【課題】酸化物半導体の分野は近年注目されはじめた分野である。そのため、酸化物半導
体層を用いたトランジスタの電気特性と、酸化物半導体層の物性値と、の相関関係が未だ
明らかになっていない。よって、酸化物半導体層の物性値を調整することによって、トラ
ンジスタの電気特性を向上させることを第１の課題とする。
【解決手段】少なくとも、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化
物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記酸化物半導体層は、比誘電率
が１３以上（又は１４以上）である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域１１０は、溝部３００側面の第２面３２に面し、一部が面３１と面３２の交線と平行な方向に延在する。ドリフト領域１４０は、溝部３００のうち面３２と反対の面３３に面し、一部が面３１および面３３の交線と平行な方向に延在して設けられ、ソース領域１１０よりも低濃度に形成される。ドレイン領域１２０は、ドリフト領域１４０を介し溝部３００の反対側に位置し、ドリフト領域１４０と接するように設けられ、ドリフト領域１４０よりも高濃度に形成される。第１ゲート絶縁層２００は、溝部３００の側面のうち面３２と面３３に交わる方向の面である面３４と接するとともに、面３１上のうち少なくともチャネル領域１３０と接する。ゲート電極４００は、第１ゲート絶縁層２００上に設けられ。溝部３００はドリフト領域１４０よりも深い。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴを実現する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上に化合物半導体積層構造２を備えたＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴにおいて、３層のキャップ層２ｅを用いることに加え、キャップ層２ｅのドレイン電極５の近傍（ゲート電極６とドレイン電極５との間で、ドレイン電極５の隣接箇所）に高濃度ｎ型部位２ｅＡを形成し、高濃度ｎ型部位２ｅＡでは、そのキャリア濃度が電子供給層２ｄのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 （もっと読む）

【課題】１本の棒状素子が破壊しても、他の棒状素子が正常に動作し、正常動作を続けるトランジスタ装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ装置は、基板５と、この基板５上に配置された２本の棒状素子１とを有する。このため、一方の棒状素子１が破壊しても、他方の棒状素子１が正常に動作し、トランジスタ装置は、正常動作を続ける。 （もっと読む）

【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム（Ｇａ）若しくはスズ（Ｓｎ）の一部又は全部の代わりにゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム（Ｇｅ）原子は、酸素（Ｇｅ）原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム（Ｇａ）又はスズ（Ｓｎ）の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗に伴う電圧降下や信号遅延によるトランジスタへの信号の書き込み不良
を防止した半導体装置を提供することを課題の一つとする。例えば、表示装置の画素に設
けたトランジスタへの書き込み不良が引き起こす階調不良などを防止し、表示品質の高い
表示装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度
が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。バンドギ
ャップが広い酸化物半導体を用いて、トランジスタのオフ電流を低減するだけでなく、キ
ャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を用いて正のしきい値電圧を有し、所謂ノ
ーマリーオフ特性のトランジスタとして、オフ電流とオン電流の比を大きくできる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】チャネル長方向の一方の側面においてソース電極層と接し、チャネル長方向の他方の側面においてドレイン電極層と接する酸化物半導体層を含むトランジスタとすることでソース電極層とドレイン電極層の間の電界を緩和して、短チャネル効果を抑制する。また、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電性を有する側壁層を設けることで、当該導電性を有する側壁層がゲート絶縁層を介してソース電極層又はドレイン電極層と重畳し、実質的にＬｏｖ領域を有するトランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】ｎ型ＦＥＴ１１１Ｎの半導体活性層１１１Ｃの上面に、バックゲート絶縁膜４０１を介してバックゲート電極１２１を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極１２１，２２１について、半導体活性層１１１Ｃの上面においてゲート電極１１１Ｇおよび一対のソース・ドレイン領域１１１Ａ，１１１Ｂに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を１×１０^−１３Ａ以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を維持しつつ、微細化を達成した半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極層をマスクとした不純物の導入処理によって自己整合的にチャネル形成領域と一対の低抵抗領域とが形成される酸化物半導体層を有し、ゲート電極層を挟んで設けられる一対の配線層が低抵抗領域と電気的に接続し、配線層が形成される領域の下部に低抵抗領域と接する電極層が設けられている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂膜を有するTFTアレイ基板の製造工程において、ブラシ洗浄の際に異物が有機平坦化膜表面にキズを生じさせることがある。このようにキズが生じた有機平坦化膜上に、画素電極となる透明電極膜を成膜した場合、キズ上の透明電極膜も断線してしまい、画素電極に信号が伝わらず表示不良を引き起こすことがある。
【解決手段】 有機平坦化膜を塗布する工程と、中間調露光を用いて有機平坦化膜に凹凸を形成する工程と、凹凸が形成された有機平坦化膜表面をロールブラシを用いて洗浄する工程と、洗浄工程後に、有機平坦化膜上に画素電極を構成する透明導電膜を成膜する工程とを備えた薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が６配位した構造とし、インジウムは酸素が５配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く、Ｓ値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】Ｉｎ元素及びＺｎ元素と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類からなる群より選択される１以上の元素Ｘを、下記（１）〜（３）の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８ （１）
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．２９〜０．９９ （２）
Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９〜０．９９ （３） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層へ酸素を効率よく供給し、トランジスタ特性を向上することが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の薄膜トランジスタは、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する酸化物半導体層と、チャネル領域を覆うチャネル保護膜と、チャネル保護膜の両側の酸化物半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくともソース電極およびドレイン電極上に設けられた保護膜と、酸化物半導体層に設けられ、保護膜と同一の構成材料が充填された１または２以上の凹部とを備える。 （もっと読む）

【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電膜によるゲート電極と、第１導電膜上の第１絶縁層によるゲート絶縁膜と、第１絶縁層上にゲート電極と重なる第１半導体層と、第１半導体層上かつゲート電極に重なる第２絶縁層によるチャネル保護膜と、第１半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第２半導体層と、第２半導体層上の第２導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第２導電膜上に形成された第３絶縁層と、第３絶縁層上の第３導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第１絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第３絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 （もっと読む）