内の少なくとも１個の反復単位がＲ⁴を含むことを条件として、各Ｒ¹が、独立してＨ、アリール基、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、または架橋可能な基を含む有機基であり、各Ｒ²が、独立してＨ、アリール基、またはＲ⁴であり、各Ｒ³が、独立してＨまたはメチルであり、各Ｒ⁵が、独立してアルキル基、ハロゲン、またはＲ⁴であり、各Ｒ⁴が、独立して、少なくとも１個のＣＮ基を含み、ＣＮ基あたり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり、ｎ＝０〜３である。これらの高分子は、有機薄膜トランジスタなどの電子デバイスに有用である。

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（ｉ）ポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分を含む溶液を基板上に成膜して層を形成する工程、および（ｉｉ）不溶性架橋化ポリマーを形成する条件下で工程（ｉ）で形成された層を硬化する工程を備え、架橋部分が溶液中のポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分の繰返し単位のモル総数に対して０．０５から５モル％の範囲の量で工程（ｉ）に存在することを特徴とする、ポリマーデバイスを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】 電子特性が向上した分子層を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】 電子デバイスは、ソース領域およびドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域に隣接して配置され、少なくとも１つの共役分子を含む自己組織化単分子層と、自己組織化単分子層に隣接した導電性基板と、を含む。 （もっと読む）

【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量２０００以上のπ共役系ポリマー及び分子量２０００以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省スペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたＦＰＣ上に薄膜素子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 パターニングフリーの能動素子基板の提供。
【解決手段】 能動素子基板は、基板上に形成された能動素子１と、能動素子１上に形成された導電膜２とを有する。導電膜２は、能動素子１から出力された電気信号を有限範囲内に伝達する。 （もっと読む）

【課題】 より優れたソフトエラー耐性を有するＳＯＩ基板を用いた高信頼性のＣＭＯＳ・ＳＲＡＭセルを備える半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＳＯＩ基板の表面半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側の表面半導体層に形成された第１導電型ソース／ドレイン領域とから構成される半導体装置であって、前記第１導電型ソース／ドレイン領域の双方又は一方に接して第２導電型引出拡散層が形成され、少なくとも前記第１導電型ソース／ドレイン領域上から第２導電型引出拡散層上にわたってシリサイド層が形成されており、シリサイド層に接地電位が与えられてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 高いビット数のデジタル信号に対応し、線形性が良く、占有面積の小さいＤ／Ａ変換回路を提供する。
【解決手段】 複数の容量を有するＤ／Ａ変換回路であって、複数の容量は、第１電極と、第１電極に接している第１誘電体と、第１誘電体に接している第２電極と、第２電極に接している第２誘電体と、第２誘電体に接している第３電極とをそれぞれ有しており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっている部分において開口部を有しており、第２電極が有する開口部において、第１誘電体及び第２誘電体にコンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介して第１電極と第３電極が接続されていることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の発光装置における光の取り出し効率を向上させる手段を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置において、第１の凹部１０１ａ〜第３の凹部１０１ｃを有する第１の基板１００に金属膜１０２ａ〜第３の金属膜１０２ｃを形成することや、画素電極１４５、有機層１４８、凸部１４９ａの表面を有する陰極１４９からなる発光素子１５０を形成することにより、光の損失や隣の画素への光漏れを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）