【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのリーク電流を低減し、論理回路の誤動作を抑制する。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流が１×１０^−１３Ａ以下であるトランジスタを有し、入力信号として、第１の信号、第２の信号、及びクロック信号である第３の信号が入力され、入力された第１の信号乃至第３の信号に応じて電圧状態が設定された第４の信号及び第５の信号を出力信号として出力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化シリコン層を、酸化物半導体層に接して形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、上記酸化シリコン層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。また、酸化物半導体層と酸化シリコン層の界面に混合領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の膜厚１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタと、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する酸化シリコン層とを有し、薄膜トランジスタは温度８５℃で、１２時間、ゲート電極層に３０Ｖ、又は−３０Ｖの電圧を印加する測定において、測定前と測定後の薄膜トランジスタのしきい値電圧の値の差が１Ｖ以下である半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】自己整列グラフェン・トランジスタを作製するスキームを提供する。
【解決手段】グラフェン電界効果トランジスタは、ゲート・スタックであってシード層とシード層の上に形成されたゲート酸化物とゲート酸化物の上に形成されたゲート金属とを含む該ゲート・スタック、絶縁層、およびシード層と絶縁層との間に転写されたグラフェン・シート、を含む。 （もっと読む）

【課題】ポリスチレンを塗布プロセスにより形成し不溶化処理を行うことで、半導体層を塗布プロセスで積層可能なポリスチレンからなる絶縁体層を有し、応答速度（駆動速度）が早く、オン／オフ比が大きい、優れたトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁体層が、塗布法により積層された層であって、有機溶媒に対して不溶化したポリスチレンからなる薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化させることで、酸化膜が形成された半導体基板を形成する。そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素部の開口率を高くしながら、駆動回路部の特性を向上させた半導体装置を提供することを課題とする。または、消費電力の低い半導体装置を提供することを課題とする。または、しきい値電圧を制御できる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁面を有する基板と、基板上に設けられた画素部と、画素部を駆動する駆動回路の少なくとも一部を有し、画素部を構成するトランジスタおよび駆動回路を構成するトランジスタは、トップゲートボトムコンタクト型のトランジスタであって、画素部においては、電極および半導体層が透光性を有し、駆動回路における電極は、画素部のトランジスタが有するいずれの電極よりも低抵抗である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体層の界面に生じるダングリングボンドをフッ素で終端することで、界面準位を低減することができ、また、低熱履歴のプロセスでも活性領域のみへ効率よくフッ素を導入することができる半導体基板を提供する。
【解決手段】フッ素拡散防止膜６と該フッ素拡散防止膜６上に形成されたフッ素を含有するシリコン酸化膜７からなる絶縁層９と、前記絶縁層９上に形成された半導体層８と、を含み、前記半導体層８とフッ素を含有する前記シリコン酸化膜７とが接触していることを特徴とする。 （もっと読む）

実施形態には、これに限定されないが、第１バリア層と、該第１バリア層上の窒化ガリウムチャネル層と、該窒化ガリウムチャネル層上に存在し、第１サブレイヤーと第２サブレイヤーと第３サブレイヤーとを備える第２バリア層と、を有するヘテロ構造を備える装置とシステムが含まれる。該第１バリア層、第１サブレイヤーおよび第３サブレイヤーは各々アルミニウムを含んでいてもよい。他の実施形態も、本明細書に記載され特許請求される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたＴＦＴの構造を機能に応じて適切なものとするとき、ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。
【解決手段】表示領域に第１のｎチャネル型ＴＦＴが配置され、駆動回路に第２のｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴが配置された半導体装置であって、ｐチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と、これに隣接した不純物領域を有し、不純物領域にはｎチャネル型ＴＦＴのために添加された不純物元素を含ませない。そのために、ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長はｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長より短くなる。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層を備え、改善した性能を持つデバイスを実現できるＩＩＩ−Ｖ族加工基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族加工基板の製造方法は、＜１１０＞または＜１１１＞の結晶方位を持つ第１のＩＩＩ−Ｖ化合物からなる上側層（２）を備えたベース基板（Ｉ）を用意すること、第２のＩＩＩ−Ｖ化合物からなるバッファ層（３）を少なくとも形成することを含んだ、中間層（ＩＩ）を形成することであって、中間層（ＩＩ）は、ベース基板の上側層（２）の上に位置し、これと接触するようにすること、ＩＶ族半導体材料からなる擬似格子整合パッシベーション層（４）を成長させることであって、擬似格子整合パッシベーション層は、中間層（ＩＩ）の上に位置し、これと接触するようにすることを含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板よりも大面積な基板に、均一な質を有する複数の単結晶半導体層を貼り付けたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】熱処理において、ベース基板支持及び単結晶半導体基板保持のトレイとして、凹部の底が深く、ベース基板に貼り付けられた単結晶半導体基板と接触しないトレイを用いて、単結晶半導体基板の熱分布の均一化を図る。また、該トレイの各々の凹部の間にベース基板支持部を設けることによって、該トレイとベース基板との接触面積を低減する。以上より、単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離する熱処理の際、単結晶半導体基板及びベース基板の熱分布が均一になるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを用いた半導体装置において、ＴＦＴ中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のＴＦＴの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるＴＦＴを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で１：５０のバッファードフッ酸を用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことにより、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗのシリコン層の表面に、ゲート絶縁膜との間に介在される界面酸化層を形成する成膜方法において、シリコン層をケミカル洗浄処理することによってケミカル酸化膜を形成するケミカル酸化膜形成工程と、ケミカル酸化膜の形成された被処理体に対して酸素分圧が０．２〜２Ｐａの範囲内の雰囲気中で熱処理を施すことにより界面酸化膜を形成する熱処理工程とを有する。これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 （もっと読む）

【課題】
薄膜トランジスタのソース・ドレイン間のＯＮ抵抗を低下することができる光マトリックスデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型に真空中にて半導体膜６を形成し、半導体膜６が形成された転写型に真空中にて連続してゲート絶縁膜７を形成する。そして、基板１上に予め形成されたゲート線２上に接着用樹脂４を介して前記ゲート絶縁膜７および前記半導体膜６を転写する。そして、基板１上に転写された前記半導体膜６に水素イオンをドープする処理を行う。それにより、半導体膜６の抵抗率を低下させることができるので、薄膜トランジスタのゲートがＯＮ状態のときのソース・ドレイン間の接続抵抗を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶分子を駆動するための画素電極と共通電極が、平面視上、重畳領域を有するＴＦＴアレイ基板において、製造工程の短縮化を実現する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴアレイ基板は、ドレイン領域１０Ｄから延在される画素電極１１を備える島状の結晶性半導体層３と、結晶性半導体層３の上層に形成されたゲート絶縁膜２１と、ゲート絶縁膜上２１であって、チャネル領域１０Ｃと対向配置されるゲート電極１２と、ゲート電極１２より上層に配置され、絶縁層２５に形成されたコンタクトホールＣＨを介してソース領域１０Ｓと電気的に接続されたソース電極１３と、絶縁層２５より上層に形成され、画素電極１１と重畳する領域を有する共通電極１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】各画素にＮ型とＰ型の２つの薄膜トランジスターを形成配置することによって、コンタクトホールの形成数が２つから４つに増え、薄膜トランジスターの平面的な占有面積が大きくなってしまう。
【解決手段】Ｎ型薄膜トランジスターＮＴのドレイン領域ＮＤとＰ型薄膜トランジスターＰＴのドレイン領域ＰＤとが部分的に隣接するように、また、Ｎ型薄膜トランジスターＮＴのソース領域ＮＳとＰ型薄膜トランジスターＰＴのソース領域ＰＳとが部分的に隣接するように、それぞれ配置されている。ドレイン領域ＮＤとドレイン領域ＰＤとの隣接部分に１つのコンタクトホール１２１が形成されて、ドレイン領域ＮＤとドレイン領域ＰＤとが、同時に信号線１２と電気的に接続されている。ソース領域ＮＳとソース領域ＰＳとの隣接部分には、１つのコンタクトホール２９１が形成されて、ソース領域ＮＳとソース領域ＰＳとが、同時に容量電極２９と接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリーオフ動作、高耐圧、大電流を実現する電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 電界効果トランジスタの下面または上面にボディ電極８を設ける。下面にボディ電極８を設ける場合、ｐ型Ｓｉ基板２上にＡｌＮ層３１およびＧａＮ層３２の繰り返しによるバッファ層３を介してｐ−ＧａＮ層４を設け、バッファ層３の最上層のＡｌＮ層３１を薄くし、ｐ型Ｓｉ基板の下面にボディ電極８を形成する。上面にボディ電極８を設ける場合、サファイア基板２１上にｐ−ＧａＮ層４を設け、ソース電極５およびドレイン電極６下の部分にＡｌＧａＮ層１３を設け、ＡｌＧａＮ層１３上にボディ電極８を設ける。アバランシェにより生じる正孔２０をボディ電極８より引き抜く。 （もっと読む）

【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造でき、再現性のよい特性が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を具備する有機薄膜トランジスタであって、前記有機半導体層が下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。


（式中、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の２価基であり、Ａｒ_１は置換もしくは無置換の１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキルチオ基から選択された基を表し、同一でも別異でもよく、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ０から２までの整数を表し、同一でも別異でもよく、ｎは１以上の整数を表わす。） （もっと読む）