【課題】本発明の目的は、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、且つ動作安定性に優れた酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法を提供することにある
【解決手段】ゲート電極２を形成する工程、ゲート絶縁膜３を形成する工程、酸化物半導体よりなる活性層を形成する工程、該活性層に接して該活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体よりなる抵抗層６を形成する工程、該抵抗層の一部を低抵抗化処理することにより所定の間隔を離して少なくとも２つの低抵抗領域を形成する低抵抗化処理工程であって、該２つの低抵抗領域に挟まれた低抵抗化処理が施されなかった領域（未低抵抗化領域）が、平面上、前記ゲート電極の内側に形成され、及び前記２つの低抵抗領域のそれぞれと接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が小さく、透明導電膜との接触抵抗の上昇を回避可能であって、アルカリ系の薬液耐性に優れ、かつ良好な反射率特性を兼ね備えるＡｌ合金膜を備える電子デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、基板上に、Ａｌ合金膜を少なくとも備える金属膜パターン１０と、Ａｌ合金膜と少なくとも一部の領域で直接接続する透明導電膜パターン３０とを備え、Ａｌ合金膜の最上層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｐｔ、Ｍｏ，及びＷから選ばれる少なくとも１つの金属元素が添加され、かつ、Ｏ元素の組成比が、０．１ａｔ％以上、６．０ａｔ％以下であるＯ元素含有−Ａｌ合金膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法を提供する。また、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜を形成する方法を提供する。また、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ガリウムと亜鉛を含む液滴を吐出して、基板上に膜パターンを形成する。または、印刷法により、基板上にガリウムと亜鉛を含む材料を用いて膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】Ｈｆ−Ｏ系絶縁膜上に、ＴａＣ_ｘ膜を用いたメタルゲート電極を備えたＭＩＳトランジスタの実効仕事関数を制御する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１のシリコン層１ｃ側よりゲート絶縁膜２を形成する。次いで、ゲート絶縁膜２上に室温スパッタ法によってＴａＣ_ｘ膜を堆積し、このＴａＣ_ｘ膜から構成されるメタルゲート電極３を形成する。次いで、メタルゲート電極３上にアモルファス状態のシリコン膜を形成した後、メタルゲート電極３に熱処理を施す。次いで、前記シリコン膜を除去した後、メタルゲート電極３に酸素を添加する。 （もっと読む）

【課題】 完全空乏形のＳＯＩなどの第１、第２の主面間でキャリアが空乏する半導体薄膜に形成された絶縁ゲートトランジスタのゲート閾値電圧を電子制御する。
【解決手段】 半導体薄膜に接して逆導電形の第３の半導体領域を設け、該半導体領域から逆導電形のキャリアを前記半導体薄膜へ供給する、ないしは前記半導体薄膜から逆導電形のキャリアを前記第３の半導体領域へ引き抜くことにより前記半導体薄膜中のキャリア量を制御する。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧が高い高品質のＴＦＴ基板を提供する。
【解決手段】本発明によるＴＦＴ基板は、ゲート電極５２、ソース電極、ドレイン電極５６を有するＴＦＴ３２と、前記ゲート電極５２に電気的に接続された走査線と、前記ソース電極に電気的に接続された信号線とを備え、前記ゲート電極５２、前記ソース電極、前記ドレイン電極５６、前記走査線、及び前記信号線の少なくとも一つが、主配線層７０と、前記主配線層７０の上に形成されたバリア層７２とを有し、前記バリア層７２の少なくとも一部が窒化チタンからなり、前記バリア層７２の前記主配線層７０に接する下面の近傍における窒化率が、前記バリア層７２の上面の近傍における窒化率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板又はインジウムを主成分とする透明導電膜等の下地を有する基板との密着性を十分に確保した低抵抗の銅配線を備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１、又はガラス基板１上に形成したインジウムを主成分とする透明導電膜２Ａ上に、第一層２Ｂを下層とし第二層２Ｃを上層とする積層膜で信号配線を形成する。第一層２Ｂはポーラスな構造を有する銅層であり、希ガス＋酸素又窒素ガスで形成する。次に、希ガスのみで第二層２Ｃである純銅層を形成する。これにより、基板又はインジウムを主成分とする透明導電膜２Ａ上に、密着性に優れた低抵抗の銅配線が形成される。また、第一層２Ｂ、第二層２Ｃ共に同一のターゲットを用いることで生産性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗率を維持しつつ、絶縁膜（例えばＳｉＮ膜）との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置における薄膜トランジスタの、ソース電極および／またはドレイン電極並びに信号線、および／または、ゲート電極および走査線に用いられるＣｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタの電気特性を向上させることを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜と、少なくとも５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の側面を覆う膜と、５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の側面を覆う膜上に形成される一対の配線とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、比較的簡単な方法により、ゲート配線の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制する。
【解決手段】 ゲート電極２およびゲート配線３を、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、それらの上面に変色用処理液を用いて変色層２ａ、３ａを形成すると、変色層２ａ、３ａの反射率がＡｌ合金の反射率よりも低くなるので、ゲート配線３の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が３×１０^１７／ｃｍ^３以上であり、前記活性層の膜厚が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】仕事関数が所望の値に制御されたメタルゲート電極を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２上に、ゲート絶縁膜４を介して、Ｎ等を含有する仕事関数制御層５、ＳｉまたはＡｌを含んだ中間層６、およびＭｏＮ層等の低抵抗層７が積層された構造を有するメタルゲート電極を形成する。その形成時には、ゲート絶縁膜４上に仕事関数制御層５、中間層６および低抵抗層７の各層の積層後、ゲート加工を行い、ＬＤＤ領域９、サイドウォール８およびソース・ドレイン領域１０を順に形成して、半導体基板２に導入した不純物の活性化アニールを行う。仕事関数制御層５と低抵抗層７との間に中間層６を設けたことにより、仕事関数制御層５へのあるいは仕事関数制御層５からのＮ等の拡散が抑制され、その仕事関数の変動が抑制されるようになる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯやＳｉとの界面拡散を防止するとともに、低温プロセスが要求される各種電子デバイスに適用可能な低抵抗の電極膜用Ａｌ合金膜を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係るＡｌ合金膜は、Ｎｉからなる第１の添加元素と、元素周期表の周期２又は３に属する２ａ族のアルカリ土類金属、３ｂ、４ｂ族の半金属から選ばれる少なくとも１種類以上の第２の添加元素とを含む。また、第１の添加元素の組成比は０．５〜５ａｔ％であり、第２の添加元素の組成比は０．１〜３ａｔ％である。 （もっと読む）

【課題】ゲート誘起ドレインリーク電流が少ない電界効果トランジスタ、および、ゲート電極とソース／ドレイン領域との間に薄い絶縁体構造物を含む集積回路を提供する。
【解決手段】トランジスタ５４２のゲート電極は、ゲート電極とチャネル領域５１２との間の第１のフラットバンド電圧を決定する主部５３２と第１の側部５３５とを含む。この第１の側部は、上記主部に接触すると共に、上記ゲート電極と第１のソース／ドレイン領域５１４，５１６との間の第２のフラットバンド電圧を決定する。上記第１のフラットバンド電圧および上記第２のフラットバンド電圧は、少なくとも０．１ｅＶだけ異なる。 （もっと読む）

【課題】 反応性スパッタリングにより酸化物膜を形成する際に、次工程においてＣＶＤ法による薄膜形成が行われるような場合でも、基板との界面付近の酸素濃度の低下を防止して基板と酸化物膜との密着強度の低下を招くことのない薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空雰囲気中のスパッタ室１１ａ内にスパッタガス及び反応ガスを導入しつつ、スパッタ室内で処理すべき基板Ｓに対向させて配置したターゲット４１ａ乃至４１ｈに電力投入し、プラズマ雰囲気中のイオンでターゲットをスパッタリングし、反応性スパッタリングにより基板表面に所定の薄膜を形成する場合に、薄膜が所定の膜厚に達するまでの間で反応ガス成分の含有濃度が高い領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳがＦＵＳＩゲートを含む場合、異なるシリサイド相を有する第１および第２の制御電極が形成され、ゲート形成後の熱工程等により各ゲートの異なったシリサイド相中のＮｉ等の金属はゲート電極間を拡散しない半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の制御電極１７の金属半導体化合物から、第２の制御電極１８の金属半導体化合物に、金属が拡散するのを防止するブロック領域２３を形成する。ブロック領域２３は、第１および第２の制御電極１７、１８の間の境界面に形成され、金属半導体化合物がそれから形成される金属中での溶解度より、金属半導体化合物中での溶解度が低いドーパント元素を注入することにより形成する。これにより、金属拡散が防止され、第１および第２の制御電極１７、１８の金属半導体化合物の構成が、例えば更なるデバイスの処理中の熱工程中に、実質的に変化せずに保たれる。 （もっと読む）

【課題】チャネルへの可動イオンの侵入を防止するために適した薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、第１の酸化珪素膜上に形成され水素が添加された半導体層と、半導体層を覆って形成された第２の酸化珪素膜と、第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜と、第２の窒化珪素膜上に形成されたゲイト電極と、を有し、第２の窒化珪素膜は、チャネル形成領域と重なり、ソース領域及びドレイン領域とは重なっていない構造とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比のＴＦＴを備えた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【解決手段】少なくとも駆動ＴＦＴ、および該駆動ＴＦＴと同一基板上に有機電界発光素子よりなる画素がパターニング形成された有機電界発光表示装置であり、前記駆動ＴＦＴは、少なくとも基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記半導体層が少なくとも抵抗層と該抵抗層より電気伝導度が高い活性層とを有し、該活性層が前記ゲート絶縁膜と接し、該活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に該抵抗層が電気的に接続して配されている駆動ＴＦＴであり、且つ前記画素の少なくとも発光層がインクジェット法によりパターニング形成されたものであることを特徴とする有機電界発光表示装置。 （もっと読む）

【課題】ヒロック発生を防止し、密着性とバリア性に優れた配線膜を形成する。
【解決手段】成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。バリア膜２４は銅を主成分とするため、アルミニウム膜２３と同じエッチング液でエッチング可能であり、添加元素と酸素を含むため、アルミニウム膜２３にヒロックが発生しない。また、配線膜２５の表面にＩＴＯを密着させた場合には、アルミニウム膜２３は直接ＩＴＯに接触しないからコンタクト抵抗も高くならない。 （もっと読む）