【課題】効果的にゲッタリングが行えるＳＯＩ構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１００を用いたＳＯＩ構造の半導体装置において、活性層３となるシリコン基板に対してＡｒイオンを注入することにより格子歪み層４を形成する。これにより、格子歪み層４をゲッタリングサイトとして機能させることが可能となる。また、Ａｒイオンのドーズ量を調整し、格子歪み層４の引張り応力が１１ＭＰａ以上かつ２７ＭＰａ以下となるようにする。これにより、ゲッタリングサイトとして機能させつつ、リーク電流の発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（ＳＯＩ基板）の大面積化を課題とする。また、効率のよい半導体基板の作製方法を提案することを課題とする。また、上記の半導体基板の特性を向上することを課題とする。また、上記の半導体基板を用いた半導体装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板（ＳＯＩ基板）の大面積化及び作製効率の向上を図るために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、半導体基板を作製する。具体的には、複数の単結晶半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。また、ベース基板に形成した単結晶半導体層に対してエッチング処理又はエッチバック処理を施すことにより、単結晶半導体層に存在する損傷領域を除去すると共に、隣接する単結晶半導体層の間隙におけるベース基板の表面の一部を除去して、ベース基板に凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、真空や溶媒を介することなく安価に有機半導体層及び有機半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】有機半導体粉末を用意しフィルムに吸着させる工程、基板上に該フィルムを有機半導体粉末が吸着した面を下側にして重ね合わせる工程及び該フィルム表面より基板を加圧して、有機半導体粉末層を押し固めることにより有機半導体層とする工程を含む有機半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有し、且つ、信頼性および量産性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、互いに対向する第１および第２主面を有する可撓性基板１２と、可撓性基板の第１主面上に形成された島状の第１無機絶縁膜１３と、第１無機絶縁膜上に形成された島状の積層体であって、無機半導体材料からなる半導体層１４と半導体層と接する絶縁層１５とを含む積層体と、積層体を覆う第２無機絶縁膜１６と、半導体層に電気的に接続されたソース電極３４ａおよびドレイン電極３４ｂと、半導体層の少なくとも一部の導電性を制御するゲート電極１８とを有し、半導体層の法線方向からみたとき、半導体層および半導体層と絶縁層との界面の外周は、第１無機絶縁膜および第２無機絶縁膜によって包囲されており、且つ、第２無機絶縁膜は少なくとも１つ方向において可撓性基板上に端を有していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧などのばらつきを低減させることができ、信頼性の高い高性能なＴＦＴ特性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、基板上に形成され、ソース領域４ｃ、ドレイン領域４ｄ及びチャネル領域４ｂを有する多結晶半導体層４ａと、多結晶半導体層４ａのソース領域４ｃ及びドレイン領域４ｄ上に形成された金属性導電層６と、多結晶半導体層４ａと金属性導電層６との間に形成された合金層５とを有し、多結晶半導体層４ａは、チャネル領域４ｂの膜厚が、金属性導電層６が形成された領域の膜厚より薄くなるように形成された凹部４ｅを有し、凹部４ｅの深さＸと、合金層５の膜厚Ｙと、金属性導電層６の膜厚ｔとが、次の関係を満たしている。
０．１ｔ≦Ｙ≦０．３ｔ
０．３Ｙ≦Ｘ≦２Ｙ （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化する。
【解決手段】一枚の絶縁性基板３上にｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ２１およびｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ２２からなる相補型半導体装置を形成する製造方法において、ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ２１のチャネル領域７と接合するソース領域５Ｓおよびドレイン領域５Ｄのいずれか一方をショットキー接合とし、他方をｐ−ｎ接合とする際、前記ｐ−ｎ接合を前記ショットキー接合より先の工程で形成する。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、ＡおよびＢはそれぞれ独立に、置換または未置換のピレニル基、あるいは置換または未置換のフェナレノ［１，９−ｂｃ］チエニル基を表す） （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いた、移動度が向上した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】複数のボンド基板（半導体基板）を用いて形成された複数の半導体膜を、１つのベース基板（支持基板）上に貼り合わせる。このとき、複数のボンド基板のうち、少なくとも１つのボンド基板は、他のボンド基板と異なる結晶面方位を有するとする。すなわち、１つのベース基板上に形成される複数の半導体膜の少なくとも１つは、他の半導体膜と結晶面方位が異なることとなる。そして、半導体膜の結晶面方位にあわせて、半導体膜を用いて形成される半導体素子の有する極性を決める。例えば、｛１００｝面を有する半導体膜を用いて、電子が多数キャリアであるｎチャネル型の素子を形成し、また、｛１１０｝面を有する半導体膜を用いて、正孔が多数キャリアであるｐチャネル型の素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、あるいは置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】生産コストを削減することができる半導体装置の作製方法の提案を課題とする。
【解決手段】ボンド基板の下に容器を配置した後、ボンド基板を劈開させることでボンド基板から形成される複数の第１の半導体膜を、容器に載置し、複数の第１の半導体膜を容器から拾い上げて、複数の第１の半導体膜どうしが離隔するようにベース基板に貼り、複数の第１の半導体膜をエッチングすることで、複数の第２の半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】大気中に暴露した状態でも電界効果移動度の安定性に優れる有機化合物並びにそれを利用した有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタを提供する。
【解決手段】中心に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を有するベンゾジチオフェン誘導体、少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を有する特定のベンゾジチオフェンを含む有機薄膜トランジスタ、並びに該有機薄膜トランジスタにおいて、ソース−ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】大気中の安定性に優れ、かつ動作速度が大きい有機薄膜トランジスタが望まれている。
【解決手段】この有機薄膜トランジスタは、基板上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子と、ソース電極及びドレイン電極とゲート電極との間を絶縁する絶縁体層と、有機半導体層とが設けられていて、ゲート電極に印加された電圧によりソース−ドレイン間電流を制御する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層の結晶性を制御する結晶性化合物から成膜される結晶性制御層を備え、該結晶性制御層上に、複素環基を有する化合物またはキノン構造を有する化合物を含んでなる有機半導体層が成膜されていることを特徴とするものである。また、前記有機薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極のうち、いずれか一方を正孔注入性電極で構成し、残りの電極を電子注入性電極で構成したことを特徴とする有機薄膜発光トランジスタを提供するものである。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生の抑制を行うゲッタリングの効果を良好に得ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】チャネル領域を挟んでソース領域とドレイン領域とを有する半導体層を備える薄膜トランジスタであって、上記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方の領域は、チャネル領域よりも膜厚の薄い領域を有する薄膜トランジスタであり、好ましくは、上記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方の領域は、該領域内で膜厚の厚い領域と膜厚の薄い領域とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入を低減された膜を有する半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。さらには、歩留まり高い半導体装置の作製方法を提案する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層に接して、プラズマＣＶＤ装置を用いて絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法において、当該絶縁膜の不純物を含まない膜でプラズマＣＶＤ装置の反応室の内壁をコーティングした後、反応室に基板を挿入し、基板上に上記絶縁膜を成膜することにより、不純物を低減した絶縁膜を基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜を能動層として用いる半導体装置の製造方法であって、低圧化学気相堆積法で堆積温度が４３０℃未満且つ堆積速度が０．５ｎｍ／ｍｉｎ以上の状態で、高次シランを含む原料気体を用いて非晶質半導体膜を堆積する工程と、前記非晶質半導体膜を固相にて結晶化させ結晶性半導体膜を形成する工程と、前記結晶性半導体膜の一部を溶融させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数箇所に転置される半導体膜どうしの間隔が抑えられる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の凸部を複数有する第１のボンド基板を、ベース基板に貼り合わせる。そして、第１のボンド基板を複数の第１の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第１の半導体膜を形成する。次に、第２の凸部を複数有する第２のボンド基板を、ベース基板の第１の半導体膜とは異なる領域に、複数の第２の凸部が重なるよう、ベース基板に貼り合わせる。そして、第２のボンド基板を複数の第２の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第２の半導体膜を形成する。第２のボンド基板は、複数の第２の凸部の、第２のボンド基板に対して垂直方向（深さ方向）における幅が、先に形成される第１の半導体膜の膜厚より大きいものとする。 （もっと読む）

薄いＳＯＩの集積化のためのＭＯＳトランジスタ（１００）およびそのようなＭＯＳトランジスタの製造方法が提供される。１つの例示的方法においては、埋め込み絶縁層（１０４）を覆うようにシリコン層（１０６）を設け、このシリコン層上にシリコンを含む材料層（１０８）をエピタキシャル成長させるステップを含む。このシリコンを含む材料層内にトレンチ（１１２）がエッチングされ、シリコン層が露出される。ＭＯＳトランジスタゲートスタック（１４８）はトレンチ内に形成される。このＭＯＳトランジスタゲートスタックは、ゲート絶縁体（１３８）とゲート電極（１４０）とを含む。ゲートスタックを注入マスクとして使用して、シリコンを含む材料層内に導電性決定型イオン（１４２）が注入される。
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【課題】島状に設けられた半導体層の端部に起因する不良を防止し、信頼性の向上した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、島状の半導体層を形成し、第１の変質処理を行い、前記島状の半導体層の表面に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜を除去し、前記第１の絶縁膜が除去された前記島状の半導体層に第２の変質処理を行い、該島状の半導体層の表面に第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜上に導電層を形成し、前記第１の変質処理と前記第２の変質処理により、前記島状の半導体層の上端部を丸めることを行う。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のナフタレン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）