【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面１ａに触媒層３が形成された基板１において、前記一方とは反対側から前記触媒層３の裏面３ａに至る開口部１ｃを形成する工程と、前記開口部１ｃにおいて、前記触媒層３の裏面３ａにグラフェン５を形成する工程と、前記触媒層３の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部１ｃの形成後、グラフェン５の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン５を形成する前に、触媒層３の表面に保護層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】Ｉｎと、Ｍ１と、Ｍ２と、Ｚｎと、を含む酸化物材料であり、Ｍ１＝１３族元素、代表的にはＧａであり、Ｍ２の元素は、Ｍ１の元素よりも含有量が少ない材料を提供する。Ｍ２としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｎなどが挙げられる。Ｍ２を含ませることで、酸化物半導体材料における酸素欠損の発生を抑制することができる。酸素欠損がほとんど存在しないトランジスタを実現できれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度と安定性が高く、有機半導体材料として好適な新規化合物を提供する。
【解決手段】
下記一般式（Ｅ）で表される化合物。
【化１】


（但し、Ｒ₁'は、炭素数１〜３のフッ素置換アルキル基である。）

当該化合物はキャリア移動度と安定性が高く、容易な製造プロセスで成膜が可能であるため、有機半導体材料として好適である。特に有機薄膜トランジスタ用の有機半導体層として好適に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の導電率を高めることで、高いオン特性を有する酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】第１の領域および第２の領域を有し、少なくともインジウム（Ｉｎ）を含む酸化物半導体膜と、少なくとも酸化物半導体膜の第１の領域と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体膜およびゲート電極の間に設けられたゲート絶縁膜と、少なくとも一部が酸化物半導体膜の第２の領域と接して設けられた電極と、を有し、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜と電極との界面近傍のＩｎの濃度が高く、界面から１５ｎｍの範囲で遠ざかるに従いＩｎの濃度が低くなる。なお、酸化物半導体膜の第１の領域はトランジスタのチャネル領域として機能し、第２の領域はトランジスタのソース領域、ドレイン領域として機能する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＴＦＴ，バックプレーン等）は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態（溶液の状態）で半導体層上に塗布（または印刷）されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制し、且つ、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６には、３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが開けられている。開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各底部には、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが露出し、各々がチャネル部として機能する部分である。開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｄ，１０１６ｅは、側面部１０１６ｉに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｊに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。 （もっと読む）

【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１と、ゲート電極配線２と、ゲート絶縁膜３と、チャネルとなる第１の半導体層４と、第１及び第２のコンタクト層５ａ、５ｂとなる第２の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂとを有し、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂに対して露出する第２の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層６ａ、６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域３０を含むＦＥＴ３４、活性領域３０からなるスクライブライン３６、ＦＥＴ３４とスクライブライン３６との間に位置する不活性領域３２、及び不活性領域３２を横断してＦＥＴ３４とスクライブライン３６とを電気的に接続する接続領域３８を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜２０を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜２０に選択的に開口部２１を形成する工程と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６における開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｃの側の側面部１０１６ｅは、側面部１０１６ｄを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｂの側の側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｇを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、Ｘ軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧が制御され、動作速度が速く、製造工程が比較的簡単であり、十分な信頼性を有する、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。酸化物半導体層に接して未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化物絶縁層を形成し、当該酸化物絶縁層に不純物を拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減すればよい。また、酸化物半導体層、又は酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層を、クライオポンプを用いて排気して不純物濃度が低減された成膜室内で成膜すればよい。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減する。
【解決手段】積層配置されるメモリセルアレイ（例えば、酸化物半導体材料を用いて構成されているトランジスタを含むメモリセルアレイ）と周辺回路（例えば、半導体基板を用いて構成されているトランジスタを含む周辺回路）の間に遮蔽層を配置する。これにより、当該メモリセルアレイと当該周辺回路の間に生じる放射ノイズを遮蔽することが可能となる。よって、半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、酸により脱離しうる有機基を有する繰り返し単位とを含有する高分子化合物（Ａ）を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の結晶配置の方向を制御し、良質な酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル層となる酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、
前記酸化物層において、２５×２５μｍ^２における表面電位の最大値と最小値の電位差が６０ｍＶ以下であることを特徴とする積層構造。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置を、半導体層として機能する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の少なくとも酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極を有し、少なくともゲート電極と重畳する酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコンの濃度が１．１原子％以下の濃度で分布する領域を有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）