【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】素子面積の増大を抑制しつつ、信頼性に優れた構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、化合物半導体基板１２と、化合物半導体基板１２に埋め込まれた埋込電極と、を備え、化合物半導体基板１２の主面に溝２２、２４が設けられており、少なくとも溝２２、２４の側壁上に設けられた第一の金属膜１０ａ、１０ｂと、少なくとも溝２２、２４の底面上に設けられており、第一の金属膜１０ａ、１０ｂと異種材料で構成される第二の金属膜９ａ、９ｂと、を含む積層体により溝２２、２４を埋め込むことで、上記埋込電極が構成されており、第一の金属膜１０ａ、１０ｂのフェルミエネルギーは化合物半導体基板１２の真性フェルミエネルギーと異なり、第二の金属膜９ａ、９ｂのフェルミエネルギーは化合物半導体基板１２の真性フェルミエネルギーと異なる。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩ中の高耐圧ＭＯＳＦＥＴを含む高耐圧回路は、純粋な内部回路と異なり、外部との関係で動作電圧が高い状態で固定されているため、通常のように、低電圧化による微細化が適用できない。このため、内部回路部の低電圧化に伴って、ますます、チップ内の占有面積を肥大化させる結果となっている。この問題について、本願発明者等が、各種の対策について評価したところによると、ＣＭＯＳＦＥＴ回路構成およびデバイス構成との適合性等の問題がネックとなっていることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、各チャネル表面に波状起伏が設けられたＮチャネル型およびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置において、Ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのチャネル表面に設けられた波状起伏に比べて、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのチャネル表面に設けられた波状起伏のピッチを狭くしたものである。 （もっと読む）

【課題】電力変換効率の向上を実現するＤＣＤＣコンバータの提供を目的の一とする。
【解決手段】出力電力を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタが、通常のゲート電極に加えて、閾値電圧を制御するためのバックゲート電極を備える。そして、ＤＣＤＣコンバータから出力される出力電力の大きさに従って、バックゲート電極に与える電位の高さを制御するための、バックゲート制御回路を備える。バックゲート制御回路により、バックゲート電極に与える電位を制御することで、出力電力が大きい場合にはオン抵抗が下がるように閾値電圧を調整し、出力電力が小さい場合にはオフ電流が下がるように閾値電圧を調整することができる。さらに、スイッチング素子として機能するトランジスタが、オフ電流の極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層の下地絶縁層に、加熱により酸素を放出する絶縁層を用いる。前記下地絶縁層から酸素が放出されることにより、前記酸化物半導体層中の酸素欠損及び前記下地絶縁層と前記酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低く耐圧および信頼性が高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたキャリア走行層３と、前記キャリア走行層上に形成され前記キャリア走行層よりもバンドギャップエネルギーが高いキャリア供給層４ａ、４ｂと、前記キャリア供給層から前記キャリア走行層の表面または内部に到る深さまで形成されたリセス部５と、前記キャリア供給層上に形成されたドレイン電極１１と、前記リセス部に形成され、前記ドレイン電極側のキャリア供給層と重畳するように延設したゲート電極７と、前記リセス部の底面と前記ゲート電極との間に形成された第１絶縁膜６と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極側のキャリア供給層との間に形成され前記第１絶縁膜よりも誘電率が高い第２絶縁膜８ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】専有面積が小さく、高集積化、大記憶容量化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】バックゲート電極を有する読み出し用トランジスタと、書き込み用トランジスタと、を有する多値型メモリセルを用いる。情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極が電気的に接続されたノードに、情報に応じた電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定の電位を保持させる。情報の読み出しは、読み出し用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続された制御信号線に、読み出し制御電位を供給し、その後、読み出し信号線の電位変化を検出することで行う。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有し且つ微細化を実現した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、平面状シリコン層２１２上の柱状シリコン層２０８、柱状シリコン層２０８の底部領域に形成された第１のｎ^＋型シリコン層１１３、柱状シリコン層２０８の上部領域に形成された第２のｎ^＋型シリコン層１４４、第１及び第２のｎ^＋型シリコン層１１３，１４４の間のチャネル領域の周囲に形成されたゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜１４０の周囲に形成され第１の金属シリコン化合物層１５９ａを有するゲート電極２１０、ゲート電極２１０と平面状シリコン層２１２の間に形成された絶縁膜１２９ａ、柱状シリコン層２０８の上部側壁に形成された絶縁膜サイドウォール２２３、平面状シリコン層２１２に形成された第２の金属シリコン化合物層１６０、及び第２のｎ^＋型シリコン層１４４上に形成されたコンタクト２１６を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成する半導体層の表面上にＡｌＯｘ層を安価に形成でき、且つＡｌＯｘ層を厚膜化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成された窒化物系化合物半導体層２、３、４と、前記窒化物系化合物半導体層２、３、４上に隣接して形成された酸化アルミニウム層７と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記窒化物系化合物半導体層２、３、４上に多結晶又は非晶質の窒化アルミニウム層６を形成する第１の工程と、前記多結晶又は非晶質の窒化アルミニウム層６を熱酸化して前記酸化アルミニウム層７を得る第２の工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体基板に付着する異物の影響を低減し、歩留まりよく半導体基板を作製することを目的の一とする。安定な特性を有する半導体装置を歩留まりよく作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の作製工程において、単結晶半導体基板に脆化領域を形成する際、単結晶半導体基板表面に対して複数の（少なくとも二つ以上の）異なる角度で斜め方向から水素イオンを照射することによって、単結晶半導体基板に付着する異物の影響を低減し、均一な単結晶半導体層を有する半導体基板を歩留まりよく作製することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、トランジスタ数を削減し、表示品位及び／または撮像品位を向上させる。
【解決手段】ゲートが選択信号線２０８に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方に出力信号線２１２が電気的に接続され、他方に基準信号線２１１が電気的に接続されたトランジスタ２０５と、リセット信号線２０９にアノードまたはカソードの一方が電気的に接続され、他方にトランジスタ２０５のバックゲート２０６が電気的に接続されたフォトダイオード２０４を有し、フォトダイオード２０４を順バイアスとしてトランジスタ２０５のバックゲート電位を初期化し、逆バイアスとしたフォトダイオード２０４の光の強度に応じた逆方向電流で前記バックゲート電位を変化させ、トランジスタ２０５をオンすることで前記出力信号線２１２の電位を変化させ、光の強度に応じた信号を得る。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性することで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。水素原子を含む安定な物質は酸化物半導体層の金属原子に水素原子を与えることなく排気されるため、水素原子等が酸化物半導体層に取り込まれる現象を防止できる。水素原子を含む不純物と強く結合する物質としては、例えばハロゲン元素を含む物質が好ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い酸化物半導体膜の作製方法を提供することを課題の一とする。また、高い電界効果移動度を有するトランジスタの作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気で熱処理をして、酸化物半導体膜を結晶化させる酸化物半導体膜の作製方法である。また、基板上に、ゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気での第１の熱処理をして、酸化物半導体を結晶化させ、結晶化した酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、結晶化した酸化物半導体膜、ソース電極およびドレイン電極上に酸素原子を含む絶縁膜を形成し、結晶化した酸化物半導体膜を第２の熱処理により酸化させるトランジスタの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＮ状の半導体部により構成されるＦＩＮ型トランジスタを有する半導体装置において、ＦＩＮ状の半導体部の上面の不純物濃度と側面の不純物濃度との差を小さくすることにより、ＦＩＮ型トランジスタの特性ばらつきを抑えて、信頼性を向上させる。
【解決手段】
ＦＩＮ状の半導体部１０の上面に２〜５ｎｍ程度の厚さのパッド絶縁膜３を形成し、ＦＩＮ状の半導体部１０の一方の側面に、第１注入角度θ１を有する斜め方向からクラスタイオンを注入した後、ＦＩＮ状の半導体部１０の他方の側面に、第１注入角度θ１と対称の第２注入角度θ２を有する斜め方向からクラスタイオンを注入する。その後、ＦＩＮ状の半導体部１０に注入されたクラスタイオンを活性化して、ソース領域およびドレイン領域の一部を構成する拡散領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される構造を少なくとも２つ含有してなるオリゴマーまたはポリマーを少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。



（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ｙ_１および環Ｙ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に第１の多元系酸化物半導体層を形成し、第１の多元系酸化物半導体層上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、第１の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層、及び単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に第２の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。位相反転素子への電源電圧の印加を停止する場合、データを容量素子に記憶させることで、位相反転素子への電源電圧の供給を停止しても、容量素子においてデータを保持させる。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度の制御性および安定性に優れ、かつ、低コストである酸化物半導体材料の提供ならびにこれを用いた電界効果トランジスタの提供を目的とする。
【解決手段】インジウムとシリコンと亜鉛を含む酸化物を酸化物半導体材料として用いる。このとき、酸化物半導体膜中におけるシリコンの含有量は、４ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下とする。このようなＩｎ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いた電界効果トランジスタは、高温の熱処理に耐えられ、かつ、−ＢＴストレスに対し有効である。 （もっと読む）